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Transistores JFET

1. TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO – JFET

O transistor de efeito de campo de junção, cuja abreviação é JFET ( Junction Field-Effect Transistor) é
um dispositivo de três terminais, utilizado em várias aplicações, tais como: pré amplificadores de vídeo,
estágios amplificadores de RF em receptores de comunicações, instrumentos de medição, etc. Este
transistor realiza muitas das funções do TBJ, porém, algumas diferenças existem entre ambos.
A diferença fundamental entre os dois tipos de transistores é o fato que o TBJ é controlado por
corrente, enquanto que o JFET é controlado por tensão. Sabemos que, a corrente de coletor do TBJ é
função direta da corrente de base, já para o JFET, a corrente de dreno (drain) I D é função direta da
tensão entre porta (gate) e fonte (source) V GS (tensão entre gate-source) aplicada ao circuito de
entrada. Note que em ambos os casos a corrente de saída está sendo controlada por algum parâmetro
de circuito de entrada, no caso do TBJ o nível de corrente de base, no JFET, a tensão entre porta e
fonte.

Figura 1: Tipos de controle para

TBJ e JFET.
No TBJ, temos transistores do tipo PNP e NPN, já para os JFET, temos transistores de canal N e canal P.
Entretanto, é necessário observar que o TBJ é um dispositivo bipolar (cuja condução é feita por lacunas
e elétrons ao mesmo tempo) enquanto que o JFET é um dispositivo unipolar, dependendo somente da
condução realizada por elétrons (no caso do canal N) ou lacunas (no canal P).
O JFET apresenta uma ata impedância de entrada (maior que 1 MΩ), o que é bastante interessante para
projeto de amplificadores lineares (com baixa distorção). Por outro lado, o TBJ apresenta maior
sensibilidade às variações do sinal aplicado. Em outras palavras as variações de corrente de saída são
tipicamente maiores para o TBJ do que para FETs, para uma mesma variação de sinal de entrada, por
isso que os ganhos de tensão dos amplificadores adquiridos com TBJ são superiores aos ganhos de
tensão adquiridos com a utilização dos amplificadores com FETs. Em geral os FETs são mais estáveis
com relação a temperatura do que os TBJs.

2. CONSTRUÇÃO E OPERAÇÃO DO JFET

O primeiro FET desenvolvido foi o de junção (Junction Fiel-Effect Transistor), em dois tipos: Canal N e
Canal P.
Sua estrutura consiste em uma barra de material semicondutor N (ou P) envolvida no centro com
material P (ou N). A região N (ou P) é chamada de canal por influir na corrente controlada. Observe que
a maior parte da estrutura é composta do material do tipo n, formando o canal entre as camadas
imersas de material do tipo p. A parte superior do canal do tipo n está conectada por contatos
ôhmicos ao terminal denominado Dreno (Drain), enquanto que a parte inferior do mesmo material

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 2

está conectado ao terminal denominado Fonte (Source). Os dois materiais tipo P são ligados entre si e
ao terminal Porta (Gate).

Figura 2: Representação
esquemática do JFET
Resumindo

O dreno e a fonte estão conectados aos extremos do canal n e a porta às duas camadas do material
tipo p. Assim, deverá haver um fluxo de elétrons da Fonte (S) para o Dreno (D), onde este por sua vez
através de um potencial aplicado, deverá ser controlado pela Porta (G).

Para que a condição acima seja satisfeita, devemos fazer a seguinte análise:

VGS = 0 V; VDS > 0 V.

Aplicando-se uma tensão positiva VDS através do canal, e conectando-se a porta diretamente a fonte,
estabelece-se a condição VGS =0 V, obtém-se a porta e a fonte no mesmo potencial.

Figura 3: Circuito de
polarização do JFET.
No instante em que uma tensão V DD = VDS é aplicada, os elétrons fluem para o terminal de dreno,
estabelecendo uma corrente (com sentido convencional) de dreno (I D), com o sentido definido pela
figura. O caminho do fluxo de cargas mostra claramente que as correntes de dreno e de fonte são
iguais (ID = IS).
É importante observar que a região de depleção é mais larga na parte superior, em ambos os materiais
do tipo p. Este fato é observado pelo fato de ter-se a região superior do material tipo p reversamente
polarizado, e a região inferior do material tipo p encontra-se diretamente polarizado. (A polarização
reversa aumenta a camada de depleção, enquanto a polarização direta diminui essa região).

