Eletrônica Analógica II

Eletrnica
Aluno:
_____________________________________________
A
n
a
l
g
i
c
a
II
Eletrnica Analgica II
Capacitor de Acoplamento
Um capacitor de acoplamento acopla um ponto no aterrado a outro ponto no aterrado
(acoplar significa deixar passar somente o sinal ca, bloqueando a componente contnua).
I=
V TH
(R TH + R L )2 + X C
V TH
R 2 + XC
, onde R = RTH + RL
Capacitor de Desvio
O capacitor de derivao acopla um ponto desaterrado a um ponto aterrado.
A resistncia equivalente R = RG||RL a
resistncia de Thevenin vista pelo
capacitor.
VTH
I=
2
R 2 + XC
Freqncia Crtica (fc) Xc = R
Se Xc = R
I=
VTH
R2 + R2
Logo
= 0,707
1
1
= R fC =
2RC
2 fC C
VTH
R
Alta Freqncia de Quina (fh): A resistncia total deve ser no mnimo 10 vezes maior
que a reatncia capacitiva. fh > 10fc
VTH
VTH
I=
= 0,995
Se Xc< 0,1R
(Acoplamento quase ideal)
R
R 2 + (0,1.R )2
Circuito Equivalente CC: Reduzimos a fonte ca a zero e abrimos todos os capacitores.

Circuito Equivalente CA: Reduzimos todas as fontes cc a zero e curto-circuitamos todos
os capacitores.
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Operao em Pequeno Sinal

Quando polarizamos um transistor, aplicamos uma tenso de polarizao CC (VBE)
base. Quando um sinal aplicado entrada do amplificador a tenso oscilar acima e abaixo de
VBE, portanto existir uma variao de tenso ao redor do ponto quiescente (VBE) o que
provocar uma variao (IE) de corrente ao redor do valor quiescente. Um amplificador
chamado de pequeno sinais se a amplitude do sinal for suficientemente pequena de forma que a
operao do mesmo se d na regio linear da curva IE x VBE.
A Figura abaixo esquerda mostra um sinal, VBE, aplicado na base e a resposta, IE.
Uma forma de reduzir a distoro observada no

grfico abaixo manter a tenso ca da base
pequena. Se o sinal for suficientemente pequeno, o
grfico ter uma aparncia linear.
Regra dos 10%

O sinal ca ser considerado pequeno
quando a corrente ca de pico a pico for menor que
10% da corrente cc do emissor.
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Resistncia ca do Diodo Emissor (r'e)
re' =
Beta CA (hfe): =
VBE
25mV
re' =
IE
IE
Ic
i
= c
Ib
ib
Amplificador Emissor Comum: emissor est aterrado para ca.

Circuito Equivalente CA
Inverso de Fase: Semiciclo positivo de Vent ib aumenta ic aumenta queda de tenso

em Rc aumenta VCE diminui (semiciclo negativo).
Logo no amplificador emissor comum a sada est defasada de 180 em relao entrada.
Impedncia de Entrada da Base: z ent (base ) =
v b iere'
=
z ent (base ) = re'
ib
ib
Impedncia de Entrada do Estgio: z ent = R1 // R 2 // re'

Utilizando os Parmetros CA da Folha de Dados: re' =
hie
h fe
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Amplificadores de Tenso
Modelo T
Resistncia ca do Coletor (rc): rc = RC||RL

Os Valores rms e de Pico a Pico: v PP = 2v rms 2
Ganho de Tenso (Av):
Av =
v sada
v entrada
v entrada = v b ic re'
v sada = rc ic (inversode fase )
Av =
ic rc
ic re'
AV =
rc
re'
Amplificador com Realimentao Parcial (Amplificador Linearizado): Para estabilizar o ganho

de tenso devemos deixar uma certa resistncia sem ser desviada para ocasionar uma
realimentao negativa.
Ganho de Tenso:
Av =
rc
re + re'
Trocando ganho por estabilidade:

Se re for maior que r'e, as variaes de r'e sero
encobertas por re (reduzidas drasticamente).
Impedncia de Entrada da Base: z ent (base ) =
v b ie (re + re' )
=
z ent (base ) = (re + re' )
ib
ib
Ganho mais estvel, distoro devido no linearidade do diodo base-emissor

menor.
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Estgios em Cascata:
A corrente ca no primeiro
coletor tem vrios caminhos para
circulao, atravs da resistncia
Rc do primeiro estgio (3,6K), dos
resistores de polarizao do
segundo estgio (10K e 2,2K) e
para dentro da base do segundo
transistor (zent(base)).
Circuito equivalente ca do segundo estgio:

zent(base) = 2,27KQ (impedncia de
entrada de base do 2o estgio)
Calculamos o ganho de tenso do
primeiro estgio (A1) e depois calculamos o
ganho de tenso do segundo estgio (A2).
O ganho total ser dado por: A = A1 . A2
Impedncia de Sada: importante porque interage com o resistor de carga para
determinar a tenso ca na carga.
A impedncia de sada tambm chamada
de impedncia Thevenin. Ao lado vemos o
circuito equivalente para o lado da sada do
amplificador EC. O resistor de carga foi
desconectado porque estamos aplicando o
teorema de Thevenin no circuito.
A tenso Thevenin na sada dada por: Vth = ib Rc = ic Rc
Para obter a impedncia de Thevenin, devemos reduzir a fonte de corrente a zero
(circuito aberto).
Logo rth= Rc
Quanto maior for RL em relao Rc, maior ser a tenso de sada.
Modelo do Transistor:
Onde: A V =
rc
re
Ze = R1 || R2 || Ze(base)
Zs = Rc
Ve = tenso de entrada
Vs = tenso de sada
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Amplificador Base Comum
Modelo T
Impedncia de Entrada: z ent = R E // re' z ent re'
Tenso de Sada:
v sada = ic R c
Tenso de Entrada: v ent = iere'
v sada
iR
R
= c 'C Av = 'C
v entrada
iere
re
Impedncia de Sada: z sada = R C
Ganho de Tenso: A v =
Uma das razes pelas quais o amplificador BC no to usado quanto um

amplificador EC sua baixa impedncia de entrada. Por isso o amplificador BC no muito usado
em baixas freqncias. Ele usado principalmente em aplicaes de altas freqncias (acima de
10MHz), onde as fontes de baixa impedncia so comuns.
Amplificador Coletor Comum (Seguidor de Emissor)
v b ie (re + re' )
=
z ent ( base ) = (re + re' )
ib
ib
Impedncia de Entrada da Base:
z ent ( base ) =
Impedncia de Entrada do Estgio:
z ent = R1 // R 2 // (re + re' )
Ganho de Tenso (Av): A v =
v sada
iere
re
AV =
AV =
'
v entrada
ie (re + re )
(re + re' )
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Impedncia de Sada: Aplicando o teorema de Thevenin a partir da base no Modelo T

temos:
Rth = R1II R2 II RG
v th = v ent = (R1 // R 2 )
VG
(R1 // R 2 ) + R G
Somando-se as tenses da malha temos:

Vent = (R1 // R2 // RG)ib + r'e ie + RE ie
Como ib = ic /
ie =
v ent
R E + r + (R1 // R 2 // R G ) /
'
e
O resistor de emissor, RE acionado por uma fonte ca com uma impedncia Thevenin de:
rth = re' +
(R1 // R 2 // R G )
Ento:
rsada = re' +
(R1 // R 2 // R G )
Assim como um amplificador linearizado, o seguidor de emissor tambm usa

