Eletrônica de Potência

Transistores

Murilo Rocha – murilo@feevale.br

Professor dos Cursos de Engenharias
 Transistores de Potência

São transistores com alto valor

nominal de tensão e corrente.
 Transistores de Potência

São semicondutores com 3 camadas e

duas junções: PNP ou NPN.
Os transistores tem dois principais
tipos de aplicação: Amplificação e
Chaveamento.
 Transistores de Potência

Como o principal objetivo em

eletrônica de potência é controle eficaz de
potência utilizamos os transistores como
chaves.
 Diodo X Transistor

Os diodos são chaves que não podem ser

controlada, ele simplesmente respondem ao
chaveamento nos seus terminais.
Os transistores tem 3 terminais, 2 atuam
como contatos de uma chave e o terceiro é
usado para ligar e desligar a chave.
 Transistor Bipolar de Junção de
Potência – (BjT)

Existem BjT PNP e NPN, vamos estudar

os NPN pois tem os valores nominais de
tensão e corrente mais altos.
 Transistor Bipolar de Junção de
Potência – (BjT)

Um transistor tem 3 terminais: a base(B),

o coletor(C) e o emissor (E). Temos que cuidar
para não inverter o coletor e o emissor pois
fazendo isso mudam significativamente as
características e os valores nominais do
transistor.
Transistor NPN
 Chave com Transistor

Para usar o transistor de potência

como chave, para controle de potência
fornecido de uma fonte para uma carga, O
Coletor e o Emissor são ligados em série
com o circuito principal da fonte.
 Chave com Transistor

A base é ligado ao circuito acionador

que é responsável por controlar a ação de
ligar e desligar.
 Chave com Transistor

É a corrente baixa que passa pela

junção base-emissor que induz o fluxo de
corrente entre o coletor-emissor.
 Chave com Transistor

A corrente que passa na junção

coletor-emissor pode ser muito maior que a
corrente que passa na junção base-emissor.
 Curva característica para o BjT
operando como chave

Quando o transistor está desligado, não tem

corrente no coletor, não importando o valor de Vce.
Quando o transistor está ligado, a tensão no Vce não
importando qual seja a corrente no coletor;
 Polarização do Transistor

A corrente da base para polarizar o

transistor será sempre fornecido pelo
circuito de controle que estará ligado a base
do transistor.
 Polarização do Transistor

Quando Ib = 0, o transistor não é

polarizado(desligado), neste momento
a corrente no coletor é a corrente de
fuga.
 Polarização do Transistor

A tensão Vce é determina através da

lei de Kirchhoff das tensões.
 Polarização do Transistor

A tensão Vce é determina através da

lei de Kirchhoff das tensões.
 Polarização do Transistor

Quando Ib = Ib(sat), o transistor é

polarizado(ligado), neste momento a
corrente no coletor é máxima e a
tensão Vce(sat) é muito pequena.
Polarização do Transistor

Ic =
 Polarização do Transistor

A corrente Ib mínima para polarizar o

transistor é:
 Perda de potência no BjT

Como é necessário manter uma

corrente na base do transistor de potência
para ele permanecer ligado, ele tem uma
perda de potência.
Perda de potência Ligado
Perda de potência Desligado
Perda de energia durante a
ligação
Perda de energia durante o
desligamento
Perda média total no transistor
 Exercício 1
Para Vcc = 120V e Rc = 20Ω, determine a corrente de carga e a perda de
potênia

a) Ib = 0,6A e Vce = 1V;

b) Ib = 0,4A e Vce = 2V;
c) Ib = 0,2A e Vce = 50;
d) Ib = 0 e Vce = 120V
e) Compare os resultados a, b e c
 Exercício 2
Para Vcc = 208V e Rc = 20Ω, Vce(sat) = 0,9V, Vbe(sat) = 1,1V e β = 10
Determine:

a) Ic
b) Ib
c) Pc
d) Pb
 Exercício 3
Para Vcc = 200V e Rc = 20Ω, tr = 1μs, tf = 1,5μs e f= 5kHz. Determine:

a) A perda de energia na passagem de desligado para ligado

b) A perda de energia na passagem de ligado para desligado
c) A perda de potência no chaveamento
 Conexão Darlington