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 3

Conforme a tensão VDS tende a aumentar de 0 para alguns volts, a corrente aumenta como previsto
pela lei de Ohm, quando V DS atingir um determinado valor definido por VP (Tensão de Pinch-off), as
regiões de depleção tendem a se alargar, provocando uma redução na largura do canal, acarretando
em um aumento na resistência do canal.

VP é a tensão a qual resulta no estrangulamento do canal, tensão esta importa por VDS

Para valores de VDS a um nível onde as duas regiões de depleção tendem a se tocar, resulta na
condição de pinch-off (tensão de estrangulamento), tensão V DS esta que estabelece o estrangulamento
do canal, denotado por VP. Na verdade o termo pinch-off é inapropriado, pois ele sugere que a
corrente cai a zero, pois ID mantém um nível de saturação definido por I DSS, onde na verdade ainda
existe um canal muito estreito, com uma corrente de altíssima densidade.

Figura 4: Estreitamento
do canal pelo aumento da
tensão VDS.
O fato da corrente de dreno (I D) não ser cortada e manter o nível de saturação é verificado pelo
seguinte: a ausência de uma corrente de dreno impossibilitaria a existência de diferentes níveis de
potencial através do canal n, e não estabeleceria os níveis de tensão reversos ao longo da junção p-n.

Figura 5: Variação dos potenciais

reversos de polarização através da
junção p-n de um JFET canal N.
A medida que a tensão VDS tende a aumentar além do nível V P, a região de confronto entre as duas
regiões de depleção aumenta em comprimento ao longo do canal, mais o nível de corrente I D

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 4

permanece essencialmente o mesmo. Em resumo, portanto, uma vez estabelecido V DS > VP, o JFET
apresenta as características de uma fonte de corrente. Portanto a corrente permanece constante em I D
= IDSS, mais a tensão VDS (para níveis > VP) será determinada pela carga empregada.

IDSS é a corrente máxima de dreno para um JFET, e é definido pela condição V GS = 0 V e VDS > VP.

Figura 6: ID versus VDS para VGS = 0

V.
VGS < 0 V

A tensão da porta para a fonte, denotada por V GS, é a tensão controladora do JFET . Para o dispositivo
de canal n, a tensão controladora V GS é feita cada vez mais negativa, a partir de V GS = 0 V. Ou seja, o
terminal de porta estará cada vez mais em potenciais menores comparado a fonte.
A polarização negativa estabelece regiões de depleção semelhantes aquelas obtidas com V GS = 0, mas
com níveis menores de VDS. Portanto, o resultado da aplicação de uma fonte negativa na porta é
alcançar a condição de saturação em níveis menores de tensão V DS. Quanto mais negativos forem os
valores da fonte VGS, maior o estrangulamento do canal.

O nível de VGS que resulta em ID = 0 mA é definido por VGS = VP, com VP sendo uma tensão negativa
para dispositivos de canal n, e uma tensão positiva para JFETs de canal p.

Note que obtêm-se diferentes valores de ID para diferentes valores de VGS.

Note que em torno de um canal forma-se uma região de potencial na junção PN. Esta barreira
restringe a área de condução de canal ao outro.

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Simbologia do JFET

Na figura 7 são mostrados os símbolos gráficos para os JFETs de canal n e de canal p. Note que a seta
aponta para dentro no dispositivo de canal n da figura 7, indicando o sentido em que a corrente I G
fluiria se a junção p-n fosse polarizada diretamente. Para o dispositivo canal p, a única diferença no
símbolo é o sentido da seta.

Figura 7: Simbologia para o JFET canal n e

canal p respectivamente.

3. CONDIÇÕES DE OPERAÇÃO DO JFET

Resumindo, tem-se abaixo as três condições de operação do JFET:

1. Para VGS = 0 V e VDD ≥ VP → ID = IDSS

2. Para VGG ≥ VP e VDD = const. → ID = 0 A

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3. Para VP ≥ VGG ≥ 0 V e VDD = const. → 0mA ≤ ID ≤ IDSS

4. CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA DO JFET

A curva de transcondutância de um JFET é um gráfico que relaciona a corrente de dreno (I D) versus a

tensão de porta-fonte (VGS). A Curva será a mesma para qualquer tipo de JFET, apenas mudam os níveis
de dopagem, as regiões dopadas, etc. Por isso, todos os JFETs tem uma curva de transcondutância cujo
gráfico de baseia na equação Shockley.

