Laboratório 10 - LEL 1001

MOSFET como Interruptor

Prof. Marcos Vinicius Bressan

Nomes: Affonso Viccari e Andre Sartoretto

Turma: A
Data: 08/09

Bases Teóricas
O MOSFET pode ser utilizado como interruptor, permitindo ou restringindo a passagem de corrente
elétrica entre dreno e source, apresentando caminho de alta resistência quando está bloqueado e
de baixa resistência quando está conduzindo. Está característica possibilita que o MOSFET acione
circuitos de alta corrente ou tensão como: lampadas em geral (Led’s inclusive), relés, entre outros;
com a vantagem de não desviar corrente ou potência do circuito acionador para o circuito acionado.
A alta impedância de entrada dos MOSFETs, basicamente, isola as duas partes do circuito sem a
necessidade de conexões ópticas ou eletromagnéticas. O MOSFET operando como chave por ser
visto na Figura 1.

Figura 1: MOSFET como chave.

Objetivo
Familiarizar-se com a utilização do Mosfet 2N7000 e identificação dos seus parâmetros no
datasheet.

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Método
Utilizar da fonte de alimentação CC e do gerador de sinais disponível em bancada para alimentar o
Mosfet 2N7000 e realizar corretamente as medições .

Experimento
1 - Pré-laboratório
(a) Qual é a tensão máxima de bloqueio indicada no datasheet do transistor?

(b) Qual o máximo valor médio de corrente que o transistor pode conduzir segundo o datasheet
do componente?

(c) Considerando o modo de operação da Figura 1, calcule o valor do resistor R1 para que
corrente média máxima do Led seja igual a 5,5mA. Apresente os cálculos no Anexo deste
relatório. Considere a razão cíclica de trabalho do interruptor em 50 % (D = ton/Ts) para uma
frequência de operação de 20kHz.

(d) Calcule a potência dissipada no resistor R1.

(e) Utilizando o simulador, obtenha o valor médio da corrente no Led e confronte com seu
cálculo, justifique as diferenças.

(f) A partir do simulador, obtenha a potência do resistor R1. Compare com o calculado e
justifique.

(g) Utilizando o simulador encontre a máxima tensão à qual o interruptor é submetido.

(h) A partir da variação da razão cíclica é possível ajustar o valor médio da corrente circula no
Led? Apresente o desenvolvimento matemático.

(i) Ajuste a variação da razão cíclica de Vg para 25 % do período de Ts e determine o valor médio
da corrente no Led. Confronte os valores teóricos e simulados.

(j) A partir da simulação numérica, identifique os valores e as formas de onda das comutações
de corrente do interruptor MOSFET. Meça o tempo de subida e de descida da corrente de
dreno. Considere as variações de corrente dentro de 10 % e 90 % dos valores iniciais e finais
respectivamente.

1 - No laboratório
(a) Obtenha o valor médio da corrente no Led e confronte com o simulado e teórico, justifique
as diferenças.

(b) Obtenha a potência dissipada no resistor R1. Confronte com o simulado e teórico e justifique.

(c) Determine a máxima tensão à qual o interruptor é submetido. Confronte com o simulado e
teórico.

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 (d) Ajuste a variação da razão cíclica de Vg para 25 % do período de Ts e mesure o valor médio da
corrente no Led?

(e) Identifique os valores e as formas de onda das comutações de corrente do interruptor

MOSFET. Meça o tempo de subida e de descida da corrente de dreno. Considere as variações
de corrente dentro de 10 % e 90 % dos valores iniciais e finais respectivamente.

Conclusão
Pós-relatório: Disserte sobre os experimentos destacando os problemas encontrados, dificuldades,
pontos negativos e positivos da experiência.

Os resultados que obtemos nesse laboratório foram satisfatórios, já que os valores simulados e
teóricos se aproximaram bastante. Foi possível entender melhor o modo de operação de um
MOSFET como chave, complementando o assunto visto em aula. Uma dificuldade encontrada nesse
laboratório foi mensurar os tempos de descida e subida da corrente de dreno que passa pelo LED,
já que estávamos lidando com valores em nano segundos, sendo assim, difícil de apontar o cursor
exatamente onde a onda começa seu movimento e onde ela termina.