A ligação Darlington permite

utilizar uma corrente de acionamento Ib
pequena mas tem maior perda no
estado ligado e uma menor velocidade
de acionamento.
Conexão Darlington
 Exercício 4
Se Ic1= 20A, Ic2= 100A , β1=20 e β2 = 10. Determine a corrente de
base para ligar a conexão Darlington. Determine a corrente de base se
Q2 for usado sozinho.
 Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-
Semicondutor de Potência
MOSFET

São Transistores semicondutores de

Potência chamados de unipolares por que
diferente dos transistores normais eles são
do tipo P ou do tipo N.
 Vantagens

Impedância de entrada elevadíssima;

Relativamente imune à radiação;
Produz menos ruído;
Possui boa estabilidade térmica.
 Desvantagens

Ganho relativamente pequeno ;

Risco de dano quando manuseado.

 MOSFET

D - (drain) ou dreno;
S - (source) ou fonte;
G - (gate) ou porta: são regiões fortemente dopadas em
ambos os lados do canal. Quando o canal é n o gate é p.
 MOSFET

VDS é a tensão medida entre o dreno e a fonte;

VGS é a tensão medida entre o gate (porta) e a fonte.

 BjT X MOSFET

Comparativamente a um transistor bipolar,

podemos então estabelecer as equivalências
entre os terminais:
D - (drain) = coletor
S - (source) = emissor
G - (gate) = base
 BjT X MOSFET

Os MOSFETs são mais rápidos

nas transições de desligado para
ligado e de ligado para desligado
do que os BjT
 BjT X MOSFET

Mas no estado ligado, os

MOSFETs tem perdas de potência
mais altas que os BjT.
 MOSFET de Potência

Id – corrente de dreno;
 Chave com MOSFET
Para usar o MOSFET de potência como
chave, para controle de potência fornecido
de uma fonte para uma carga, podemos
considerar a curva característica ideal.

Vth – tensão Limiar

 Chave com MOSFET

Sem tensão aplicada na porta(desligado) a

corrente de dreno ID é zero e a tensão VDS é igual ao
valor da fonte de alimentação.
Com tensão aplicada na porta VGS (ligado) e a
corrente de dreno passa a ser limitada pela
resistência de carga e a tensão VDS é zero
Perdas no MOSFET
Perdas no MOSFET
 Exercício 5
Uma fonte de tensão DC de 120V e uma resistência de carga de
10Ω estão ligadas como mostra a figura abaixo. O MOSFET que aparece
no circuito tem os seguintes parâmetros: tf = 1,5µs e RDS(ON)=0,1Ω. Se o
ciclo de trabalho for igual a d=0,6 e a frequência de chaveamento for de
25 khz calcule:
a)A perda de potência no estado ligado
b)A perda de potência durante o tempo de ligação
 Exercício 6
Um MOSFET com corrente IDSS =2mA, RDS(ON) = 0,3 Ω, d=50%, ID
= 6A, VDS = 100V, tr = 100ns e tf = 200 ns. Determine a perda
total de potência:
a) f=40kHz
b) f=100kHz
c) Compare as perdas de a e b
 MOSFET em Paralelo

Utiliza-se dois MOSFETs em paralelo

quando a corrente nominal do MOSFET for
inferior a corrente necessária na carga do
circuito.
Equacionamento
 Exercício 7
Determine a potência dissipada em
cada um dos MOSFETs.
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT

Os IGBTs mesclam as características de baixa

dissipação de potência no estado ligado (BjT) com
características de excelente chaveamento e alta
impedância de entrada(MOSFET).
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT

Porem, os IGBTs tem baixa capacidade

de bloqueio de tensões inversas,
suportando menos de 10V.
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT

Usa-se também a curva de carga

ideal para chaves IGBT e calcula-se
Ic = Vs/RL
 Exercício 8
Para uma fonte de tensão de 220V e uma resistência de carga de 5Ω com o IGBT
operando a 1kHz. Determine o tempo no estado ligado se a potência requerida for
de 5kW.
Perdas no IGBT
 Exercício 9
Para uma Fonte de 220V, RL de 10Ω, fsw de 1KHz e d = 0,6 e se
o IGBT tiver os seguintes parâmetros: ton = 2,5µs, toff = 1µs e
Vce(sat) =2V, calcule:
a) a corrente média na carga
b) as perdas na condução
c)as perdas de potência durante o tempo de ligação
d) as perdas de potência durante o tempo de desligamento