realimentao negativa. A resistncia de realimentao igual resistncia total do emissor.
Sendo a realimentao negativa muito forte, o ganho de tenso bastante estvel, quase no
existe distoro e a impedncia de entrada da base muito alta e a impedncia de sada muito
baixa.
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AMPLIFICADORES DE POTNCIA
DEFINIES E TIPOS DE AMPLIFICADORES
Um amplificador recebe um sinal de um determinado transdutor ou outra fonte de
entrada, e fornece uma verso amplificada desse sinal para um dispositivo de sada ou outro
estgio amplificador. Um sinal de um transdutor na entrada geralmente pequeno (alguns
milivolts de um tape-deck ou CD, ou alguns microvolts de uma antena) e precisa ser amplificado o
suficiente para acionar um dispositivo de sada (alto-falante ou outro dispositivo de potncia). Em
amplificadores de pequenos sinais, os fatores principais so, via de regra, linearidade na
amplificao e amplitude de ganho. Como os sinais de tenso e corrente so pequenos em
amplificadores de pequenos sinais, a quantidade de potncia que ele capaz de fornecer e sua
eficincia so fatores de pouco interesse. Um amplificador de tenso fornece amplificao de
tenso, principalmente para aumentar a tenso de um sinal de entrada. Por sua vez,
amplificadores de grandes sinais ou de potncia fornecem, sobretudo, potncia suficiente a uma
carga de sada a fim de acionar um alto-falante ou outro dispositivo de potncia, tipicamente na
faixa de alguns watts a dezenas de watts. Neste capitulo, nos concentramos nos circuitos
amplificadores usados para operar com grandes sinais de tenso e nveis de correntes
moderadas ou altas. As caractersticas principais de um amplificador de grandes sinais so a
eficincia de potncia do circuito, a mxima quantidade de potncia que o circuito capaz de
fornecer, e o casamento de impedncia com o dispositivo de sada.
Um mtodo usado para classificar amplificadores por classe. Basicamente, classes de
amplificadores indicam a quantidade que o sinal de sada varia, sobre um ciclo de operao, para
um ciclo completo do sinal de entrada. Uma breve descrio das classes de amplificadores
fornecida a seguir.
Classe A: O sinal de sada varia por um ciclo completo de 360. A Fig. 1a mostra que
isto requer que o ponto-Q seja polarizado em um nvel tal que o sinal possa variar para cima e
para baixo sem atingir uma tenso suficientemente alta capaz de ser restringida pelo nvel da
fonte de tenso, ou descer a um ponto que possa atingir o nvel inferior da fonte, ou 0 V, para o
exemplo mostrado na figura.
Classe B: Um circuito classe B fornece um sinal de sada que varia sobre metade do ciclo
da entrada, ou por 180 de sinal, como mostrado na Fig. 1b. O ponto de polarizao de est,
portanto, em 0V, com a sada variando, ento, a partir deste ponto de polarizao, durante meio
ciclo. Obviamente, a sada no uma reproduo fiel da entrada, se apenas meio ciclo est
presente. Dois amplificadores classe B um para fornecer sada durante o meio ciclo positivo da
sada e o outro para operar durante o meio ciclo negativo so necessrios. A combinao dos
meios ciclos fornecem, ento, uma sada para os 360 completos de operao. Este tipo de
conexo realiza a operao denominada push-pull, a qual discutida adiante. Note que a
operao classe B, por si, gera um sinal de sada muito distorcido, uma vez que o sinal de
entrada reproduzido na sada somente durante a metade do seu ciclo.
Classe AB: Um amplificador pode ser polarizado em um nvel de acima do nvel
correspondente corrente zero de base da classe B e acima da metade do nvel da fonte de
tenso da classe A; esta condio de polarizao empregada em amplificadores classe AB. A
operao classe AB ainda requer uma conexo push-pull para atingir um ciclo de sada completo,
mas o nvel de polarizao de , geralmente, muito prximo do nvel zero de corrente de base
para uma melhor eficincia de potncia, como descrito brevemente. Para operao classe AB, a
oscilao do sinal de sada ocorre entre 180 e 360, e no constitui uma operao classe A,
nem mesmo classe B.
Classe C: A sada de um amplificador classe C polarizada para uma operao em
menos de 180 do ciclo e s opera com circuitos sintonizados (ressonantes), os quais fornecem
um ciclo completo de operao para a freqncia sintonizada ou ressonante. Esta classe de
operao usada, portanto, em aplicaes especiais de circuitos sintonizados, tais como rdio
ou comunicaes.
Classe D: Esta classe de operao uma forma de amplificao para sinais pulsados
(digitais), em que o circuito fica "ligado" por um curto intervalo de tempo e desligado por um longo
intervalo. Usando tcnicas digitais, torna-se possvel obter um sinal que varia sobre um ciclo
completo (usando circuitos de amostragem-e-reteno) para recriar a sada a partir de muitos
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trechos do sinal de entrada. A maior vantagem da operao classe D que o amplificador est
ligado (usando potncia) durante curtos intervalos, e a eficincia global pode, na prtica, ser
muito alta, como descrito em seguida.
Eficincia do Amplificador
A eficincia de potncia de um amplificador, definida como a razo entre a potncia de
sada e a potncia de entrada, melhora da classe A para a classe D. Em termos gerais, vemos
que o amplificador classe A, com polarizao de na metade do nvel da fonte de tenso, usa uma
boa quantidade de potncia para manter a polarizao, mesmo que nenhum sinal de entrada seja
aplicado. Isto resulta em uma eficincia muito pobre, sobretudo com sinais pequenos de entrada,
quando muito pouca potncia ac liberada para a carga. Realmente, a eficincia mxima de um
circuito classe A, que ocorre para a maior oscilao de tenso e corrente de sada, apenas 25%
para uma conexo de carga direta ou realimentada em srie, e 50% com uma conexo usando
transformador para ligar-se carga. Pode-se mostrar que a operao classe B, sem nenhuma
potncia de polarizao de para o caso de ausncia de sinal de entrada, fornece uma eficincia
mxima que atinge 78,5%. A operao classe D pode obter uma eficincia de potncia maior do
que 90%, fornecendo a operao mais eficiente de todas as classes de operao. Como a classe
AB situa-se entre classe A e classe B, em termos de polarizao, ela mantm sua eficincia entre
25% (ou 50%) e 78,5%.
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Amplificadores em Classe A
Um amplificador de potncia apresenta caractersticas como: altos nveis de sinal
(tenso e/ou corrente), baixa sensibilidade e principalmente alta eficincia. A classe A de
amplificao no , assim, a mais indicada para esse propsito (Eficincia terica tpica em torno
de 25%). Classes que possibilitam maior eficincia , como a B, AB e D sero mais indicadas.
No amplificador de potncia classe A, a polarizao do transistor de sada feita de tal
forma que a corrente de coletor circula durante todo o ciclo do sinal de entrada VBE. Isto resulta
num ngulo de conduo de 360 para transistor de sada. Assim para o BJT ser caracterizada
uma polarizao no centro da regio linear. A classe A apresenta alta linearidade (baixa
distoro).
Para o amplificador de potncia com BJT sero usados transistores com alta
capacidade de dissipao de calor (transistores de potncia - famlias BD, TIP) e ser por muitas
vezes necessrio a utilizao de dissipadores de calor. Os transistores de potncia apresentam
em geral baixo HFE. A melhor forma de se polarizar um transistor para operar em Classe A a
polarizao por divisor de tenso (independente de beta), por se apresentar com maior
estabilidade, o que nos garantir um ponto quiescente estvel no centro da regio linear.
Reta de Carga cc e ca
A resistncia ca do coletor diferente da resistncia
cc do coletor. A reta de carga ca mais inclinada, porque a
resistncia ca do coletor menor que a resistncia cc do
coletor.
ICQ = corrente cc do coletor
lC(sat) = corrente de saturao do coletor
VCEQ = tenso cc coletor-emissor
rc = resistncia ca vista do coletor
Como inicialmente o ponto de operao no

est no meio da reta de carga ca, temos que a
excurso do sinal esquerda (VCEQ) maior que a
excurso do sinal direita (ICQ rc).
Logo o mximo valor de pico a pico (MPP)
da tenso ca sem ceifamento ser: MPP = 2 ICQ rc
Para aumentarmos a excurso mxima do
sinal ser deslocando o ponto Q para cima, at o
centro da reta de carga ca.
Posicionamento do ponto Q otimizado: diminuir
a resistncia cc do emissor at que o ponto Q
produza valores iguais para VCEQ e ICQ rc.
RE =
R C + rc
VCC / VE + 1
Somando-se as tenses ca em torno da malha do coletor: Vce + ic rc = 0

v ce
ic =
(*)
rc
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A corrente ca do coletor dada por: ic = lc = lc - ICQ

e a tenso ca do coletor : vce = VCE = VCE - VCEQ
Substituindo essas expresses em (*) e rearranjando-a temos:
V
V
IC = ICQ + CEQ CE
rc
rc
Quando o transistor satura, VCE = 0 e temos:
V
IC( sat ) = ICQ + CEQ (ponto sup erior )
rc
Quando o transistor est no corte, lc = 0 e temos:
VCE(corte) = VCEQ + ICQ rc (Ponto inferior)
Frmulas de Potncia para Classe A

2
2
V
V
Potncia na Carga: PL = L = sada
RL
RL
ou usando o valor de pico a pico: PL =
Potncia Mxima na Carga: PL(max) =
VPP( sada )
8RL
(MPP)2
8R L
Potncia Dissipada no Transistor: Quando o amplificador

est sem sinal na entrada, a dissipao de potncia no transistor
dada por: PD = VCEQ ICQ
A potncia dissipada no transistor diminui quando o sinal ca est presente.
Potncia Total fornecida pela Fonte:
I1 =
VCC
R1 + R 2
Corrente no divisor de tenso formado por R1 e R2

Corrente de alimentao total ou corrente de dreno a soma da corrente no
divisor e a corrente no coletor: ls = I1 + ICQ
Ps = VCC Is (potncia cc fornecida para o amplificador)
PL
x100%
PS
i
Ganho de Corrente: A i = c
ib
r
Ganho de Tenso: A V = c'
re
P
v
i
Ganho de Potncia: A P = sada = sada c A P = A v A i
Pentrada
v ent ib
A Eficincia: =
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Amplificadores em Classe B
Em um amplificador classe B, utiliza-se um par de dispositivos (transistores) com a
particularidade de que cada dispositivo conduz alternadamente por um ngulo de 180 do sinal
de entrada, ou seja, um dispositivo amplifica o semiciclo positivo, e o outro, o semiciclo negativo,
para que isto acontea o ponto Q colocado no corte para as retas ca e cc. A vantagem do
amplificador classe B a baixa corrente drenada e a alta eficincia e menor dissipao de
potncia nos transistores.
Em contrapartida, os amplificadores classe B ampliam significativamente o problema da
distoro, pois surge a distoro crossover (cruzamento de zero), que acontece entre a
passagem do semiciclo positivo para o semiciclo negativo. Nesta passagem ocorre que, em
determinado perodo de tempo, ambos os transistores esto simultaneamente cortados, no
ocorrendo amplificao do sinal.
Amplificador Coletor Comum (Seguidor de Emissor)
Os Limites:
Excurso esquerda = VCEQ
Excurso direita = ICQ re
Onde: re = RE || RL
Mxima excurso de pico a pico (MPP): Menor valor entre: MPP = 2 lCQ re ou MPP = 2VCEQ
Para posicionar o ponto de quiescente (Q) no meio da reta de carga ca
aumentaremos a tenso cc na base (variando o valor de R2) de modo a produzir valores iguais
para VCEQ e ICQ re.
Circuito Push-Pull
No semiciclo positivo da tenso de entrada, o transistor
superior (T1) est em conduo e o inferior, em corte. O transistor
superior funciona como um seguidor de emissor comum, de forma
que a tenso de sada aproximadamente igual tenso de
entrada.
No semiciclo negativo da tenso de entrada, o transistor
superior (T1) entra em corte e o inferior (T2), em conduo. O
transistor inferior funciona como um seguidor de emissor comum e
produz uma tenso na carga aproximadamente igual tenso de
entrada.
O transistor superior atua no semiciclo positivo da tenso
de entrada e o transistor inferior, no semiciclo negativo. Durante
cada semiciclo, a fonte v, olhando para cada base, uma alta
impedncia de entrada.
Distoro de cruzamento
Como o ponto Q colocado no corte para as retas ca e cc, logo a tenso ca que chega
tem que aumentar at cerca de 0,7V para vencer a barreira de potencial dos diodos emissores.
Por isso no h fluxo de corrente atravs de T1 quando o sinal menor que 0,7V. O
funcionamento semelhante no outro ciclo. No h fluxo de corrente em T2 at que a tenso ca
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de entrada seja mais negativa que -0,7V. Por esta razo se nenhuma
polarizao aplicada aos diodos emissores, a sada do seguidor de
emissor push-pull classe B ser a apresentada na figura ao lado.
O sinal distorcido. Por causa do ceifamento entre os semiciclos,
a sada no mais uma onda senoidal. Como o ceifamento ocorre entre o
instante em que um transistor corta e o instante em que o outro conduz,
chamamos de distoro de cruzamento.
Para se reduzir a distoro de cruzamento, precisamos aplicar
uma pequena polarizao direta para cada emissor. Isto significa localizar
o ponto Q um pouco acima do corte. Como orientao, uma corrente ICQ de 1 a 5% de lc<sat)
suficiente para eliminar a distoro por transio.
No entanto, feito isso, estaremos modificando a classe do amplificador para AB.
Frmulas de Potncia para Classe B
2
2
V
V
Potncia na Carga: PL = L = sada
RL
RL
ou usando o valor de pico a pico: PL =
Potncia Mxima na Carga: PL(max) =
VPP( sada )
8RL
(MPP)2
8R L
Potncia Dissipada no Transistor: Idealmente, a potncia

dissipada no transistor zero quando no h sinal de entrada. Na
realidade h uma pequena dissipao de potncia em cada
transistor por causa da pequena polarizao direta necessria
para evitar a distoro de cruzamento.
(MPP)2
PD(max) =
40RL
Potncia Total fornecida pela Fonte:
A Corrente cc de alimentao de um amplificador push-pull classe B ls=l1 + l2
Onde l1 = corrente cc atravs dos resistores de polarizao
l2 = corrente cc atravs do coletor superior
Quando no h sinal de entrada, l2 = ICQ e a corrente drenada pequena. Porm, quando
h sinal de entrada, a corrente drenada aumenta porque a corrente do coletor superior torna-se
grande.
Se for usada toda a linha de carga ca, o transistor superior ter uma corrente senoidal
de meia onda atravs dele com um valor de pico de:
V
IC( sat ) = CEQ
RL
IC( sat )
V
O valor mdio ou cc de um sinal de meia onda : I2 =
ou I2 = CEQ
RL
A potncia cc fornecida pela fonte : Ps = VCC Is
A Eficincia: =
PL(max)
PS(max)
x100%
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Polarizao de Amplificadores Classe B

