LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA

ANALÓGICA

PRÁTICA 08: O FET OPERANDO COMO CHAVE

Alunos:
Yago Castro dos Reis

Turma: 2C

Professor:

Demercil de Souza Oliveira Junior

Wilkey Bezerra Correia

Fortaleza, 07 de Junho de 2022

 O FET OPERANDO COMO CHAVE

1. OBJETIVOS

O objetivo principal desta prática é a polarização do MOSFET canal N como chave.

Para esta finalidade é projetado um circuito de acionamento, também denominado de driver
discreto.

2. RESUTADOS DE PRE-LABORATÓRIO

2.1. Projeto do Circuito

Figura 1. Circuito de acionamento do MOSFET M1.

Fonte: Eletrônica Analógica: Práticas de Laboratório

2.2. Materiais e Instrumentos a serem utilizados.

1. Especificações
• Polarizar o MOSFET M1 para operar como chave (região ôhmica e região de
corte).
Considerações para Montagem e Cálculos
• Vcc = 15 [V] (Tensão contínua da fonte)
• Vdd = 15 [V] (Tensão contínua da fonte).
Desde as curvas características do TBJ Q3, BC327 ou 2N2907, adotando o ponto de
operação “Q” na região de saturação, obtêm-se os seguintes valores:
• IcQ3 = 500 [mA] (Corrente de coletor no ponto de operação “Q”)
• IbQ3 = 13 [mA] (Corrente de base no ponto de operação “Q”)
• VecQ3 = 0,4 [V] (Tensão emissor-coletor de saturação no ponto de operação
“Q”).
 Para dimensionar os resistores R4 e R6, desde as curvas características do TBJ Q2,
que consiste do BC546, adotando o ponto de operação “Q” na região de saturação,
tem-se seguintes valores:
• IcQ2 = 13,7 [mA] (Corrente de coletor no ponto de operação “Q”)
• IbQ2 = 200 [A] (Corrente de base no ponto de operação “Q”)
• VceQ2 = 0,3 [V] (Tensão emissor-coletor de saturação no ponto de operação
“Q”).
A fonte Vpulse consiste de um gerador de sinais, e a mesma deve ser ajustada para
ser uma onda quadrada pulsada conforme os parâmetros a seguir:
• Vpulse_alto = 5,0 [V] (Nível alto do sinal de tensão de controle Vpulse)
• Vpulse_baixo = 0 [V] (Nível baixo do sinal de tensão de controle Vpulse)
• t_w = 50,0 [s] (Largura do nível alto do sinal de tensão de controle
Vpulse)
• fpulse = 10 [kHz] (freqüência do sinal de tensão de controle Vpulse).
Materiais
• Q1 e Q3: BC327 ou 2N2907 (TBJ tipo PNP)
• Q2: BC546 (TBJ tipo NPN)
• R1 = 120 []/ 2 [W] (Resistor)
• R2 = 27 []/ 0,25 [W] (Resistor)
• R3 = 680 []/ 0,25 [W] (Resistor)
• R4 = ??? [???]/ 0,25 [W] (Resistor)
• R5 = 1 [k]/ 0,25 [W] (Resistor)
• R6 = ??? [???]/ 0,25 [W] (Resistor)
• R7 = 10 [k]/ 0,25 [W] (Resistor)
• D1: UF4007 (Diodo de silício ultra-rápido)
• D2: 1N4745 (Diodo zener de 16V/1W)
• M1: IRF 540 (MOSFET de potência)
Instrumentos de Medição e Fontes
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
• Voltímetro (1)
• Osciloscópio (1)
• Fonte de tensão CC (2)
• Gerador de sinais (1)
2.3. Questões do Pré-laboratório

(a) Usando os dados do item anterior, dimensionar os resistores R4 e R6.

Fazendo a malha para calcular R4:
Dados:
𝑉𝐶𝐶 = 15 V
𝐼𝐶𝑄2 = 13,7 𝑚𝐴 ; 𝐼𝑏𝑄3 = 13,0 𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑒𝑄 = 0,3 𝑉

𝑅5 = 1𝑘Ω
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅4 − 𝑉𝑅5 − 𝑉𝑐𝑒𝑄 = 0

𝑉𝑅4 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅5 − 𝑉𝑐𝑒𝑄

𝑅4 ∙ 𝐼𝐶𝑄2 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅5 ∙ (𝐼𝐶𝑄2 − 𝐼𝑏𝑄3 ) − 𝑉𝑐𝑒𝑄

(𝑉𝐶𝐶 − 𝑅5 ∙ (𝐼𝐶𝑄2 − 𝐼𝐶𝑄3 ) − 𝑉𝑐𝑒𝑄 ) (15 − 1𝑘 ∙ (13,7𝑚 − 13,0𝑚) − 0,3)