( )
2
V
I D =I DSS 1− GS (1-1)
VP

Com esta equação, podemos calcular a corrente de dreno (I D), dada a corrente de dreno máxima (I DSS),
a tensão de porta-fonte (VGS) e a tensão de pinch-off (V P), onde IDSS e VP são constantes encontradas
nas folhas de dados (datasheet) dos transistores JFET.
A curva pode ser útil para aproximações rápidas, note que a corrente de dreno I D máxima é 10 mA e a
tensão de corte porta fonte é de -4 V (pode ser vista na figura abaixo).

Figura 8: Curva de
transcondutância para um
JFET.
Se na equação 1-1 fizermos a parcela que está entre parênteses igual a K, temos:
I D =I DSS K (1-2)

Assim, tendo o valor K, podemos determinar rapidamente o valor da corrente de dreno.

Os valores de IDSS e VP são normalmente fornecidos pelos fabricantes de JFETs, já o valor de I D pode ser
determinado para qualquer nível de VGS.

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EXEMPLO 1 Supondo que um JFET tenha uma I DSS = 7 mA e V P = -3V. Calcule a corrente de dreno para
uma tensão porta-fonte de -1 V.

Solução
Aplicando a equação 1-1, temos:

( )
2
V GS
I D =I DSS 1−
VP

( )
2
−1 V
I D =7 mA 1−
−3 V

I D =3,12mA

5. ANÁLISE DE CIRCUITOS COM JFET

Para fazer uma análise de circuitos empregando transistores JFET, podemos chegar as seguintes
relações com relação ao TBJ.

TBJ JFET
E ↔ S
B ↔ G
C ↔ D
IC = βIB ↔ ID = KIDSS
IC ≈ IE ↔ ID = IS
VBE = 0,7 V ↔ IG = 0 A

EXEMPLO 2 Na figura abaixo, qual a tensão de dreno-fonte (VDS) quando VGS é zero.

Solução
Quando temos a tensão VDS = 0 V, a tensão entre porta-fonte VGS é igual à tensão de pinch-off,
portanto:

VGS = -4V.

6. FOLHA DE DADOS (DATASHEET) DE UM JFET

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Abaixo, mostraremos uma folha de dados para um dado modelo de JFET com suas curvas e dados
característicos.

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7.
POLARIZAÇÃO DO JFET

7.1. Configuração de Polarização Fixa

A forma mais simples de polarizar um JFET é definido pela configuração de polarização fixa, porém é o
menos eficiente, devido ao fato de que o ponto quiescente (ponto de operação) varia em função de
IDSS e VP, que por sua vez variam com a temperatura.

Figura 9: Configuração de
polarização fixa JFET.

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 10

A configuração apresentada inclui os níveis AC V i e Vo mais os capacitores de acoplamento. No caso, os

capacitores de acoplamento podem ser considerados como circuitos abertos em CC e curto-circuitos
em CA. O resistor RG é utilizado para assegurar que V i apareça na entrada do amplificador FET na
análise CA.
Com IG = 0 A, a tensão sobre o resistor de porta (VRG = IGRG) será igual a zero.
A queda de tensão através de R G permite substituir RG por um curto circuito equivalente,
especialmente desenhado para a análise CC.

Figura 10:
Equivalente CC
para polarização
fixa.

Como o terminal negativo da bateria está conectado na porta, pode-se concluir que a polaridade de
VGS é oposta a VGG. Aplicando-se LKT (Lei das tensões de kirchoff) na malha, no sentido horário, resulta
em:
−V G G−V GS=0 (1-3)

Assim:
V GS=−V G G (1-4)
Uma vez que VGG é uma fonte constante, a tensão VGS é fixa, onde surge a conotação de polarização
fixa.
O nível resultante de corrente de dreno ID poderá então ser definido pela equação 1-1 (equação de
Shockley).

( )
2
V GS
I D =I DSS 1− (1-1)
VP
Observe pela curva de transcondutância mostrada na figura a seguir, fazendo V GS = VP/2 a corrente de
dreno fica igual a IDSS/4.

