TRANSÍSTOR

TRANSÍSTOR UNIPOLAR DE EFEITO DE CAMPO

(JFET)
 Introdução

 O transístor de junção bipolar (BJT) baseia-se

em dois tipos de cargas: eletrões livres e
lacunas. É por isso que ele é chamado de
bipolar: o prefixo bi significa “dois”. No
presente trabalho iremos abordar outro tipo
de transístor chamado de transístor de efeito
de campo (FET).
 Cont..

 Este tipo de dispositivo é unipolar porque

seu funcionamento depende apenas de um
tipo de carga, pode ser eletrões livres ou
lacunas. Em outras palavras, um FET tem
portadores majoritários, mas não tem
portadores minoritários
 Transistor Unipolar

 É um dispositivo de três
terminais, contendo uma junção
p-n básica podendo ser do tipo
de junção (JFET) podendo ser do
tipo metal-oxido-semicondutor.
ESTRUTURA FÍSICA DE UM FET
CANAL N
 Cont…

Onde:

 D- (drain) ou dreno: de onde os portadores majoritários saem;

 S – (source) ou fonte: é o terminal no qual portadores

majoritários entram;

 G – (gate) ou porta: são regiões fortemente dopadas em ambos

os lados do canal. Quando o canal é n e o gate é p.

 VDD- é a tensão aplicada entre o dreno e a fonte;

 VGG- é a tensão aplicada entre o gate (porta) e a fonte.

 Cont…
 VDS- é a tensão medida entre o dreno e a fonte.
 VGS- a tensão medida entre o gate (porta) e a fonte.
 Comparativamente a um transístor bipolar, podemos então

estabelecer as equivalências entre os terminais:

 D- (drain) = coletor
 S – (source)= emissor
 G – (gate) = base
 Através do canal, portanto, circulam os portadores

majoritários, da fonte (S) para o dreno (D).

SIMBOLOGIA PARA FETs DE
CANAL N E P
Vantagens
 Impedância de entrada elevadíssima: JFETs
unipolares têm uma alta impedância de entrada, o que
os torna ideais para aplicações em circuitos de entrada
de sinal de baixa potência, como amplificadores de
áudio e amplificadores de instrumentos musicais
 Menor consumo de energia: Comparados a outros
transistores, os JFETs unipolares geralmente
consomem menos energia, tornando-os eficientes em
termos de consumo de energia, o que é crucial em
aplicações de bateria ou em dispositivos alimentados
por energia limitada.
 Cont…
 Baixo ruído: Os JFETs unipolares são conhecidos por

terem baixo ruído, o que os torna adequados para

aplicações sensíveis a ruídos, como amplificação de
sinais de baixa amplitude em sistemas de comunicação.

 Estabilidade térmica: Eles tendem a ter uma boa

estabilidade térmica, o que significa que sua operação é

menos suscetível a variações de temperatura. Isso os
torna adequados para aplicações que exigem operação
em diferentes condições ambientais.
Efeito de campo

Efeito de Campo: Refere-se às camadas de

depleção formadas em torno das regiões p devido à
difusão dos elétrons livres da região n.
Tensões no FET: A tensão de alimentação no dreno
é positiva, enquanto a tensão de polarização da porta
é negativa.
Camadas de Depleção: São criadas devido à
recombinação de elétrons livres e lacunas,
resultando em áreas de depleção, mostradas por
regiões coloridas.
Polarização reversa da porta

“A porta tipo p e a fonte tipo n formam o díodo

porta-fonte”

Díodo porta-fonte em JFET possui polarização

reversa, resultando em corrente de porta (IG)
próxima a zero.

Isso indica uma resistência de entrada quase infinita,

de centenas de megaohms, em comparação com o
transistor bipolar.

Vantagem crucial do JFET: sua alta impedância de

entrada, ideal para aplicações exigindo tal
característica.
A tensão da porta controla a corrente de dreno
Tensão de entrada (VGS) controla a corrente de saída no
JFET, tornando-o um dispositivo de condução normal
quando VGS é zero.
Quando VGS é negativa suficiente, camadas de depleção
se encontram, interrompendo a corrente de dreno.
Eletrões no canal de depleção passam do dreno para a
fonte, com sua passagem controlada pela largura das
camadas de depleção, determinada pela tensão aplicada.
Camadas de depleção mais largas na parte superior do
material tipo p e mais estreitas na parte inferior devido à
variação da tensão ao longo do canal
 Cont…

Exemplo
Um JFET 2N5486 tem uma corrente de porta de 1 nA
quando a tensão reversa da porta é de 20 v. Qual é a
resistência de entrada deste JFET?