A Figura ao lado mostra a polarizao com divisor de tenso para um
circuito push-pull classe B. Os dois transistores tm de ser
complementares, significando similaridade nas curvas VBE, nas
especificaes mximas etc. Por exemplo, o 2N3904 e o 2N3906 so
complementares. O primeiro um transistor npn e o segundo, um pnp.
Eles tm similaridade nas curvas VBE, nas especificaes
mximas, e assim por diante. Pares complementares como esses esto
disponveis para o projeto de praticamente qualquer push-pull classes B.
Para evitar a distoro de cruzamento, posicionamos o ponto Q
ligeiramente acima da regio de corte, com o valor de VBE correto em
algum ponto entre 0,6 e 0,7 V. Porm, aqui est o maior problema: a
corrente do coletor muito sensvel s variaes de VBE. AS folhas de
dados indicam que um aumento de 60 mV em VBE produz uma corrente de
coletor 10 vezes maior. Por causa disso, quase sempre necessrio um
resistor ajustvel para fazer o correto posicionamento do ponto Q. Mas um
resistor ajustvel no resolve o problema da temperatura. Ainda que o ponto Q possa estar
perfeito na temperatura ambiente, ele mudar quando a temperatura variar. Conforme j
discutido, VBE diminui em aproximadamente 2 mV por grau de aumento na temperatura. medida
que a temperatura aumenta para o circuito acima, a tenso fixada para cada diodo emissor fora
a corrente de coletor a aumentar rapidamente. Se a temperatura aumentar 30C, a tenso VBE
requerida diminuir em 60 mV. Por sua vez, a corrente do coletor aumenta em um fator de 10,
porque a polarizao fixa de 60 mV para mais. Portanto, o ponto Q est muito instvel com a
polarizao do divisor de tenso.
O ltimo perigo para o circuito acima a deriva trmica. Quando a temperatura aumenta,
a corrente do coletor aumenta. medida que a corrente do coletor aumenta, a temperatura da
juno aumenta ainda mais, reduzindo ainda mais o valor correto de VBE. Essa situao em
seqncia pode fazer com que a corrente do coletor ultrapasse seus valores nominais,
aumentando a potncia a nveis excessivos, o que pode destruir o transistor. A ocorrncia da
deriva trmica depende das propriedades trmicas do transistor, de como ele resfriado e do tipo
de dissipador usado. comum a polarizao por divisor de tenso da figura acima produzir a
deriva trmica, que destri o transistor.
Uma forma de evitar a deriva trmica com a polarizao por diodo,
mostrada na Figura ao lado. A idia usar diodos de compensao para
produzir a tenso de polarizao nos diodos emissores. Para que esse
esquema funcione, as curvas dos diodos devem se igualar s curvas VBE
dos transistores. Ento, qualquer aumento na temperatura reduz a tenso
de polarizao proporcionada pelos diodos de compensao em uma
quantidade adequada. Por exemplo, considere que uma tenso de
polarizao de 0,65 V estabelea uma corrente do coletor de 2 mA. Se a
temperatura aumentar em 30C, a tenso atravs de cada diodo de
compensao cai em cerca de 60 mV. Como a tenso VBE necessria
tambm diminui em 60 mV, a corrente do coletor permanece fixa em 2
mA. Para que a polarizao por diodo seja imune s variaes de
temperatura, as curvas dos diodos devem se igualar s curvas VBE por
uma ampla faixa de temperatura. Isso no ocorre facilmente com circuitos
discretos por causa da tolerncia das componentes. Porm, a polarizao
por diodo fcil de ser implementada com circuitos integrados, porque os
diodos e transistores esto no mesmo chip, o que significa que eles tem curvas quase idnticas.
Com a polarizao por diodo, a corrente do coletor iguala-se corrente atravs dos diodos de
compensao e dada por:
IC =
VCC 2VBE
2R
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O Acionador de Classe B
Para acionar o seguidor de emissor classe B, usa-se
um acionador EC acoplado diretamente, conforme a Figura
ao lado.
O transistor Q2 uma fonte de corrente que
estabelece a corrente cc de polarizao atravs dos diodos.
Ajustando R2 podemos controlar a corrente cc de emissor
atravs de R4. Isso quer dizer que Q2 fornece corrente
contnua atravs dos diodos de compensao. Por causa dos
diodos de polarizao, nos coletores de Q3 e Q4, existe um
mesmo valor de corrente.
Quando um sinal ca aciona a entrada, Q2 comportase como um amplificador linearizado. O sinal ca amplificado
e invertido no coletor de Q2 aciona as bases de Q3 e Q4. No
semiciclo positivo, Q3 conduz e Q4 corta. No semiciclo
negativo, Q3 corta e Q4 conduz.
Um Amplificador Completo
Temos na Figura abaixo um amplificador completo com trs estgios: um amplificador de
pequeno sinal (Q1), um amplificador classe A de grande sinal (Q2) e um seguidor de emissor
push-pull classe B (Q3 e Q4).
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AMPLIFICADORES DE POTNCIA EM CIRCUITOS INTEGRADOS

Os fabricantes dispem de uma vasta gama de amplificadores de potncia em circuitos
integrados. Um AmpOp industrial normalizado, como o 741 (a um custo baixo), capaz de
fornecer a potncia aproximada de 100 mW sem componentes externos adicionais. A seguir
indicam-se dois exemplos de amplificadores de udio integrados com valores nominais de 4 W e
20 W, respectivamente.
O amplificador LM384, esquematizado
na Figura ao lado, projetado para
propiciar 34 dB de amplificao em
sinais at 300 kHz e fornecer 5 W de
potncia uma carga acoplada
capacitivamente. Os valores indicados
dos componentes originam um fator de
distoro a 1 kHz inferior a 1% com a
potncia de sada de 5 W numa carga
de 8 ohms. Quando se usar este
dispositivo deve-se ter o cuidado de
implantar o circuito adequadamente e
evitar acoplamentos de disperso ou
retroao de sada para a entrada, que podem causar oscilaes. Para evitar oscilaes, o cabo
de entrada deve ser blindado e a malha de compensao de atraso R1 C2 deve ser conectada
entre o pino de sada e a massa. O condensador C3 usa-se para cancelar os efeitos da
indutividade das pontas da fonte de alimentao, enquanto C1 atua como um aterramento das
baixas freqncias.
O amplificador de 20 W
da Figura ao lado outro exemplo
do estado da tecnologia dos
amplificadores
de
potncia
lineares monolticos. O TDA2020,
conectado como se indica, com
uma entrada de 260 mV, origina
tipicamente 20 W em 4 ohms com
menos de 1% de distoro e
eficincia igual a 57%. A resposta
em freqncia (-3 dB) vai de 10 Hz
a 160 kHz com um ganho de
30 dB. Alm disso, o dispositivo
tem proteo contra curtocircuitos
e desligao trmica se for
excedido o limite mximo de
dissipao trmica recomendado.
Os condensadores C1 a C4
proporcionam contornamento da
fonte de alimentao. As malhas
R3C5 e R1C6 produzem compensao de atraso na sada e na entrada, respectivamente. A
compensao ainda controlada pelo condensador C7. Como o nvel DC da sada posto a
(V+ + V-) / 2, esta operao em fonte de alimentao repartida fornece a sada DC de 0 V e a
carga pode ser acoplada diretamente, eliminando a necessidade de um condensador de
acoplamento muito grande. Os diodos D1 e D2 fixam (e assim protegem) a sada nas excurses
indutivas maiores que as tenses de alimentao.
16/48
REGULADOR SRIE
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada em

relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o
elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da o
nome regulador srie.
Funcionamento:
A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE
Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ
VCE = VCB + VBE
Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar provocando
um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL constante.
VL = VIN - VCE
Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo os mesmos
princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera
REGULADOR PARALELO
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener como
elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador paralelo,
cujo circuito mostrado abaixo.
A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador

srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
17/48
Funcionamento:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
Logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar VBE variando
a corrente IB e conseqentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de entrada
ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ no assuma valores menores
que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN, VL e
IL(MAX).
REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO
O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s variaes da tenso
de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da introduo de um transistor junto ao
elemento de referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que compem o circuito
tem as seguintes funes:
Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada a partir de uma
tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito comparador;
Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto , compara duas tenses, VR2
e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (denominada tambm tenso de referncia), cuja finalidade
controlar a tenso de polarizao do circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre
os dois resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia que ser
aplicada ao circuito de controle.
Funcionamento:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao
da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar, aumentando
a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento um aumento de
tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar IB2 e conseqentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a tenso do
emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1.
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base de T1
(IB1).
IC2 = IR1 - IB1
IR1 = IC2 + IB1
18/48
O TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
O transistor de efeito de campo (FET field effect transistor) um transistor unipolar, ou seja ele
funciona com apenas um tipo de carga (eltron ou lacuna). Sendo um transistor ele possui muitas
semelhanas com os bipolares que estudamos at agora. Os FETs se classificam em duas
classes: os JFETs e os MOSFETS.
O JFET (junction FET ou FET de juno) construdo a partir de um pedao de semicondutor tipo
n ou p, sendo seu funcionamento igual, diferindo apenas como nos bipolares NPN e PNP, na
polarizao. Embora existam JFETs de quatro terminais, na maioria das vezes eles tem trs
terminais que so anlogos aos dos transistores bipolares:
Como nos transistores bipolares os eltrons circulam do emissor para o coletor, no JFET eles vo
da fonte (S) para o dreno (D). A corrente convencional vai no sentido inverso.
Na fabricao do JFET canal n partimos de um bloco de semicondutor tipo n e adicionamos por
difuso duas reas de material p. As extremidades do material n sero uma o dreno (D) e a outra
a fonte (S). As reas de material p formaro a porta (G). Vide figura abaixo:
Ao aplicarmos uma tenso VDD entre dreno e fonte os eltrons podem fluir pelo material n, da
fonte para o dreno. Sendo a porta de material p, formam-se dois diodos p- n, um entre porta e
dreno e outro entre porta e fonte. Num bipolar ns polarizamos o diodo base-emissor diretamente
e o diodo base-coletor inversamente para funcionamento correto como transistor. No JFET ns
polarizamos reversamente os dois diodos. Isto cria em volta das junes de porta uma camada de
depleo, pela recombinao dos eltrons e das lacunas em torno das junes reversamente
polarizadas. Veja a figura abaixo onde mostrada a polarizao usual e a formao das camadas
de depleo em torno da porta. Estas camadas de depleo formam um estreitamento no material
n, dificultando a passagem dos eltrons da fonte (S) para o dreno (D). Quanto maior for a tenso
na porta (mais negativa em relao fonte) maior ser a zona de depleo, mais estreito fica o
canal e menos corrente circular pelo JFET.
19/48
A denominao efeito de campo proveniente destes estreitamentos do canal, causados por

um campo eltrico neutro (camada de depleo) que controla a passagem de corrente. Num
transistor bipolar a corrente de base controla a corrente de coletor (IC = IB). Num JFET a tenso
de porta (VGG) controla a corrente entre dreno e fonte.
Como a polarizao reversa no diodo porta-fonte, a corrente que circula quase nula. Na
prtica podemos considerar IG = 0. Mas se IG = 0, aplicando a lei de Ohm na entrada do JFET
temos:
VGG = R ent .I G ou R ent =
VGG VGG
=
=
IG
0
Isto significa que o JFET tem uma impedncia de entrada elevadssima, da ordem de centenas
de Mega Ohms.
Por outro lado se IG = 0, por Kirchhoff temos que ID = IS. Para aplicaes de baixa freqncia
podemos at inverter dreno e fonte que o JFET funciona igualmente. Para freqncias mais
elevadas as capacitncias parasitas entre porta e dreno so menores que as entre porta e fonte.
O JFET ser sempre polarizado com os dois diodos com tenso reversa. Logo podemos concluir
que a corrente de dreno mxima ser quando VGS = 0, pois assim a zona de depleo ser a
menor possvel. O funcionamento do JFET com VGS = 0 (porta curto circuitada terra) mostrado
na figura abaixo.
Repare como esta curva se parece com a curva de coletor de um bipolar. Note que:
A corrente de dreno (IDSS = I drain source shorted) sai de zero, quando VDS = 0 e sobe
rapidamente, de forma linear at que VDS = VP, ento h uma estabilizao de IDSS,
mesmo com o aumento de VGS, at atingirmos VDS = VDS(max), quando h uma ruptura com
IDSS disparando e o JFET sendo destrudo;
20/48
O ponto VP (de pinchoff ou estrangulamento) a tenso mnima para que IDSS fique
praticamente constante;
IDSS a corrente mxima que pode circular por um JFET.
O fabricante fornece o valor de IDSS, bem como o de VDS(max). Outro dado importante o valor de
VP, que nem sempre dado pelos fabricantes. Eles fornecem sempre VGS(off) que a tenso de
porta que leva o JFET ao corte (ID = 0). A figura abaixo ilustra o ponto de VGS(off).
Veja que, como dissemos, se VGS = 0, temos ID mximo, que de 8mA na figura acima. Se
aumentarmos a diferena de potencial entre porta e fonte (VGS), sempre com a polarizao
reversa, ID vai diminuindo at que com VGS = -4V (porta a 4 V abaixo da fonte), temos ID = 0, ou
seja o JFET est cortado. Assim temos no nosso exemplo VGS(off) = -4V. Por caractersticas
construtivas sabemos que VP = |VGS(off)| ou ento:
VGS(off) = VP
A figura acima ilustra bem este aspecto. Note que VP a tenso mnima para que IDS seja
aproximadamente constante quando VGS = 0.
A parte da curva da figura acima entre VDS = 0 e VDS = VP bastante linear, o que equivale a reta
de saturao de um transistor bipolar. Esta regio chamada de regio hmica do JFET pois a
relao entre V e I linear. Isto equivale a um resistor com valor:
R DS =
VP
IDSS
O valor de RDS em torno de centenas de ohms.

Calculamos a corrente em um JFET pela curva de transcondutncia, graficamente ou pela
equao dessa curva. A transcondutncia a relao entre ID versus VGS.
Todos os JFETs apresentam curvas de transcondutncia iguais s da figura abaixo, variando
apenas os valores de IDSS e VGS(off). A equao matemtica para esta curva (Equao de
Shockley):
V
ID = IDSS .1 GS
VGS(off)
21/48
O fabricante fornece IDSS e VGS(off), assim basta saber a tenso VGS do nosso circuito para
calcular ID.
Repare que esta curva uma parbola, pois ID = K x IDSS , sendo K um fator quadrtico:
V
K = 1 GS
VGS(off)
Por ser quadrtico o fator que relaciona a corrente de dreno o JFET chamado de dispositivo
quadrtico, o que bom para certas aplicaes principalmente em udio onde muitas vezes
misturamos sinais.
Assim podemos representar o JFET como uma fonte de corrente cuja sada K x IDSS,
dependendo da tenso VGS, isto para VDS acima de VP. Na regio hmica (VDS<VP) o JFET se
comporta como um resistor RDS = VP/ IDSS. Portanto para representar o circuito equivalente de
um JFET precisamos de dois modelos, mostrados abaixo:
Estes modelos so construdos tomando por base o comportamento ideal do JFET mostrado a
seguir onde temos ID = constante ou seja uma reta bem horizontal e tambm para VDS < VP todas
as curvas se sobrepondo.
Dependendo de como polarizamos o JFET ele pode se comportar como uma fonte de corrente
(regio ativa) ou como um resistor (na saturao). Os modelos acima apresentam um resistor
entre porta(G) e fonte(S), RGS, que sabemos ser muito elevado, podendo simplesmente ser
desprezado.
J vimos que o ponto VP define a separao entre as duas regies de operao do JFET, assim
precisamos saber seu valor correto. A folha de dados do fabricante nos d VP para VGS = 0. Para
VGS 0 calculamos:
VP = ID x RDS
A seqncia de clculo :
Calcular: R DS =
VP
IDSS
22/48
VGS
Calcular: ID = IDSS . 1
VGS(off)
Calcular VP, que VP proporcional VGS que est sendo usado no circuito.
Polarizao do FET
A Figura abaixo (a) mostra a polarizao da porta. Uma tenso VGG fixa aplicada na porta. Esta
a pior forma de polarizar um amplificador JFET, porque o ponto Q varia em funo de IDSS e
VGS(off). Como essas variveis modificam-se com a temperatura e com a substituio do JFET,
impossvel obler um ponto Q estvel com a polarizao de porta.
A polarizao por divisor de tenso o mtodo de polarizao preferido para amplificadores
bipolares, porm no para JFETs. Embora alguns circuitos com JFET tenham sido projetados com
a polarizao por divisor de tenso mostrada na Figura abaixo (b), ela no surgiu como o principal
tipo de polarizao do JFET.
O prximo tipo de polarizao do bipolar a polarizao de emissor com duas alimentaes.
Quando as tenses de alimentao positiva e negativa esto disponveis, a maioria dos projetistas
usar esse tipo de polarizao do bipolar, porque ela apresenta no estgio final a maior sada sem
distoro. A forma anloga de polarizao do JFET a polarizao com fonte simtrica, mostrada
na Figura abaixo (c). Embora ela tenha sido usada com xito com JFETs, essa no a
polarizao que usada na maioria das vezes com amplificadores JFET.
Finalmente, chegamos autopolarizao, mostrada na Figura abaixo (d). Esse tipo de polarizao
no tem equivalente em circuitos bipolares. A autopolarizao a forma preferida de polarizao
para um amplificador JFET. Voc ver que esse tipo de polarizao mais usado do que qualquer
outro tipo de JFET. Por sua simplicidade, ela oferece um mtodo elegante e efetivo para a
polarizao de um amplificador JFET. Embora o ponto Q no seja slido como uma rocha, ele
estvel o suficiente para a maioria das aplicaes de amplificadores que usam JFET.
23/48
Polarizao Fixa
O resistor RG est presente para assegurar que Vi aparea na entrada do amplificador FET na
anlise AC. Para a anlise DC, temos:
IG 0 A e
VRG = IG RG = 0 . RG = 0 V.
A queda de zero volt atravs de RG permite substituir RG por um curto-circuito equivalente, para a
anlise DC.
Como o terminal negativo da bateria est conectado na porta, pode-se concluir que a polaridade
de VGS oposta de VGG. Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff na malha de entrada, no
sentido horrio, resulta em:
VGG VGS = 0.
VGS = VGG.
Uma vez que VGG uma fonte de constante, a tenso VGS fixa, da a notao "configurao com
polarizao fixa".
A corrente de dreno (ID) dada pela equao de Shockley:
V
ID = IDSS .1 GS
VGS(off)
Uma vez que VGS fixa para esta configurao, ela pode
ser substituda na equao de Shockley para se
determinar o valor de ID. Este um dos poucos casos em
que a soluo matemtica pode ser empregada
diretamente.
Atravs da malha dreno-fonte, obtm-se VDS. Lembre que
IS = ID, onde resultar em:
VDS = VDD ID R D
Na figura ao lado temos o ponto de operao utilizado para projetos de polarizao de FETs.
24/48
Autopolarizao
A autopolarlzaco elimina a necessidade de duas fontes DC. A tenso controladora de porta-fonte

agora determinada pela tenso atravs do resistor RS colocado entre a fonte e o terra.
Para a anlise DC, os capacitores podem ser substitudos por circuitos-abertos e o resistor RG
substitudo por um curto-circuito equivalente, j que a condio que IG = 0mA.
A corrente atravs de RS a corrente de fonte IS, mas IS = ID e VRS = RS ID.
Para a malha porta-fonte, encontramos:
VGS VRS = 0
VGS = VRS ou ainda VGS = RSID
Observe neste caso que VGS funo da corrente de sada ID. Para se obter a corrente de dreno
ID podemos adotar o mtodo matemtico ou o mtodo grfico. Atravs do mtodo matemtico ID
poder ser definido pela equao de Shockley.
V
ID = IDSS .1 GS
V
GS(off)
Resolvendo o sistema da equao VGS = RS ID com a equao de Shockley, determinamos o

