Eletrônica de Potência II

Eng. Eletrônica e de Telecomunicação

Prof. Francisco Garcia
Unidade 2 – Características dos transistores de potência
2.2 – Transistor de efeito de campo metal-oxido-semicondutor
(MOSFET)
Transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor - MOSFET

MOSFETs com consideráveis capacidades de condução de correntes e bloqueio de tensão surgiram

no final dos anos 70. Eles se tornaram largamente utilizados, e vêm substituindo os BJTs em
inúmeras aplicações, especialmente nas de alta frequência.
• Ao contrário dos BJTs, os MOSFETs são dispositivos de portadores majoritários, o que lhes
confere uma velocidade dezenas de vezes maiores. São os mais rápidos transistores de
potência hoje disponíveis, possuindo baixas perdas por comutação.
• São dispositivos controlados por tensão. A tensão de porta-fonte (gate-source) é utilizada para
variar a corrente de dreno, que é a corrente principal (corrente de carga).
• Não apresentam segunda ruptura (área de operação segura (SOA) maior)
• Em correntes elevadas, a corrente diminui com o aumento da temperatura, o que facilita a
ligação em paralelo (para aumentar a capacidade de corrente)
Transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor - MOSFET

Existem dois tipos de MOSFETs, depleção e enriquecimento (esse último também chamado de
intensificação) e duas polaridades, canal n e canal p.

Canal n Canal p
Enriquecimento Depleção Enriquecimento Depleção

Dreno
(drain) Substrato D D D
Porta
(gate) G G G
Fonte S S S
(source)

O MOSFET mais usado em aplicações de chaveamento de potência é o de enriquecimento canal n

MOSFET de enriquecimento canal n VDS

vGS ID
Nesse MOSFET não existe um canal físico. Metal ou
Para vGS = 0 => iD = 0 polisilício
S G D
Quando vGS > 0, elétrons são atraídos para a
região abaixo da camada de óxido. Óxido
(SiO2)
Fazendo vGS cada vez mais positivo, aumenta n+ n+ isolante
o número de elétrons, até uma condição em
que um canal virtual passa a existir entre p Semicondutor
dreno e fonte, permitindo a circulação de substrato
corrente.
O valor de vGS onde ocorre essa condição é Ligação interna
chamado de tensão de limiar (VT ou VGS(th))
Aumentando mais ainda vGS, o canal Essa estrutura é chamada de
aumenta e, consequentemente, a resistência lateral
do canal diminui.
MOSFET – curvas características
Mantendo-se VDS constante, quanto mais
positivo for vGS (a partir de VT), maior a Curva de transferência
corrente iD.
iD
Para baixos valores de corrente iD, um 25 150
aumento da temperatura faz com que a
corrente aumente, para um determinado vGS.
Para altos valores de corrente, ocorre o
contrário. Um aumento da temperatura faz
com que a corrente diminua.
Isso é uma vantagem ao ligar MOSFETs em vGS
paralelo. Se um elemento conduzir mais do VT
que os outros, ele esquenta mais e, então,
passa a conduzir menos. A tensão de limiar
VT é também
chamada de VGS(th)
Dessa forma, a corrente tende a se distribuir
uniformemente entre todos os elementos
 MOSFET – curvas características
Para baixos valores de vDS, o MOSFET se comporta como uma resistência controlada por VGS.
Quando vDS aumenta, a diferença de potencial ao longo do canal faz com que a profundidade do
canal não seja constante, sendo mais profundo no lado da fonte. Isso faz com que a resistência do
canal aumente com vDS. Quando vDS > (VGS – VT), o canal é estrangulado (pinched-off) e um
aumento de vDS não produz um aumento de corrente. O MOSFET está saturado.

iD Região ôhmica Região de iD

(linear) saturação Exemplo:
1
VGS(th) = 3V
RDSon
>8V
12A 7V
vGS
Ruptura 8A 6V
(max VDS) 4A
5V
vGS < VGS(th) VGS=4V
0
vDS 0 0,1V 0,2V vDS
Diodo
Curva característica de saída
MOSFET de enriquecimento canal n
Metal ou
Ligação interna polisilício
Os MOSFETs de potência normalmente têm
uma estrutura vertical. Óxido
S G (SiO2)
A espessura e o nível de dopagem da isolante
camada n- determinam a tensão suportada
pelo MOSFET quando no estado desligado. n+ n+
MOSFETs para tensão elevada têm essa p p
camada mais espessa e menor nível de
Corrente n-
dopagem. (elétrons) n+
No entanto, essa camada acrescenta uma
resistência durante o estado ligado, D
chamada de rDSon. Dentro da mesma
tecnologia de fabricação, quanto maior a
tensão suportada, maior a resistência rDSon e, Essa célula é muito pequena e
portanto, maiores as perdas na condução. se repete milhares de vezes
MOSFET – Diodo de corpo

A camada p ligada à fonte e a camada n

ligada ao dreno formam um diodo
“parasita”, chamado de diodo intrínseco, S G
diodo integral ou diodo de corpo (body
diode).
n+ n+
Esse diodo possui características de um p p
diodo PN rápido (mas não ultra-rápido), e Body diode
n-
pode ser útil como proteção do dispositivo
ou pode entrar na constituição do circuito de n+
potência de muitos conversores estáticos,
tomando parte no processo de D
funcionamento.
MOSFET – Acionamento

Uma grande vantagem do MOSFET é ser um dispositivo controlado por tensão isto é, a corrente de
carga (de dreno) pode ser variada através da tensão gate-source, que atua abrindo ou fechando o
canal (devido ao efeito de campo), ou seja, a resistência rDS é controlada pela tensão VGS.

Daí o fato de quase nenhuma potência ser necessária para comandar o MOSFET: no ligamento
basta apenas carregar a capacitância gate-source, e descarregá-la no desligamento. Apenas flui
corrente no terminal de gate quando o dispositivo está sendo ligado ou desligado (transições), o
que equivale dizer que o dispositivo possui alta impedância de entrada. Desta forma, os circuitos
de acionamento de gate dos MOSFETs de potência são mais simples e mais baratos do que
aqueles utilizados nos BJTs.

MOSFETs de potência tem valores das capacitâncias associadas à porta (gate) da ordem de grandeza de
1000pF. Carregar e descarregar essa capacitância em um tempo muito pequeno leva a picos de corrente
elevados. O circuito de excitação (drive) do MOSFET deve ser capaz de fornecer esses picos de corrente,
para não comprometer os tempos de comutação.
MOSFET – SOA Corrente Corrente Potência
máxima máxima máxima
A região de operação segura dos MOSFETs é
pulso (32A) DC (8A) (125W)
limitada por rDSon, a potência máxima
dissipada e a tensão de ruptura. rDSon
O fenômeno de segunda ruptura que ocorre (2)
nos BJTs não existe nos MOSFETs.

Tensão
IRF 840
máxima
(500V)
MOSFET
Exemplos de MOSFETs de potência:

Código rds(on) V(BR)DSS ID PD tf

IRF3205 0.008 55V 90A 150W 70ns

BUZ32 0.4 200V 9.5A 75W 35ns
IRF840 0.85 500V 8A 125W 30ns
IRFP460 0.27 500V 20A 280W 58ns
MTP3N100 4 1000V 3A 125W 55ns
Fim