Prof. Wagner Menezes Figura 11: Curva de JFET

Transcondutância.
 11

Note na reta horizontal VGS = -VGG;

Portanto, o nível da corrente de dreno deve ser determinado sobre esta reta. O ponto onde as duas
curvas se interceptam é a solução para a configuração, denominado de ponto de operação (ou
quiescente) Q. Observe que o nível quiescente da corrente de dreno (I D) é determinado desenhando-se
uma linha horizontal do ponto Q até o eixo vertical de ID.

Figura 12: Encontrando o ponto Q

na curva de transcondutância.

A tensão dreno-fonte (VDS) do circuito pode ser determinada aplicando-se a LKT, assim, temos:
V DS =V DD −I D R D (1-5)
Como não há uma resistência de fonte, teremos VS = 0, logo, teremos que:
V DS =V D −V S
Assim:
V D =V DS (1-6)
Além disso, podemos deduzir que
V GS=V G −V S
Assim:
V G=V GS (1-7)

EXEMPLO 3 Determine as seguintes variáveis para o circuito:

a) VGSQ
b) IDQ
c) VDS
d) VD
e) VG
f) VS

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 12

Solução

a) Para encontrar a tensão porta-fonte no ponto de operação, temos que

V GSQ=−V G G =−2 V

b) A corrente de dreno quiescente, pode ser obtido pela equação 1-1 (Shockley), assim

( )
2
V GS
I D =I DSS 1−
Q
VP

( )
2
−2V
I D =10 mA 1−
Q
−8V

I D =5,625 mA
Q

c) Aplicando a equação 1-5, temos

V DS =V DD −I D R D

V DS =16 V −(5,625 mA)(2000 Ω)

V DS =16 V −11,25 V =4,75 V

d) Para encontrar a tensão de Dreno (drain) em relação a terra, temos:

V D =V DS=4,75 V

e) Para encontrar a tensão de Porta (gate) em relação a terra, temos:

V G=V GS =−2V
f) Para encontrar a tensão de Fonte (source) em relação a terra, sabemos que a fonte está diretamente
ligado ao potencial de terra, sendo assim:
V S =0 V

Podemos usar o método gráfico para obter os valores de V GSQ e IDQ. Vamos portanto, refazer o exemplo
anterior com o método gráfico.
Na figura 13 a curva resultante da equação de Shockley e a reta vertical em VGS = -2 V são fornecidas.

Figura 13: Solução gráfica para o

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Exemplo 3. JFET
 13

Pelo gráfico, traçando uma reta a partir da tensão VGS = -2V (que é a tensão porta-fonte quiescente, ou
seja VGSQ), podemos encontrar a partir do ponto Q traçando uma reta na horizontal, a corrente de
dreno quiescente IDQ.
Portanto:
a) V GSQ=−V G G

V GSQ=−2 V
b) IDQ = 5,6 mA

c) Aplicando a equação 1-5, temos

V DS =V DD −I D R D

V DS =16 V −(5,6 mA)( 2000Ω)

V DS =16 V −11,20 V =4,80 V

d) Para encontrar a tensão de Dreno (drain) em relação a terra, temos:

V D =V DS=4,80 V

e) Para encontrar a tensão de Porta (gate) em relação a terra, temos:

V G=V GS =−2V
f) Para encontrar a tensão de Fonte (source) em relação a terra, sabemos que a fonte está diretamente
ligado ao potencial de terra, sendo assim:
V S =0 V

Podemos observar que o método matemático e o método gráfico se aproximam bastante, em nossas
análises utilizaremos o método gráfico para facilitar as análises.

7.2. Configuração com Autopolarização

Essa configuração dispensa a necessidade de duas fontes CC, a tensão de controle porta-fonte é
determinada pela tensão através do resistor RS colocando no terminal de fonte do JFET.

Figura 14: Configuração do JFET

com autopolarização.
Novamente, para uma análise CC, consideraremos os capacitores como circuitos abertos, e o resistor
RG como um curto circuito, pois a corrente IG será 0, o circuito resultante é visto na figura 15.