ponto de operao (valores de IDQ e VGSQ).
2
V
ID = IDSS .1 GS
V
GS(off)
VGS = R SID
Aps a realizao dos clculos, deve e tomar o cuidado de assumir o valor correto de ID, pois este
deve estar entre zero e IDSS.
O mtodo grfico determinado atravs da curva de transferncia (transcondutncia), uma vez
que VGS = RS ID, adotando um determinado valor para ID, podemos traar uma reta sobre a curva
de transferncia, o ponto de encontro entre a reta e a curva de transferncia ser definido como o
ponto Quiescente, rebatendo este ao eixo de lDSS, obtem-se o valor de ID, porm este mtodo deve
ser realizado cuidadosamente, pois existe uma grande chance de desenhar-se a curva de
25/48
transferncia de forma inadequada, ou mesmo no desenha-la dentro das devidas escalas, alm
de nos induzir ao erro.
Verifique ainda que atravs da malha dreno-fonte, obtm-se VDS. Lembre que IS = ID, onde
resultar em:
VDS = VDD ID (R S + RD )
Alm disso:
VS = RS . ID e VG = 0 V.
VD = VDD RD . ID
Polarizao por Divisor de Tenso
A polarizao por divisor de tenso aplicada aos amplificadores com TBJ tambm aplicada aos
amplificadores com FET. A configurao bsica exatamente a mesma, mas a anlise DC
consideravelmente diferente. IG = 0 A para os amplificadores com FET, mas, para os
amplificadores que utilizam TBJ, o valor de IB pode afetar os nveis de corrente e tenso nos
circuitos de entrada e sada. Lembre-se de que IB o elo de ligao entre os circuitos de entrada e
sada na configurao com divisor de tenso para o TBJ, enquanto VGS faz o mesmo para a
configurao com FET.
Uma vez que IG = 0 A, a lei das correntes de Kirchhoff permite afirmar que IR1 = IR2 e o circuito
equivalente-srie que aparece esquerda da figura pode ser utilizado para se determinar o valor
de VG. A tenso VG, igual tenso atravs de R2, pode ser determinada com o auxlio da regra do
divisor de tenso:
VG =
R 2 VDD
R1 + R 2
Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff no sentido horrio na malha de entrada (malha de VGS),
resulta em:
VG VGS VRS = 0
26/48
VGS = VG VRS
Substituindo VRS = ISRS = IDRS, temos:
VGS = VG IDRS
Resolvendo o sistema desta equao com a equao de Shockley, determinamos o ponto de
operao (valores de IDQ e VGSQ).
2
V
GS
ID = IDSS .1
V
GS(off)
VGS = VG IDR S
Aps a realizao dos clculos, deve e tomar o cuidado de assumir o valor correto de ID, pois este
deve estar entre zero e IDSS.
Uma vez determinados os valores de IDQ e VGSQ, a anlise restante pode ser feita da maneira
usual. Ou seja,
VDS = VDD ID (RD + RS)
VD = VDD IDRD
VS = IDRS
Polarizao de Fonte
A Figura abaixo mostra a polarizao de fonte (similar polarizao de emissor com duas
alimentaes). A ideia sobrepujar as variaes em VGS. O valor de ID dado por:
ID =
VSS VGS
RS
Para a polarizao de fonte funcionar bem, VSS tem de ser muito maior do
que VGS. Entretanto, uma faixa de variao tpica para VGS de -1 a -5 V,
logo voc pode ver que uma realimentao perfeita no possvel com as
tenses de alimentao tpicas. Novamente, a estabilidade mxima na
polarizao requer um VSS to grande quanto possvel e um VGS tambm
to pequeno quanto possvel.
27/48
Polarizao por Fonte de Corrente

Quando alimentaes positiva e negativa esto disponveis, voc pode usar a polarizao por
fonte de corrente, mostrada na Figura abaixo (a). Como o transistor bipolar polarizado pelo
emissor, sua corrente de coletor dada por:
IC =
VEE VBE
RE
Como o trarisistor bipolar funciona como uma fonte de corrente CC, ele fora a corrente do dreno
do JFET a ser igual corrente do coletor do bipolar:
ID = IC
A Figura (b) ilustra como eficiente a polarizao por fonte de corrente. Como Ic constante, os
dois pontos Q tm o mesmo valor da corrente do dreno. A fonte de corrente elimina efetivamente
a influncia de VGS. Embora VGS seja diferente para cada ponto Q, ele no mais influencia o valor
da corrente de dreno. Essa a estabilidade definitiva na polarizao para um JFET.
Anlise AC para FET
A Transcondutncia
Para analisar amplificadores JFET, precisamos discutir uma grandeza CA
transcondutncia, designada por gm. Algebricamente, a transcondutncia dada por:
gm =
chamada
I D
VGS
Como as mudanas em ID e VGS equivalentes para a corrente e a tenso CA, a Equao acima
pode ser escrita como:
gm =
id
v gs
28/48
Se os valores de pico a pico so id = 0,2 mA e vgs = 0,1 V, ento:
gm =
0,2mA
= 2(10-3 )mho = 2.000mho
0,1V
A unidade "mho" a razo entre a corrente e a tenso. O equivalente formal para o mho o
Siemens (S). A maioria das folhas de dados continua a usar o mho em vez do siemens. Elas
tambm usam o smbolo gfs para gm.
Modelo Ideal CA para JFET

A Figura abaixo esclarece o significado de gm em relao curva de transcondutncia. Entre os
pontos A e B, uma mudana em VGS produz uma mudana em ID. A razo da mudana em ID para
a mudana em VGS igual ao valor de gm entre A e B. Se selecionamos um outro par de pontos
mais para cima na curva em C e D, obtemos mais de uma mudana em ID para uma dada
mudana em VGS. Portanto, gm tem um valor maior mais para cima na curva. O maior valor de gm
para a maior tenso efetiva de porta que controla a corrente de dreno.
A Figura abaixo mostra um circuito equivalente ca simples para um JFET. H uma resistncia RGS
muito alta entre a porta e a fonte. Esse valor est bem na faixa das dezenas ou centenas de
megohms. O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm.vgs. Se
soubermos os valores de gm e de vgs poderemos calcular a corrente ca de dreno. Esse modelo
uma primeira aproximao porque ele no inclui a resistncia interna da fonte de corrente, a
capacitncia do JFET e assim por diante. Em baixas frequncias, podemos usar esse modelo CA
simples na anlise de defeitos e anlises preliminares.
(a) Transcondutncia; (b) circuito equivalente; (c) variao da transcondutncia.
A Transcondutncia e a Tenso de Corte Porta-Fonte

Aqui est uma frmula til:
VGS(off) =
2I DSS
g m0
Ela til porque VGS(off) difcil de ser medida com preciso. Porm, IDSS e gm0 so fceis de
serem medidos com grande preciso. Portanto, a aproximao padro medir IDSS e gm0, e ento
calcular VGS(off). Isso feito na folha de dados.
29/48
Quando VGS = 0, gm tem o seu valor mximo. Esse valor mximo designado como de gm0, ou gfs0
na folha de dados. Quando VGS negativa, gm diminui de valor. Aqui est a equao de gm para
qualquer valor de VGS:
V
g m = g m0 1 GS
V
GS(off)
Observe que gm diminui linearmente quando VGS se torna mais negativa, como mostrado na Figura
acima (c). Essa propriedade til em controle automtico de ganho.
AMPLIFICADORES JFET
A Figura abaixo (a) mostra um amplificador fonte-comum (CS - commom-source). Ele similar a
um amplificador EC. Portanto, muitas das ideias que voc aprendeu antes sobre transistores
bipolares se aplicam aqui. Por exemplo, os capacitores de acoplamento e de derivao funcionam
como curtos para CA. Por isso, a tenso CA de entrada acoplada diretamente porta. Como a
fonte est no terra para CA por meio do capacitor de derivao, toda tenso CA de entrada
aparece entre a porta e a fonte. Isto produz uma corrente CA de dreno. Como a corrente CA flui
atravs do resistor do dreno, obtemos um amplificador com tenso CA invertida na sada. Esse
sinal de sada ento acoplado ao resistor de carga.
A Figura abaixo (b) mostra o circuito equivalente CA. Aqui, a resistncia da porta est em paralelo
com a resistncia porta-fonte do JFET. Como a tenso CA de entrada aparece atravs dos
terminais porta-fonte, a fonte de corrente tem um valor de gmvent. Essa corrente CA de dreno
circula atravs da resistncia CA de dreno, que so as resistncias RD e RL em paralelo.
(a) Amplificador fonte-comum; (b) circuito equivalente.
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Ganho de Tenso
Na Figura acima (a), a resistncia CA de dreno :
rd = RD || RL
Quando a corrente de sada gmvent flui atravs de rd, ela produz uma tenso de sada de
vsada = gm vent rd
Divida ambos os lados por vent e obtenha:
v sada
= g m rd
v ent
Lembre-se de que o ganho de tenso definido como a tenso de sada dividida pela tenso de
entrada. Portanto, a equao anterior pode ser escrita como
A = gm rd
Ela diz que o ganho de tenso de um amplificador fonte-comum igual transcondutncia vezes
a resistncia CA do dreno.
Atalhos do Transistor Bipolar para o JFET

