Universidade Federal Fluminense – UFF

Escola de Engenharia – TCE

Departamento de Engenharia de Telecomunicações – TET

JFET e MOSFET de depleção

Disciplina : ELETRÔNICA I

Professor : Paulo Cezar De Magalhães Bastos

Aluno : Alyne Nobre

JFET
Sendo um transistor que é baseado no princípio do Efeito de Campo, o JFET (Junction Field

Effect Transistor) é um transistor bipolar onde é necessário que a aplicação de uma corrente na base
a fim de controlar a passagem de corrente entre o coletor e o emissor, onde controle da corrente
entre o Drain e Source é feito a partir da aplicação de tensão no Gate.

Dessa maneira tem seus símbolos eletrônicos similares ao dos transistores bipolares, pois também
tem 3 terminais, o Gate, Drain e Source. Tendo dois tipos básicos, os de canal P e os de canal N.

O transistor JFET é formado por um substrato de certa dopagem (P ou N) e uma junção PN com a
área de Gate, de dopagem contrária ao substrato.

Podemos observar a seguir um modelo simplificado do JFET de canal N, em que o substrato é N e o

Gate é P.
O fenômeno demonstrado na figura anterior ocorre devido ao cruzamento da junção de parte dos
elétrons livres do substrato N para se recombinar com lacunas do Gate. Logo. a zona de depleção é
não é uma boa condutora, devido à pouca quantidade ou ausência de portadores de carga.

Também sabemos que com essa junção, aparece um campo elétrico chamado de tensão intrínseca
da junção. A área no substrato entre as dopagens de Gate é chamada de Canal de Condução e no
caso da figura acima, o canal está fechado, já que as zonas de depleção atingem todo o canal e possui
uma corrente muito pequena.

Elevando a tensão aplicada ao Gate do transistor, como mostrado abaixo, a tensão de Gate começa a
se opor à tensão intrínseca da junção Gate, fazendo que a zona de depleção fique mais fina.
Causando a abertura do Canal de Condução e fazendo com que a corrente comece a circular entre
Drain e Source.

Logo, analogamente temos que JFET e o transistor bipolar tem a seguinte relação:
MOSFET de depleção
Os MOSFETs possuem características similares ao JFETs, com algumas vantagens adicionais que os
tornam muito úteis. No entanto eles têm algumas diferenças que podemos visualizar abaixo :

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) sendo um tipo mais comum
de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos, pode ser
encontrado de dois modos diferentes depleção e tipo enriquecimento. No entanto, nesse resumo
vamos focar apenas no modo depleção.

O MOSFET Depleção tem características como 4 terminais, alta impedância de entrada e canal
previamente formado.
Podendo ter sua estrutura no canal P e N como mostrado abaixo :

O controle de corrente em MOSFET depleção, da mesma forma em que nos dispositivos JFET, é feito
pelo controle da largura do canal, através do potencial aplicado à porta do dispositivo. No caso de
canal P, se a porta for submetida ao mesmo potencial do terminal fonte, haverá circulação de
corrente fonte, Drain, como pode ser visto abaixo na figura a. Ao aplicar uma tensão positiva à porta
do dispositivo, o canal será estreitado e a corrente ID reduzirá, figura b.

Sendo assim, pelo controle do potencial aplicado à porta, é possível controlar a corrente no canal.

Existe também outra diferença entre MOSFET depleção e JFET. No JFET, como vimos, a junção PN
formada entre canal e substrato não pode ser polarizada diretamente. Em MOSFET depleção essa
situação não ocorre já que o terminal porta é isolado do canal, independentemente da polaridade
dos terminais. Assim, em MOSFET depleção tipo P, a aplicação de um potencial negativo à porta
provoca um aumento na corrente ID, uma vez que nessa situação a região de depleção no interior do
canal é diminuída significativamente.
Bibliografia

[1] ELETRONPI. Como Funciona o Transistor JFET?

[2] BARBOSA, Carlos Ricardo.Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada. Aprenda a analisar o
ripple da sua fonte.

[3]chrome-extension://efaidnbmnnnibpcajpcglclefindmkaj/viewer.html?pdfurl=http%3A%2F%2Fww
w4.pucsp.br%2F~elo2eng%2FAula_05_DCE3_2018.pdf&clen=737576&chunk=true