Relatrio de Eletrnica 4

Transistor de juno bipolar e transistor tipo Darlington

CARLOS EDUARDO MOREIRA FLORES

T: 341

Introduo
Este relatrio tem por meio esclarecer ou demonstrar o funcionamento do
transistor de juno bipolar (TJB), bem como aplicaes, funcionamento, construo,
fabricao e tambm do circuito tipo darlington.
O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na
dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na
dcada de 1960. So utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de
sinais eltricos. O termo vem de transfer resistor (resistor/resistncia de transferncia),
como era conhecido pelos seus inventores.
O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico,
significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo
da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa
entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros prestabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da
variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente,
ocasiona o processo de amplificao de sinal.
Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eltrico mais
fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados
por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado por exemplo),
cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais
eltricos com as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os
alto-falantes. A este processo todo d-se o nome de ganho de sinal.
Funcionamento
No transistor de juno bipolar ou TJB, o controle da corrente coletor-emissor
feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base
polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma
pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais
de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de
acordo com o ganho.
Na eletrnica, o Transistor Darlington um dispositivo semicondutor que
combina dois transstores bipolares no mesmo encapsulamento (chamado par
Darlington).
A configurao (originalmente realizada com dois transistores separados) foi
inventada pelo engenheiro Sidney Darlington. A ideia de por dois ou trs transistores em
um mesmo chip foi patentada por ele, mas no a ideia de por um nmero arbitrrio de
transistores, o que originaria o conceito moderno de circuitos integrados.

Esta configurao serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um

grande ganho de corrente (hFE ou parmetro do transistor) e, por estar todo integrado,
requer menos espao do que o dos transistores normais na mesma configurao. O
Ganho total do Darlington produto do ganho dos transistores individuais. Um
dispositivo tpico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior. Comparado a um
transistor comum, apresenta uma maior defasagem em altas freqncias, por isso pode
tornar-se facilmente instvel. A tenso base-emissor tambm maior. consiste da soma
das tenses base-emissor, e para transistores de silcio superior a 1.2V.
Fabricao
O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P, criandose um transistor do tipo PNP. O transistor do tipo NPN obtido de modo similar. A
camada do centro denominada base, e as outras duas so o emissor e o coletor. No
smbolo do componente, o emissor indicado por uma seta, que aponta para dentro do
transistor se o componente for PNP, ou para fora, se for NPN.
Emissor: constitudo por um semicondutor densamente
dopado, sua funo emitir eltrons, ou injetar eltrons na
base.
Base: um semicondutor levemente dopado e muita fina
permite que a maioria dos eltrons injetados pelo emissor
passe para o coletor.
Coletor: junta ou coleta eltrons que vem da base, a parte
mais extensa dos trs portanto dissipando mais calor

Polarizao do transistor:
Polarizando o transistor de forma adequada consegue-se estabelecer um fluxo de
corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes
Um transistor formado por um emissor (e), uma base (b) e um coletor (c). A
Figura a seguir mostra um transistor NPN polarizado. A regio da base do transistor
fina de modo que os eltrons so impelidos para esta regio por causa da polarizao
direta na juno entre o emissor e a base e depois so atrados pela carga positiva
presente no material tipo ''N'' atravessando a outra juno entre base e coletor.

Figura 02- Polarizao do transistor NPN.

A presena da bateria "VBB" e o fato da base do transistor ser constituda de
uma camada muito fina, faz com que um pequeno nmero de eltrons e lacunas se
recombinem na regio da base produzindo uma pequena corrente "IB" no circuito baseemissor; por outro lado, uma grande quantidade de eltrons provenientes do emissor
densamente dopado, atravessam a regio da base e constituem uma grande corrente "IC"
de emissor para coletor, devido a uma segunda bateria "VCC" que polariza
inversamente a regio de coletor. Na regio de emissor constata-se a existncia das duas
correntes, portanto, a corrente de emissor igual soma das outras duas, desse modo:
(IE=IC+IB).
Para polarizar um transistor PNP inverte-se a polaridade de cada bateria, o
comportamento dos portadores no transistor PNP idntico ao que ocorre no NPN,
exceto que o sentido dos eltrons so invertidos conforme ilustra a figura abaixo.

Figura 03 - Polarizao do transistor PNP.

Caractersticas de um transistor
O fator de multiplicao da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor
ou por hfe, que dado pela expresso iC = iB x

IC: corrente de coletor

IB: corrente de base

: beta (ganho de corrente de emissor)

Configuraes bsicas de um transistor:

Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC), cada uma com suas vantagens e
desvantagens.
Base comum (BC)

Baixa impedncia(Z) de entrada.

Alta impedncia(Z) de sada.

No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.

Amplificao de corrente igual a um.

Coletor comum (CC)

Alta impedncia(Z) de entrada.

Baixa impedncia(Z) de sada.

No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.

Amplificao de tenso igual a um.

Emissor comum (EC)

Mdia impedncia(Z) de entrada.

Alta impedncia(Z) de sada.

Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180.

Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.

Os transistores possuem diversas caractersticas. Seguem alguns exemplos dos

parmetros mais comuns que podero ser consultadas nos datasheets dos fabricantes:

Tipo: o nome do transistor.

Pol: polarizao; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP.

VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.

VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor.

IC: corrente mxima do coletor.

PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar

Hfe: ganho (beta).

Ft: freqncia mxima.

Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos

fornece a identificao dos terminais.