No valor da corrente média do LED obtivemos uma leve diferença entre o simulado e o estipulado
pelo laboratório, o motivo disso ter acontecido pode variar tanto das porcentagens de erro dentre
os componentes utilizados, quanto das estipulações feitas para a realização dos cálculos, um
exemplo disso são os valores de 𝐼𝑑 e da tensão sob o LED, para 𝐼𝑑 foi estipulado um valor visto pelo
gráfico, nada técnico, então é muito possível de acontecer um erro humano, já que a ferramenta
usada foi a relação de corrente e tensão vista num gráfico de escala única por um olho humano, já
para a tensão sob o LED, foi estipulado um valor de 1,8 𝑉, pois é o valor de tensão médio entre os
LEDs vermelhos.

Como comentado acima, a realização da medida de tempo de subida e descida da corrente de dreno
é muito interessante, obtivemos um tempo de subida de aproximadamente 23,98 𝑛𝑠 e um tempo
de descida de aproximadamente 339,05 𝑛𝑠, se comparados os tempos, é possível notar que o
tempo de subida da corrente é muito inferior que o tempo de descida, isso se dá por causa dos
matérias que compõe o MOSFET, quando a tensão de threshold é superada pela tensão entre o gate
e o source é necessária a abertura de um canal de fluxo de corrente, e para fechar esse canal antes
aberto para circulação de corrente é necessário que o estrangulamento do canal, o tempo que o
componente leva para estrangular esse canal é muito maior que o tempo necessário para abrir esse
canal, explicando o fato da diferença de tempo obtida pelo tempo de subida e descida.

Obs: Junto ao relatório deve ser anexada a simulação realizada (com a imagem legível do circuito
simulado) e, caso necessário (não obrigatório), o desenvolvimento matemático e gráficos com
resultados de simulação pertinentes.

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Anexos
Obtivemos os valores de 𝑉𝑔𝑠 , 𝐼𝑑 e 𝑉𝑡𝑝 pelo datasheet a seguir:

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A partir dessas tabelas e valores, conseguimos estipular os valores da constante 𝑘, por meio da
utilização do momento em que 𝑉𝑑𝑠 = 7 𝑉 e 𝐼𝑑 = 1,75 𝐴, então obtivemos 𝑘 = 72,89 ⋅ 10−3, como
pode-se observar na página dos cálculos teóricos à seguir:

(Figura 1 – Cálculos teóricos)

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Com isso obtivemos o valor de 𝑉𝑑𝑠 = 19,12 ⋅ 10−3 e então 𝑅1 = 2,562 ⋅ 103 , fato que nos
possibilitou montar a tabela:

Teórico Simulado
𝑉𝑡𝑝 2,1 [V] - -
𝐼𝑑 600 [mA] - -
𝑅1 2,562 [kΩ] - -
Pré-Lab ̅̅̅̅
𝑃𝑅1 155 [mW] 156,07 [mW]
̅̅̅̅̅̅̅̅
𝐼𝑑 50\% 5,5 [mA] 5,54 [mA]
𝑇. 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑟𝑟𝑢𝑝𝑚𝑎𝑥 - - 28,76 [V]
𝐼̅̅̅̅̅̅̅̅
𝑑 25\% 2,75 [mA] 2,79 [mA]
𝑡𝑠𝑢𝑏𝑖𝑑𝑎 - - 23,98 [ns]
𝑡𝑑𝑒𝑠𝑐𝑖𝑑𝑎 - - 339,05 [ns]
(Tabela 1 – Tabela com valores do pré-laboratório)
O circuito implementado no LT Spice condiz com o circuito desse laboratório, então é possível dar
veracidade aos valores obtidos, circuito anexo a seguir:

(Figura 2 – Circuito MOSFET)

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E por fim, os dois gráficos do tempo de subida e tempo de descida da corrente respectivamente:

(Figura 3 – Gráfico do tempo de subida em 10%)

(Figura 4 – Gráfico do tempo de descida em 10%)

(Figura 5 – Gráfico do tempo de subida em 90%)

(Figura 6 – Gráfico do tempo de descida em 90%)

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