UNIVERSIDADE ESTADUAL DE MARINGÁ

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA QUÍMICA

ENGENHARIA ELÉTRICA

Mario Lucas Lima de Souza Ribeiro - RA: 118654

Murilo Galdino Zannin - RA: 117513

Experimento 6
6675/03 - Laboratório de Circuitos Eletrônicos 2

Atividade de Laboratório de Circuitos Eletrônicos

2 apresentada ao 3º ano do curso de
Engenharia Elétrica como parte dos critérios
avaliativos do 2º semestre do ano letivo.

Professor: Carlos Alexandre Ferri

Maringá
2023
Sumário
1 INTRODUÇÃO 1

2 OBJETIVOS 1

3 REVISÃO BIBLIOGRÁFICA 1
3.1 TL071 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
3.2 Transistor - MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.3 Transcondutância . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

4 METODOLOGIA 3
4.1 Materiais Utilizados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
4.2 Montagem e Realização . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

5 RESULTADOS E DISCUSSÕES 5

6 CONCLUSÕES 6

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 7
1 INTRODUÇÃO

Fontes de correntes são componentes importantes analogicamente, desde uma pola-

rização de circuitos analógicos ativos, até as arquiteturas de redefinição e oscilação do
integrador de capacitor de corrente. Uma conveniente aplicação dessas fontes utiliza-se
MOSFET acionado por um amplificador operacional para produzir uma corrente a par-
tir de uma realimentação de baixa resistência em série, fonte esta mais conhecida como
Transcondutância (FERRI, 2023).

2 OBJETIVOS

O objetivo deste experimento é entendermos o funcionamento de uma fonte de corrente

controlada por tensão, ou seja, transcondutância, através de um circuito acionado por um
amplificador operacional e um transistor MOSFET (FERRI, 2023).

Além disso devemos observar o impacto causado por diferentes valores de impedância
de carga no valor da corrente (FERRI, 2023).

3 REVISÃO BIBLIOGRÁFICA

3.1 TL071

Para a realização desse experimento, foi utilizado o Amp Op TL071. Fabricado pela
STMicroelectronics, o dispositivo tem uma tensão máxima de alimentação VCC de ±18
V e uma voltagem máxima de entrada Vin de ± 15 V. Quanto a sua temperatura, pode
trabalhar entre -40°C e +105°C e ser armazenado entre -65°C e 150°C. Além disso, a
corrente máxima de offset é de 100 pA (STMICROELECTRONICS, 2008). Abaixo,
fotografia do TL071 na figura 1 e a pinagem na figura 2:

1
 Figura 1: Amp Op TL071. Fonte: Autoria Própria.

Figura 2: Pinagem do TL071. Fonte: ECStudio, 2019.

Com relação à CMRR, o fabricante nos garante que a faixa de rejeição mı́nima é de
70 dB e a tı́pica é algo próximo de 86 dB (STMICROELECTRONICS, 2008).

3.2 Transistor - MOSFET

Também chamado de transistor de efeito de campo, os MOSFETs tem seu funciona-

mento dado através do campo elétrico, que ocorre por causa da sua composição e é o tipo
de transistor mais utilizado em circuitos analógicos ou digitais (BABOS, s.d.).

Uma de suas principais caracterı́sticas é que eles são ótimos amplificadores de tensão,
de rápida comutação com capacidade de suportar alta corrente. Também temos que seus

2
terminais são: (D) Drain, (S) Source e (G) Gate. Este componente é comumente utilizado
como interruptor, impedindo ou deixando a corrente ser conduzida pelo circuito. Neste
experimento foi utilizado o de canal tipo N, visto na Figura 3 (BABOS, s.d.).

Figura 3: Simbologia dos MOSFETs de canal tipo N e tipo P. Fonte: Newtonncbraga,

2018.

3.3 Transcondutância

A transcondutância é uma medida de quanta corrente flui através de um circuito em

resposta a uma variação de tensão. Ela é um elemento linear, onde, temos uma corrente
na saı́da proporcional à tensão de entrada. A constante de proporcionalidade é expressa
normalmente em unidade de Siemens [S] (JAQUELIN, s.d.).

4 METODOLOGIA

4.1 Materiais Utilizados

• 1 x Resistor de 97,55 Ω;

• 1 x Resistor de 97,57 Ω;

• 1 x Resistor de 98,73 Ω;

3
 • 1 x Resistor de 217,89 Ω;

• 1 x Resistor de 9,92 kΩ;

• 1 x Potenciômetro de 5 kΩ;

• 1 x MOSFET NPN BC547;

• 1 x Kit amplificador TL071;

• 1 x Protoboard de 830 pinos;

• 1 x Multı́metro Minipa ET-1002;

• 2 x Bateria de 12 V;

• 1 x Regulador de tensão;

• Jumpers.

4.2 Montagem e Realização

Pegamos duas baterias de 12 V, ligando o positivo de uma no negativo da outra por

meio um cabo. A partir dessa conexão, puxamos outro cabo dela e conectamos à entrada
de terra do regulador de tensão. O positivo que sobrou foi conectado ao positivo do
regulador e o negativo ao outro negativo. O dispositivo de regulação tem uma entrada de
±12 V e uma saı́da de ±8 V, medida na nossa prática como ±7,70 V.

Em uma protoboard, adicionamos nosso MOSFET e em seu gate conectamos o resistor

de 98,73 Ω, no dreno o resistor de carga RL alimentado pela tensão positiva de 7,70 V e
o source ligamos à porta negativa do amplificador TL071, na placa do kit, e ao resistor
de referência RREF de 97,57 Ω aterrado.

Na placa do kit amplificador TL071, alimentamos o amplificador com ±7,70 V, na

entrada não-inversora conectamos um resistor de 9,92 kΩ, alimentado pela tensão positiva
de 7,70 V e um potenciômetro aterrado de 5 kΩ. Por fim, a tensão de saı́da do amplificador
foi conectada ao resistor de 98,73 Ω, ligado ao gate do MOSFET. Mostrada na figura 4,
a montagem do experimento:

4
 Figura 4: Montagem do circuito. Fonte: autoria própria.

Utilizamos dois resistores para ser a carga RL , sendo o primeiro de 97,55 Ω. Variamos
o potenciômetro para obter 4 tensões de entrada VIN diferente e, para cada uma, medimos
a corrente de saı́da IOU T , corrente no resistor de referência IREF e a queda de tensão entre
dreno e source VDS . Para a segunda carga de 217,89 Ω, repetimos o processo.

5 RESULTADOS E DISCUSSÕES

Quando usamos como resistor de carga a resistência de 97,55 Ω, obtivemos os seguintes

resultados, apresentados na tabela 1:

Quando usamos como resistor de carga a resistência de 217,89 Ω, obtivemos os se-

guintes resultados, apresentados na tabela 2:

Comparando VIN sendo 1,29 V e 1,25 V, é notável que a corrente é maior quando
temos uma carga RL maior. A queda de tensão no MOSFET é menor conforme se
aumenta a carga, ao passo que não há muita diferença na corrente que atravessa o resistor
de referência.

5
 RL = 97, 55 Ω RF = 97, 57 Ω
VIN (V) IOU T (µA) IREF (mA) VDS (V)
0,68 18,50 6,25 6,07
0,91 23,40 8,81 5,77
1,29 33,60 12,81 5,03
1,58 43,20 15,68 4,62

Tabela 1: Resultado do experimento utilizando o resistor de 97,55 Ω.

RL = 217, 89 Ω RF = 97, 57 Ω
VIN (V) IOU T (µA) IREF (mA) VDS (V)
0,51 14,00 5,15 6,12
0,82 22,00 8,37 5,01
1,25 35,3 12,71 3,54
1,86 55,6 18,55 1,49

Tabela 2: Resultado do experimento utilizando o resistor de 217,89 Ω.

A medida que incrementamos a tensão de entrada, a corrente de saı́da aumenta, a

corrente no resistor de referência também é elevada e a queda de tensão entre dreno e
source diminui.

6 CONCLUSÕES

É observado que, devido a alta impedância de entrada do MOSFET (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013), a corrente de saı́da que chega ao gate é bem pequena, na ordem
de microampères. Aumentando a tensão de entrada e consequentemente a corrente IOU T ,
chega mais tensão ao gate e a diferença de potencial entre source e dreno diminui.

Se ao invés de um MOSFET fosse usado um TBJ - Transistor Bipolar de Junção - a

corrente de saı́da com certeza seria maior, devido a sua menor impedância de entrada e,
para uma mesma tensão VIN , VDS = VCE seria menor, sendo VCE a diferença de potencial
entre o coletor e o emissor do TBJ (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). Sendo assim,
para uma fonte de corrente controlada por um amplificador operacional, o uso de um TBJ
agregaria muito e permitiria maiores correntes elétricas.

6
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

BABOS, F. s.d. Disponı́vel em: <https://flaviobabos.com.br/mosfet/>. Acesso em: 02

mar. 2023.

BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. São

Paulo, Brasil: Prentice Hall, 2013.

ECSTUDIO. 2019. Disponı́vel em: <https://ecstudiosystems.com/discover/circuits-

/pinouts/tl071-pinout/>. Acesso em: 16 fev. 2023.

JAQUELIN. s.d. Disponı́vel em: <https://definirtec.com/transcondutancia/>. Acesso

em: 02 mar. 2023.

STMICROELECTRONICS. Low noise JFET single operational amplifier. [S.l.], 2008.

Disponı́vel em: <https://www.st.com/resource/en/datasheet/tl071.pdf>. Acesso em: 16
fev. 2023.

FERRI, Carlos Alexandre. Fonte de Corrente Controlada. 25 fev. 2023.