INTRODUÇÃO

 Os dispositivos semicondutores de três terminais são muito mais utilizados

que os de dois terminais (diodos) porque podem ser usados em várias
aplicações, desde a amplificação de sinais até o projeto de circuitos digitais
de memória.
 O princípio básico de operação é o uso de uma tensão entre dois terminais
para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal.
 A tensão de controle pode ser também usada para fazer com que a corrente
no terceiro terminal varie de zero até um valor significativo, comportando-se
como uma chave, elemento básico de circuitos digitais.
 Há 2 tipos principais de dispositivos de 3 terminais: o transistor bipolar de
junção (TBJ) e o transistor de efeito de campo (FET) que vocês irão ver em
outra edição.
 O transistor bipolar, geralmente chamado apenas transistor consiste em duas
junções pn construídas de modo especial e conectadas em série e em
oposição.
 Nesta matéria a seguir iremos entender mais sobre esse tipo de transistores,
bom estudo.

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 Transistor de Junção Bipolar

Um transisitor de junção bipolar (aka a TJB ou Bipolar Transistor ) é um

ativo dispositivo semicondutor formado por duas junções PN , cuja função é a
amplificação de um elétrico atual .

Funcionamento de um transistor de junção Bipolar

No transistor de junção bipolar ou TJB (BJT – Bipolar Junction Transistor na

terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor é feito injetando corrente
na base. O efeito transistor ocorre quando a junção coletor-base é polarizada
reversamente e a junção base-emissor é polarizada diretamente. Uma pequena corrente
de base é suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor.
Esta corrente será tão maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o
ganho.
O transistor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é
o tipo de transistor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade.
Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga -
positiva (lacunas) e negativa (elétrons). O transistor de junção bipolar foi o primeiro
tipo de transistor a ser produzido, e que valeu o Prêmio Nobel, aos seus inventores.
Até hoje, permanece como o único prêmio Nobel a ser atribuído a um dispositivo de
engenharia. Os primeiros transistores foram produzidos com Germânio e passado algum
tempo começou a ser utilizado o Silício. O objetivo dos inventores, foi substituir
as válvulas termiônicas que consumiam muita energia, tinham muito baixo rendimento,
e funcionavam com tensões da ordem das centenas de volts.

O principio do transistor é poder controlar a corrente. Ele é montado numa estrutura de

cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo
intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de
corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relação à
sua função na operação do transistor, As extremidades são chamadas
de emissor e coletor, e a camada central é chamada de base. Os aspectos construtivos
simplificados e os símbolos elétricos dos transistores são mostrados na figura abaixo.
Observe que há duas possibilidade de implementação.

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 O transistor da esquerda é chamado
de NPN e o outro de PNP.

O transistor é hermeticamente fechado em um encapsulamento plástico ou metálico de

acordo com as suas propriedades elétricas.

Através de uma polarização de tensão adequada consegue-se estabelecer um fluxo de

corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inúmeras aplicações como:
chaves comutadoras eletrônicas, amplificadores de tensão e de potência, osciladores,
etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e elétrons participarem do
processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, elétron ou lacuna, o
transistor é denominado unipolar (FET)

OPERAÇÃO BÁSICA:
1 - Junção diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarização
direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da junção diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarização reversa entre base e coletor.

Observa-se então uma semelhança entre a polarização direta de um diodo com a

polarização direta entre base e emissor, onde aparece uma região de depleção estreita.
Neste caso haverá um fluxo relativamente intenso de portadores majoritários
do material p para o material n.

2 - Junção reversamente polarizada:

Passemos a analisar o comportamento da junção reversamente polarizada,

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conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarização
direta entre emissor e base.

Observa-se agora, em virtude da polarização reversa um aumento da região de

depleção semelhante ao que acontece com os diodos de junção, isto é ocorre um fluxode
portadores minoritários (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende também
da temperatura. Podemos então dizer que uma junção p-n deve ser diretamente
polarizada (base-emissor) enquanto que a outra junção p-n deve se reversamente
polarizada (base-coletor).

FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo de corrente,
através das junções e que se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.

