Transistor Efeito de Campo FET

ELECTRICIDADE ELECTRÓNICA (EE) 2018
I.M.I.L.
CAPÍTULO # II: TRANSÍSTOR EFEITO DE CAMPO (FET)
2.1 – Introdução.
Os transístores bipolares estudados baseiam-se em dois tipos de cargas;

lacunas e electrões e são estudados amplamente em circuitos lineares. No entanto,
existem aplicações nos quais os transístores unipolares com a sua alta impedância
de entrada são uma alternativa melhor. Este tipo de transístor depende de um só
tipo de carga, daí o nome unipolar.
O transístor efeito de campo (direto do inglês filder effect transístor – FET)

é um dispositivo de três terminais utilizado em várias aplicações e que cuja
operação depende do controlo da corrente devido a um campo eléctrico ou
seja, o fluxo de corrente é controlado por meio da tensão aplicada a um dos
seus terminais, diferente do transístor TBJ, em que o fluxo de corrente depende
da corrente aplicada nos seus terminais.
Embora haja diferença importantes entre os dois tipos de dispositivos,

também há muitas semelhanças que iremos descrever a posterior. A diferença
fundamental entre os dois tipos de transístores é pelo facto de o TBJ ser um
dispositivo controlado a corrente, enquanto que o FET é um dispositivo
controlado por tensão.
Figura-2.1: Transístores TBJ e FET
INSTITUTO MÉDIO INDUSTRIAL DE LUANDA ORQ 1

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Semelhante ao transístor TBJ o FET também possui três terminais

denominados FONTE (S), DRENO (D) e PORTA (G).
FONTE: fornece os electrões;
DRENO: drena os electrões;
PORTA: controla a largura do canal controlando o fluxo de electrões

entre a fonte e o dreno e é a parte do dispositivo mais compacta.
O princípio de funcionamento do FTE está baseado na modulação

aplicada em seus elementos (PORTA) que vai controlar a corrente que circulará
em uma região denominada canal.
Existem muitas diferenças entre o transistor efeito de campo e o tra

nsistor bipolar ; as principais são:
1º)Controle do fluxo da corrente: no FET é por tensão e no BJT por cor

rente;
2º) Impedância de entrada: no FET é muito alta (> 1 MΩ) e no BJT

baixa (por causa da junção PN polarizada diretamente);
3º) Tipo de portador:

No FET é um elétrão livre ou lacuna e no BJT são elétrões
e lacuna;
4º) Ganho de tensão: no FET é menor que no BJT.
Os FETs possuem baixo ruido, insensibilidade á radiação, elevada

estabilidade termica e é de fabrico simples, menor tamanho e ocupa menos
espaços quando integrado.
Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo:
 Transistor efeito de campo de junção JFET (junction FET ).

 Transistor efeito de campo metal-óxido-semicondutor MOSFET ou
IGMOS (insuleted Gate MOS)
Os MOSFETs são mais usados, principalmente em circuitos integrados e como

dispositivos de potencia. Esses transistores podem ser encontrados com
polaridades de canal N e canal P.

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2.2 Transistor efeito de campo de junção JFET
O JFET é um dispositivo de trȇs terminais, com um terminal

capaz de controlar o nível de corrente entre os outros dois
terminais.
No capitulo sobre o TBJ, o transistor NPN foi

empregado na maior parte das análises e de projecto e de
forma semelhante para os FETs, o dispositivo de canal N será
o principal objecto de estudo.
Figura-2.2: Construção básica do JFET de canal N.
Podemos observar que, a maior parte da estrutura é composta por

material do tipo N que forma o canal entre as camadas imersas de material do
tipo P. Onde o dreno ( D ) e a fonte ( S ) estão conectados aos extremos do
canal do tipo N e a porta ( G ) está conectada as duas camadas do material do
tipo P. Como não temos nenhum potencial aplicado, as duas juncoes PN do
JFET, logo ele não estará polarizado o que resulta numa região de deplecção em
cada junção.
SÍMBOLOS ELÉCTRICOS
Figura-2.3: Símbolos do JFET: (a) canal N; (b) canal P.

