Transistor de junção bipolar

O transistor (ou transístor) de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor,

BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de
polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é
realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (elétrons).

O transístor de junção bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido em

1948, e que valeu o Premio Nobel aos seus inventores. Até hoje, permanece
como o único premio Nobel a ser atribuído a um dispositivo de engenharia.

Os primeiros transístores foram produzidos com Germânio e passado algum

tempo começou a ser utilizado o Silício.
O objetivo dos inventores, foi substituir as válvulas termiônicas que consumiam
muita energia, tinham muito baixo rendimento, e funcionavam com tensões da
ordem das centenas de volts.
Polarização do transistor

O Transistor é basicamente constituído de três camadas de materiais

semicondutores, formando as junções NPN ou PNP.

A corrente de emissor (IE) é composta pela soma das correntes de base (IB) e
de coletor (IC). Analogamente, observamos que, a tensão entre coletor-emissor
(VCE) é composta pela soma das tensões base-emissor (VBE) e base–coletor
(VCB). Portanto, podemos escrever:

IE = IB + IC
VCE = VBE +VBC (NPN)
 Como nos diodos, quando uma junção PN é
polarizada diretamente, a barreira de potencial
diminui permitindo a passagem de corrente.

Porém, quando está inversamente polarizada

a barreira aumenta e não permite a passagem
de corrente.
Sem polarização, uma junção NPN ou PNP, apresenta duas barreiras de
potencial, idênticas àquela vista na junção PN de um diodo semicondutor.
Para movermos os elétrons e lacunas nos materiais, é necessária a colocação
de baterias que poderão deixar cada junção direta ou reversamente polarizada.
Vamos a seguir, analisar todas as possibilidades de polarização, destacando o
caso mais vantajoso :

+ - - + - + + -
Neste caso, circula corrente por ambas as junções, apesar da polarização reversa,
pois aqui, ocorre o fenômeno denominada de efeito transistor . Devido a esse
fenômeno, utilizaremos este caso para fins de polarização.

O efeito transistor ocorre quando a junção coletor-base é polarizada reversamente e

a junção base-emissor é polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base é
suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor.
Esta corrente será tão maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o
ganho.
GANHOS E AMPLIFICAÇÃO DO TRANSISTOR

Cada uma das junções de um transistor apresenta uma queda de tensão, que é
denominada conforme a junção. Temos então:

- VBE ou VEB = tensão entre base e emissor

- VBC ou VCB = tensão entre base e coletor
- VCE ou VEC = tensão entre coletor e emissor

A maior deles é VCE. Podemos dizer que VCE é a soma das outras duas, ou
seja: VCE = VBE + VBC.

Podemos também medir a tensão de um elemento qualquer do transistor em

relação à terra. Neste caso temos então:

VB = tensão entre base e terra

VE = tensão entre emissor e terra
VC = tensão entre coletor e terra

Estes termos são aplicados à qualquer

tipo de transistor em qualquer configuração.
Ganho do transistor

Polarizando directamente a junção base-emissor e inversamente a junção base-

coletor, a corrente de colector IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de coletor IC

e vice-versa. A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma
pequena variação de IB provoca uma grande variação de IC, isto significa que a
variação de corrente de coletor é um reflexo amplificado da variação da corrente
na base. Este efeito amplificação, denominado ganho de corrente pode ser
expresso matematicamente pela relação entre a variação de corrente do colector
e a variação da corrente de base , isto é:

Ganho (β) = IC / IB
Tipos de configuração

O transistor pode ser ligado em um circuito de três formas distintas: base comum,
emissor comum ou coletor comum. O nome da configuração é referenciado ao
elemento do transistor que é comum aos circuitos de entrada e de saída. A figura
mostra um transistor NPN nas três configurações, respectivamente:
base comum, emissor comum e coletor comum.

base comum emissor comum coletor comum

AMPLIFICADOR EM CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

No circuito do amplificador na configuração emissor comum o sinal de entrada

é aplicado entre o emissor e a base e o sinal de saída é retirado entre o coletor e
o emissor, ou seja o emissor é o elemento comum à entrada e à saída do circuito.

O coletor é alimentado pela tensão Vcc, através de

RL e, através de RB, VBB polariza diretamente a
junção base-emissor.
O valor da corrente IC depende praticamente do
valor da corrente IB.
Geralmente o circuito é polarizado para termos uma
corrente média de base, em consequência a corrente
do coletor também será média.
Se a corrente de base aumentar ou diminuir a
corrente do coletor, as tensões VRL e VCE também
sofrerão variações proporcionais à estas.
Estas variações nas correntes e tensões do circuito
podem ser causadas por um sinal senoidal aplicado à
entrada do mesmo.
Admitamos que no instante inicial o sinal senoidal aplicado ao circuito de base
aumente de zero a um máximo positivo, no período de t0 a t1.