𝑅4 = → 𝑅4 =
𝐼𝐶𝑄2 13,7𝑚

𝑹𝟒 = 𝟏, 𝟎𝟐𝟏𝒌
Fazendo a malha para calcular R6:
Dados:
𝑉𝑝𝑢𝑙𝑠𝑒𝑎𝑙𝑡𝑜 = 5 V
𝐼𝑏𝑄2 = 200µA; 𝑉𝑏𝑄2 = 0,7 𝑉
𝑉𝑅6 = 𝑅6 ∙ 𝐼𝑏𝑄2 = 𝑉𝑝𝑢𝑙𝑠𝑒𝑎𝑙𝑡𝑜 − 𝑉𝑏𝑄2 = 0

𝑉𝑝𝑢𝑙𝑠𝑒𝑎𝑙𝑡𝑜 −𝑉𝑏𝑄2 5 −0,7

𝑅6 = → 𝑅6 = → 𝑹𝟔 = 𝟐𝟏, 𝟓 𝒌𝛀
∙𝐼𝑏𝑄2 200 µ
(b) Após encontrar os valores dos resistores, simular o circuito da Figura 2. Para
esta finalidade, fazer a montagem e simulação passo a passo, ir adicionando
gradativamente os transistores envolvidos na seguinte seqüência: Q2, Q3, Q1 e M1.

Figura 02 – Primeira simulação do circuito com Q2.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 03 – Segunda simulação do circuito adicionando Q3.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 04 – Terceira simulação do circuito adicionando Q1.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 05 – Simulação do circuito completo adicionando M1.

Fonte: Elaborado pelo autor.

(c) Mostrar as formas de onda de tensão, Vpulse, Vg e Vds na seqüência indicada.
Para visualizar melhor, adotar três períodos e usar a mesma escala de tempo.
Figura 06 – Medições obtidas para a primeira montagem da figura 02.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 07 = Medições obtidas para segunda montagem da figura 03.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 08 – Medições obtidas para a terceira montagem da figura 04.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 09 = Medições obtidas para a montagem completa da figura 05.

Fonte: Elaborado pelo autor.

 (d) Observando as formas de onda Vpulse e Vg, medir os tempos de atraso. O ideal é
que os sinais citados estejam superpostas com a única diferença na amplitude, onde
uma é de 5 V e a outra entorno de 14V.
Figura 10 - Medição do tempo de atraso entre Vpulse e Vg.

Fonte: Elaborado pelo autor

(e) A partir da forma de onda da tensão dreno-fonte, Vds, fazendo uma ampliação
(zoom), medir os valores da tensão na região ôhmica e da tensão na região de corte
do MOSFET M1.
Região Ôhmica Vds=6.46 [mV]

Região de Corte Vds= 15.5 [V]

Figura 11 – tensão na região ôhmica e da tensão na região de corte do MOSFET MI.

Fonte: Elaborado pelo autor.

3. RESUTADOS EXPERIMENTAIS

3.1. Circuito de Montagem

Figura 12 - Montagem do circuito apenas com os componentes R3, R4, R5, R6, Q2 e Q3

Fonte: Elaborado pelo autor

Figura 13 – Circuito completo montado em laboratório.

Fonte: Elaborado pelo autor

 3.2. Resultados Experimentais

Para o procedimento experimental dessa prática foi inicialmente ajustado o gerador de

tensão (Figuras 15 e 17) com as configurações definidas de acordo com o roteiro dessa prática,
também foi ajustado e verificado a tensão na fonte para a tensão de 15V. Dessa maneira, utilizando
os componentes da figura 13 juntamente com mais dois resistores (R4 = 1k e R6 = 22k), foi
realizado inicialmente a montagem do circuito apenas com os componentes R3, R4, R5, R6, Q2 e
Q3, seguindo o circuito da figura 01, assim, a montagem experimental poder ser visualizada na
figura 00 juntamente com as medições realizadas. Dessa forma, seguindo a montagem foi
adicionado os componentes R2, R7, D1, D2, e Q1, e da mesma forma foi medido as tensões Vpulse
e Vcc, as figuras 00 e 00 apresentam a montagem do circuito nessa etapa e a medições obtidas
respectivamente. Em suma, foi adicionado R1 e M1, para observar o comportamento da saída, e
conforme esperado de forma teórica e simulada perante o funcionamento do circuito completo,
Vpulse e Vds apresentaram uma defasagem de 180 ° estando essas invertidas, comportando-se como
uma porta de NOT perante sua operação completa na saída, a montagem do circuito juntamente
com as medições realizadas estão registradas nas figuras 00 e 00 respectivamente.