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A corrente através do resistor de fonte RS é a corrente de fonte IS, e IS = ID. A tensão sobre o resistor RS
(VRS) será dada pela equação

V RS =I D RS (1-8)
Analisando a malha fechada da figura 15, utilizando LKT vemos que
−V GS−V RS=0
Assim,
V GS=−V RS (1-9)
Ou
V GS=−I S RS (1-10)

Figura 15: Análise CC

da configuração com
autopolarização.
Vemos que, nesse caso, VGS é uma função da corrente de saída ID e não tem mais amplitude constante
como ocorria na configuração por polarização fixa.

Se substituirmos o equivalente a VGS para uma configuração com autopolarização na equação 1-1
(equação de Shockley), temos

( )
2
V GS
I D =I DSS 1− (1-1)
VP
Como na configuração por autopolarização VGS = IDRS, a equação de shockley pode ser reescrita como

( )
2
(−I D R S )
I D =I DSS 1− (1-11)
VP
Ou

( )
2
I D RS
I D =I DSS 1+ (1-12)
VP
Se desenvolvermos a equação quadrática 1-12 e reorganizarmos os termos, podemos obter uma nova
equação, assim
I 2D + K 1 I D + K 2=0 (1-13)
Resolvendo essa equação de segundo grau, obteremos o valor da corrente de dreno (ID).

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 15

O mais comum é se utilizar do método gráfico para facilitar a análise e encontrar os valores de I D e VGS,
para isso, primeiro precisamos estabelecer a curva de transferência do dispositivo, como a curva que é
ilustrada na figura 11.
Visto que a equação 1-10 define uma linha reta no mesmo gráfico, identifiquemos dois pontos que
estejam na linha e traçamos uma reta entre eles. A condição mais obvia de ser aplicada é I D = 0 A, pois
naturalmente com essa corrente teríamos V GS = 0 V. Assim, um ponto da reta é definido por I D = 0 e VGS
= 0 (ponto x=0, y=0 no gráfio), o que é ilustrado pela figura 11.
O segundo ponto obtido pela equação 1-10, requer que seja selecionado um valor de V GS ou de ID e
que o valor correspondente da outra variável seja encontrado pela mesma equação, assim, os valores
resultantes de ID e VGS serão o outro ponto da reta e permitirão o seu traçado.
Resumidamente:
I D =I DSS /2 (1-14)

Assim,
I DSS R S
V GS=−I D R S= (1-15)
2
Vemos que, nesse caso, VGS é uma função da corrente de saída ID e não tem mais amplitude constante
como ocorria na configuração por polarização fixa.

Se substituirmos o equivalente a VGS para uma configuração com autopolarização na equação 1-1
(equação de Shockley), temos

( )
2
V GS
I D =I DSS 1− (1-1)
VP
Como na configuração por autopolarização VGS = IDRS, a equação de shockley pode ser reescrita como

( )
2
(−I D R S )
I D =I DSS 1− (1-11)
VP
Ou

( )
2
I R
I D =I DSS 1+ D S (1-12)
VP
Se desenvolvermos a equação quadrática 1-12 e reorganizarmos os termos, podemos obter uma nova
equação, assim
I 2D + K 1 I D + K 2=0 (1-13)
Resolvendo essa equação de segundo grau, obteremos o valor da corrente de dreno (ID).
O mais comum é se utilizar do método gráfico para facilitar a análise e encontrar os valores de I D e VGS,
para isso, primeiro precisamos estabelecer a curva de transferência do dispositivo, como a curva que é
ilustrada na figura 16
Visto que a equação 1-10 define uma linha reta no mesmo gráfico, identifiquemos dois pontos que
estejam na linha e traçamos uma reta entre eles. A condição mais obvia de ser aplicada é I D = 0 A, pois
naturalmente com essa corrente teríamos V GS = 0 V. Assim, um ponto da reta é definido por I D = 0 e VGS
= 0 (ponto x=0, y=0 no gráfio), o que é ilustrado pela figura 16.
O segundo ponto obtido pela equação 1-10, requer que seja selecionado um valor de V GS ou de ID e
que o valor correspondente da outra variável seja encontrado pela mesma equação, assim, os valores
resultantes de ID e VGS serão o outro ponto da reta e permitirão o seu traçado.
Resumidamente:
I D =I DSS /2 (1-14)

Assim,

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 16

I DSS R S
V GS=−I D R S= (1-15)
2

Figura 16: Definição de um ponto na reta com

autopolarização.