Lembre-se de que a gm de um transistor bipolar dada por:
gm =
1
r' e
H uma conexo entre o ganho de tenso de um JFET e de um transistor bipolar. Essa conexo
permite-nos usar um atalho para derivao e recordao das frmulas do JFET. Como os
transistores bipolares e os JFETs tm circuitos equivalentes similares, toda as frmulas para
ganho de tenso so anlogas umas s outras. Isso significa que podemos reescrever qualquer
frmula de bipolar para um circuito JFET comparvel mudando os subndices e substituindo r'e por
1/gm. Por exemplo, o amplificador bipolar EC tem um ganho de tenso de:
A=
rc
r' e
Um amplificador JFET CS tem o mesmo projeto de configurao. Portanto, podemos substituir rc

por rd e r'e por 1/gm para obter:
A=
rd
= g m rd
1/g m
Um amplificador JFET linearizado como o da Figura abaixo (a) tem parte da resistncia de fonte
sem o capacitor de derivao. Isso similar ao amplificador bipolar linearizado cujo ganho de
tenso :
A=
rc
re + r' e
31/48
Se voc se lembra dessa frmula para o transistor bipolar, pode obter facilmente a frmula
equivalente para JFET. Substitua rc por rd, re por rs, e r'e por 1/gm para obter:
A=
rd
rs + 1/g m
Como um exemplo final, o seguidor de fonte da Figura (b) similar a um seguidor de emissor cujo
ganho de tenso :
A=
re
re + r' e
Quando voc substitui re por rs e r' por 1 lgm obtm o ganho de tenso de um seguidor de fonte;
A=
rs
rs + 1/g m
importante lembrar-se da ltima equao, porque o seguidor de fonte um dos circuitos JFET
mais largamente usados. Semelhante ao seguidor de emissor, o seu ganho de tenso menor do
que 1. Mas ele tem a maior vantagem, que a altssima impedncia de entrada. Voc ver o
seguidor de fonte usado em todos os tipos de aplicaes.
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MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal, MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A
diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta
extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa.
MOSFET DE MODO DEPLEO
A Figura abaixo mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo. O substrato em
geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes usa-se o substrato para
controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais.
Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p chamada
de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos eltrons livres da fonte ao dreno.
A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a passagem de corrente da
porta para o material n.
A Figura acima mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A
tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso de porta
controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um
momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltrons livres. Com VGS
negativo o funcionamento similar ao JFET.
Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva na porta
(inverso de polaridade bateria VGG do circuito da Figura acima). A tenso positiva na porta
aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a
corrente de dreno. Isto que a diferencia de um JFET.
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MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO

O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de modo
depleo e de uso generalizado na indstria eletrnica em especial nos circuitos digitais.
A Figura acima mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O substrato
estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe mais um canal n ligando a fonte e
o dreno.
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para
o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Assim,
quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado (off). Isto totalmente
diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo.
Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres recombinam-se
com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente
positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres
comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de
material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de inverso tipo
n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres
fluem facilmente da fonte para o dreno.
O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado por
VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior
VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta.
VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET.
A Figura abaixo mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao e reta de
carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a
corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o MOSFET pode trabalhar
tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de corrente. A curva ID x VGS, a
curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th). Ela
dada por:
ID = k(VGS VGS(th) )2
onde k uma constante que depende do MOSFET em particular.
As folhas de especificaes fornecem normalmente a tenso de limiar (VGS(th)) e um valor de
corrente de dreno (ID(on)) para um nvel de VGS(on). Desta forma, dois pontos so definidos de
imediato. Para completar a curva, a constante k da Equao acima deve ser determinada a partir
dos dados das folhas de especificaes, substituindo estes na Equao acima e resolvendo para
k:
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ID = k(VGS VGS(th) )2
ID(on) = k(VGS(on) VGS(th) )2
k=
(V
ID(on)
GS(on)
VGS(th) )
Uma vez definido k, outros nveis de ID podem ser determinados a partir de valores de VGS.
TENSO PORTA-FONTE MXIMA

Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que impede a circulao de
corrente de porta tanto para tenses positivas como negativas. Essa camada isolante mantida
to fina quanto possvel para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a
camada muito fina, fcil destru-la com uma tenso porta fonte excessiva. Alm da aplicao
direta de tenso excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a camada isolante devido a
transientes de tenso causados por retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O
simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estticas suficiente que exceda a
especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET so protegidos por diodos zener internos em
paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a impedncia de
entrada.
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AMPLIFICADORES DISCRETOS E INTEGRADOS

Um circuito discreto (que significa separado ou distinto), composto por componentes
separados. Por exemplo, um amplificador discreto tem resistores, transistores, capacitores etc.
Estes, normalmente so soldados na placa de circuito impresso e interligados por meio de trilhas
ou fios de material condutor, normalmente o cobre. Se este mesmo amplificador for construdo em
um circuito integrado, os componentes do circuito sero construdos em uma nica pastilha de
silcio atravs do processo de dopagem e interligados em sua estrutura atmica por meio de
finssimos fios condutores. Depois de pronto, a pastilha encapsulada e conectada ao meio
exterior por meio de pinos metlicos.
Um dos problemas encontrados na construo de CIs que no se pode construir
capacitores de grandes valores em pastilhas de silcio. Os mesmos j foram at fabricados em
pastilha, mas sempre menores que 50pF. Devido a esta limitao, os amplificadores montados em
CIs tem quase sempre acoplamento direto, que, como ns j estudamos, no utiliza capacitores
no acoplamento entre os estgios.
Amplificadores com acoplamento direto tem uma caracterstica interessante, que
amplificar, alm de tenses alternadas, tenses contnuas. Por isso so normalmente chamados
de amplificadores CC. Amplificadores com acoplamento por capacitor no amplificam tenso
contnua.
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
O amplificador diferencial um dos melhores estgios de acoplamento direto disponveis
para o projetista de Cl. um tipo de amplificador que muitssimo usado na etapa de entrada dos
amplificadores operacionais. Veja abaixo o diagrama em blocos de um amplificador operacional.
O amplificador diferencial apresenta duas entradas V1 e V2. Quando

V1 > V2, teremos a polaridade apresentada na sada, se V1 = V2 o sinal na
sada ser zero. O que o amplificador diferencial faz na verdade amplificar a
diferena entre as tenses presentes nas duas entradas.
A Figura abaixo mostra a forma modificada de um amplificador
diferencial que usada em CIs amps op.
Quando Einv aumenta, a corrente de
emissor do transistor T1 aumenta. Isto eleva a
tenso na extremidade superior de Re, que equivale diminuio
do VBE do transistor T2. Um VBE menor de T2 significa uma menor
corrente de coletor nesse transistor, o que aumenta a tenso de sada.
Logo esta entrada chamada de entrada no inversora, a tenso de
sada est em fase com Einv.
Quando Einv aumenta, a corrente de coletor de T2 aumenta, o
que significa que a tenso de sada diminuir. Por isso, a entrada de
tenso Einv chamada de entrada inversora. A tenso de sada est
180 defasada em relao a esta entrada.
IT chamada de corrente de cauda, que a corrente no resistor Re. Quando os
transistores forem idnticos, a corrente de cauda se divide igualmente entre os transistores, isto
significa que le1 = le2.
CORRENTE DE COMPENSAO DE ENTRADA (CORRENTE DE OFFSET)
a diferena entre as correntes de base dos dois transistores. Esta corrente indica o
quanto os transistores esto casados. Se os transistores forem idnticos, a corrente de
compensao de entrada(lln(off)) ser zero.
Iin(off) = IB1 - IB2
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A corrente de compensao de entrada pode fazer com que uma tenso indesejvel
aparea na sada do amplificador diferencial, dependendo dos valores dos resistores de base de
cada transistor.
CORRENTE DE POLARIZAO DE ENTRADA
a mdia entre as duas correntes de base: Iin(bias) = (IB1 + IB2) / 2
TENSO DE COMPENSAO(OFFSET) DE ENTRADA
Com as duas bases aterradas e se os transistores forem idnticos, o amplificador
diferencial que ns estamos analisando ter uma tenso entre coletor e terra dada pela frmula
abaixo:
Vc = Vcc - lc Rc
Este o valor quiescente da tenso no coletor de T2. Qualquer desvio deste valor de
tenso quiescente chamado de tenso de compensao de sada. Se os transistores no forem
idnticos, as correntes de emissor sero diferentes e haver uma tenso de compensao de
sada. Para eliminar a tenso de compensao de sada, temos que aplicar uma tenso em uma
das entradas do amplificador diferencial, que chamada de tenso de compensao de entrada.
Por exemplo, se a folha de dado de um amplificador operacional informar que ele tem uma tenso
de compensao de entrada de 10mV, ento ser preciso aplicar uma tenso de 10mV em
uma das entradas para zerar a tenso de compensao de sada.
Em geral, quanto menor a tenso de compensao de entrada, melhor o amplificador
diferenciai porque os transistores esto mais bem casados. Aqui est um dos grandes motivos
pelo qual o amplificador diferencial amplamente usado como estgio de entrada nos
amplificadores operacionais. Em uma pastilha de silcio, bem mais fcil de se construir
transistores bem casados. Se um amplificador diferencial for projetado com transistores discretos,
isto seria praticamente impossvel.
ANLISE CA DE UM AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Em um amplificador diferencial, um sinal qualquer variao a partir de um valor
quiescente. Pois um amplificador diferencial pode amplificar sinais cc ou ca. A Figura abaixo
mostra o circuito equivalente ca de um amplificador diferencial.
ie =
v in
2re'
v out = ic R c =
ic i e
v in
Rc
2re'
Ganho de tenso: A =
v out
R
A = c'
v in
2re
Impedncia de Entrada:
v in
(impedncia de entrada)
ib
v
v
Logo: Z in = 2re'
ie = in' ib in 2re'
ib
2re
Z in =
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MODO COMUM
Operao em modo comum quando aplicamos o mesmo sinal em ambas entradas,
podendo ser tambm sinais de mesmo potencial e defasagem 0o entre si. Geralmente, a maioria
dos sinais de interferncia so aplicados em modo comum.
Idealmente no haver tenso ca na sada em um sinal de entrada em modo comum,
pois a tenso entre as bases zero.
As entradas do amplificador diferencial podem funcionar como pequenas antenas. Por
esse motivo o amplificador pode receber em suas entradas pequenas interferncias. Uma grande
razo da popularidade do amplificador diferencial a sua caracterstica de atenuar estes sinais
(interferncias). Admitindo transistores idnticos, as tenses iguais na base produzem correntes
iguais de emissor. Como as duas correntes de emissor so iguais, no h corrente atravs do fio
que interliga os emissores.
Ganho de Tenso em Modo Comum: A MC =
v out
ic R c
Rc
R
=
=
= c
'
'
v in(MC ) ie (2R e + re ) 2R e + re 2R e
RAZO DE REJEIO EM MODO COMUM (RRMC)

Para se medir a qualidade de um amplificador usa-se a relao abaixo, onde quanto maior o valor
de RRMC, maior ser a qualidade do amplificador:
RRMC =
A
A mc
Onde: A ganho de tenso diferencial

