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Laboratório de Introdução a Dispositivos Eletrônicos - Exercícios com Transistores

Experiência 7 – MOSFET

PARÂMETROS DO MOSFET DO TIPO FORTALECIMENTO


TENSÃO DE LIMIAR (THRESHOLD VOLTAGE)

Instrumentos: fonte DC, protoboard, multímetro, gerador AC e osciloscópio.


Componentes: Resistores:2x1 k; 2,2 k; 100 k; Capacitores: 2x100uF;
Potenciômetro multivoltas 1 k; MOSFET IRF630N;

1. Com a fonte variável desligada, ajustar a tensão da fonte positiva em +25 V.

2. Colocar o miliamperímetro entre os terminais A1 e A3, ajustando-o na escala


adequada. Verificar a conexão e ligar a fonte. O circuito para medição de
tensão de limiar de um MOSFET de canal N é mostrado na figura a seguir:

Figura - Circuito para medir tensão Threshold (VGS(TH)).

3. Ajustar o potenciômetro de 1 k de modo a obter uma corrente ID de


aproximadamente 250 uA. A tensão que produz este valor de corrente de dreno
é conhecida como tensão de limiar VGS(th). Para tensões menores de VGS(TH), a
corrente de dreno é considerada nula. Para tensões maiores do que VGS(TH), o
transistor conduz. O valor da tensão de limiar pode variar entre valores
menores que 2 V até valores próximos de 4 V, para o MOSFET IRF630N
utilizado nessa experiência.

4. Anotar o valor da tensão de limiar: VGS(TH) = ____________ V

Professor Eberson Silveira


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5. CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA:
Variar gradativamente o potenciômetro de 1 k de modo a obter outros valores
de ID e VGS.
Anotar estes valores na tabela procurando obter os valores de ID próximos dos
sugeridos.
De posse dos valores medidos, de ID e VGS traçar a curva de transcondutância
do MOSFET (ID x VGS)

Nota: A curva de transcondutância do MOSFET tipo intensificação segue a lei


quadrática. O vértice desta parábola está em VGS(TH), o que o diferencia da
curva de transcondutância para o JFET e o MOSFET tipo depleção.

Tabela: Valores medidos de ID e VGS para traçar a curva de transcondutância

ID Sugerido ID Medido VGS Medido

250uA VGS(TH) =

0,5mA

1,0mA

2,0mA

3,0mA

4,0mA

5,0mA

6,0mA

7,0mA

8,0mA

9,0mA

10,0mA

Professor Eberson Silveira


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6. Monte o circuito da Figura 2.


 Meça as tensões de polarização VG, VD, VS e VGS. A partir dos valores
medidos determine (calcule) a corrente de polarização de dreno ID ótima.
 Escreva a expressão da reta de carga.
 Aplique um sinal na entrada e meça o ganho do amplificador.
 Determine a transcondutância gm.

7. Monte o circuito da Figura seguinte


 Varie a tensão VDD de 0-20V. Meça a tensão VGS. Preencha a Tabela.
 A partir dos valores medidos determine os parâmetros K e VTH.

Professor Eberson Silveira


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VDD 0,5V 1,0V 1,5V 2,0V 3,0V 4,0V 5,0V 6,0V

VGS

ID

VDD 8,0V 10,0V 12,0V 14,0V 16,0V 18,0V 20,0V

VGS

ID

Professor Eberson Silveira

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