O resultado dessa equação é o segundo ponto da reta e é mostrada na figura 17. A linha reta definida
pela equação 1-10 é traçada e o ponto de operação (quiescente) é encontrado e podemos encontrar
outros parâmetros que nos interessam.

Figura 17: Encontrando a reta de

autopolarização.
Se aplicarmos a LKT ao circuito de autopolarização, podemos determinar a tensão entre dreno-fonte
(VDS).
V DS =V DD −I D ( R S + R D ) (1-16)
E ainda:
V S =I D RS (1-17)

V G=0V (1-18)

V D =V DS+ V S =V DD −V RD (1-19)

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 17

Figura 18: Circuito

equivalente CC para a
configuração em
autopolarização.
EXEMPLO 4 Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo:

a) VGSQ
b) IDQ
c) VDS
d) VS
e) VG
f) VD

Solução
a) Podemos calcular a tensão porta-fonte através da equação 1-10, assim
V GS=−I D R S
Vamos escolher uma corrente de dreno de 4mA (observe que a máxima corrente de dreno é de 8 mA,
escolhemos naturalmente um valor entre 0 e a máxima corrente de dreno possível para nos
localizarmos em algum ponto da curva).
Com ID = 4mA, temos
V GS=−(4 mA)(1000 Ω)=−4 V
O resultado é mostrado no gráfico abaixo

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 18

Se por acaso, tivéssemos escolhido ID = 8 mA, o valor da tensão VGS seria de -8V, como pode ser visto
no mesmo gráfico, a reta seria a mesma, o que demonstra que qualquer valor apropriado de corrente
de dreno pode ser escolhido se empregarmos o valor correspondente da tensão porta-fonte
determinado pela equação 1-10.
Ademais, o valor de VGS poderia ter sido escolhido e o valor de I D poderia ter sido encontrado
graficamente, pois na equação de Shockley, se escolhermos V GS = VP/2 = -3V, encontraremos ID = IDSS/4
= 8 mA/4 = 2 mA, que resulta no gráfico da figura abaixo.

Esse gráfico representa as características do dispositivo.

Sobrepondo a curva característica do circuito dado no exemplo com a curva característica do
dispositivo e determinando o ponto de interseção entre ambas encontraremos o ponto de operação,
conforme ilustrado abaixo

A partir do ponto quiescente

poderemos encontrar que esse ponto produz um valor quiescente de tensão porta-fonte (V GSQ) de -2,6
V.
V GSQ=−2,6 V
b) Agora, fica fácil encontrar a corrente de dreno quiescente (I DQ), bastando traçar uma reta partindo
do ponto Q até tocar o eixo ID e teremos IDQ = 2,6 mA.
I DQ=2,6 mA
c) Para determinar a tensão dreno-fonte, basta aplicar a equação 1-16, assim
V DS =V DD −I D (R S + R D )

V DS =20 V −(2,6 mA)(1000 Ω+3300 Ω)

V DS =20 V −11,18 v=8,82 V

d) A tensão entre fonte e terra VS pode ser obtida pela equação 1-17, temos

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 19

V S =I D RS

V S =(2,6 mA )(1000 Ω)=2,6 V

e) Sabemos pela equação (e observando o circuito) que a tensão de porta (gate) visto que a mesma
está diretamente no potencial de terra, esta é igual a zero.
V G=0V
f) Para determinar a tensão entre dreno e terra (VD), aplicamos a equação 1-19, assim
V D =V DD−V RD

V D =20 V −(2,6 mA )(3300Ω)=11,42 V

7.3. Configuração por Divisor de Tensão

Podemos utilizar a mesma configuração por divisor de tensão aplicada aos TBJ também aos JFETs,
como pode ser visto na figura 19.

Figura 19: Polarização por Divisor

de Tensão.
A estrutura será exatamente a mesma para o TBJ, porém a análise CC é bem diferente. Para os
amplificadores com FET, a corrente de porta I G é igual a zero, lembremos que a corrente de base (I B) é o
elo entre os circuitos de entrada e saída na configuração do TBJ por divisor de tensão, e no caso do
JFET VGS faz esse mesmo papel.
Podemos redesenhar o circuito da figura 19 para uma análise CC. Aqui, novamente substituímos os
capacitores do circuito por circuitos abertos, inclusive o capacitor de desvio C S.
A fonte VDD foi separada e duas fontes equivalentes para permitir a distinção entre a entrada e a saída
do circuito. Como IG = 0 A, a LKT nos permite afirmar que I R1 = IR2 (circuito série). O circuito série
equivalente da figura 20a, pode ser utilizado para determinar o valor de tensão de porta (V G). Podemos
determinar a mesma pela regra do divisor de tensão, assim