Essas camadas não têm a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base é a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor é a camada mais dopada;
3. O coletor é uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritários ficam retidos na base. Como a
base é uma película muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor. A
corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem

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de microampères. As correntes de coletor e emissor são bem maiores, ou seja, da ordem
de miliampères, isto para transistores de baixa potência, podendo alcançar alguns
ampères em transistores de potência. Da mesma forma, para transistores de potência, a
corrente de base é significativamente maior.
Podemos então dizer que o emissor (E) é o responsável pela emissão dos
portadores majoritários; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C)
recebe os portadores majoritários provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de fuga,
praticamente desprezível, formada por portadores minoritários. Os portadores
minoritários são gerados no material tipo n (base), denominados também de corrente de
fuga e são difundidos com relativa facilidade até ao material do tipo p (coletor),
formando assim uma corrente minoritária de lacunas. Lembre-se de que os portadores
minoritários em um cristal do tipo n são as lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritários
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritários (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITÁRIOS)
+ ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITÁRIOS)
Para uma melhor compreensão, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em
um transistor npn, através de outra forma de representação. No entanto, o processo de
análise é o mesmo.

Na figura acima se observa que os portadores minoritários (ICO ou ICBO)

provenientes da base são os elétrons, que se somarão a corrente de coletor.

Configurações Básicas

Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: Base Comum

(BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o
terminal é comum a entrada e a saída do circuito.

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- Configurações BC

 Ganho de tensão elevado

 Ganho de corrente menor que 1
 Ganho de potência intermediário
 Impedância de entrada baixa
 Impedância de saída alta
 Não ocorre inversão de fase

Configuração CC

 Ganho de tensão menor que 1

 Ganho de corrente elevado;
 Ganho de potência intermediário
 Impedância de entrada alta
 Impedância de saída baixa
 Não ocorre a inversão de fase.

Configuração EC

 Ganho de tensão elevado

 Ganho de corrente elevado
 Ganho de potência elevado
 Impedância de entrada baixa
 Impedância de saída alta
 Ocorre a inversão de fase.

Esta configuração é a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os

diversos parâmetros dos transistores fornecidos pelos manuais técnicos têm como
referência a configuração emissor comum.

Podemos trabalhar com a chamada curva característica de entrada. Nesta curva, para
cada valor constante de VCE, variando-se a tensão de entrada VBE, obtém-se uma
corrente de entrada IB, resultando num gráfico com o seguinte aspecto.

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 Observa-se que é possível controlar a corrente de base, variando-se a tensão entre a
base e o emissor.

Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tensão de saída VCE,
obtém-se uma corrente de saída IC, cujo gráfico tem o seguinte aspecto.

Através desta curva, podemos definir três estados do transístor, o CORTE, a

SATURAÇÃO e a DATIVA

 CORTE: IC = 0
 SATURAÇÃO: VCE = 0
 ACTIVA: Região entre o corte e a saturação.

Para a configuração EC a relação entre a corrente de saída e a corrente de entrada

determina o ganho de corrente denominado de b ou hFE (forward current transfer ratio)

Os Limites dos Transístores

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 Os transistores, como quaisquer outros dispositivos têm suas limitações (valores
máximos de alguns parâmetros) que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos
se danifiquem. Os manuais técnicos fornecem pelo menos quatro parâmetros que
possuem valores máximos:

 Tensão máxima de coletor - VCEMAX

 Corrente máxima de coletor - ICMAX
 Potência máxima de coletor - PCMAX
 Tensão de ruptura das junções

Na configuração EC, PCMAX = VCEMAX.ICMAX

Exemplos de parâmetros de transístores comuns.

Tipo Polaridade VCEMAX ICMAX B

(V) (mA)
BC 548 NPN 45 100 125 a 900
2N2222 NPN 30 800 100 a 300
TIP31A NPN 60 3000 20 a 50
2N3055 NPN 80 15000 20 a 50
BC559 PNP -30 -200 125 a 900
BFX29 PNP -60 -600 50 a 125

Transistor como chave

A utilização do transístor nos seus estados de SATURAÇÃO e CORTE, isto é, de
modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou
desligue sem conduzir corrente alguma é conhecido como operação como chave.

A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer circular
uma corrente pela base do transístor, ele satura e acende a lâmpada. a resistência ligada
a base é calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho dê um valor maior
do que o necessário o circuito do coletor, no caso, a lâmpada.

Veja que temos aplicada uma tensão positiva num transístor NPN, para que ele sature e
uma tensão negativa, para o caso de transístores PNP, conforme mostra a figura abaixo.

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 Conclusão

Os transistores bipolar de junção são de grande importância para vários tipos de

circuitos, na pratica existe varias formas de utilizar esses transistores, quando um
transistor estiver polarizarizado corretamente sabemos que havera um fluxo de corrente,
formados pelos cristais p ou n que iram difundir-se atraves das junçãos.

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 Referencias bibliográficas

UNIP – Eletrônica para Engenheiros - TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR - I

2Prof. Corradi – WWW.corradi.junior.nom.br
MALVINO, Albert Paul. Eletrônica Volume 1. McGraw-Hill, São Paulo, 1986.

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