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2.2.1 Polarização de um JFET canal N
Figura-2.4: Polarização convencional de um JFET canal N.
Esta figura mostra como um JFET canal N é polarizado convencionalmente, onde

uma alimentação positiva ( VDD) é ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um
fluxo de corrente atraveis do canal.
Uma ligação negativa ( VGG ) é ligada entre a porta e a fonte e com isto a porta
fica com uma polarização reversa, circulando apenas uma corrente muito pequena
deniminada corrente de fuga e portanto uma alta impedȃncia entre a porta e a fonte é
criada.
Como o JFET é controlado por tensão, as variações da tensão entre a porta e a

fonte (VGS) alteram a região de deplecção e fazem variar a largura do canal.
Um JFET sempre é polarizado inversamente entre o diodo porta-fontr, e devido

a polarização inversa a corrente da porta IG é aproximadamente zero o que é equivalente
ao JFET ter uma impedȃncia de entrada ( Zi ) quase infinita.

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2.2.2 Principio de funcionamento de um JFET canal N
Se 𝑉𝐺𝑆 = 0 ; a aplicação de uma tensão 𝑉𝐷𝑆 (pequena e

positiva) através do canal, faz com que uma corrente circule
de dreno para a fonte.
Quando se aplica uma tensão 𝑉𝐺𝑆 negativa, a região de

deplecção das junções alarga-se, estreitando
consequentemente o canal e assim, a resistencia do canal
aumenta pelo que a corrente do dreno ID diminui.
Figura-2.5: JFET canal N com 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑒𝑉𝐷𝑆 > 0
Se 𝑉𝐷𝑆 for pequena, o canal tem uma largura práticamente

uniforme e desta forma o JFET funciona simplesmente como
uma resistencia cujo valor é controlado pela tensão 𝑉𝐺𝑆 .
Se a tensão 𝑉𝐺𝑆 for progressivamente mais negativa,

atinge-se um valor para o qual a região de deplecção ocupa
completamente o canal e para este valor de 𝑉𝐺𝑆 o canal fica
inteiramente esvaziado de portadores de carga. A esse valor
de 𝑉𝐺𝑆 corresponde a tensão de limiar do transistor conhecida
como tensão de estrangulamento( pinch-off ) e é
representada por 𝑉𝑃 ou 𝑉𝐺𝑆(𝑂𝐹𝐹) .
Quando 𝑉𝐺𝑆 é constante a um valor maior (menos

negativo) do que 𝑉𝑃 , enquanto que 𝑉𝐷𝑆 é aumentada e como
𝑉𝐷𝑆 aparece como uma queda de tensão ao longo do canal, a
tensão aumentará a medida que nos deslocamos da fonte
para o dreno e em consequencia a tensão inversa entre a
porta e o dreno varia ao longo do canal e é mais elevada do
lado do dreno e desta forma o canal adquire a forma
afunilada.

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Quando a tensão inversa na extremidade do dreno se torna

inferior a tensão de estragulamento( pinch-off ), o canal
estragula-se do lado do dreno e a corrente do dreno satura.
2.2.3 Curva caracteristicas de saída ( Dreno )

Se aumentarmos a tensão entre o dreno e a fonte VDS,
mantendo constante a tensão VGS, a corrente do dreno aumenta
rapidamente e o JFET comporta-se como uma resistȇncia.
Figura-2.6: Curva caracteristicas de saída ( Dreno )
Quando a tensão VDS é aumentada acima da tensão de

estragulamento (constrição ou pinch-off), a corrente de dreno não
aumenta porque todos os portadores do canal tomam parte da
corrente. A corrente do dreno ID permanece neste valor em toda a
região de constrição, até que se atinge a tensão VP e neste ponto o
JFET entra na região de disrupção ( saturação ) e verifica-se o
aumento rápido da corrente ID até destruir o JFET.
A medida que a tensão VGS é tomada cada vez mais negativa,
atinge-se um certo valor a partir do qual se verifica o corte e deixa
de existir corente de dreno.
2.2.4 Curva caracteristicas de transferȇncia ou transconductȃncia.

A curva caracteristica de transferȇncia mostra como a corrente
do dreno varia a medida que a tensão VGS é alterada. O valor
máximo da corrente do dreno IDSS ocorre quando a porta é curto-
circuitada com a fonte ou seja VGS=0. A medida que VGS é tomada
mais negativa, a corrente ID continua a diminuir até que por fim se
atinge o corte ( ID=0 e VGS≤ VP ).