R2 V DD
V G= (1-20)
R 1+ R 2
Aplicando LKT no sentido horário da malha da figura 20, temos
V GS=V G −I D RS (1-21)
Aqui nós temos uma equação que inclui as mesmas duas variáveis da equação 1-1 (Shockley): V GS e ID.
As quantidades VG e RS são fixas pela configuração do circuito. A equação 1-21 ainda é a equação de
uma reta, mais a origem não está mais contida nela, demostraremos isso a seguir.

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 20

Figura 20: Circuito por divisor de

tensão redesenhado para análise CC.
Já que são necessários dois pontos para definir uma reta, utilizemos o fato de que em qualquer ponto
no eixo horizontal da figura abaixo a corrente de dreno (I D) é igual a zero (I D = 0 mA), assim, ao
selecionarmos ID = 0 mA, declaramos essencialmente que estamos em algum ponto do eixo horizontal.
A posição exata pode ser facilmente determinada apenas substituindo I D = 0 mA na equação 1-21 e
calculando o valor resultante de VGS, conforme:
V GS=V G −I D RS

V GS=V G −(0 mA ) RS
Assim,
V GS=V G∣I D =0 mA (1-22)
A equação quer dizer que, sempre que traçarmos o gráfico da equação 1-22, se escolhermos I D = 0 mA,
o valor de VGS para o gráfico, será VG volts. O ponto que acabamos de determinar é mostrado na figura
abaixo.

Figura 21: Esboço da equação do circuito para

uma configuração em divisor de tensão.
Como em qualquer parte do eixo vertical VGS = 0 V, podemos calcular a corrente ID, assim:
VG
I D= ∣V =0 V (1-23)
R S GS
A equação nos diz que, sempre que traçarmos o gráfico da equação 1-21 com V GS = 0 V, o valor da
corrente ID será determinado pela equação 1-23, que é mostrada na figura 21. Esses dois pontos
definidos anteriormente permitem o traçado de uma linha reta para representar a equação 1-21, a

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 21

interseção da linha reta com a curva de transferência na região a esquerda do eixo vertical define o
ponto de operação (quiescente) e os valores de ID e VGS quiescentes.
Como a interseção no eixo vertical é determinada por I D = VG/RS, e visto que VG é fixo devido ao circuito
de entrada, vemos que valores maiores de RS diminuirão a corrente de dreno (ID).

Figura 22: Efeito do aumento de RS sobre o

ponto quiescente Q.
Após termos determinado a corrente de dreno quiescente (I DQ) e a tensão porta-fonte quiescente
(VGSQ), o restante da análise pode ser feito utilizando as equações:

V DS =V DD −I D ( R D + R S ) (1-24)

V D =V DD−I D R D (1-25)

V S =I D RS (1-26)

V DD
I R 1=I R 2 = (1-27)
R 1 + R2
EXEMPLO 5 Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo:

a) IDQ e VGSQ
b) VD
c) VS
d) VDS
e) VDG

Solução
a) Para a curva de transferência, se ID = IDSS/4
I DSS 8 mA
I D= = =2 mA
4 4
Assim, VGS = VP/2, temos
V P −4 V
V GS= = =−2V
2 2

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 22

A curva resultante da equação de Shockley é mostrada abaixo

A equação do circuito é definida por

R2 V DD
V G=
R 1+ R 2

(270.000 Ω)(16 V )
V G= =1,82 V
( 2.100.000 Ω)(270.000 Ω)

Para determinar VGS, temos que

V GS=V G −I D RS
Para uma corrente de dreno de zero miliamperes (ID = 0 mA), temos

V GS=V G −(0 mA ) RS

V GS=V G

V GS=+1,82 V

Quando VGS = 0 V, podemos determinar a corrente de dreno como

VG
I D=
RS

1,82 V
I D= =1,21 mA
1500 Ω

Traçando a reta de polarização resultante mostrada acima, temos que a corrente de dreno quiescente
(IDQ) e a tensão porta-fonte quiescente, são:

