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Professora Janaina Arantes Transistor de Efeito de Campo - FET

Transistores de Efeito de Campo


FET

Os Transistores de Efeito de Campo (FET) são


componentes controlados por tensão. A ddp entre dois de
seus terminais determina a corrente através do dispositivo
e o campo elétrico estabelecido controla essa corrente.

HISTÓRICO

O conceito de FET foi apresentado nos anos trinta do século passado,


mas apenas demonstrado nos anos sessenta. São muitos utilizados em
fontes chaveadas, pois são mais rápidos na comutação e desperdiçam
menos potência.

Os termos FET, MOSFET, TTJ, CMOS deveriam ser utilizados apenas


para transistores de pequena potência e POWERFET, POWERMOSFET
para transistores de potência, porém chamam-se geralmente de FET
qualquer tipo deles. Há ainda outros tipos... UJT, IGBT, etc...

O mais popular é o Metal-oxide Semiconductor FET (MOSFET), que


atinge dimensões muito inferiores às do BJT, e são mais fáceis de se
fabricar. São bastante empregados na implementação de
microprocessadores e memórias.

INTRODUÇÃO

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FET é um dispositivo semicondutor cuja corrente é formada por um só


tipo de portadores (elétrons ou lacunas), o que o faz ser conhecido também
como unipolar. O fluxo de portadores é controlado por um canal, com
espessura determinada por regiões de depleção (onde não há presença de
portadores)
O controle é feito por diferença de potencial (ddp) entre dois terminais e
o campo elétrico, estabelecido pela fonte de tensão aplicada a esses
terminais, define a intensidade da corrente através do dispositivo.
O FET apresenta três conexões:
- FONTE: (source) fornece os elétrons livres; deve estar ligado a fonte
de corrente.
- DRENO: (drain) drena os elétrons; consome a corrente que passa
pelo componente.
- PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando a corrente
entre fonte e dreno; onde se aplicará a tensão de controle do fet.
A corrente de elétrons flui da fonte para o dreno através de um canal,
sendo a espessura deste canal, e consequentemente sua resistência,
dependentes da região de depleção entre o gate e a fonte. Esta região de
depleção aumenta ou diminui de acordo com o campo elétrico formado pela
tensão aplicada (VGS) e como a corrente resulta de um campo elétrico, não
havendo injeção de portadores, aumenta-se a impedância de entrada do
componente. Essa alta impedância de entrada, faz com que uma mínima
corrente no gate seja capaz de fazer o FET comutar ou não. Por isso diz-se
que o FET é controlado por tensão, pois a corrente de base é tão pequena
que muitas vezes é considerada desprezível.

JFET
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO UNIPOLAR DE JUNÇÃO

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O Transistor de Efeito de Campo de Junção - JFET (Junction Field


Efect Transistor) foi o primeiro FET desenvolvido. Há dois tipos: Canal N e
Canal P. Sua estrutura é composta por uma barra de material semicondutor
N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), deixando um canal
estreito do primeiro material para controlar a corrente.

Canal N Canal P
Estrutura e simbologia do JFET

FUNCIONAMENTO
Ao aplicar uma polarização reversa (VGG) na junção GS, é

gerada uma camada de depleção no canal N, o que aumenta

a sua resistência.

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A largura efetiva do canal é controlada com a variação da tensão aplicada no

gate e, portanto, a quantidade de corrente no dreno ID.

Polarização do JFET canal n

Para Vds=0[V], o canal N fica totalmente aberto, pois a barreira de


potencial é mínima, e permite a circulação de corrente máxima (IDSS).
Quando a tensão Vds aumenta, faz com que a largura da barreira de
potencial também aumente. Então a área de condução diminui, reduzindo a
corrente de dreno (ID). O campo elétrico entre gate e fonte repele elétrons do
canal nas proximidades da junção e a corrente fica confinada ao centro do
componente, diminuindo sua intensidade. Este é o efeito de campo, que dá
nome ao transistor.
Quanto maior a tensão reversa Vgs, menor é a corrente de dreno (ID).
Se aumentarmos gradualmente, chegará num ponto em que a corrente se
anulará. A tensão Vgs nesse ponto é chamado Vgsoff ou Vgscorte, a tensão de
estrangulamento do canal, ou de corte.

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A tensão de estrangulamento Vp é o
ponto em que aumentos maiores de
Vds são compensados por um
aumento proporcional na resistência
ao longo do canal. Isso quer dizer
que se a resistência do canal está
aumentando na proporção direta de
Vds acima de Vp, o valor de Id deve
Id x Vds para Vgs =0V permanecer o mesmo acima de Vp.

POLARIZAÇÃO E CURVA CARACTERÍSTICA

O terminal positivo da fonte de tensão VDD é ligado ao dreno e o negativo à


fonte. O negativo da fonte de tensão VGG é conectado ao gate e o positivo à
fonte.

estrangulamento
A curva característica de um FET é determinada pela medida da
corrente no dreno (ID) em função da tensão aplicada entre dreno e fonte
(VDS), para uma tensão entre gate e fonte nula (VDS=0[V]).
O FET apresenta uma região inicial de polarização das junções,
seguida de um patamar estável ou de saturação e a região de ruptura.

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Parâmetros importantes na modelagem de um FET observados sob

essas condições:

- IDSS : corrente de saturação, Ids com G em curto

(valor máximo que o JFET pode gerar = limite)

- VGS : tensão entre gate e fonte

(quanto maior, menor é a Id) → Vgscorte = -Vp

- VP : tensão de constrição ou de “pinch off”

É a tensão associada ao "estreitamento" do canal de condução,

localizada no "joelho" da curva.

(Vp é um valor de Vds para nivelar Id com Vgs=0V)

Polarização básica

ID aumenta até que VDS=VP → resistência do canal varia muito


pouco, dado que a região de depleção é pouco extensa para produzir um
efeito significativo: zona ôhmica
Vp
Rds =
Nesta região VDS e ID estão relacionadas pela lei de Ohm: Idss

No intervalo em que ID é praticamente constante, a zona de depleção alarga-


se, aumentado a resistência, o que anula o efeito do aumento de VDS

A corrente Id não é linear. Aumenta mais rápido quando Vgs aproxima de 0V.
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 Vgs
2
 Vgs Id
Ids = Idss 1 + 

 Vgscorte 

0 Idss
0,3Vp Idss/2
Equação de Shockley 0,5Vp Idss/4
Vp 0mA

Para traçar a curva de transcondutância, que é a variação de corrente


(Id) em função de uma tensão (Vgs), definem-se como pontos extremos:
Vgscorte(Vp) e Idss:

Curva característica de JFET canal N

Curva característica de JFET canal P

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