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A tensão VP é a tensão para qual a corrente ID se reduz a 1 µA

e aparece nos manuias técnico do fabricante.
Qualquer JFET tem uma curva caracteristica de transferȇncia

cujo os pontos finais são VP e IDSS.
A curva caracteristica de transferȇncia é definida pela equação

de Shockley, produzindo uma curva que cresce exponencialmente
com valores crescentes de VGS.
Onde: IDSS é a corrente de saturação dreno fonte ou

corrente na qual o canal é estragulado quando os terminais porta-
fonte estão em curto( VGS=0 ).
Figura-2.7: Curva caracteristicas de transferencia ( entrada )

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2.2.4 Resistȇncia do canal ( RDS )

A tensão VGS determina a largura efectiva do canal e controla
assim o valor da corrente do dreno ID e como o valor de ID pode
ser controlado podem atribuir ao canal um valor equivalente
denominadio resistȇncia do canal.
Para tensão inferior a tensão VP, o JFET comporta-se como

resistencia cujo valor depende da tensão VDS. O valor desta
resistencia situa-se entre as dezenas e centenas de Ohm. O valor da
resistencia do canal pode ser obtido apartir da curva caracteristica
do dreno ou pela expressão:
𝑉𝐷𝑆
𝑅𝐷𝑆 =
𝐼𝐷
Para valores acima da tensão VP a resistencia RDS varia a

medida que a tensão VDS é modificada pelo que a corrente ID se
mantém praticamente constante.
2.2.5 Transconductȃncia (gm)
A transconductȃncia nos diz quão efectiva é a tensão VGS

para conrolar a corrente ID. Quanto maior a transconductȃncia
maior será o controlo exercidoa tensão VGS sobre a corrente ID. A
transconductȃncia também pode ser a medida como VGS controla
efectivamente a corrente de saída ID.
𝐼𝐷
𝑔𝑚 =
𝑉𝐺𝑆
A potȇncia máxima que o JFET pode dessipar sob condiçoes

normais de operação é definida por :
𝑃𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 ∙ 𝐼𝐷
Relações importantes entre os transistores TBJ e FET:
De forma resumida podemos concluir que:

I.M.I.L.
- A coorente máxima é definida por IDSS e ocorre quando

VGS= 0 V e VDS≥|VP|;
- Para tensões VGS entre a porta e fonte menores do que (

mais negativa do que ) o valor de pinch-off, a corrente de dreno é
iual a zero (ID=0 A );
- Para todos os valores de VGS entre 0 V e o valor de pinch-

off, a corrente ID vai variar entre IDSS e 0 A.
2.2.6 Método simplificado para traçar a curva caracteristica de

transferencia.
Como a curva de transferȇncia é traçada frequentemente, é bom
possuirmos um método simplificado para o levantanento dessa mesma curva de
forma a realizarmos um trabalho de modo mais rápido e eficiente e mantendo
ainda um nível aceitável de precisão.
𝑉𝐺𝑆 2
A partir da equação de Shockley: 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝑃
) ; obtemos:
𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆
1º) Fazendo 𝑉𝐺𝑆 = 2
𝑜𝑢𝑉𝐺𝑆 = 0.5 ∙ 𝑉𝑃 , logo teremos: 𝐼𝐷 =
4
2º) Fazendo 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉,teremos 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
Escrevendo a equação de Shockley em função de 𝑉𝐺𝑆 obtemos:
𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 (1 − √ )
𝐼𝐷𝑆𝑆
3º) Fazendo 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

2
𝑜𝑢𝐼𝐷 = 0.5 ∙ 𝐼𝐷𝑆𝑆 , logo teremos:
𝑉𝐺𝑆 = 0.293 ∙ 𝑉𝑃 𝑜𝑢𝑉𝐺𝑆 ≅ 0.3 ∙ 𝑉𝑃
4º) Fazendo 𝐼𝐷 = 0𝑚𝐴,teremos 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃
No entanto, com estes quatro ( 4 ) pontos podemos traçar a curva

caracteristica de transferȇncia com um nível aceitavel de precisão.
Tabela 2.1- VGS versus ID utilizando a equação de Shockley
𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷
0 𝐼𝐷𝑆𝑆
0.3 ∙ 𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐼𝐷 =
2
𝑉𝐺𝑆 = 0.5 ∙ 𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐼𝐷 =
4
𝑉𝑃 0