Solução

Usando a Lei de Ohm para calcular:

Curvas do dreno
Neste circuito, a tensão porta-fonte VGS é igual à
tensão de alimentação da porta VGG, e a tensão
dreno-fonte VDS é igual à tensão de alimentação do
dreno VDD.A imagem seguinte mostra um JFET com
tensões de polarizações normais.
 Corrente máxima de dreno
Se conectarmos a porta e o dreno em curto, como
mostrado na Figura anterior , obteremos a corrente de
dreno máxima porque VGS = 0. A imagem a seguir
mostra o gráfico da corrente de dreno ID versus tensão
dreno-fonte VDS para esta condição de porta em curto.
Note como a corrente aumenta rapidamente e depois
fica na horizontal quando VDS torna-se maior que VP.
 Por que a corrente de dreno permanece quase
constante?
Limites de Operação e IDSS em um JFET:

A expansão das camadas de depleção com o aumento de VDS restringe o canal

de condução, limitando a corrente ao valor máximo IDSS.

A região ativa do JFET está entre VP (tensão mínima de restringida) e

VDS(max) (tensão máxima de ruptura).

VDS = VP quase toca as camadas de depleção, restringindo o canal e

limitando a corrente.

IDSS é a corrente de dreno para a fonte com a porta em curto, indicando o

valor máximo de corrente que um JFET pode produzir.

O valor de IDSS é fundamental e deve ser priorizado ao consultar as folhas de

dados de um JFET, uma vez que representa o limite superior da corrente do
JFET.
 Região ôhmica
A tensão de estrangulamento separa as duas principais regiões do
JFET. A região quase horizontal é a região ativa. A parte quase
vertical da curva de dreno abaixo do estrangulamento é chamada
de região ôhmica. Quando operando na região ôhmica, um JFET
é equivalente a um resistor com um valor aproximado de:

RDS é chamada de resistência ôhmica do JFET. , VP = 4 V e I DSS = 10mA.

Portanto, a resistência ôhmica é:

Se o JFET estiver funcionando em qualquer parte da região ôhmica, ele tem

uma resistência ôhmica de 400 Ω.
 Tensão de corte da porta
A Figura a baixo mostra as curvas de dreno para um JFET com uma
IDSS de 10 mA. A curva de cima é sempre para VGS = 0, a condição de
porta em curto. Neste exemplo, a tensão de estrangulamento é de 4 V
e a tensão de ruptura é de 30 V. A curva imediatamente abaixo é para
VGS = –1 V, a próxima para VGS = –2 V, e assim por diante. Como
você pode notar, quanto mais negativa a tensão porta-fonte, menor a
corrente de dreno.
 Polarização na região ôhmica

O JFET pode ser polarizado na região ôhmica ou na

região ativa. Quando polarizado na região ôhmica, o JFET
é equivalente a uma resistência. Quando polarizado na
região ativa, o JFET é equivalente a uma fonte de
corrente. Nesta seção, vamos estudar a polarização da
porta, o método usado para polarizar um JFET na região
ôhmica.
 Polarização da porta

A Figura abaixo mostra a polarização da porta. A tensão negativa na porta

de –VGG é aplicada na porta por um resistor de polarização RG. Isso
estabelece uma corrente no dreno que é menor que I DSS.

Quando a corrente do dreno circula por RD, ela estabelece uma tensão no dreno de:

(4)

A polarização da porta é o pior modo de polarizar um JFET na região ativa porque o

ponto Q é muito instável.
 Saturação forte
Embora não seja adequada para uma polarização na região ativa, a
polarização da porta é perfeita para a polarização na região ôhmica, pois a
estabilidade do ponto Q não importa. A Figura abaixo mostra como
polarizar um JFET na região ôhmica. O ponto superior da reta de carga CC
tem uma corrente de saturação de dreno de:

Para garantir que um JFET seja polarizado na região ôhmica, tudo o que
precisamos fazer é estabelecer que VGS = 0
Cont…
 Polarização na Região Ativa:

A polarização precisa ser estabelecida na região ativa para JFET,

exigindo métodos de polarização diferentes devido à diversidade
nos parâmetros do JFET.