Amc ganho de tenso em modo comum
Se o amplificador diferencial fosse perfeito, RRMC seria infinito porque Amc seria zero.
As folhas de dados muitas vezes especificam RRMC em decibis, utilizando a seguinte frmula
para a converso em decibel:
RRMC' = 20 log RRMC (dB)
FONTE CC
Para se melhorar o funcionamento do amplificador diferencial
preciso aumentar o valor de RC, para aumentar o ganho diferencial, e
aumentar RE, para diminuir o ganho em modo comum. Mas aumentando o
valor de Rc e RE haver uma modificao na polarizao do transistor,
conseqentemente afetar o funcionamento do amplificador.
Para melhorar o funcionamento e ao mesmo tempo no afetar o
desempenho substituem-se os resistores por fontes de corrente.
Para se obter uma fonte de corrente fsica usa-se o circuito
espelho de corrente da figura ao lado. Se os dois transistores T1 e T2 forem
idntico, ento teremos: I0 = Iref.
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As fontes de corrente fsicas possuem alta resistncia interna. Nos exemplos abaixo de
amplificadores diferenciais, a corrente le obtida usando a expresso:
V + Vee VBE
Ie = cc
RX
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
um circuito integrado que tem a funo de realizar operaes matemticas tais como:
soma, subtrao, integrao, etc.
Amplificador Operacional Ideal: O AmpOp ideal constitui um modelo simplificado de um
amplo conjunto de amplificadores de tenso atualmente existentes no mercado. Caracteriza-se
pelas seguintes propriedades:
Impedncia de entrada infinita.
Impedncia de sada nula.
Ganho de tenso infinito.
Ausncia de qualquer limitao em freqncia e em amplitude.
Largura de banda infinita.
Tenso de offset de entrada nula.
Deriva trmica nula.
Taxa de limitao de inclinao (slew rate) infinita. - A taxa de limitao de
inclinao fornece um parmetro especificando a mxima taxa de mudana de tenso de sada
quando aplicado um grande sinal de entrada em forma de degrau. Se algum tentar acionar a
sada numa taxa de variao de tenso maior que a taxa de limitao de inclinao, a sada no
ser capaz de variar suficientemente rpido, e no variar sobre a faixa completa esperada,
resultando num sinal cortado ou distorcido.
A principal consequncia do conjunto de propriedades , na prtica, a possibilidade de
estabelecer um curto-circuito virtual entre os dois terminais de entrada do AmpOp. Com efeito, a
existncia de uma tenso finita na sada s compatvel com um ganho infinito desde que a
diferena de potencial entre os dois terminais de entrada seja nula. A natureza virtual deste curtocircuito deve-se coexistncia de uma igualdade entre tenses sem ligao fsica entre terminais.
Na prtica os AmpOp no so ideais mas sim reais, o que implica que aquelas
caractersticas so aproximadas. No entanto, considerar os AmpOp ideais simplifica o estudo das
suas aplicaes e o que vamos fazer.
Como em condies normais o ganho dos amplificadores operacionais muito elevado,
na amplificao pode ocorrer distores prejudiciais finalidade do projeto. Nestas condies,
com a finalidade de se controlar o ganho do amplificador e tambm de reduzir a distoro,
utilizado um circuito externo de realimentao negativa. As mesmas tcnicas utilizadas na
realimentao de circuitos com transistores podem ser usadas com os AmpOp de modo a reduzir
o ganho global a valores aceitveis, permitindo a sua fixao para valores bem precisos e fazer o
ganho do circuito independente do ganho em malha aberta do amplificador operacional.
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Amplificador Inversor
A=
v o iR 2
R
=
A= 2
vi
iR1
R1
Amplificador Somador
i=
v1 v 2
v
+
+ ... + n
R1 R 2
Rn
vo = R' i = (
R'
R'
R'
V1 +
V2 + ... +
Vn )
R1
R2
Rn
Se R1 = R2 = ... = Rn = R. Ento:
vo =
R'
( V1 + V2 + ... + Vn )
R
Amplificador Diferenciador
ic = C
dv i
dt
i=
Como i = ic, temos: C
vo
R
v
dv i
= o (*)
dt
R
Podemos isolar o valor de v0 da expresso (*), e ficamos com:
v o = RC
dv i
. O que indica que o sinal de sada proporcional
dt
derivada do sinal de entrada.

Na prtica o circuito acima sensvel a rudo, tendendo a saturar. A soluo limitar o
ganho em altas freqncias colocando em srie com C uma resistncia Rs. O circuito s se
comportar como diferenciador se f << fc, pois nessas condies a reatncia de C ser muito
maior do que Rs e na prtica como se no existisse Rs.
1
Na freqncia de corte a reatncia de C fica igual a Rs , isto , Xc = Rs fc =
2R S C
Amplificador Integrador
ic = C
dv o
dt
i=
vi
R
Como i = ic, temos:

t
dv
vi
v
1
= C o dv o = i dt v o =
v i dt
R
dt
R
RC 0
O que indica que o sinal de sada proporcional integral do sinal de entrada.
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O circuito acima necessita de uma ligeira modificao para torn-lo prtico. Em virtude
de o capacitor ser um circuito aberto para sinais cc, no h realimentao negativa na freqncia
zero. Sem a realimentao negativa, o circuito considera qualquer tenso de compensao de
entrada como uma tenso de entrada vlida. O resultado que o capacitor se carrega e a tenso
de sada entra na saturao positiva ou negativa, na qual permanece indefinidamente.
Uma forma de reduzir o efeito da tenso de compensao de entrada diminuir o ganho
de tenso na freqncia zero inserindo um resistor em paralelo com o capacitor. Esse resistor
deve ser pelo menos 10 vezes maior do que o resistor de entrada. Se a resistncia acrescentada
for de 10R, o ganho de tenso de malha fechada ser 10 e a tenso de compensao de sada
ser reduzida para um nvel aceitvel. Quando houver um sinal vlido na entrada, o resistor
adicional quase no tem efeito na carga do capacitor.
Buffer ou Seguidor de Tenso
O buffer ou seguidor de tenso caracterizado por ter ganho
de tenso igual a 1, altssima resistncia de entrada e baixssima
resistncia de sada.
A principal aplicao de um circuito buffer isolar um
circuito que tem alta resistncia de sada de uma carga de baixo
valor.
Amplificador No Inversor
vi =
v oR1
v
R + R2
o = 1
R1 + R 2
vi
R1
A=
vo
R
= 1+ 2
vi
R1
Regulador Srie com Amplificador Operacional
vZ = vo
R2
R + R2
vo = vZ 1
R1 + R 2
R2
v o = (1 +
R1
)v Z
R2
Retificador Ativo
Quando o sinal da entrada no
inversora se torna positivo, a sada se torna
positiva e liga o diodo. O circuito se
comporta como um seguidor de tenso
(buffer) e o semiciclo positivo aparece
atravs do resistor de carga. Quando a
entrada fica negativa, a sada do AmpOp
torna-se negativa e desliga o diodo. Com o
diodo aberto, no aparecer nenhuma
tenso atravs do resistor de carga, e a
sada final quase um sinal de meia onda
perfeito.
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Detector de Pico Ativo

Utilizado para detectar o pico de sinais
pequenos.
O circuito de reativao serve para
descarregar o capacitor, preparado o circuito para
um outro sinal de entrada com valor de pico
diferente.
Comparadores
Aplicaes No Lineares
Na curva caracterstica do AmpOp em malha aberta pude-se verificar que a sada varia
linearmente com a entrada se esta se mantiver no intervalo entre -0,1 mV e 0,1 mV. Fora deste
intervalo o AO satura. Na prtica se a tenso de entrada, em mdulo, for muito maior do que
0,1 mV a curva caracterstica de transferncia se aproxima da ideal.
Comparador de Zero No Inversor
O circuito da Figura abaixo muitas vezes chamado de comparador de zero ou
detector de zero no inversor porque quando a tenso de entrada passar por zero a sada
muda de +VSat para -VSat ou vice -versa.
Comparador de Zero Inversor

semelhante ao no inversor, porm o sinal aplicado na entrada inversora.
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Comparador de Zero Inversor com Histerese (Disparador Schimitt)

Por causa do alto ganho os circuitos comparadores anteriores so sensveis a rudos.
Quando a entrada est passando por zero, se aparecer um rudo na entrada a sada oscilar
entre +Vsat e -Vsat at que o sinal supere o rudo. O circuito ligado na sada entender que o
sinal na entrada do comparador passou varias vezes por zero, quando na realidade foi o rudo
que provocou as mudanas na sada. Para evitar isso deve ser colocada uma imunidade
contra rudo chamada de histerese, que em termos de caracterstica de transferncia resulta
no grfico da Figura abaixo:
Observe no circuito da Figura acima que a realimentao positiva (se as entradas

fossem invertidas o circuito seria um amplificador no inversor). A realimentao positiva faz
com que a mudana de +VSat para -VSat ou vice versa seja mais rpida (s limitada pelo "slew
rate" do AmpOp). Os valores das tenses que provocam a mudana da sada so calculados
por:
V1 = +
R1Vsat
R1 + R 2
V2 =
R1Vsat
, a Histerese = V1 - V2
R1 + R 2
Comparador de Nvel Inversor