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Exercicios de aplicação
1º) Esboce a curva de transferencia determinada por 𝐼𝐷𝑆𝑆 =12 mA e 𝑉𝑃 = −6𝑉.
2º) Esboce a curva de transferencia determinada por 𝐼𝐷𝑆𝑆 =4 mA e 𝑉𝑃 = 3𝑉.
3º) Dado um ponto Q de 𝐼𝐷𝑄 =3mA e 𝑉𝐺𝑆 = -3 V, determine 𝐼𝐷𝑆𝑆 se 𝑉𝑃 = −6𝑉 e

esboce a curva de transferencia.
4º) Assinale as afirmações verdadeiras com V e as falsa com F:
a) Uma das vantagens de FETs em relação aos TBJs é a sua grande

impedância de entrada.
b) Os terminais de um MOSFET são chamados de Porta, Fonte e

Drenho.
c) Os MOSFETs podem ser classificados em tipo N e tipo P.
d) A condição de estrangulamento surge quando temos VGS= 0 e

ID= IDSS.
e) A curva de transcondutância relaciona ID e VDS.
f) A ausência do canal como um componente do dispositivo é a

principal diferença entre o JFET e o MOSFET de depleção.
g) O MOSFET tipo E está normalmente em condução quando a tensão

da porta é zero.
5º) Enumere e comente as difrenças entre os transistores FET e os TBJ.
6º) Explica de forma sumária o principio de operação basíca de um JFET.
7º) Diga o que nos mostra a curva caracteristica de transconductancia.
8º) Porque razão a corrente no gate ( porta ) é aproximadamente igual a zero?
9º) Define Transconductancia e Resistencia do canal.
10ª) Como se comporta o JFET para tensões acima e abaixo da tensão de

estragulamento VP?

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2.3. TRANSISTOR MOSFET
2.3.1. Introdução
Como vimos no início deste capítulo, existe mais de um tipo de transístor efeito de
campo. O transístor de junção (JFET) usa a tensão reversa aplicada em uma junção PN para
variar a largura da região de carga espacial na região do canal alterando, desse modo a sua
condutividade.
O outro tipo de transístor efeito de campo é o MOSFET ou IGFET. Esse dispositivo

controla também a condutividade do canal condutor por meio da tensão aplicada entre o
canal e a porta criando um caminho que conecta o dreno e a fonte com um isolante de óxido
de silício e assim, mesmo invertendo a tensão não haverá corrente de porta.
Existem basicamente dois tipos de MOSFET que são: DEPLEÇÃO ou INTENSIFICAÇÃO

e cada um deles podendo ter canal N ou canal P.
Em algumas aplicações específicas, o MOSFET de empobrecimento (depleção) se usa

muito pouco. O MOSFET de enriquecimento (crescimento) é muito usado, tanto em circuitos
discretos como em circuitos integrados. Em circuitos discretos é usado como interruptores de
potencia, para conectar e desconectar correntes grandes e em circuitos integrados o seu
principal uso é em comutação digital que é o processo básico e fundamental para circuitos
modernos.
O MOSFET é fabricado com uma base chamada substrato (no caso de MOSFET
Canal N, essa região é P). Duas regiões fortemente dopadas tipo N são criadas no substrato,
originando o dreno e a fonte. Uma camada isolante de dióxido do de silício ultrapuro com
espessura entre 3 nm e 20 nm é depositada sobre a região do substrato entre o dreno e a
fonte.
No início da indústria eletrônica, aplicava-se uma camada de metal (o M de MOSFET)

sobre a camada de dióxido mas atualmente, para atender às necessidades tecnológicas, essa
camada é de silício policristalino.
Na maior parte das aplicações, o substrato é ligado à fonte (S), o que não altera o
funcionamento do circuito. Existem casos em que o substrato pode funcionar como uma
segunda porta, fazendo com que uma tensão aplicada no substrato altere a corrente de dreno.
Em nossas análises, consideraremos o substrato sempre ligado à fonte.