Experimento prtico em laboratrio

Transistor como chave:
Conforme a polarizao, um transistor pode operar em trs regies distintas, a de
corte, a ativa e a de saturao. Na regio ativa, o transistor utilizado, com a devida
polarizao. como amplificador. Nas regies de corte e saturao utilizado como
chave, ou seja, serve apenas para comutao, conduzindo ou no. Nesta situao, o
transistor utilizado, principalmente, no campo da eletrnica digital, sendo clula
bsica de uma srie de dispositivos, normalmente agrupados dentro de circuitos
integrados.
Na figura abaixo, temos a curva da corrente de coletor em funo da corrente de
base, mostrando o corte, a saturao e a regio ativa.
Sendo esta a forma mais simples de utilizao do transistor, significando uma
operao de corte e saturao e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga,
quando o transistor est saturado ele conduz como se fosse uma chave fechada do
coletor para o emissor,e quando o transistor est na regio de corte funciona como uma
chave aberta no conduzindo.
Corrente de base
A corrente da base do transistor responsvel pelo controle da posio de chave.
Se IB for igual ou prximo a 0, a corrente de coletor aproximadamente zero e o
transistor no conduz ou seja est na regio de corte. Se a corrente de base do transistor
for igual a corrente de base saturada (IB SAT) a corrente do coletor mxima e o
transistor entra na regio de saturao, portanto ele passa a conduzir.

Experimento 01
O uso do transistor como chave a aplicao mais simples para o mesmo.
Seguindo o experimento utilizamos um TJB do tipo BC548 NPN, usamos um resistor de
470 ligado em srie com um LED de cor verde ao seu coletor, na base do transistor

ligamos uma resistor de 5,6K e o emissor ligado com o plo negativo da fonte de 12V.
O resistor da base improvisou uma chave para que pudssemos ligar e alternar o
experimento em duas posies (1 e 2).
A chave S na posio 1, o transistor entra na regio de saturao e passa a
conduzir, pois a corrente no coletor (IC) mxima e por sua vez a tenso(Vce)
mnina, mas suficiente para conduzir. E a chave S na posio 2 entra na regio de corte,
onde sua tenso mxima(Vce) e sua corrente mnima(IC) no sendo o suficiente para
romper a camada de depleo do transistor.

Experimento 02
Conexo Darlignton
um caso especial de amplificador coletor comum a conexo Darlignton, que
consiste na ligao em seqncia de dois seguidores de emissor. A corrente da base do
segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor, gerando um ganho de corrente
entre a primeira base e o segundo emissor. Sendo sua principal vantagem uma alta
impedncia de entrada.
Esta configurao serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um
grande ganho de corrente (hFE ou parmetro do transistor). O Ganho total do
Darlington produto do ganho dos transistores individuais. Um dispositivo tpico tem
um ganho de corrente entre 1000 e 20.000. A tenso base-emissor tambm maior.
consiste da soma das tenses base-emissor, e para transistores de silcio superior a
1.4V.
Mas antes de iniciarmos o circuito Darlignton testamos outros dois circuitos com
transistor independentes um para o transistor BC 548 do tipo NPN e outro para o
transistor BD 135 NPN e foram feitas as seguinte medies:
Transistor
BC 548
BD 135
Darligton

Ic (mA)
90
90
90

Ib(A)
932
415
4,3

= Ic / Ib
96,57
216,87
20930,85

Notamos que a corrente do coletor est em 90 mA para isto usaremos um

potenciometro de 1K, apartir deste ponto mediremos a corrente de base do transistor
em trs etapas uma para cada transistor em separado analisando sua corrente de coletor
que est fixada em 90mA devido ao potnciometro de 1K que por sua vez est
regulando a corrente no coletor des transistores.
Para o primeiro circuito usamo sos seguintes elementos: um resistor de 100,
um resistor de 4,7K, um potenciometro de 1K, fonte de 12V e um transistor BC 548
tipo NPN e realizamos a seguintes instrues: regular a corrente de coletor do transistor
para 90mA e medir a corrente de base, posteriormente calculando a corrente de base.

Aps estas medies trocamos o transitor BC 548 tipo NPN pelo BD 135 do tipo
NPN e faremos as mesmas medies e calcularemos o .
Ao obtermos o ganho beta de cada um dos transistores poderemos calcular o
da conexo Darlington, pois o beta da conexo Darlington o produto dos betas
anteriores, isso se utilizarmos os mesmos transistores, como foi pedido no experimento
Concluso
Foi possvel concluir que o transistor utilizado somente como chave denota o
menor uso deste componente, bem como a sua utilizao para amplificar sinais sendo
possvel de obter ganhos de corrente e de acordo com a sua aplicao e custo.
O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenes
da histria moderna, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores e
equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do transistor na sociedade moderna
sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples,
resultando preos irrisrios.
conveniente salientar que praticamente impossvel serem encontrados
circuitos integrados que no possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo
milhes de transistores,Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente
quase universal para tarefas no-mecnicas. Visto que um dispositivo comum, como um
refrigerador, usaria um dispositivo mecnico para o controle, hoje frequente e muito

mais barato usar um microprocessador contendo alguns milhes de transistores e um

programa de computador apropriado para realizar a mesma tarefa. Os transistores, hoje
em dia, tm substitudo quase todos os dispositivos eletromecnicos, a maioria dos
sistemas de controle, e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva
eletrnica, desde os computadores aos carros.

Bibliografia
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMSI: FUNDAMENTAL
THEORY AND APPLICATIONS, VOL. 46, NO. 1, JANUARY 1999
Darlingtons Contributions to Transistor Circuit Design
David A. Hodges, Fellow, IEEE
Wikipedia Enciclopdia livre on-line
www.ebah.com.br/transistor
Electronica teoria de circuitos Boylestad nashelsky oitava edio
LABORATRIO DE ELETRICIDADE E ELETRNICA CAPUANO E MARIANO