Transistores de

Efeito de Campo
(FETs)

Prof. Sérgio Francisco Pichorim

DAELN
 JFET - Transistor FET de Junção

• Canal feito por um só cristal (ou N ou P)

• Terminal de controle (Gate): junção PN
• Esta junção é polarizada inversamente
• Corrente de entrada muito baixa (IG ≅ 0)
• A região de depleção da junção estrangula o
canal
JFET - Transistor FET de Junção
Equação de Shockley
Calcular ID e VDS para:
JFET com Idss = 20 mA e Vp = - 5 V
VG = 2 V, Vcc = 15 V, RG = 10 kW e RD = 1,5 kW
Calcular ID e VDS para:
JFET com Idss = 20 mA e Vp = - 5 V
VG = 2 V, Vcc = 15 V, RG = 10 kW e RD = 1,5 kW
Repetir para VG = 1 V
Calcular ID e VDS para:
JFET com Idss = 20 mA e Vp = - 5 V
Vcc = 15 V, RG = 10 kW e RD = 1,5 kW
Repetir para VG = 1 V
Calcular ID e VDS para:
JFET com Idss = 20 mA e Vp = - 5 V
Vcc = 15 V, RG = 10 kW e RD = 1,5 kW
FETs como chave eletrônica
(on / off)
Calcular os valores de Vi para ligar e desligar o LED,
onde: JFET tem Idss = 30 mA e Vp = - 6 V
ILED = 20 mA e RG = 100 kW
Calcular os valores de Vi para ligar e desligar o LED,
onde: JFET tem Idss = 30 mA e Vp = - 6 V
ILED = 20 mA e RG = 100 kW
 Comparação
JFET Bipolar
• Tensão (Vgs) controla • Corrente (Ib) controla
corrente (Id) corrente (Ic)
• Junção pol. Inversa • Junção pol. Direta
• Tensão negativa na • Tensão positiva na entrada
entrada para on/off para on/off
• Corrente de entrada Ig • Corrente de entrada Ib
muito baixa (nA) baixa ou média (mA ou mA)
• Alta impedância Zi • Baixa impedância Zi
• Baixa amplificação • Alta amplificação
 MOSFET - Transistor FET com
camada Metal Óxido de Si

• Gate com  SiO2 (=vidro, é um isolante!)

• A corrente de entrada Ig é baixíssima (pA)
• Altíssima impedância de entrada (Zi)
• Duas opções de construção:
– Depleção (construído com canal N ou P)
• O campo elétrico alarga ou estrangula o canal
– Intensificação (construído sem canal)
• O campo elétrico irá criar um canal N ou canal P
MOSFET - Depleção
 MOSFET – Depleção
Vgs < 0  canal é estreitado
 MOSFET – Depleção
Vgs > 0  canal é alargado
 Equação de Shockley

• Usa a mesma equação de Shockley

• Igual ao JFET porém também aceita Vgs positivos!
MOSFET
Depleção

Símbolos
 1) Calcular ID e VDS para:
MOSFET com Idss = 2 mA e Vp = - 3 V
VG = 1,5 V, Vcc = 5 V, RG = 1 MW e RD = 560 W

2) Calcular o valor
de VG para desligar o
MOSFET.

3) Calcular o valor
de VG para ligar o
MOSFET.
 1) Calcular ID e VDS para:
MOSFET com Idss = 2 mA e Vp = - 3 V
VG = 1,5 V, Vcc = 5 V, RG = 1 MW e RD = 560 W
 1) Calcular ID e VDS para:
MOSFET com Idss = 2 mA e Vp = - 3 V
VG = 1,5 V, Vcc = 5 V, RG = 1 MW e RD = 560 W

2) Calcular o valor
de VG para desligar o
MOSFET.
Id = 0 VG = -3 V

3) Calcular o valor
de VG para ligar o
MOSFET.
Id sat = 8,92 mA
VG > 3,33 V
 Comentários
• Para chaveamento (liga / desliga) o JFET precisa
de tensões NEGATIVAS.
• Para chaveamento o MOSFET Depleção precisa
de tensão Negativa e/ou Positiva.
• Neste aspecto o Bipolar é melhor (só Positiva!)

• Contudo o Bipolar precisa de correntes muito

maiores para o chaveamento (Ib >> Ig) !

• JFET e MOSFET Depleção são mais utilizados em

amplificadores.
MOSFET - Intensificação
 MOSFET - Intensificação

• VGS positivo, porém uma tensão pequena

 MOSFET - Intensificação

• Quando VGS ultrapassa o limiar VT (threshold)

um canal é criado
 MOSFET - Intensificação

• VGS maiores vão alargando o canal

 Equação MOSFET Intensificação

• Eq. Shockley
modificada
 MOSFET
Intensificação

Símbolos
 1) Calcular ID e VDS para:
MOSFET com VT = 2 V e IDon = 10 mA @ VGSon = 8 V,
VG = 4 V, Vcc = 6 V, RG = 1 MW e RD = 2,2 kW

2) Calcular o valor de
VG para desligar o
MOSFET.

3) Calcular o valor de
VG para ligar o
MOSFET.
 1) Calcular ID e VDS para:
MOSFET com VT = 2 V e IDon = 10 mA @ VGSon = 8 V,
VG = 4 V, Vcc = 6 V, RG = 1 MW e RD = 2,2 kW
 1) Calcular ID e VDS para:
MOSFET com VT = 2 V e IDon = 10 mA @ VGSon = 8 V,
VG = 4 V, Vcc = 6 V, RG = 1 MW e RD = 2,2 kW

2) Calcular o valor de
VG para desligar o
MOSFET.
Id = 0 Vgs < 2 V

3) Calcular o valor de
VG para ligar o
MOSFET.
Idsat = 2,73 mA
Vgs > 5,13 V
 Comentários

• Para chaveamento o MOSFET Intensificação

precisam-se apenas de tensões Positivas.

• Neste aspecto é semelhante ao Bipolar!

• VANTAGEM:
o MOSFET precisa de correntes muito menores para o
chaveamento! (Ig << Ib)
• Desvantagem dos FETs: no estado ligado (on)
apresenta maior tensão sobre o transistor (a
“chave” eletrônica) do que o Bipolar!
VDS(On) > VCE(Sat)
• Desvantagem dos FETs.

VDS(On) > VCE(Sat)