Figura 14 – Resistores utilizados no procedimento experimental.

Fonte: Elaborado pelo autor.

 Figura 15 – Ajuste da frequência no gerador de função

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 16 – circuito da Figura 1 formado pelos componentes R3, R4, R5, R6, Q2 e Q3.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 17 – Ajuste da fonte Vcc para 15 V.

Fonte: Elaborado pelo autor.

 Figura 18 – Ajuste da tensão no gerador de função (Vpulse)

Fonte: Elaborado pelo autor

Figura 19 – Medições com o osciloscópio para a primeira montagem item b do procedimento.

Fonte: Elaborado pelo autor

 Figura 20 – Montagem do Circuito adicionando conforme o item “c” do procedimento.

Fonte: Elaborado pelo autor

Figura 21 – Montagem do Circuito completo adicionando M1 e R1 conforme o item “d” do

procedimento.

Fonte: Elaborado pelo autor

 Figura 22 - Cursos de atraso entre os sinais.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 23 – Tensão do Vpulse(Amarelo) e Vds(Azul) a montagem completa item “d” do

procedimento.

Fonte: Elaborado pelo autor

4. QUESTIONÁRIO DA PRÁTICA

Questão (1): Mostrar na seqüência indicada as formas de onda de tensão, Vpulse, Vg e Vds
colhidas da simulação e experimentação. As espessuras das formas de onda devem ser visíveis,
apresentar 3 (três) períodos e usar escalas adequadas. As formas de onda devem ser claras e passar
informação ao leitor do relatório.

Figura 24 - Vpulse(Amarelo), Vg(Azul), Vds(Rosa)obtidas de forma simulada.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 25 – Tensão do Vpulse(Amarelo) e Vds(Azul).

Fonte: Elaborado pelo autor

Questão (2): Mediante simulação e experimentação, medir o tempo de atraso do sinal de tensão
Vg em relação ao sinal de tensão Vpulse, tanto na subida como na descida das formas de onda.
Comente as causas se tiver atrasos significativos e proporcionar opções para minimizar o
problema.

Figura 26 - Atraso entre Vpulse(Amarelo) e Vg(Azul), subida.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 27 - Atraso entre Vpulse(Amarelo) e Vg(Azul), descida.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Cursos de atraso entre os sinais Figura 23
Questão (3): Traçar as curvas características Id=f(Vds) do MOSFET IRF540. No eixo vertical
mostrar curvas até a corrente de dreno nominal, e no eixo horizontal a tensão dreno-fonte pode ser
truncada em 20 V.

Figura 28 – Circuito com MOSFET IRF540.

Fonte: Elaborado pelo autor.

Figura 29 - Curvas características, Id por Vds do IRF540

Fonte: Elaborado pelo autor

 Pesquisando obtendo as curvas características Id=f(Vds) do MOSFET IRF540através do
datasheet:

Figura 30 - Curvas características do IRF540.

Fonte: https://www.vishay.com/docs/91021/irf540.pdf .

Questão (4): Para o MOSFET M1 sob estudo, determinar a potência dissipada durante a
condução, sabendo que a largura de Vpulse é 50 s e o período igual a 100 s. A resistência do
canal operando na região ôhmica deve ser adotada do catálogo do componente.

15
𝐼𝑚𝑒𝑓 = = 125 𝑚𝐴
120

𝑃𝑚 = 𝑅𝑜𝑛 ∙ 𝐼𝑚𝑒𝑓 2 → 1.2 𝑚𝑊

Questão (5): Explique a função dos componentes D2 e R7 no circuito da Figura 2.

O resistor R7 tem a função de garantir uma corrente nula, ou seja, uma corrente circulando
para o neutro, pois Gate possui uma altíssima impedância. Ademais, o diodo D2 como se trata de
um diodo zener tem a função de limitar ou controlar a tensão na porta-fonte no MOSFET.
Questão (6): Pesquisando na internet e/ou os livros, mostrar pelo menos 5 (cinco) aplicações
práticas do MOSFET M1 operando como chave.

• Funcionando como uma porta lógica: Podendo operar durante o seu funcionamento como
uma porta lógica AND, OR ou NOT, como verificado nessa prática o MOSFET
funcionando como uma porta NOT.
• Acionador de Relé: Permite acionar circuitos de alta corrente/alta tensão sem desviar
corrente ou energia do circuito acionador.
• Conversor Boost: Esse tipo de conversor é chaveado com MOSFET, ele é usado para a
modulação de entrada para obter uma tensão de saída maior com relação a tensão de
entrada. Assim, o MOSFET M1 pode ser aplicado em sistemas off-grid de sistemas
fotovoltaicos.

