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HISTÓRICO
INTRODUÇÃO
JFET
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO UNIPOLAR DE JUNÇÃO
Canal N Canal P
Estrutura e simbologia do JFET
FUNCIONAMENTO
Ao aplicar uma polarização reversa (VGG) na junção GS, é
a sua resistência.
A tensão de estrangulamento Vp é o
ponto em que aumentos maiores de
Vds são compensados por um
aumento proporcional na resistência
ao longo do canal. Isso quer dizer
que se a resistência do canal está
aumentando na proporção direta de
Vds acima de Vp, o valor de Id deve
Id x Vds para Vgs =0V permanecer o mesmo acima de Vp.
estrangulamento
A curva característica de um FET é determinada pela medida da
corrente no dreno (ID) em função da tensão aplicada entre dreno e fonte
(VDS), para uma tensão entre gate e fonte nula (VDS=0[V]).
O FET apresenta uma região inicial de polarização das junções,
seguida de um patamar estável ou de saturação e a região de ruptura.
essas condições:
Polarização básica
A corrente Id não é linear. Aumenta mais rápido quando Vgs aproxima de 0V.
ETEP FACULDADES -6-
Professora Janaina Arantes Transistor de Efeito de Campo - FET
Vgs
2
Vgs Id
Ids = Idss 1 +
Vgscorte
0 Idss
0,3Vp Idss/2
Equação de Shockley 0,5Vp Idss/4
Vp 0mA