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Transistor Bipolar e CI

O Transistor Bipolar
O transistor é um componente que revolucionou o campo da eletrônica. Sua descoberta valeu o
prêmio Nobel a três cientistas da Bell Telephone.
Sem dúvida, nem mesmo os descobridores deste minúsculo componente poderiam imaginar que
se iniciava uma nova era no desenvolvimento da humanidade.
Esta unidade é, também para você um marco no estudo da eletrônica. Nele se inicia o estudo deste
“pequeno-grande componente”.
O transistor bipolar é um componente eletrônico constituído por materiais semicondutores, capaz
de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o seu uso como “amplificador de sinais” ou
como “interruptor eletrônico”.
O transistor se compõe basicamente de duas pastilhas de material semicondutor, de mesmo tipo,
entre as quais é colocada uma terceira pastilha, bem mais fina, de material semicondutor com tipo
diferente de dopagem, formando uma configuração semelhante a um “sanduíche”.

Composição do transistor
A configuração da estrutura, em forma de sanduíche, permite que se obtenham dois tipos distintos
de transistores, um com pastilhas externas de material N e pastilha central de material P e o outro
com pastilhas externas de material P e pastilha central de material N.
Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funções diferindo apenas na forma como
as fontes de alimentação são ligadas ao circuito eletrônico. A esses dois tipos damos o nome de
NPN e PNP.
A interligação da pastilha aos circuitos eletrônicos é feita através de três terminais denominados
base, emissor e coletor , representados pelas letras B, E e C respectivamente, sendo que a
pastilha central é referente ao terminal base.
Os terminais recebem uma designação que permite distinguir cada uma das pastilhas. A figura
abaixo apresenta dois tipos de transistores, com a identificação dos terminais.

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Terminais do transistor
A figura a seguir apresenta o símbolo dos transistores NPN e PNP, indicando a designação dos
respectivos terminais.

Símbolo do transistor
A diferença entre os símbolos dos dois transistores é apenas o sentido da seta no terminal
“emissor”.
Os transistores podem se apresentar nos mais diversos formatos que são diferenciados pelo seu
encapsulamento. Esses formatos geralmente variam em função do fabricante, montagem e
capacidade de dissipar calor.
A figura abaixo apresenta alguns tipos construtivos de transistores.

Tipos diferentes de encapsulamento de transistores


Por esta razão, a identificação dos terminais do transistor é muito facilitada quando se utiliza como
auxílio um manual de transistores ou folheto técnico específico do fabricante do transistor.

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Polarização do Transistor
Ao unirem as três pastilhas semicondutoras, ocorre um processo de difusão dos portadores, da
mesma forma que ocorre em um diodo. Esta difusão dá origem a uma barreira de potencial em
cada junção.
Para que o transistor entre em modo de condução, possibilitando a passagem de corrente entre os
terminais coletor e emissor, as junções BE e BC devem ser polarizadas de formas diferentes.
A junção base-emissor é polarizada diretamente, ou seja, + no material P e - no material N. Porém
a junção base-coletor, é polarizada inversamente, + no material N e - no material P.
As duas junções devem ser polarizadas simultaneamente. O esquema que segue representa esta
ligação, onde as baterias fornecem as tensões de polarização.

Exemplo de polarização do transistor


Conforme estudaremos oportunamente, em geral, não se usam duas baterias separadas para a
alimentação do transistor mas uma única, da qual se tiram as tensões necessárias através de
resistores divisores de tensão.
Na ligação anterior, a tensão V1 polariza a junção BE diretamente e a tensão V2 aplica uma tensão
positiva no coletor maior que a tensão positiva da base.
Se o coletor é mais positivo que a base, então a base é mais negativa que o coletor, desta forma a
junção BC fica polarizada inversamente, satisfazendo as condições de polarização do transistor.

Tensões e Correntes no Transistor Bipolar


A alimentação simultânea das duas junções, através das baterias externas, dá origem a três
tensões entre os terminais do transistor.
Essas tensões são: tensão de coletor a base, denominada de V CB, tensão de base a emissor
denominada de VBE e tensão de coletor a emissor denominada de VCE.
Dispondo as três tensões em uma mesma figura se observa que as tensões VBE + VCB somadas
são iguais a VCE. Observemos a seguir o esquema com essas três tensões:

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VCE = VBE + VCB

A corrente do terminal emissor é denominada de corrente de emissor representada pela notação


IE, a do terminal base de corrente de base (IB) e a do terminal coletor de corrente de coletor (I C).
Por convenção se estabeleceu que toda a corrente que entra no transistor é positiva e a corrente
que sai é negativa.
A figura a seguir mostra as correntes em um transistor.

Correntes em um transistor NPN


O princípio básico de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor é o mesmo
para os transistores NPN e PNP, portanto usa-se estudar o princípio de funcionamento apenas de
um tipo.
Analisando as correntes nos transistores, pela primeira lei de Kirchhoff ( lei dos nós ) , temos :
I =I +I
E B C

Controle IB sobre IC
O transistor possui como principal característica o controle da corrente IC através da corrente IB. ou
seja, a corrente de base controla a corrente de coletor como se fosse um registro.
Este controle se deve ao fato de que a corrente de base influi na largura de barreira de potencial da
junção base-emissor.
Quando a tensão VBE aumenta, a barreira de potencial na junção base-emissor torna-se mais
estreita.

