IFMG

Eletrônica de Potência:
Chaves Eletrônicas
Direitos
• O material a seguir é uma vídeo aula apresentada pelo professor Willian Marlon
Ferreira, como material pedagógico do IFMG, dentro de suas atividades
curriculares ofertadas em ambiente virtual de aprendizagem. Seu uso, cópia e ou
divulgação em parte ou no todo, por quaisquer meios existentes ou que vierem a
ser desenvolvidos, somente poderá ser feito, mediante autorização expressa deste
docente e do IFMG. Caso contrário, estarão sujeitos às penalidades legais vigentes.

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• Referência para o conteúdo e exercícios:

• AHMED, Ashfaq. Eletrônica de potência. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2000. 479 p.
(https://plataforma.bvirtual.com.br/Leitor/Publicacao/2380/pdf/0).

• RASHID, Muhammad H. Eletrônica de potência: Dispositivos, circuitos e aplicações. 4. ed.

São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2014. 874 p.
(https://plataforma.bvirtual.com.br/Leitor/Publicacao/10210/pdf/0).

• BARBI, Ivo. Eletrônica de potência. 8. ed. Florianópolis: edição do autor, 2017. 514 p. (6. ed.
Disponível na internet).

• Materiais de aula Prof. Carlos Renato – IFMG

• Materiais de aula Prof. Amauri Assef – UTFPR
• Materiais de aula Prof. Nikolas Libert - UTFPR
• Materiais de aula Prof. Antenor Pomilio - Unicamp

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Chaves Eletrônicas
• Conversão estática e processamento de energia:

• Ação dos dispositivos de processamento de energia => interruptores.

• Para o processamento de energia, é necessário em diversas aplicações,
ações diferentes de controle para os dispositivos interruptores

• Chave SPST (single-pole single-throw) - polaridades

de tensão e corrente definidas:

Todos os dispositivos semicondutores de

potência funcionam com chaves SPST

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Chaves Eletrônicas
• Quadrantes de operação:

• Exemplo de operação da chave em um quadrante:

– ON-state: i > 0
– OFF-state: v > 0

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Chaves Eletrônicas
• Quadrantes de operação:
• Operação em um quadrante:
- Diodo (bloqueio reverso)
- SCR (bloqueio direto)
- Transistor Bipolar
- IGBT
• Operação em dois quadrantes
com tensão bidirecional:
- SCR (bloqueio direto e reverso)
- Transistor bipolar + diodo em série
• Operação em dois quadrante
com corrente bidirecional:
- MOSFET
- SCR + diodo em anti-paralelo
- IGBT + diodo em anti-paralelo
- TJB + diodo em anti-paralelo
• Operação em quatro
quadrantes
- Arranjo de diodos com TJBs
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Chaves Eletrônicas
• Área de atuação – Potência x Frequência:

• Observa-se que as dificuldades do processamento estático de energia aumentam com a

potência processada e frequência de operação dos interruptores.

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Chaves Eletrônicas
• Dispositivos semicondutores de potência:
1. Diodos de potência

2. Tiristores (SCR, GTO, TRIAC, DIAC, MCT)

3. Família dos Transistores: Transistores com altos valores nominais de tensão e corrente são
conhecidos como transistores de potência. São usados, invariavelmente, como chaves em circuitos
conversores CC-CC (choppers) e CC-CA (inversores).

- Transistores Bipolares de potência (BPT)

- MOSFETs de potência

- Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)

• Resistência de condução x tensão de ruptura x tempos de comutação

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Transistor Bipolar De Potência (BPT)
• Sempre do tipo NPN (menores perdas)
• Foram os primeiros semicondutores de potência totalmente controlados
utilizados comercialmente em conversores estáticos;
• O BPT pode conduzir corrente somente em uma direção, e quando em estado
bloqueado suporta somente tensões positivas, ou seja, ic > 0 e vCE > 0;

• Em condução: Junções base-emissor e coletor-base são polarizadas diretamente;

• Em bloqueio: corrente de base nula ou junção base-emissor polarizada reversamente.

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Transistor Bipolar De Potência

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Transistor Bipolar De Potência

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Transistor Bipolar De Potência
• Conclusões sobre os BPT:

• O BPT tem sido substituído por semicondutores mais eficientes nos últimos anos,
como os MOSFETs e IGBTs, e hoje praticamente não são mais utilizados.
• Para baixas tensões ( <500 V) o BPT tem sido substituído pelo MOSFET.
• Para tensões acima de 500 V o BPT tem sido substituído pelo IGBT.
• Comparado com o MOSFET, o BPT apresenta maiores tempos durante as
comutações (operação em menores frequências). Contudo, o BPT apresenta
menores perdas em condução.
• Comparado com o IGBT, o BPT apresenta maiores tempos envolvidos nas
comutações (maiores perdas nas comutações) e menor capacidade de corrente.

