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REGULADOR SRIE:
FUNCIONAMENTO:
A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE
Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB
ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX))
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Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.
VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
onde: IZ(MAX) =
VZ
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
VIN(MAX) - VZ
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = ( III)
R
VIN(MIN) - VZ
De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = ( IV )
R
IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ
IZ(MIN) IB(MAX) VIN(MIN) - VZ
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Escolha do transistor
1
IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar
2
PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor
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Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o
manual do fabricante tem as especificaes:
VCBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
> 40 < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No
entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente
para este projeto.
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN ) logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )
0,5W
PZ(MAX) = 6,8V 73,53mA
Teremos ento na carga 6,1V valor este, perfeitamente aceitvel.
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ
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IC(MAX) 1,46A
IB(MAX) = ( MIN) 40
36,5mA
13,2V - 6,8V
IZ(MAX) = . 8mA 36,5mA
10,8V - 6,8V
6,4V
IZ(MAX) = . 44,5mA 71,2mA
4V
Clculo de R:
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V
R = IB(MAX) IZ(MIN) 36,5mA 8mA 44,5mA 89,89
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o
valor comercial mais prximo: 91
REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.
FUNCIONAMENTO:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) IC(MAX) ( I )
R1
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
Corrente em R2:
IC(MIN)
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) = ( MIN )
IC(MIN)
portanto: IR2 = IZ(MIN) - ( MIN ) ( IV )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior
condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE
praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento
teremos:
IC(MAX) ( MIN) . IB(MAX)
IB(MAX) IZ(MAX) - IR2 IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 3 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Escolha do diodo zener:
Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
PROJETO
VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
VIN = 22V 10%
Escolha do transistor:
3
VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
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O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)
IC(MIN)
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) - , IR2 = 20mA
( MIN )
8,5V
IZ(MAX) = . (620mA 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)
Calculando IC(MAX):
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2)
IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA)
IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A
IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX))
Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W
Calculando R2:
VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
VBE 0,7V
R2 = 35 (adotar 33)
20mA 20mA
PR2 =
ER2 2
0,7 2
0,49V
14,85mW
R2 33 33
Calculando R1:
VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V
R1 = IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX) 20mA 600mA 620mA 6,613
OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 = 3,94
IZ(MAX) IC(MAX) 86,67mA 2,073A 2,16
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = (I)
R1
Considerando a tenso de entrada mnima
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) + IB(MAX) =
R1
IL(MAX)
mas, IB(MAX) = 1( MIN ) IL(MAX) IC(MAX) temos ento:
dividindo ( I ) e ( II )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 > R1 < IL(MAX)
IZ(MAX) IZ(MIN)
1( MIN )
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
PR1 =
(VIN(MAX) - (VL VBE(MIN) ) 2
R1 (adotado)
Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2
VL - VZ - VBE2(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 <
0,1.IZ(MIN)
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >
0,1.IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = R1 (adotado)
VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN)
(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
PR2 =
R2 (adotado)
Clculo de R3
R3
VR3 = VL . VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R3 R 2
Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
(VZ VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:
Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
14,9V
IZ(MAX) = . 70mA 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
(VZ VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
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Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:
VCBO = 80V
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
(MIN) = 500 (MAX) = 1.000
Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
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Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
0,4W
IZ(MAX) = 7,5V 53,33mA
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN ) logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,497A
IB(MAX) = ( MIN) 500
2,994mA
13,2V - 7,5V
IZ(MAX) = . 10mA 2,994mA
10,8V - 7,5V
5,7V
IZ(MAX) = 3,3V . 12,994mA 22,44mA
Clculo de R:
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o
valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que
neste caso 180.
COMPARAES:
Equaes bsicas:
VCC
VRE = 0,1VCC VRC = VCC - (VCE + VRE) IB = RB RC
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
VCC
IB = RB RE
Aplicando Thvenin:
RB2 . VCC
Abrindo o terminal da base temos: VTH =
RB1 RB2
RB1 . RB2
RTH =
RB1 RB2
VTH - VBE
IE
Sendo: IB = 1
, temos: IE = RE
RTH
1
RTH
Se RE for 10 vezes maior do que 1 , podemos simplificar a frmula:
VTH - VBE
IE =
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o
que equivale dizer que:
RTH 0,1RE
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um
projeto de polarizao por divisor de tenso na base:
VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1RE
RBB . VCC VCC
RB1 = VBB
ou RB1 = RBB . VBB
RBB
RB1 . RBB
RB2 = ou RB2 = 1-
VBB
RB1 - RBB
VCC
IC = IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO
portanto:
IB ICBO
IC =
1- 1-
DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V
Clculo de IB
IC 3mA
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB = = = 30A
100
Clculo de RE
Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k
Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC 4,8V
RC = = = 1,6k (equivalente a 4RE)
IC 3mA
Clculo de R1
RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000
R1 = = = 2,02 = 23.762
VBB 2,02
Clculo de R2
R1 . RBB (23.762).(4.000) 95.048
R2 = = = = 4.817
R1 - RBB 23.762 - 4.000 19.762
RESPOSTAS:
RC 1,6k
RE 400
R1 23,762k
R2 4,817k
IB 30A
IE 3mA
IC 3mA
DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
VCC = 12V
ICBO = 6A
= 0,92
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Clculo de
0,92
11,5
1 - 1 - 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de RC
VRC
RC = VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC
5,8V
RC = 3,755mA = 1.54k (1.544,6)
Clculo de RE
VRE 1,2
RE = = = 300
IE 4mA
Clculo de RB
VRB
RB = VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB = 245A = 41,84k (41.836,7)
RESPOSTAS:
Clculo de IB
VCC 15 15 15
IB = 72,12A
RB RE 100k 40(2,7k) 100k 108k 208k
Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12A = 2,96mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V
RESPOSTAS:
IB 72,12A
IE 2,96mA
VCE 7V
VRE 8V
Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27A) = 2,027mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Clculo de IC
IC
= , logo: IC = 6A . 200 = 1,2mA
IB
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Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18
15 - 8,18
RC = 1,2mA 5,68k (5.683,3)
Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
IC = 1,2mA RC = 5,68k
IE = 1,2mA RB = 2,37M
BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990