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2.3.2 MOSFET TIPO DEPLEÇÃO (Empobrecimento)

Quando estudamos o JFET, vimos que a condutividade do canal pode ser alterada
aumentando a polarização reversa, isto é, fazendo com que a região de depleção (região
desprovida de portadores de cargas livres) avance sobre o canal.
A figura abaixo mostra a estrutura simplificada e a simbologia de dois MOSFETs tipo

depleção, um canal N e outro canal P. Observe que eles possuem um canal ligando o dreno
à fonte, isto é, mesmo sem tensão de porta haverá corrente de dreno.
Figura 2.3.1: Estrutura física de MOSFETs tipo depleção.

a) Canal N
b) Canal P, com as respectivas simbologias.
Este tipo de MOSFET possui um canal ligando o dreno a fonte; isto é, mesmo sem
tensão na porta haverá corrente de dreno.
A porta é conectada a superficie metálica de contato, mas permanece isolada do
canal por uma camada muito fina de dióxido de silicio (SiO2) que é um tipo particular de
isolante denominado dielectrico (porque cria campos electricos opostos quando submetidos
a um campo externo aplicado) ou seja “não há conexão electrica directa entre o terminal
de porta e o canal de um MOSFET”.
Figura 2.3.2: MOSFET tipo depleção canal N e p

I.M.I.L.
O MOSFET tipo depleção canal N opera para 𝑉𝐺𝑆 < 0; 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑒𝑉𝐺𝑆 > 0.
Figura 2.3.3: MOSFET tipo depleção canal N operando com:

a) VGS = 0
b) VGS > 0
c) VGS < 0.
Quando a porta é positiva (VGS> 0), os eletrões são atraídos do substrato,

aumentando a condutividade do canal (figura 2.3.3.b). Quando a porta é negativa (VGS < 0
), os eletrões são repelidos para fora do canal, diminuindo a condutividade deste (figura
2.3.2.c). Se a tensão de porta é suficientemente negativa, o estreitamento do canal pode
atingir o valor máximo, anulando a corrente de dreno.
A figura 2.3.4 apresenta as curvas características de dreno (saída). Analisando-as, é

possível verificar como ocorre a variação de tensão nos modos depleção e crescimento.
Figura 2.4.4: Curvas características de dreno e transferencia para um MOSFET tipo depleção
canal N.

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2.3.3. MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (Enriquecimento ou

crescimento)
Embora existam algumas semelhanças na construção e no modo de operação entre o

MOSFET tipo depleção e tipo intensificação, as caracteristicas do MOSFET tipo intensificação
apresentam muitas particularidades.
Neste tipo de MOSFET (tipo intensificação), a curva de transferencia não é definida
pela equação de Schokley, e a corrente de dreno, para este dispositivo, é cortada antes da
tensão porta-fonte atingir determinado valor. O controle da corrente neste dispositivo de
canal n é realizado por uma tensão positiva porta-fonte, o não ocorria para o JFET de canal
n e MOSFET tipo depleção de canal n, onde este controle era feito por tensões negativas.
Figura 2.3.5: MOSFET tipo intensificação canal n
Para este tipo de MOSFET os terminais de fonte e dreno estão conectados novamente
as regiões n-dopadas, através de contactos metálicos e não há um canal entre as duas regiões
n-dopadas. Sendo a ausência do canal como um componente do dispositivo a diferença
principal que existe entre os MOSFET tipo depleção e tipo intensificação.
Em resumo, portanto, do ponto de vista de construção de um MOSFET tipo
intensificação é bem semelhante a do MOSFET tipo depleção, sendo a diferença principal a
ausência de um canal entre os terminais de dreno e fonte no tipo intensificação.
O MOSFET de intensificação está normalmente em corte quando a tensão da porta é

zero e a única forma de obter corrente é mediante uma tensão positiva da porta.