I DQ=2,4 mA

V GSQ=−1,8 V

b) Para determinar a tensão entre dreno e terra VD, utilizamos a equação 1-25, assim

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 23

V D =V DD−I D R D

V D =16 V −(2,4 mA )(2400 Ω)=10,24 V

c) A tensão de fonte a terra, é obtida a partir da equação 1-26, temos

V S =I D RS

V S =(2,4 mA)(1500 Ω)=3,6 V

d) A tensão entre dreno-fonte é dada pela equação 1-24, assim

V DS =V DD −I D (R D + R S )

V DS =16 V −(2,4 mA )(2400 Ω+1500Ω)=6,64 V

Sabemos também que, VDS = VD – VS (Ou seja, é de fato a diferença entre os potenciais de dreno e de
fonte), desta forma, podemo calcular esse valor também através de tal relação.

V DS =V D −V S

V DS =10,24 V −3,6 V =6,64 V

e) A tensão entre dreno e porta, pode ser obtido através do mesmo raciocínio anterior, assim

V DG =V D−V G

V DG =10,24−1,82=8,42 V

Porém, esse é um dado que raramente é pedido.

7.4. Configuração Porta-Comum (Common-gate)

Nessa configuração o terminal de porta (gate) está ligado a terra, o sinal de entrada é usualmente
aplicado ao terminal de fonte (source) e o sinal de saída é obtido do dreno (drain), conforme ilustração
da figura 23.
Fazendo o equivalente CC para esse circuito podemos obter a equação do circuito e aplicando LKT no
sentido indicado na figura 24, teremos:
V GS=V SS−I D RS (1-28)

Figura 23: Duas versões da configuração em porta comum.

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 24

Figura 24: Equivalente CC

para levantamento da
equação do circuito.
V GS=V SS∣I D =0 mA (1-29)

Na condição onde VGS = 0 V, a equação 1-28 resulta em

V SS
I D= ∣V =0 V (1-30)
RS GS
A reta de carga resultante aparece na figura 25 em interseção com a curva de transferência para o JFET.

Figura 25: Determinação do ponto de

operação para o circuito em porta
comum.
A interseção definirá a corrente de operação quiescente (I DQ) e a tensão de operação quiescente (VDQ)
para essa configuração.
Aplicando LKT a malha que tem duas fontes, o JFET e os resistores RD e RS resultará em:
V DS =V DD + V SS−I D (R D + RS ) (1-31)
Com
V D =V DD−I D R D (1-32)
E

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 25

V S =−V SS + I D R S (1-33)
EXEMPLO 6 Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo:

a) VGSQ
b) IDQ
c) VD
d) VG
e) VS
f) VDS

Solução
Apesar da tensão VSS não está presente nessa configuração, as equações derivadas anteriormente
podem ser usadas simplesmente substituindo VSS = 0 V em cada equação que ele aparecer.
a) Para a curva de transferência, a equação 1-28 torna-se:
V GS=0−I D RS
Assim,
V GS=−I D R S
Nessa equação, a origem é um ponto sobre a reta de carga enquanto o outro deve ser determinado
em um ponto arbitrário. Escolhendo ID = 6 mA e determinando VGS, teremos
V GS=−(6 mA )(680 Ω)=−4,08 V
A curva de transferência do dispositivo é traçada usando-se
I DSS 12mA
I D= = =3 mA Em VP/2.
4 4

E V GS≈0,3V P
Assim,
V GS≈0,3(−6 V )=−1,8 V Em ID = IDSS/2

A solução resultante é

V GSQ≈−2,6V

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 26

b) A partir do gráfico acima

I DQ≈3,8 mA

c) Para encontrar a tensão entre dreno e terra VD, aplicamos a equação 1-32, temos

V D =V DD−I D R D

V D =12 V −(3,8 mA )(1500 Ω)=6,3 V

d) A porta está diretamente ligada a terra, assim, seu potencial a terra é zero.

V G=0V

e) A tensão entre fonte e terra, pode ser determinado pela equação 1-33.

V S =I D RS

V S =(3,8 mA )(680 Ω)=2,58 V

f) Já a tensão entre dreno-fonte, pode ser obtida pela diferença entre esses potenciais, assim:
V DS =V D −V S

V DS =6,3 V −2,58 V =3,72 V

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