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MOSFET
• O MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um transistor de
chaveamento rápido controlado por tensão, caracterizado por alta impedância de
entrada, apropriado para potências baixas e aplicações de alta frequência (até
100 kHz). Em altas frequências, apresentam menores perdas que o BJT.

• Os MOSFETs são de dois tipos:

– De depleção;
– De intensificação/enriquecimento (utilizados em eletrônica de potência).

• Além disso, os MOSFETs apresentam dois tipos de canais:

– Canal P;
– Canal N (valores nominais de corrente e tensão maiores).

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MOSFET

MOSFETs do tipo intensificação canais N e P.

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MOSFET

Características de transferência dos MOSFETs do tipo

intensificação canal N.

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𝑉𝑇 − 𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑖𝑚𝑖𝑎𝑟 2~4𝑉 .

 MOSFET tipo intensificação canal N
Região de corte:

𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑇
𝑉𝑇 − 𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑖𝑚𝑖𝑎𝑟 2~4𝑉 .

Região linear:

𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

Região de saturação ou pinch-off:

𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
Curva I-V do MOSFETs do tipo intensificação canal N.

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MOSFET tipo intensificação canal N
• A resistência no estado ligado, RDS, é dada pela seguinte expressão:

∆𝑉𝐷𝑆
𝑅𝐷𝑆 =
∆𝐼𝐷

• É, normalmente, muito alta na região de saturação (ordem de MΩ) e muito

pequena na região linear (ordem de mΩ).

• A resistência de condução RDSon possui coeficiente de temperatura positivo,

facilitando a operação em paralelo.

• Para ser usado como chave, o MOSFET não deve operar na região de saturação.

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MOSFET tipo intensificação canal N
• A junção p-n, entre substrato e dreno, resulta em um diodo em anti-
paralelo (body diode) com sentido de condução dreno-source.
• Assim, uma tensão negativa dreno-source polariza diretamente este
diodo, com capacidade de conduzir a corrente nominal do MOSFET.
• Mas, os tempos de recuperação
deste diodo são normalmente
significativos.
• As elevadas correntes que fluem
durante a recuperação reversa do
diodo podem causar danos ao
componente.

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MOSFET tipo intensificação canal N
• Circuito para prevenir a condução do diodo intrínseco:

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MOSFETs de carbeto de silício – SiC MOSFET
• A tecnologia SiC passou por
avanços significativos que agora
permitem a fabricação de
MOSFETs capazes de superar seus
primos IGBT Si, em especial em
alta potência e altas
temperaturas.

• Possui tempos de chaveamento

muito baixos e baixa resistência de
condução.
Comparação entre transistores MOSFET de Si e de
SiC da resistência especifica de área em função da
tensão de bloqueio.
Fonte: http://www.swge.inf.br/CBA2014/anais/PDF/1569936787.pdf

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IGBT – Transistor Bipolar de Porta Isolada
• Componente intermediário entre MOSFET e BJT.
• Chaveamento mais rápido que BJT (até 50 kHz).
• Queda de tensão menor que nos MOSFETs (mais próxima ao BJT).
• Alta impedância de entrada.
• Circuito de acionamento de porta simples.
• Altos valores de tensão e corrente nominais (1400 V / 1000 A);
• Baixa tensão reversa máxima.
• Apresenta três terminais gate ou porta (G), coletor (C) e emissor (E).

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IGBT – Transistor Bipolar de Porta Isolada
• Circuito equivalente e curva:

Curva do IGBT canal N.

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IGBT – Transistor Bipolar de Porta Isolada
• Exemplo:

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IGBT – Transistor Bipolar de Porta Isolada
• Está se tornando o dispositivo de escolha para aplicações entre 500 e
1700 V, com níveis de potência de 1 a 1000 kW.
• Coeficiente de temperatura positivo para alta corrente – facilidade no
paralelismo e construção de módulos.
• Facilidade no drive – similar ao MOSFET.
• Queda de tensão direta: diodo em série com a on-resistance: 2-4 V típico.
• Mais lento que o MOSFET, porém mais rápido que o GTO, Darlington e
SCR.
• Frequência de chaveamento típica entre 1 a 30 kHz.
• A tecnologia do IGBT está avançando rapidamente com dispositivos para
maiores frequências e tensões (> 2500 V).

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 Agradecimentos

Obrigado pela atenção!

Willian Marlon Ferreira
Instituto Federal de Minas Gerais, Campus Ipatinga

willian.ferreira@ifmg.edu.br

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