Interruptores de Potncia

MOSFET
Eletrnica Industrial de Potncia
2017
Prof. Rudnei Barbosa
 O diodo de potncia
O diodo est
diretamente
polarizado quando o
potencial de anodo
Curva Caracterstica positivo em
relao ao catodo.

Nesta condio o
diodo conduz. Se o
potencial de catodo
for positivo em
relao ao anodo, o
diodo bloqueia.
O diodo de potncia
Mesmo que a corrente
no diodo seja conduzida
at zero, ele continua
conduzindo devido
necessidade de
recombinao dos
portadores minoritrios.
O tempo requerido para
esta recombinao
chamado tempo de
recuperao reversa.
mais comum o tipo de
recuperao dita suave.
O diodo de potncia
Os diodos que necessitam
comutar rapidamente,
bloqueiam rapidamente,
de modo a estar apto a
conduzir novamente no
menor intervalo de tempo
possvel. Entretanto, uma
recuperao abrupta
provoca oscilaes que
podem gerar
instabilidades e at
mesmo falhas no
funcionamento.
Tipos de diodos de potncia
 Diodos Standard
Os diodos standard
possuem tempos
de recuperao
reversa
Aplicao: relativamente altos.
retificadores e Geralmente em
conversores com torno de 25s e so
frequncia de utilizados em
entrada at 1kHz. aplicaes de baixa
velocidade.
 Diodos de recuperao rpida

Os diodos de
recuperao rpida
Aplicao: possuem tempo de
Conversores cc-cc recuperao reversa
e cc-ca em que o baixo, geralmente
tempo de menores que 5s.
recuperao
critico para o
funcionamento do
mesmo.
O tiristor ou SCR

O tiristor com corrente

de gatilho passa a se
comportar como um
diodo. As tenses
mxima que o tiristor
pode bloquear, tanto
direta quanto reversa,
so limitadas.
Curva caracterstica de um
tiristor
O tiristor ou SCR

O tiristor entra em
conduo se estiver
diretamente polarizado
e for fornecida uma
corrente no gatilho. O
bloqueio acontece da
mesma forma que para
um diodo de potncia.
O tiristor GTO

O tiristor GTO (gate

turn off) entra em
conduo atravs de
um sinal positivo no
gatilho, e bloqueia
atravs de um sinal
negativo no gatilho.
O Triac

O TRIAC pode conduzir

em ambos os sentidos.
Podemos, inclusive,
considerar o TRIAC
como dois tiristores em
antiparalelo.
O transistor de potncia
O transistor bipolar
pode ser do tipo NPN
ou PNP. O transistor
pode funcionar na
regio de corte, regio
ativo ou regio de
saturao. Em fontes
chaveadas, o transistor
utilizado em corte ou
saturao.
O transistor de potncia

O transistor bipolar
um interruptor
controlado por corrente
e requer uma corrente
de base para que flua
uma corrente de coletor.
O MOSFET

O MOSFET um
interruptor controlado
por tenso e requer
apenas uma pequena
corrente de entrada
para que flua uma
elevada corrente de
dreno para source.
O MOSFET
A velocidade de
chaveamento do
MOSFET elevada.
Os tempos de comutao
so da ordem de nano
segundos.
Permitem elevadas
frequncias de
chaveamento.
Polarizao MOSFET canal n
Polarizao MOSFET canal p
 O MOSFET
O MOSFET um
dispositivo controlado por
tenso e possui uma
impedncia de entrada
muito elevada. Portanto, o
gatilho ou gate drena uma
corrente muito baixa. Desta
forma, o circuito de gatilho
se torna mais simples.
Modelo para o MOSFET
 O IGBT

O IGBT integra as vantagens do

transistor (capacidade de corrente)
com as do MOSFET (controle por
tenso).
O IGBT
O IGBT, portanto,
um dispositivo
acionado por
tenso. O IGBT
mais rpido que o
transistor bipolar,
porm, mais lento
que o MOSFET.
 O IGBT
O IGBT possui baixas
perdas em conduo e
elevada capacidade de
corrente.
Possui perda de
comutao significativa,
devido a presena da
corrente de cauda.
Modelo para o IGBT
Limite de Funcionamento