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Funcionamento do transistor
Por analogia pode-se afirmar:
I B aumenta  I C aumenta

I B diminui  I C diminui

Através de um transistor é possível utilizar uma pequena corrente (I B) para controlar a circulação de
uma corrente de valor muito maior (IC), que a outra:

A corrente controlada (IC) e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para
determinar quantas vezes uma é maior que a outra.
O resultado desta relação é denominado tecnicamente de ganho de corrente contínua entre base e
coletor, representado pela letra grega β (beta) em corrente contínua ou hFE.
I
hFE ou β DC = C Ganho de corrente contínua entre base e coletor
IB

É importante salientar que o fato do transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor
não significa que sejam geradas ou criadas correntes no seu interior.
Todas as correntes que circulam em um transistor são provenientes da fontes de alimentação,
cabendo ao transistor apenas controlar a quantidade de corrente fornecida por estas fontes.
Os transistores não geram correntes, atuando apenas como controladores das quantidades de
correntes fornecidas pelas fontes de alimentação.

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Regiões de operação
A reta de carga de um transistor é dividida em três regiões denominadas: corte, saturação e ativa.
Um transistor está na região de corte quando a junção base-emissor está polarizada inversamente.
A polarização inversa na junção BE torna a corrente de base nula. Nessa região o transistor
funciona praticamente como uma chave aberta entre os terminais coletor-emissor.

Transistor como uma chave aberta


Um transistor está na região de saturação quando a tensão VBE é maior que a tensãoVCE.
O que caracteriza a região de saturação é que, devido ao fato de V BE ser maior que VCE, a junção
BC do transistor também fica diretamente polarizada. Nesta região o transistor assume uma
característica de chave fechada, com uma pequena queda de tensão entre os terminais coletor-
emissor.

Transistor como uma chave fechada


A região ativa corresponde a todo trecho entre as regiões de corte e saturação. É a região
característica de funcionamento dos estágios amplificadores.

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Transistor como Chave
A utilização do transistor como chave se consegue operando na região de saturação e corte, ou
seja, como um elemento de controle on-off conduzindo ou interrompendo a circulação de corrente.
O circuito de polarização utilizado é de corrente de base constante, sendo que a fonte de
polarização da base é na realidade, o sinal de entrada que controla o transistor, cortando (chave
aberta) ou saturando (chave fechada).
A seguir, uma analogia do transistor como uma chave.

Transistor como chave


Abaixo segue o gráfico de um transistor com o traçado da reta de carga, para a análise das regiões
de corte e saturação.

Gráfico da reta de carga de um transistor relacionando Ic, Vce e Ib


Para que o transistor opere na região de corte, como uma chave aberta, é necessário que a
corrente de base seja, IB CORTE= 0 mA. Para se ter este valor, a tensão de entrada V ENT deve ser
menor que a tensão VBE de condução do transistor (aproximadamente 0,7 V – Silício), nesta
situação a tensão VCE será praticamente a tensão da fonte VCC e não circulará corrente no
transistor, IC = 0 mA.

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Transistor na região de corte
Para que o transistor opere na região de saturação, como uma chave fechada, é necessário que a
tensão de entrada (VENT) seja maior que VBE de condução. Nessa região a corrente de coletor I C SAT
é máxima, e a tensão de VCE SAT praticamente 0 V (0,1 a 0,3 V).

Circuitos integrados
Com o aparecimento do transistor foi possível o desenvolvimento de circuitos complexos de
tamanho reduzido, de baixo consumo, leves e, sobretudo, confiáveis. A técnica cada vez mais
sofisticada de produção destes componentes possibilitou a construção de dispositivos tão
pequenos que a utilização de fios para liga-los ao circuito tornou-se pura perda de espaço.
Considerando que componentes passivos tais como resistores ou capacitores também podem ser
construídos com a mesma tecnologia e portanto com dimensões também reduzidas, foram
desenvolvidos circuitos contendo elementos passivos e ativos totalmente integrados uns aos
outros. A estes circuitos damos a denominação de circuitos integrados (CIs).

Desenho da ampliação da parte interna de um CI

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A quantidade de componentes ativos e passivos do circuito integrado depende da finalidade
principal para a qual ele é projetado.

Encapsulamento de circuitos integrados


A função do encapsulamento do circuito integrado é de proteger a pastilha contra choques
mecânicos, contra a ação do meio ambiente, dissipar o calor gerado no interior da pastilha e fixar
os terminais de ligação externa.
Existe uma variedade muito grande de tipos de invólucros de circuitos integrados, o exemplo de
alguns tipos de encapsulamento é observado na figura a seguir:

Alguns tipos de encapsulamentos de CIs


Segundo a posição dos terminais, o CI pode ser denominado de:
• Em linha simples (“Single In Line Pin - SIP), que possui os terminais em linha simples ou
seja, que tem os terminais de interligação dispostos em apenas um dos lados.

Encapsulamento SIP
• Duplo em linha (“Dual In Line” – DIL), quando os terminais estão alinhados de modo a
formar duas filas.

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Encapsulamento DIL
• Quadruplo em linha (“Quadruple In Line ou Quad In Line) que tem os terminais alinhados de
modo a formar quatro filas.

Encapsulamento Quad In Line


A construção e os processos de desenvolvimento de circuitos integrados serão tratados
posteriormente no curso.

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