I.M.I.L.
Princípio de funcionamento do MOSFET tipo intensificação
Figura 2.3.5:Formação do canal no MOSFET de canal N tipo intensificação
Com a aplicação de uma tensão positiva na porta, os eletrões (minoritários) do

substrato são atraídos para a região abaixo do óxido de silício da porta e as lacunas livres do
substrato se movem para baixo. Na região de silício abaixo da porta, quando a densidade de
cargas livres negativas for maior que a de positivas, será induzido um canal condutor, ligando
a região da fonte à do dreno. O nível de 𝑉𝐺𝑆 que produz um aumento significativo da corrente
de dreno é chamado de tensão de limiar (threshold voltage, 𝑉𝑇 𝑜𝑢𝑉𝐺𝑆(𝑇ℎ) ). O valor de VT é
controlado durante a fabricação do dispositivo, podendo variar de 1 V a 5 V.
Quando 𝑉𝐺𝑆 aumenta a partir do nível de limiar, a densidade de portadores
livres no canal induzido aumentará, resultando em um aumento na corrente de
dreno. Entretanto, se mantivermos 𝑉𝐺𝑆 constante e aumentarmos o valor de 𝑉𝐷𝑆 , a
corrente de dreno deverá atingir um nível de saturação, como ocorreu para o JFET e para o
MOSFET tipo depleção. A manutenção da corrente 𝐼𝐷 em um nível fixo é devido ao processo
de constrição (pinckh-off), que torna o canal induzido mais estreito próximo ao dreno.
Aplicando as leis de Kirchhoff as tensões dos terminais serão:
𝑉𝐷𝐺 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆
No entanto, se 𝑉𝐺𝑆 for mantido constante e aumentando o valor de 𝑉𝐷𝑆 , a

tensão 𝑉𝐷𝐺 cairá e a porta se tornará cada vez menos positiva com relação ao
dreno e a redução da tensão porta-dreno irá por sua vez reduzir as forças atrativas
para os portadores livres (electrões) nesta região do canal induzido, causando uma
redução na largura do canal.

I.M.I.L.
O nível de saturação de 𝑉𝐷𝑆 é definido por:

𝑉𝐷𝑆𝑆𝐴𝑇 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
Figura 2.3.6:Alterações no canal e na região de depleção com aumento de VDS para um

valor fixo de VGS.
Quanto maior a diferença de tensão entre os valores de VGS e de VT, maior será a
indução de cargas negativas no canal, o que, consequentemente, aumentará a condutividade
do canal, ou seja, a condutividade do canal é proporcional a VGS – VT. Portanto, a corrente
de dreno é controlada pelo valor da tensão de porta.
Se levarmos em conta o aumento da tensão VDS, a corrente de dreno se elevará, e,
inicialmente para pequenos valores de VDS, a corrente de dreno será proporcional à tensão
de dreno. O transístor, então, se comportará como resistência controlada por tensão.
Aumentando o valor de VDS, para VDS = VGS – VT = VDSsat (tensão de saturação),
o canal próximo ao dreno ficará muito estreito.
Considerando que a tensão de dreno aumenta além da tensão de saturação. Nesse

caso, observaremos o estreitamento aumentando no sentido da fonte e, a partir desse valor,
a corrente de dreno ficará praticamente constante.
A figura abaixo mostra a curva característica de transferência ou de transcondutância.
A parte inicial da curva representa o momento em que VGS = VT. Quando VGS é
menor que VT, a corrente de dreno é praticamente nula. Quando é maior, o dispositivo entra
em condução e a corrente de dreno passa a ser controlada pela tensão de porta. A corrente
para VGS ≤ 0 é muito pequena, da ordem de alguns nA. Quando VGS > 0, a corrente de
dreno se eleva devagar e depois acentuadamente com o aumento de VGS.

I.M.I.L.
Figura 2.3.7:Curvas caracteristicas do MOSFET de canal N tipo intensificação
A corrente ID (on) representa o valor máximo da corrente de dreno e VGS (on), o

valor de tensão de porta correspondente.
A relação entre a corrente de dreno e a tensão de dreno é aproximadamente
quadrática, isto é:
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
Onde: K é uma constante que é em função da construção do dispositivo e está

relacionada com parâmetros físicos. O valor de K pode ser determinado da seguinte
equação:
𝐼𝐷(𝑜𝑛)
𝐾= 2
(𝑉𝐺𝑆(0𝑛) − 𝑉𝑇 )
A corrente 𝐼𝐷(𝑜𝑛) representa o valor máximo da corrente de dreno e 𝑉𝐺𝑆(0𝑛) , o valor

de tensão de porta correspondente.
Símbolos elétricos:

I.M.I.L.
Tipo Simbolo e relação Curva de transferencia Resistencia

basica de entrada e
capacitância
JFET canal N
MOSFET tipo
depleção
(canal N)
MOSFET tipo
intensificação
(canal N)
Questões:
1.Sob qual aspecto a construção do MOSFET tipo depleção é semelhante e
diferente a de um JFET?
2. Com as suas palavras, descreve sucintamente a operação básica de um

MOSFET tipo intensificação.
3. Esboce a curva de transferência e as curvas de dreno de um MOSFET tipo

intensificação se 𝑉𝑇 = 3.5𝑉𝑒𝐾 = 0.4 𝑚𝐴⁄𝑉 2.
a) Esboce a mesma curva se K aumentar em 100%

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CAPÍTULO # II: TRANSÍSTOR EFEITO DE CAMPO (FET)

Os transístores bipolares estudados baseiam-se em dois tipos de cargas;

O transístor efeito de campo (direto do inglês filder effect transístor – FET)

Embora haja diferença importantes entre os dois tipos de dispositivos,

Figura-2.1: Transístores TBJ e FET

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Semelhante ao transístor TBJ o FET também possui três terminais

FONTE: fornece os electrões;

DRENO: drena os electrões;

PORTA: controla a largura do canal controlando o fluxo de electrões

O princípio de funcionamento do FTE está baseado na modulação

Existem muitas diferenças entre o transistor efeito de campo e o tra

1º)Controle do fluxo da corrente: no FET é por tensão e no BJT por cor

2º) Impedância de entrada: no FET é muito alta (> 1 MΩ) e no BJT

3º) Tipo de portador:

4º) Ganho de tensão: no FET é menor que no BJT.

Os FETs possuem baixo ruido, insensibilidade á radiação, elevada

Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo:

 Transistor efeito de campo de junção JFET (junction FET ).

Os MOSFETs são mais usados, principalmente em circuitos integrados e como

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2.2 Transistor efeito de campo de junção JFET

O JFET é um dispositivo de trȇs terminais, com um terminal

No capitulo sobre o TBJ, o transistor NPN foi

Figura-2.2: Construção básica do JFET de canal N.

Podemos observar que, a maior parte da estrutura é composta por

Figura-2.3: Símbolos do JFET: (a) canal N; (b) canal P.

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2.2.1 Polarização de um JFET canal N

Figura-2.4: Polarização convencional de um JFET canal N.

Esta figura mostra como um JFET canal N é polarizado convencionalmente, onde

Como o JFET é controlado por tensão, as variações da tensão entre a porta e a

Um JFET sempre é polarizado inversamente entre o diodo porta-fontr, e devido

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2.2.2 Principio de funcionamento de um JFET canal N

Se 𝑉𝐺𝑆 = 0 ; a aplicação de uma tensão 𝑉𝐷𝑆 (pequena e

Quando se aplica uma tensão 𝑉𝐺𝑆 negativa, a região de

Figura-2.5: JFET canal N com 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑒𝑉𝐷𝑆 > 0

Se 𝑉𝐷𝑆 for pequena, o canal tem uma largura práticamente

Se a tensão 𝑉𝐺𝑆 for progressivamente mais negativa,

Quando 𝑉𝐺𝑆 é constante a um valor maior (menos

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Quando a tensão inversa na extremidade do dreno se torna

2.2.3 Curva caracteristicas de saída ( Dreno )

Figura-2.6: Curva caracteristicas de saída ( Dreno )

Quando a tensão VDS é aumentada acima da tensão de

2.2.4 Curva caracteristicas de transferȇncia ou transconductȃncia.

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A tensão VP é a tensão para qual a corrente ID se reduz a 1 µA

Qualquer JFET tem uma curva caracteristica de transferȇncia

A curva caracteristica de transferȇncia é definida pela equação

Onde: IDSS é a corrente de saturação dreno fonte ou

Figura-2.7: Curva caracteristicas de transferencia ( entrada )

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2.2.4 Resistȇncia do canal ( RDS )

Para tensão inferior a tensão VP, o JFET comporta-se como

Para valores acima da tensão VP a resistencia RDS varia a

2.2.5 Transconductȃncia (gm)

A transconductȃncia nos diz quão efectiva é a tensão VGS

A potȇncia máxima que o JFET pode dessipar sob condiçoes

Relações importantes entre os transistores TBJ e FET:

De forma resumida podemos concluir que: