FET – Transistor de Efeito

de Campo

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1. Transistores de Efeito de Campo:
• Os transistores de efeito de campo (FETs) são dispositivos
semicondutores essenciais na eletrônica moderna, usados para
controlar a corrente elétrica em circuitos.
• Eles operam com base no princípio de controlar o fluxo de corrente por
meio de um campo elétrico aplicado, em vez de usar corrente de base,
como nos transistores bipolares.
• Existem vários tipos de FETs, incluindo JFETs, MOSFETs e MESFETs, que
variam em suas características e aplicações.

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1. Transistores de Efeito de Campo:
• Um FET típico consiste em três terminais: fonte, dreno e porta.
• O fluxo de corrente entre a fonte e o dreno é controlado pela tensão
aplicada à porta.
• Aqui estão alguns dos aspectos-chave relacionados aos FETs:

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1.1 Princípio de Operação:
• Os FETs operam com base na modulação da condutividade de um canal
semicondutor entre a fonte e o dreno.
• A tensão aplicada à porta controla o campo elétrico na região do canal,
o que, por sua vez, influencia a condutividade do canal e a corrente
entre a fonte e o dreno.

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1.2 Equações Básicas:
• Vamos considerar o exemplo de um JFET. A corrente de dreno (ID) em
um JFET é geralmente modelada pela equação:

• Onde:
• ID é a corrente de dreno.
• IDSS é a corrente de dreno com a porta em curto-circuito.
• VGS é a tensão entre a porta e a fonte.
• VP é a tensão de corte (tensão de porta necessária para desligar o
JFET). 5
1.3
Exemplo:
• Suponhamos que estamos
trabalhando com um JFET
e temos os seguintes
parâmetros: IDSS = 10 mA
e VP = -5 V. Se aplicarmos
uma tensão de porta de -2
V (VGS = -2 V), podemos
calcular a corrente de
dreno usando a equação
mencionada:

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2. Construção e Características do JFET:
• Os JFETs, ou Transistores de Efeito de Campo de Junção, são um
tipo de FET (Transistor de Efeito de Campo) que utiliza uma
junção PN para controlar a corrente entre a fonte e o dreno.
• Eles são amplamente utilizados na eletrônica devido às suas
características, que incluem alta impedância de entrada, baixa
impedância de saída e a capacidade de operar em altas
frequências.
• Vamos explorar mais a construção e as características dos
JFETs.

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2.1 Construção do JFET:
• Os JFETs são construídos com base em uma junção PN,
semelhante a um diodo.
• Eles têm uma estrutura de canal, onde a corrente flui da fonte
para o dreno.
• A tensão aplicada à porta cria um campo elétrico que controla a
largura do canal e, assim, a corrente entre a fonte e o dreno.

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2.2 Características Principais:
• Alta Impedância de Entrada: Os JFETs têm uma alta impedância de
entrada, o que significa que eles têm uma resistência extremamente
elevada entre a porta e a fonte.
• Isso os torna ideais para aplicações em que é necessário um circuito de
entrada de alta impedância, como amplificadores de instrumentação.
• Baixa Impedância de Saída: Ao contrário da alta impedância de entrada,
os JFETs têm uma baixa impedância de saída entre a fonte e o dreno.
• Isso significa que eles podem fornecer uma carga relativamente baixa a
circuitos seguintes, o que é útil em circuitos amplificadores.
• Controle por Tensão: A corrente entre a fonte e o dreno é controlada
principalmente pela tensão aplicada à porta (VGS).
• Aumentar a tensão negativa na porta (VGS mais negativo) diminui a
largura do canal e reduz a corrente de dreno.

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2.3 Equação de Corrente do JFET:
• A equação de corrente do JFET pode ser representada da seguinte
forma:

• Onde:
• ID é a corrente de dreno.
• IDSS é a corrente de dreno com a porta em curto-circuito.
• VGS é a tensão entre a porta e a fonte.
• VP é a tensão de corte (tensão de porta necessária para desligar o
JFET).

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2.4 Exemplo:
• Vamos considerar um exemplo usando um JFET com os seguintes
parâmetros: IDSS = 10 mA e VP = -4 V.
• Se aplicarmos uma tensão de porta de -1.5 V (VGS = -1.5 V),
podemos calcular a corrente de dreno:

• Portanto, com VGS = -1.5 V, a corrente de dreno (ID) é

aproximadamente 3.91 mA.

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3. Curva
Característica de
Transferência:
• A curva característica de
transferência de um JFET
é uma representação
gráfica
• que descreve a relação
entre a tensão de porta
(VGS) e a corrente de
dreno (ID).

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3. Curva
Característica de
Transferência:
• Ela é fundamental para
entender como o JFET
controla a corrente de
dreno com base na
tensão aplicada à
porta.
• Vamos explorar a curva
característica de
transferência e como
ela é construída.

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3.1 Construção da
Curva Característica
de Transferência:

• Para criar a curva característica

de transferência, mede-se a
corrente de dreno (ID) em função
da tensão de porta (VGS) em
diferentes pontos de operação do
JFET.
• O JFET é normalmente operado
em três modos principais: corte,
saturação e região ativa.
• Esses pontos são fundamentais
para entender o comportamento
do dispositivo.

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3.2 Características
da Curva de
Transferência:

• Região de Corte: Neste

ponto, a tensão de porta
(VGS) é menor que a
tensão de corte (VP).
• O JFET está desligado, e a
corrente de dreno é
próxima a zero.

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3.2 Características
da Curva de
Transferência:

• Região Ativa: Na região

ativa, a tensão de porta é
maior que a tensão de
corte, mas não está no
ponto de saturação.
• O JFET está operando
como um amplificador de
tensão.

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3.2 Características
da Curva de
Transferência:

• Região de Saturação: Na
região de saturação, o
JFET está completamente
ligado, e a tensão de
porta é suficientemente
alta para maximizar a
corrente de dreno.
• Nesse ponto, o JFET age
como um curto-circuito.

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3.3 Importância
da Curva de
Transferência:
• A curva característica de
transferência é essencial
para projetar circuitos que
usam JFETs.
• Permite selecionar o ponto
de operação desejado,
controlando a amplificação e
o consumo de energia.
• Também é útil para garantir
que o JFET não opere fora de
seus limites especificados.

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 • Suponhamos que temos um JFET com VP = -4 V.
• Vamos criar uma curva característica de
transferência para este JFET variando VGS de -6 V
a 0 V.
• Podemos usar a equação de corrente do JFET

3.4 mencionada anteriormente para calcular a

corrente de dreno (ID) em vários pontos:

Exemplo:

19
3.4 Exemplo:

• Com esses valores, podemos criar uma

curva característica de transferência
que mostra a relação entre VGS e ID
para o JFET em questão.
• Isso nos permitirá selecionar o ponto
de operação desejado em nossos
circuitos.

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4. Folhas de Dados
(JFETs):
• Folhas de dados, também conhecidas como
datasheets, são documentos técnicos essenciais
para engenheiros e projetistas eletrônicos.
• Elas fornecem informações detalhadas sobre os
parâmetros e características de componentes
eletrônicos, como transistores JFET específicos.
• Vamos explorar a importância das folhas de dados
para JFETs e como esses documentos auxiliam nos
projetos.

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4.1 Conteúdo Típico de uma
Folha de Dados (Datasheet) de
JFET:

• Identificação do Dispositivo: A folha de dados começa

com informações de identificação do dispositivo, como
nome do fabricante, número da peça, e descrição
breve.
• Características Elétricas: Esta seção contém informações
sobre parâmetros elétricos, como VP (tensão de corte),
IDSS (corrente de dreno com a porta em curto-circuito),
etc.
• Curvas Características: Normalmente, a folha de dados
inclui gráficos que mostram as curvas características de
transferência, que relacionam VGS e ID, bem como
outras curvas relevantes.

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4.1 Conteúdo Típico de uma
Folha de Dados (Datasheet) de
JFET:

• Limites de Operação: Esta seção define os limites

operacionais seguros do dispositivo, como a máxima
tensão de porta (VGS), a máxima corrente de dreno
(ID), a temperatura de operação etc.
• Impedâncias e Ruído: Informações sobre a impedância
de entrada e saída, bem como níveis de ruído
associados ao dispositivo, podem estar presentes.
• Aplicações Típicas: A folha de dados pode conter
exemplos de aplicações típicas nas quais o JFET pode
ser usado, juntamente com circuitos de referência.

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4.2 Uso de Folhas de
Dados:
• Seleção de Componentes: As folhas de dados
ajudam os projetistas a selecionar o JFET
apropriado com base nos requisitos de sua
aplicação, como a faixa de tensão, corrente e
impedância desejada.
• Projeto de Circuitos: Os valores dos parâmetros
elétricos, gráficos e curvas fornecidos nas folhas de
dados são usados para projetar circuitos que
utilizam JFETs de forma eficaz.

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4.3 Exemplo:
• Suponha que você esteja projetando um
amplificador de áudio de baixo ruído e deseja
escolher um JFET adequado.
• Você encontra uma folha de dados de um JFET que
parece promissor.
• Na folha de dados, você encontra o seguinte:
• VP (Tensão de corte): -5 V
• IDSS (Corrente de dreno com a porta em curto-
circuito): 8 mA

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4.3 Exemplo:
• Curva característica de transferência que mostra
como a corrente de dreno varia com a tensão de
porta.
• Com base nessas informações, você pode
selecionar o JFET que atenda aos seus requisitos
de tensão e corrente, e usar a curva característica
de transferência para determinar o ponto de
operação ideal para o seu amplificador de áudio.

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5. Instrumentação:
• Os JFETs são amplamente utilizados em aplicações de
instrumentação devido às suas características de alta
impedância de entrada.
• A alta impedância de entrada de um JFET significa que
ele oferece pouca resistência à corrente que flui para a
porta, tornando-o ideal para medir sinais fracos sem
causar uma queda significativa de tensão.
• Vamos explorar o uso de JFETs na instrumentação,
incluindo fórmulas, cálculos e exemplos relevantes.

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5.1 Impedância de
Entrada de um JFET:
• A impedância de entrada de um JFET é uma medida de
sua resistência à corrente de entrada.
• É representada por uma grandeza chamada resistência
de entrada (Rin) e é geralmente expressa em ohms (Ω).
• A alta impedância de entrada de um JFET é vantajosa
em aplicações de instrumentação, pois permite medir
sinais de baixa amplitude sem afetar a integridade do
sinal.

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5.2 Equação da Impedância
de Entrada:
• A impedância de entrada de um JFET
pode ser calculada usando a seguinte
fórmula:

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5.3 Exemplo:

• Suponhamos que você esteja

projetando um voltímetro de alta
impedância para medir a tensão de
saída de um sensor de baixa amplitude.
• Para isso, você usa um JFET com uma
impedância de entrada de 109 ohms (1
GΩ) e a tensão de saída do sensor é de
100 mV.
• Vamos calcular a corrente de dreno
necessária para medir essa tensão sem
afetar significativamente o sensor.

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5.3 Exemplo:

100×10−3 𝑉
• 𝑖𝑑 = = 1 × 10−10 𝐴 = 100 𝑝𝐴
1×109 Ω
• Portanto, para medir a tensão de 100 mV com um JFET
de 1 GΩ de impedância de entrada, a corrente de dreno
deve ser de apenas 100 pA.
• Isso garante que a medição seja precisa e que o sensor
não seja sobrecarregado.

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6. Relações
Importantes:
• As relações importantes em
relação aos JFETs são
essenciais para entender o
comportamento e a operação
desses dispositivos.
• Uma das equações cruciais
envolve a corrente de dreno
(ID) em função da tensão de
porta (VGS).
• Vou explicar essa relação e
fornecer um exemplo prático.

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6.1 Equação de Corrente
de Dreno de um JFET:

• A equação de corrente de dreno em

função da tensão de porta (VGS) para
um JFET pode ser representada da
seguinte forma:

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 • Suponhamos que temos um JFET com os seguintes parâmetros:
6.2 Exemplo: IDSS = 8 mA e VP = -4 V. Agora, queremos calcular a corrente de
dreno (ID) para diferentes valores de VGS.
• Aqui, percebemos que VGS é menor do que VP, indicando que o
JFET está desligado. Portanto, a corrente de dreno é
praticamente zero.

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6.2 Exemplo:
• Esses exemplos demonstram como a equação de
corrente de dreno em função de VGS permite
calcular a corrente de dreno para diferentes
valores de tensão de porta, fornecendo
informações importantes sobre o
comportamento do JFET.

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7. MOSFET Tipo
Depleção:

• O MOSFET (Transistor de Efeito de Campo

Metal-Oxide-Semiconductor) de depleção é um
tipo de MOSFET que opera em modo de
depleção.
• Ele se diferencia do MOSFET de intensificação,
pois a tensão de porta controla a condutividade
do canal de maneira inversa.
• Vamos explorar as características e o
funcionamento do MOSFET de depleção.

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7.1 Construção do
MOSFET de Depleção:

• Um MOSFET de depleção é composto por uma

camada semicondutora (normalmente silício)
com um material isolante (óxido) na parte
superior.
• Ele possui uma porta (gate) isolada
eletricamente do canal semicondutor.
• A estrutura é semelhante à de um MOSFET de
intensificação, mas as características de
operação são diferentes.

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7.2 Funcionamento do MOSFET
de Depleção:

• No MOSFET de depleção, a tensão aplicada à

porta controla a condutividade do canal de
maneira inversa em relação ao MOSFET de
intensificação.
• Em outras palavras, quando a tensão de porta
(VGS) é zero ou negativa, o canal está em sua
máxima condutividade.
• Aumentando a tensão de porta torna o canal
menos condutivo e, eventualmente, pode
desligá-lo completamente.

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7.3 Região de Operação:

• O MOSFET de depleção pode operar em três regiões:

• Corte: Nesse estado, a tensão de porta é suficientemente
negativa, fazendo com que o canal esteja completamente
aberto e conduzindo corrente entre o dreno e a fonte.
• Região Ativa: À medida que a tensão de porta se torna
menos negativa, a condutividade do canal diminui,
controlando a corrente entre o dreno e a fonte.
• Saturação: Quando a tensão de porta é positiva, o canal
pode ser completamente desligado, resultando em uma
corrente de dreno muito próxima a zero.

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7.4 Equações Importantes:
• A relação entre a tensão de porta, a corrente de dreno e a resistência
do canal pode ser expressa através das seguintes equações:

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