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REGULADORES

REGULADOR SRIE:

O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais


sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.

O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o


transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em
srie com a carga, da o nome regulador srie.

FUNCIONAMENTO:
A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE
Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:

VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ


VCE = VCB + VBE

Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar


provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL
constante.
VL = VIN - VCE

Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera

Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.

Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera

LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB

ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX))
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Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.

Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN))


Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas
caractersticas de estabilizao e ser danificado.

CONDIES PARA UM PROJETO:


Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em
condies normais sem danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I )
Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
onde: IZ(MAX) =
VZ
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )

VIN(MAX) - VZ
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = ( III)
R

VIN(MIN) - VZ
De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = ( IV )
R

Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:

IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ

IZ(MIN) IB(MAX) VIN(MIN) - VZ

PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Escolha do transistor

O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:


VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V
IC(MAX) 1> IL(MAX) no caso 1,5A
PC(MAX) 2> (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)

1
IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar
2
PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor
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Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o
manual do fabricante tem as especificaes:
VCBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
> 40 < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No
entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente
para este projeto.

Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:

PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)


IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)

IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN ) logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5


1,46A
IC(MAX) = 1 1 = 1 1 1 0,025 1,025
( MIN )
40

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a


dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo
fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.

Escolha do diodo zener:

Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um


diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento
adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor comercial
mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de 6,8V e
PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.

0,5W
PZ(MAX) = 6,8V 73,53mA
Teremos ento na carga 6,1V valor este, perfeitamente aceitvel.

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ
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IC(MAX) 1,46A
IB(MAX) = ( MIN) 40
36,5mA

13,2V - 6,8V
IZ(MAX) = . 8mA 36,5mA
10,8V - 6,8V

6,4V
IZ(MAX) = . 44,5mA 71,2mA
4V

Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido


pode ser utilizado.

Clculo de R:

Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V

VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ

Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V 6,4V


R= 87,04
IZ( MAX) 73,53mA 73,53mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V
R = IB(MAX) IZ(MIN) 36,5mA 8mA 44,5mA 89,89

Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o
valor comercial mais prximo: 91

Potncia dissipada pelo resistor:

E2 (VIN(MAX) - VZ) 2 (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2


P= P= = 0,508W
R R 91 91

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W

REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.

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Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.

A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do


regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.

FUNCIONAMENTO:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ

Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar


VBE variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-se a
tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente
de coletor.
Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ no assuma valores
menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente:
VIN, VL e IL(MAX).

Tenso de entrada mxima:


Na pior condio RL = IL = 0
VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE

VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) IC(MAX) ( I )
R1

Tenso de entrada mnima:


VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE
VIN(MIN) - VZ - VBE
IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX) ( II )
R1

Dividindo ( I ) e ( II ), temos:

IZ(MAX) IC(MAX) VIN(MAX) - VZ - VBE



IZ(MIN) IC( MIN ) IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE
Isolando IZ(MAX):

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VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN IC(MIN) IL(MAX)) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no
resultado final.

Corrente em R2:
IC(MIN)
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) = ( MIN )

IC(MIN)
portanto: IR2 = IZ(MIN) - ( MIN ) ( IV )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior
condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE
praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento
teremos:
IC(MAX) ( MIN) . IB(MAX)
IB(MAX) IZ(MAX) - IR2 IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V )

Substituindo ( V ) em ( III ), temos:


VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - (MIN).(IZ(MAX) - IR2
VIN(MIN) - VZ - VBE
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
VIN(MIN) - VZ - VBE . (IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX)) ( MIN ) . IR2 . ( MIN ) 1

Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 3 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Escolha do diodo zener:
Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.

PROJETO

Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:

VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
VIN = 22V 10%

Escolha do transistor:

3
VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
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O transistor dever ter as seguintes caractersticas:

VCEO > (VCE + VVBE)


Ic(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)

Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:

VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)

Escolha do diodo zener:


O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:
PZ(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
VZ = 15V
PZ(MAX) 1,3
86,67mA
IZ(MAX) = VZ 15

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:


IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
VIN(MIN) - VZ - VBE . (IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX)) ( MIN ) . IR2 . ( MIN) 1

IC(MIN)
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) - , IR2 = 20mA
( MIN )

24,2V - 15V - 0,7V 1


IZ(MAX) = . (20mA 0 600mA) 40.(20mA) .
19,8V - 15V - 0,7V 41

8,5V
IZ(MAX) = . (620mA 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)

Calculando IC(MAX):
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2)
IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA)
IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A
IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX))

Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W

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O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a
dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo
fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.

Calculando R2:
VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
VBE 0,7V
R2 = 35 (adotar 33)
20mA 20mA

PR2 =
ER2 2
0,7 2

0,49V
14,85mW
R2 33 33

Calculando R1:
VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V
R1 = IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX) 20mA 600mA 620mA 6,613

OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 = 3,94
IZ(MAX) IC(MAX) 86,67mA 2,073A 2,16

R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613


3,94 < R < 6,61

R1 adotado = 5,6 (valor comercial)

Potncia dissipada por R1:


VR1 2
VIN(MAX) - VZ - VBE 2
24,2V - 15V - 0,7V
2

8,5V 2 12,9W
PR1 =
R1 5,6 5,6 5,6
(adotar 15W - valor comercial)

REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO:


O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s
variaes da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da
introduo de um transistor junto ao elemento de referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que
compem o circuito tem as seguintes funes:
Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada
a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito
comparador;
Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto , compara
duas tenses, VR2 e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (denominada tambm
tenso de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de polarizao do
circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os dois resistores
ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia que ser
aplicada ao circuito de controle.

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FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar,
aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T 2 fixada por VZ,
ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de V BE2, que
aumentar IB2 e consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que
a tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1.
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de
base de T1 (IB1).
IC2 = IR1 - IB1
IR1 = IC2 + IB1
FORMULRIO:
Considerando a tenso de entrada mxima

VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN))


mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo:
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX))

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = (I)
R1
Considerando a tenso de entrada mnima

VIN(MIN) = VL + VBE1(MAX) + R1.(IZ(MIN) + IB1(MAX))

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) + IB(MAX) =
R1
IL(MAX)
mas, IB(MAX) = 1( MIN ) IL(MAX) IC(MAX) temos ento:

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IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) ( II )
1( MIN ) R1

dividindo ( I ) e ( II )

IZ(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)



IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN)
1( MIN)

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IL(MAX)


IZ(MAX) = . IZ(MIN) ( III )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 1( MIN )
Clculo de R1

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 > R1 < IL(MAX)
IZ(MAX) IZ(MIN)
1( MIN )
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))

PR1 =
(VIN(MAX) - (VL VBE(MIN) ) 2
R1 (adotado)

Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2
VL - VZ - VBE2(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 <
0,1.IZ(MIN)

VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >
0,1.IZ(MAX)

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = R1 (adotado)

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IL(MAX)


IZ(MIN) = - IB1(MAX) IB1(MAX) =
R1 (adotado) 1( MIN )

Clculo de potncia dissipada em R2

VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN)
(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
PR2 =
R2 (adotado)
Clculo de R3
R3
VR3 = VL . VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R3 R 2

VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3


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VR3.R2 = R3.(VL - VR3)
VR3 . R2
R3 = (R2 adotado no clculo anterior)
VL - VR3

Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)

(VZ VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)

PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:

VIN = 25V 10%


IL(MAX) = 800mA
Tenso na carga (VL) = 12V

Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V

Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W

O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:


VCEO = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
(MIN) = 40 (MAX) = 250

Escolha do diodo zener:


Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de
referncia para nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor
pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os
parmetros:
IZ(MIN) = 50mA
VZ = 5,1V
PZ(MAX) = 1,3W

Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:


PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = 255mA
VZ 5,1V

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VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IL(MAX)
IZ(MAX) = . IZ(MIN)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 1( MIN )

Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V

27,5V - 12V - 0,6V 800mA


IZ(MAX) = . 50mA
22,5V - 12V - 0,7V 40

14,9V
IZ(MAX) = . 70mA 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.

Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:

VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W

Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para


VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente.

O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:


VCEO = 45V
IC(MAX) = 1A
PC(MAX) = 8W
(MIN) = 40 (MAX) = 250
Clculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V
R1 > = 58,4
IZ(MAX) 255mA 255mA

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 22,5V - 12V - 0,7V 9,8V


140
R1 < IL(MAX) = 800mA 70mA
IZ(MIN) 50mA
1( MIN ) 40
58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100

Calculando a potncia desenvolvida em R1:


(VIN(MAX) - (VL VBE(MIN) ) 2 = (27,5V - 12,6V) 2 (14,9V)2
PR1 = 2,22W
R1 (adotado) 100 100
(adotar 5W)
Clculo de R2:
VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R2 > 0,1.IZ(MAX)
IZ(MAX) = R1 (adotado)

27,5V - 12V - 0,6V


IZ(MAX) = 149mA
100
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12V - 5,1V - 0,6V 6,3V
R2 > 422,82
14,9mA 14,9mA

VL - VZ - VBE2(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)


R2 < IZ(MIN) = - IB1(MAX)
0,1.IZ(MIN) R1 (adotado)

22,5V - 12V - 0,7V 800mA


IZ(MIN) = - 98mA - 20mA 78mA
100 40

12V - 5,1V - 0,7V 6,2V


R2 < 794,87
7,8mA 7,8mA

422,82 < R2 < 794,87 adotar 560

Calculando a potncia desenvolvida em R2:


(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
PR2 =
R2 (adotado)
(12V - 5,1V - 0,6V) 2 6,3V 2
PR2 = 70,88mW
560 560
Clculo de R3:
VR3 . R2 5,7V . (560) 3.192
R3 = = 506,67 adotar 470
VL - VR3 12V - 5,7V 6,3

onde: VR3 = (VZ + VBE2(MIN))

Calculando a potncia desenvolvida em R3:

(VZ VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)

(5,1V 0,7V) 2 (5,8) 2


PR3 = 71,57mW
470 470
CONFIGURAO DARLINGTON:

A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
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Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2

O ganho total (T) ser dado por: 1 . 2 = 100.100 = 10.000

Assim, IC2 = T . IB1

A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2


Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado
de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a
um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um
nico invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e BD263, com polaridades
pnp e npn respectivamente.

PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR


DARLINGTON

Reprojetar o regulador srie da pgina 1, utilizando transistor Darlington;


proceder uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar
concluses.
Caractersticas do regulador:

Tenso de sada (VL): 6V


Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:

VCBO = 80V
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
(MIN) = 500 (MAX) = 1.000
Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
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Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.

O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:

VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA

0,4W
IZ(MAX) = 7,5V 53,33mA

Verificando a escolha do transistor:

PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)


IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)

IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN ) logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5


1,497A
IC(MAX) = 1 1 = 1 1 1 0,002 1,002
( MIN )
500

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W


O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a
utilizao de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor.

Verificando a escolha do zener:

VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ

IC(MAX) 1,497A
IB(MAX) = ( MIN) 500
2,994mA

13,2V - 7,5V
IZ(MAX) = . 10mA 2,994mA
10,8V - 7,5V

5,7V
IZ(MAX) = 3,3V . 12,994mA 22,44mA

Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido


pode ser utilizado.

Clculo de R:

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Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V

VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ

Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V 5,7V


R= 106,88
IZ ( MAX ) 53,33mA 53,33mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

VIN(MIN) - VZ 10,8V - 7,5V 3,3V


R = IB(MAX) IZ(MIN) 2,994mA 10mA 12,994mA 253,96

Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o
valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que
neste caso 180.

Potncia dissipada pelo resistor:

E2 (VIN(MAX) - VZ) 2 (13,2V - 7,5V) 2 (5,7V) 2


P= P= = 180,5mW
R R 180 180

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).

COMPARAES:

Parmetros Projeto com transistor comum Projeto com transistor Darlington


R1 91 180
PR1 508mW 180,5mW
IC(MAX) 1,46A 1,497A
PC(MAX) 10,5W 10,78W
IZ(MAX) terico 73,53mA 53,33mA
IZ(MAX) prtico 71,2mA 22,44mA
VZ 6,8V 7,5V
IB(MAX) 36,5mA 2,994mA

Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o


transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base
bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor
Darlington bem maior.
CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e
suas principais caractersticas:

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1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE

Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado


quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois
pontos bem definidos: corte e saturao.

Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares,


pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: IC = IB
Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC
2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE

Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do


resistor de emissor.

Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando


tambm a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de
polarizao VBE, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT:
VCC = VRC + VCE + REIE
onde: VRC = RCIC logo: VCC = RCIC + VCE + REIE

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Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal
de sada: VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:
VCC IC
IB = RB RE
ou ainda: IB =

IE = ( + 1)IB
3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA

Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.

Equaes bsicas:
VCC
VRE = 0,1VCC VRC = VCC - (VCE + VRE) IB = RB RC
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR

O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)


Equaes bsicas:
VCE = 0,5VCC
0,5VCC
RE =
IE
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IE = IB

VCC
IB = RB RE

5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE

A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos


mtodos mais usados em circuitos lineares.