Para análises preliminares e verificação de defeitos, a utilização

de valores ideais e aproximações do circuito é comum, muitas
vezes com a exclusão dos valores de VGS.

As respostas ideais apresentam um erro menor que 10%,

enquanto soluções gráficas podem ser empregadas para obter
uma melhor aproximação do ponto Q do circuito.

Para projetos ou análises que demandem maior precisão, é

recomendado o uso de um simulador de circuito, como o
MultiSim.
MOSFET

Transístor de efeito de campo de oxido metálico(MOSFET) São

dispositivos controladores por tensão, pois um sinal positivo na porta
de um transístor do canal N, cria um campo elétrico que atrai eletrons
na região semicondutora , formando o canal de condução.
O MOSFET difere de um JFET, porém, no caso do MOSFET, a porta
é isolada do canal. Por isso, a corrente na porta é ainda menor que em
um JFET.
Existem dois tipos de MOSFET, o de modo de depleção e o de modo
de crescimento. O MOSFET modo de crescimento é mais usado nos
circuitos discretos e integrados.
 Cont…
Nos circuitos discretos, a principal aplicação é em
chaveamentos de potência, que significa a
condução e o corte de correntes mais altas. Nos
circuitos integrados, a principal ligação é no
chaveamento digital, o processo básico por trás
dos modernos computadores. Embora seu uso
tenha diminuído, os MOSFETs no modo de
depleção ainda são muito encontrados no estágio
inicial dos circuitos de comunicação como os
amplificadores de RF.
Simbologia do MOSFET
MOSFET no modo de depleção

MOSFET no modo de depleção, uma pastilha de material n

com uma porta isolada no lado esquerdo e uma região p no
lado direito. A região p é chamada de substrato. Os elétrons
que circulam da fonte para o dreno passam pelo estreito canal
entre a porta e o substrato p.
 Cont…
A Figura abaixo mostra um MOSFET no modo de depleção
com uma tensão na porta negativa. A fonte VDD força os
elétrons livres a circular da fonte para o dreno. Esses eletrões
circulam pelo estreito canal do lado esquerdo do substrato p.
Como no caso do JFET, a tensão na porta controla a corrente
no dreno. Quando a tensão é suficientemente negativa, a
corrente no dreno é cortada. Portanto, o funcionamento de um
MOSFET no modo de depleção é similar ao de um JFET
quando VGS é negativa.A tensão positiva na porta aumenta o
número de elétrons livres que circulam pelo canal. Quanto
mais positiva a tensão na porta, maior a condução da fonte
para o dreno
Cont…
 Vantagens
 Eficiência energética: Baixo consumo de energia em modo de espera e
alta eficiência em aplicações de comutação, resultando em economia de
energia.

 Velocidade de comutação: Alta velocidade de comutação e resposta

rápida a sinais de entrada, permitindo operação eficiente em circuitos
de comutação de alta frequência.

 Menor aquecimento: Gera menos calor durante a operação, o que reduz

a necessidade de sistemas de resfriamento complexos, aumentando a
confiabilidade e a vida útil do dispositivo.

 Controle de tensão: Facilidade no controle da tensão devido à alta

impedância de entrada, resultando em melhor adaptação a circuitos de
controle e acionamento.
 Desvantagens
 Sensibilidade a sobretensões: Pode ser sensível a sobretensões
e a descargas eletrostáticas, requerendo proteção adicional
para evitar danos.
 Complexidade de condução em altas correntes: Para
aplicações que exigem altas correntes, podem ser necessários
circuitos de acionamento complexos e dissipadores de calor
robustos, o que pode aumentar os custos e a complexidade do
sistema.
 Sensibilidade à radiação: Pode ser sensível a certos tipos de
radiação, o que pode afetar sua confiabilidade em ambientes
específicos, como aplicações espaciais ou nucleares.
 Conclusão

Chegado a este momento apos realizamos o presente trabalho concluímos que:

os FETS possuem algumas vantagens em relação aos transístores bipolares tais
como:

Impedância de entrada elevadíssima, relativamente imune a radiação; produz

menos ruido e possui melhor estabilidade térmica.

O JFET pode ser polarizado na região ôhmica ou na região ativa. Quando

polarizado na região ôhmica, o JFET é equivalente a uma resistência.

O MOSFET tem como a principal aplicação é em chaveamentos de potência,

que significa a condução e o corte de correntes mais altas. Nos circuitos
integrados, a principal ligação é no chaveamento digital, o processo básico por
trás dos modernos computadores.