Num comparador de nvel a tenso de entrada comparada com uma tenso de
referencia (VR), ao invs do terra.
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Sada de Potncia
A mxima corrente de sada de um AmpOp aproximadamente 20mA. Quando a carga
solicitar uma corrente maior, necessrio colocar entre a carga e o AmpOp um reforador de
corrente que em geral um transistor na configurao coletor comum. A Figura abaixo da
esquerda um circuito no-inversor com sada de potncia, mas a corrente na carga s circula
num sentido. O circuito da Figura abaixo da direita permite que a entrada seja alternada (no
semiciclo positivo conduz Q1 e no semiciclo negativo conduz Q2).
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Filtros Ativos
Um filtro pode ser construdo, utilizando-se componentes passivos: resistores,
capacitores e indutores. Em baixas freqncias, os indutores se apresentam volumosos e caros.
Utilizando-se AmpOp, possvel construir um filtro RC ativo. Um filtro ativo possui um
amplificador para produzir amplificao de tenso e bufferizao ou isolamento do sinal. H
vrias configuraes de projeto de filtros ativos, conhecidos como Butterworth - mximo plano,
Bessel - resposta transiente tima, Chebischev - boa rejeio de sinal fora da banda passante e
outros.
Discutiremos o mais popular dos filtros ativo, conhecido como Butterworth ou filtros
maximamente planos.
Filtro Passa-Baixa
Um filtro que apresenta uma resposta constante de DC at a freqncia de corte (fc) e
no permite que nenhum sinal passe acima desta freqncia chamado filtro passa-baixa. Um
filtro passa-baixa de primeira ordem ou de um plo apresenta um nico circuito de desvio.
Vent =
A=
VsadaR 2
V
R + R2
sada = 1
R1 + R 2
v ent
R2
Vsada
R
A = 1+ 1
Vent
R2
e a freqncia de corte: fc =
1
2RC
Acima da freqncia de corte, o ganho de tenso diminui a uma taxa de 20dB por
dcada, que equivale a 6dB por oitava.
Filtro Passa-Baixa de dois plos
O circuito ao lado um filtro passa-baixa de dois
plos porque ele tem dois circuitos de desvio. O capacitor de
realimentao faz parte de um circuito de desvio e o outro
capacitor faz parte do outro circuito de desvio. Os dois plos
do circuito modificam a freqncia de corte e a resposta do
filtro ativo. Uma anlise matemtica revela que um ganho de
tenso de malha fechada de 1,586 um valor crtico. Quando
o ganho for 1,586, voc obter a resposta mais plana possvel
na banda mdia. Essa resposta chamada de Butterworth, ou
de resposta maximamente plana, e uma das mais
populares.
Como o ganho de tenso de malha fechada precisa ser de
1,586 para se ter uma resposta Butterworth ou maximamente plana:
1,586 =
R1
+1
R2
R1 = 0,586 R2.
Quando A = 1,586, a freqncia de corte ser: fc =
1
2RC
Um filtro Butterworth de dois plos como o da Figura acima tem a vantagem de utilizar
componentes de valores iguais. Na freqncia de corte, o ganho total de tenso est 3dB abaixo.
Acima da frequncia de corte, o ganho de tenso diminui 40dB por dcada, que equivalem a
12 dB por oitava. Esta inclinao diminui duas vezes mais rapidamente do que a anterior. Isto
porque temos um filtro de dois plos, sendo que cada circuito de desvio produz uma queda de 20
dB por dcada.
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Em geral, um filtro de trs plos produz 60 dB por dcada, um de quatro plos produz
80 dB por dcada, e assim por diante. A forma mais simples de construir um filtro Passa-Baixa de
trs plos conectando em cascata um filtro de um plo com um de dois plos. Para manter uma
resposta maximamente plana, o ganho de tenso de cada seo tem de ser precisamente
correto. Tabelas Butterworth esto disponveis para o projeto de filtros com um nmero de plos
qualquer.
Filtro Passa-Alta
Voc pode transformar um filtro Butterworth passa-baixa num filtro Butterworth passaalta usando circuitos de acoplamento em vez de redes de desvio. Um plo qualquer circuito de
acoplamento que aparece no diagrama O filtro passa-alta permite a passagem das altas
freqncias, porm bloqueia as freqncias baixas.
Freqncia de corte: fc =
1
2RC
Abaixo da freqncia de corte, a tenso de sada diminui 20 dB por

dcada.
A Figura ao lado apresenta um filtro passa-alto de dois

plos. Com um filtro como esse, o ganho de tenso est 3 dB
abaixo da freqncia de corte. Abaixo da freqncia de corte, o
ganho de tenso diminui a uma taxa de 40 dB por dcada.
Novamente, o ganho de tenso na banda mdia precisa ser
ajustado para 1,586 para se obter uma resposta maximamente
plana na banda de passagem.
Filtro Passa-Banda
Vi
fc(PB) > fc(PA)

Passa-Baixa
Filtro Rejeita-Banda
Passa-Alta
Vo
fc(PB) < fc(PA)

Passa-Baixa
Vi
Vo
Passa-Alta
Plos
1
2
3
4
5
6
Atenuao (dcada)
20 dB
40 dB
60 dB
80 dB
100 dB
120 dB
Ganhos para Filtros Butterworth

1a Seo (1 ou 2 plos)
2a Seo (2 plos)
Opcional
1,586
Opcional
2
1,152
2,235
Opcional
1,382
1,068
1,586
3a Seo (2 plos)
-
2,382
2,482
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Circuitos Osciladores
A tcnica de realimentao j foi abordada nas aulas anteriores, onde foram analisados
alguns circuitos que utilizam AmpOp. Dependendo da polaridade relativa do sinal que
realimentado em um circuito, podemos ter realimentao positiva ou negativa. Realimentao
negativa produz uma reduo do ganho de tenso, trazendo vrios vantagens (impedncia de
entrada mais alta, ganho de tenso mais estvel, resposta em freqncia melhorada, impedncia
de sada mais baixa, rudo reduzido, operaes mais lineares) a alguns circuitos. Realimentao
positiva leva o circuito a oscilar, produzindo vrios tipos de circuitos osciladores.
Para construir um oscilador-senoidal, precisamos de um amplificador com uma
realimentao positiva. Utilizamos o sinal de realimentao no lugar de um sinal de entrada. Se o
sinal de realimentao for suficientemente grande e possuir fase correta, haver um sinal de
sada, mesmo que no haja sinal externo na entrada. Logo o oscilador fornece seu prprio sinal
de entrada atravs da realimentao positiva.
Um oscilador baseado num circuito amplificador e numa malha de realimentao
positiva, que induz a uma instabilidade de operao que resulta na oscilao. Para que o circuito
oscilador funcione preciso que duas condies (de Barkhausen) sejam atendidas:
1. O ganho do circuito fechado deve ser igual a 1;
2. O deslocamento total da fase do sinal no circuito deve ser de 0, 2 ou mltiplos de
2 radianos.
O ganho em malha fechada pode tomar trs valores distintos: maior, menor ou igual a
um. Se o ganho superior unidade cria-se uma situao de instabilidade, da qual resulta uma
oscilao cuja amplitude cresce exponencialmente. Se o ganho inferior a um surge uma
situao de estabilidade, sada do circuito haver uma oscilao cuja amplitude diminuir
exponencialmente at zero. Se o ganho unitrio ento resulta uma situao de limiar entre a
instabilidade e a estabilidade, a amplitude das oscilaes no cresce nem diminui
exponencialmente, mantendo-se constante.
Oscilador de Relaxao
O circuito no apresenta sinal de entrada. Entretanto, o circuito gera uma onda

retangular na sada. Supondo que a sada esteja na saturao positiva. O capacitor se carregar
exponencialmente em direo a +Vsat. Ele nunca atingir +Vsat porque a sua tenso atinge a
tenso de comutao (UTP). Quando isto ocorre, a sada muda para -Vsat e a corrente no
capacitor muda de direo. Quando a tenso do capacitor atinge a tenso de comutao (LTP), a
sada muda novamente para +Vsat. E o ciclo se repete. Se aumentarmos a constante de tempo
RC, levar mais tempo para a tenso do capacitor atingir os pontos de comutao, logo a
freqncia do sinal na sada ser mais baixa.
R2
1+
Perodo da onda de sada: T = 2RC ln
, onde =
1
R1 +R 2
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OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE

A Figura ao lado um oscilador de
deslocamento de fase com trs circuitos de
avano no percurso da realimentao. Um circuito
de avano produz um deslocamento de fase entre
0o e 90, dependendo da freqncia. Portanto, em
alguma freqncia, o desvio total de fase de trs
circuitos
de
avano
igual
a
180
(aproximadamente 60 para cada um). O
amplificador tem um desvio adicional de fase de 180 porque o sinal alimenta a entrada
inversora. Como resultado, o desvio de fase ao longo do circuito ser de 360, equivalente a 0o.
Se AB (A = ganho de tenso diferencial e B = frao de realimentao) for maior do que a
unidade nessa determinada freqncia, as oscilaes podem comear.
A Figura ao lado mostra um projeto

alternativo. Ele utiliza trs circuitos de atraso. A
operao anloga. O amplificador produz um desvio
de fase de 180 e os circuitos de atraso contribuem
em outros 180 em alguma freqncia mais alta. Se o
ganho de malha fechada AB (A = ganho de tenso
diferencial e B = frao de realimentao) for maior
do que a unidade nessa freqncia, as oscilaes podem comear.
O oscilador de deslocamento de fase no um circuito popular. O principal problema
com esse circuito que ele no pode ser ajustado facilmente ao longo de uma grande faixa de
freqncia. A razo de introduzi-lo porque voc pode acidentalmente construir um oscilador
de deslocamento de fase ao tentar construir um amplificador.
A Figura ao lado mostra o circuito de um

oscilador por deslocamento de fase a transistor. Ele
utilizado para gerar sinais na faixa de freqncias de
udio.
O amplificador est na montagem emissor
comum e, portanto, sua tenso de sada Vs est defasada
de 180 em relao tenso de entrada Vin. O sinal de
sada aplicado no circuito de realimentao, formado
com resistores R e R3 e os capacitores C, que provoca
uma defasagem adicional de 180, de modo que uma
parcela do sinal de sada novamente aplicada na
entrada, mas em fase com o sinal de entrada Vin.
Ao ligar o circuito ser provocada uma
instabilidade na base do transistor Q1. Isto o suficiente para o circuito iniciar a sua oscilao,
pois o transistor Q1 amplifica e posteriormente reamplifica o sinal presente em sua base.
Oscilador a Cristal
Quando forem importantes a preciso e a estabilidade da freqncia de oscilao,
deve-se usar um oscilador a cristal. O cristal (abreviado por XTAL) se comporta como um
indutor grande em srie com um pequeno capacitor. Por isso, a freqncia de ressonncia
pratica no afetada pelas capacitncias do transistor e pelas capacitncias parasitas.
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Resistncia ca do Diodo Emissor (r'e)

Amplificador Emissor Comum: emissor est aterrado para ca.

Inverso de Fase: Semiciclo positivo de Vent ib aumenta ic aumenta queda de tenso

Impedncia de Entrada da Base: z ent (base ) =

Impedncia de Entrada do Estgio: z ent = R1 // R 2 // re'

Resistncia ca do Coletor (rc): rc = RC||RL

Amplificador com Realimentao Parcial (Amplificador Linearizado): Para estabilizar o ganho

Trocando ganho por estabilidade:

Impedncia de Entrada da Base: z ent (base ) =

Ganho mais estvel, distoro devido no linearidade do diodo base-emissor

Circuito equivalente ca do segundo estgio:

Amplificador Base Comum

Tenso de Entrada: v ent = iere'

Uma das razes pelas quais o amplificador BC no to usado quanto um

Amplificador Coletor Comum (Seguidor de Emissor)

Impedncia de Entrada da Base:

Impedncia de Entrada do Estgio:

z ent = R1 // R 2 // (re + re' )

Ganho de Tenso (Av): A v =

Impedncia de Sada: Aplicando o teorema de Thevenin a partir da base no Modelo T

Somando-se as tenses da malha temos:

Assim como um amplificador linearizado, o seguidor de emissor tambm usa

Como inicialmente o ponto de operao no

Somando-se as tenses ca em torno da malha do coletor: Vce + ic rc = 0

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