A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica


(praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor
de tenso formado por RB1 e RB2, onde RB2 polariza diretamente a juno base-emissor.

Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.

Aplicando Thvenin:
RB2 . VCC
Abrindo o terminal da base temos: VTH =
RB1 RB2

Ainda com o terminal da base aberto e VCC em curto, temos:

RB1 . RB2
RTH =
RB1 RB2

Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:

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OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de R BB enquanto
que a tenso equivalente de Thvenin recebe o nome de VBB
Aplicando LKT:
VTH - RTHIB - VBE - REIE = 0

VTH - VBE
IE
Sendo: IB = 1
, temos: IE = RE
RTH
1

RTH
Se RE for 10 vezes maior do que 1 , podemos simplificar a frmula:

VTH - VBE
IE =
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o
que equivale dizer que:
RTH 0,1RE
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um
projeto de polarizao por divisor de tenso na base:

VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1RE
RBB . VCC VCC
RB1 = VBB
ou RB1 = RBB . VBB
RBB
RB1 . RBB
RB2 = ou RB2 = 1-
VBB
RB1 - RBB
VCC

Clculo das correntes de emissor, base e coletor

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Em funo de
IE
IB = ( 1)
- ICBO IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
IC = IB + ( + 1)ICBO onde: ( + 1)ICBO = ICEO
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:

IC = IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:

IC (1 - ) = IB + ICBO
portanto:
IB ICBO
IC =
1- 1-

EXERCCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAO:


1 - Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor
dos resistores e as correntes.

DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V

Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V

Clculo de IB
IC 3mA
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB = = = 30A
100
Clculo de RE

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VRE 1,2V
RE = = = 400
IE 3mA

Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k

Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2

VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC 4,8V
RC = = = 1,6k (equivalente a 4RE)
IC 3mA

Clculo de R1
RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000
R1 = = = 2,02 = 23.762
VBB 2,02

Clculo de R2
R1 . RBB (23.762).(4.000) 95.048
R2 = = = = 4.817
R1 - RBB 23.762 - 4.000 19.762

Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma:


RBB 4.000
4.000 4.000
R2 = 1 - VBB = 2,02 = = = 4.809 4.817
1- 1 - 0,1683 0,8317
VCC 12

RESPOSTAS:

RC 1,6k
RE 400
R1 23,762k
R2 4,817k
IB 30A
IE 3mA
IC 3mA

2 - Dado o circuito a seguir, calcule: , ICEO, IC, IB, RC e RB.

DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
VCC = 12V
ICBO = 6A
= 0,92
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Clculo de
0,92
11,5
1 - 1 - 0,92

Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A

Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA

Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A

Clculo de RC
VRC
RC = VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC

VRC = 12 - 5 - 1,2 = 5,8V

5,8V
RC = 3,755mA = 1.54k (1.544,6)

Clculo de RE
VRE 1,2
RE = = = 300
IE 4mA

Clculo de RB
VRB
RB = VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB = 245A = 41,84k (41.836,7)

RESPOSTAS:

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11,5
ICEO 75A
IC 3,755mA
IB 245A
RC 1.54k
RE 300
RB 41,84k

3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de


polarizao, considerando = 40.

Clculo de IB
VCC 15 15 15
IB = 72,12A
RB RE 100k 40(2,7k) 100k 108k 208k

Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12A = 2,96mA

Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V

RESPOSTAS:

IB 72,12A
IE 2,96mA
VCE 7V
VRE 8V

4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao do circuito a seguir:


Considere = 100.

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Clculo de IB
VCC 15 15 15
IB = RB RC 270k 100.4k7 270k 470k 740k 20,27A

Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27A) = 2,027mA

Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V

RESPOSTAS:

IB = 20,27A IC = 2,027mA VCE = 5,473V

5 - Calcule IC, IB, RC e RB no circuito abaixo.

Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE

Clculo de IC
IC
= , logo: IC = 6A . 200 = 1,2mA
IB
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Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18

15 - 8,18
RC = 1,2mA 5,68k (5.683,3)

Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V

desta forma: RB . (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V


14,216V
RB = 6A
= 2,37M (2.369.333,33)
RESPOSTAS:

IC = 1,2mA RC = 5,68k
IE = 1,2mA RB = 2,37M

BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990

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