• Inversor trifásico: Esse tipo de inversor funciona na conversão de corrente alternada para a
forma de corrente contínua, ele é parecido com um inversor Full-Bridge. Essa modulação
também pode ser efetuada por meio do MOSFET M1.

• Meia Ponte: Esse é um tipo de conversor que é aplicado também na conversão de corrente
contínua e alternada. Ele pode ser utilizado em aplicações que tenham o objetivo de
carregar baterias e a função da modulação pode ser realizada com o MOSFET M1.
• Conversor Buck: Esse tipo de conversor pode ser chaveado utilizando o MOSFET, assim,
ele é usado também com a funcionalidade de modulação da entrada para uma tensão de
saída menor com relação a tensão aplicada na entrada, através do modo “distinto” pode ser
feito essa modulação. Esse conversor também é muito aplicado em fontes chaveadas.

Questão (7): Pesquisar na internet sobre MOSFETs de Nitreto de Gálio (GaN MOSFET) e
enumerar as características elétricas deles em relação aos MOSFETs clássicos.

O Nitreto de Gálio (GaN MOSFET) é um semicondutor caracterizado do tipo wide-

bandgap (banda proibida alargada, que pode futuramente substituir o silício na utilização em
projetos e na fabricação de transistores eletrônicos, abrindo um espaço para a produção de
materiais e componentes mais sofisticados com uma eficiência maior.

Eles vieram principalmente para suprir um interesse do mercado em componentes mais

robustos, assim, tem-se o crescente interesse em novos dispositivos com semicondutores mais
eficientes, procurando outras fontes de matéria prima como o GaN e também o Sic (carbeto de
silício), podendo atuar na construção de transistores para aplicações em conversores para energia
renováveis.
 O departamento de Energia dos Estados Unidos investiu 70 milhões de dólares para estudos
referente ao GaN MOSFET e suas aplicações e características. Substituir esse material no mercado
de eletrônica de iluminação e energia iria reduzir o consumo mundial de energia em 25%, podendo
melhorar também a matriz energética do mundo, com relação as fontes e aplicação de energia
renováveis. Algumas Universidades já iniciaram estudos referente a esse componente, como: A
Universidade de Cambridge e o Instituto Tecnológico de Massachusetts, criando grupos de
pesquisas para explorar suas aplicações.

Figura 31 – Características elétricas dos GaN MOSFET em relação aos MOSFETs.

Fonte: JESKE & GARCIA, 2021.

5. CONCLUSÕES

Advento da realização dessa prática foi possível aprender de forma prática e teórica o
funcionamento do MOSFET canal N atuando como chave, efetuando inicialmente o estudo do
componente e as grandezas envolvidos, dimensionando também inicialmente algumas grandezas
elétricas, verificando a relação entre elas e componentes (Resistores) importantes para manter as
especificações desejadas no projeto e entender o funcionamento do componente com relação aos
seus canais de configuração

Na simulação foi possível verificar o funcionamento do circuito no software de simulação

Multisim, algumas dificuldades foram encontradas com relação a especificações, porém essas
foram solucionadas e foi possível aplicar a simulação do circuito com êxito. No método
experimental realizado em laboratório pode-se concluir que foi possível efetuar a montagem e
analisar o circuito requerido, e conforme esperado foi atingido resultados satisfatórios e
semelhantes, alcançando o principal objetivo da prática verificando o funcionamento do circuito
de acionamento com o MOSFET.

.Em suma, com o questionário foi possível realizar algumas comparações referentes os
dados obtidos e verificação de medidas importantes para o funcionamento do circuito, também foi
possível aprender por meio de pesquisas algumas aplicações que são realizadas com MOSFET M1,
também foi importante para verificar o mercado eletrônico com relação ao futuro, trazendo
componentes mais eficientes com GaN MOSFET, podendo realizar aplicações na área de energias
renováveis melhorando a matriz enérgica do mundo.
6. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

JÚNIOR, Demercil de Sousa Oliveira; BASCOPÉ, René Pastor Torrico. Eletrônica Analógica:
Práticas de Laboratório: Universidade Federal do Ceará, 2022.

JESKE, Edson; GARCIA, Sergio Vidal. Estudo Comparativo de Perdas Entre Transistores
de Potência GaN, IGBT e MOSFET Aplicados no Conversor Bridgeless Totem Pole PFC.
2021. Disponível em: http://www.npee.joinville.br/_publicacoes/arquivo832.pdf. Acesso em: 13
jun. 2022.

NICOLETT, Aparecido. Eletrônica: Aplicações Práticas dos FETs. 2022. Disponível em:
https://www.pucsp.br/~elo2eng/Aula_15_2017.pdf. Acesso em: 13 jun. 2022.

Notas de aula do professor Demercil