Como o circuito utiliza um transistor NPN, o sinal positivo crescente, aplicado

na base, aumenta a polarização direta base-emissor (VBE), aumentando a
corrente de base (IB). O aumento de IB provoca o aumento de IC e da queda
de tensão em RL, o que ocasiona uma diminuição da tensão de saída.
Quando a tensão de entrada do circuito diminuir do máximo positivo para zero,
isto é, entre os tempos t1 e t2, a polarização direta diminui proporcionalmente,
diminuindo IB e consequentemente IC.

Com a diminuição de IC, a queda de tensão em RL também diminui. Com a

diminuição da tensão em RL, a Vout aumenta como mostrado no gráfico da
tensão de saída na figura entre os tempos t1 e t2.

A variação da tensão de entrada entre os tempos t2 e t3 continuará a diminuir

a polarização direta, aumentando mais a Vout, como também pode ser visto no
gráfico da tensão de saída na figura.
Observando os gráficos de entrada e de saída na figura, na configuração
emissor-comum vemos que entre eles existe uma defasagem de 180º.
O funcionamento desse amplificador, tal como o de base comum, é
caracterizado pela variação da corrente no circuito de base-emissor que
produz uma variação de corrente e tensão no circuito coletor.
GANHOS DO TRANSISTOR EM EMISSOR COMUM

Ganho de corrente

O ganho de corrente de um amplificador é a relação entre a corrente de entrada e

a corrente de saída, ou seja, entre IB e IC. Como a corrente IC é bem maior que a
corrente IB, o transistor terá um alto ganho de corrente na configuração emissor
comum. Para designar o ganho de corrente usa-se a letra grega “beta” (β) e
o mesmo é determinado pela fórmula:

Ganho (β) = IC / IB

Ganho de tensão

Um transistor na configuração emissor comum apresenta um alto grau de tensão.

O ganho de tensão, analogamente ao ganho de corrente, é a relação entre a
tensão de saída e a tensão de entrada, ou seja:

Gv = Vo / Vi
Ganho de potência

Geralmente, o ganho de potência nos circuitos em configuração emissor comum é

muito alto. O ganho de potência é o produto do ganho de corrente (β) pelo ganho
de tensão (Gv)

GP = β x Gv
CURVAS CARACTERÍSTICAS

Uma forma de analisar os transistores é através de gráficos. Um desses gráficos é

chamado de curva característica de entrada. Nesta curva, para cada valor
constante de VCE, variando-se a tensão de entrada VBE, obtém-se uma corrente de
entrada IB, resultando num gráfico com o seguinte aspecto:

Observa-se que é possível controlar a corrente de base, variando-se a tensão

entre a base e o emissor.
Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tensão de saída VCE,
obtém-se uma corrente de saída IC, cujo gráfico é conhecido como curva de ganho
do transistor e tem o seguinte aspecto:

Região de
saturação

Através desta curva, podemos definir três estados do transistor, o corte, a

saturação e a ativa

CORTE: IC = 0
SATURAÇÃO: VCE = 0
ATIVA: Região entre o corte e a saturação
CARACTERÍSTICAS DE UM AMPLIFICADOR

-Ponto de Operação (Quiescente)

Os transistores são utilizados como elementos de amplificação de corrente e

tensão, ou como elementos de controle ON-OFF. Tanto para estas como para
outras aplicações, o transistor deve estar polarizado corretamente.

Polarizar um transistor é fixá-lo num ponto de operação em corrente contínua,

dentro de suas curvas características.

Também chamado de polarização DC, este ponto de operação (ou quiescente)

pode estar localizado nas regiões de corte, saturação ou ativa da curva
característica de saída.
Os pontos QA, QB e QC da figura a seguir caracterizam as três regiões citadas.

QA: Região activa

QB: Região de saturação
QC: Região de corte
- Reta de carga

A reta de carga é o lugar geométrico de todos os pontos de operação possíveis

para uma determinada polarização.
Podemos defini-la a partir de dois pontos conhecidos.
CONFIGURAÇÃO COLETOR COMUM

Nesta configuração a tensão de saída está em fase com a tensão de entrada e

o ganho de tensão é próximo de 1, pois a queda de tensão em R2 é paralelo a
queda em RE. O circuito possui um ganho de corrente típico que depende em
grande parte do hFE do transistor. Uma pequena mudança na corrente de
entrada resulta em uma mudança muito maior na corrente de saída enviada à
carga.