Guia Laboratorial de Eletrónica

Departamento de Engenharia Electrotécnica
Guias de Laboratório
Introdução à Electrónica
Características V-I do díodo de silício, do díodo zener

e do díodo emissor de luz (LED)
1. Objectivos
Pretende-se com este trabalho a iniciação em simulação de circuitos eléctricos em PSpice e a

obtenção das características V-I do díodo de silício da série 1N4000, de um díodo zener de
4,7V e de um díodo emissor de luz.
Na 1ª fase pretende-se a simulação em PSpice, fazendo a análise dc de um circuito com díodos

e análises dc sweep com vista à obtenção das características V-I do díodo de silício 1N4002 e
do díodo zener D1N750 (4,7V).
Na 2ª fase, com a montagem em bancada, pretende-se a obtenção das características V-I do

díodo 1N4002 e do díodo zener de 4,7V, e confrontação dos resultados obtidos com os do
PSpice, e do díodo emissor de luz (LED).
2. Introdução - Simulação em PSpice
O PSpice é um programa de computador para análise do comportamento de circuitos eléctricos

e electrónicos, contendo uma variedade grande de componentes, em que se podem incluir não
apenas dispositivos analógicos, como por exemplo resistências, condensadores, indutâncias,
transformadores, díodos, transistores, amplificadores operacionais, etc., mas também
dispositivos digitais, como sejam os circuitos TTL, CMOS, microprocessadores, etc..
Em conjunto com o módulo Schematics, o PSpice é utilizado no projecto, teste e optimização

de circuitos electrónicos, sem necessidade da utilização de qualquer hardware, equipamentos
de teste ou componentes. Utilizando modelos adequados para cada componente o PSpice é
capaz de efectuar análises para determinar o ponto de funcionamento em repouso de cada
dispositivo, de utilizar estes resultados para obter os respectivos modelos para pequenos sinais
e, a partir deles, obter os ganhos de tensão e corrente, a resposta em frequência, etc. ou obter a
resposta no tempo a certos estímulos como por exemplo a resposta a uma onda alternada
sinusoidal, a um impulso rectangular, etc..
Introdução à Electrónica Pág. 1

2.1. Estudo de um circuito com díodos em dc – análise Bias Point Detail
a) Desenhe o circuito da figura 1.1 utilizando o Schematics do MicroSim (V1 a V3:

componente VDC; D1 a D4: componente D1N4002: R1 a R5: componente R;
terra: componente EGND).
Figura 1.1
b) Após conclusão e gravação do trabalho proceda à simulação do circuito; por defeito

o MicroSim procede de forma automática à simulação em dc, Bias Point Detail, sem
necessidade de efectuar qualquer setup.
c) Registe na tabela 1 em anexo, para cada um dos conjuntos de tensões de V1, V2 e V3,
as tensões nos pontos A a G, as tensões aos terminais dos díodos, as correntes nos
díodos e o estado de condução, ON ou OFF, em que se encontram, utilizando para
o efeito os botões V e I da barra de ferramentas.
2.2. Estudo da característica do díodo de silício 1N4002– análise DC Sweep
a) Desenhe o circuito da figura 1.2 utilizando o Schematics do MicroSim (R1=1kΩ,

D1=D1N4002). Coloque um marcador de corrente, Mark Current into Pin, na posição
indicada na figura.
b) Após conclusão e gravação do trabalho proceda ao Setup da análise DC Sweep
utilizando os seguintes parâmetros: fonte de tensão [name: V1; Start Value: -2V; End
Value: +30V; Increment: 0.1V] a que corresponde
fazer variar a tensão da fonte V1 de –2V a +30V
com incrementos de 0,1V.
c) Proceda à simulação do circuito, e no écran de
probe que se obtém faça as alterações convenientes
no menu Plot/Axis Settings/X Axis e Y Axis por
forma a ter no eixo dos xx' a tensão aos terminais
do díodo e no eixo dos yy' a corrente no díodo.
Verifique que a curva que obtém é exactamente a
curva característica do díodo.
d) Grave em disquete os ficheiros produzidos para Figura 1.2
posterior inclusão no relatório.

2.3. Estudo da característica do díodo zener de 4,7V, 1N750– análise DC Sweep
a) Desenhe o circuito da figura 1.3 utilizando o Schematics do MicroSim (R1=1kΩ,

Dz=D1N750). Coloque um marcador de corrente, Mark Current into Pin, na
posição indicada na figura.
b) Após conclusão e gravação do trabalho proceda ao Setup da análise DC Sweep
utilizando os seguintes parâmetros: fonte de tensão [name: V1; Start Value: -30V;
End Value: +30V; Increment: 0.1V] a que corresponde fazer variar a tensão da fonte
V1 de –30V a +30V com incrementos de 0,1V.
c) Proceda à simulação do circuito e no écran de
probe que se obtém faça as alterações
convenientes no menu Plot/Axis Settings/X Axis e
Y Axis, por forma a ter no eixo dos xx' a tensão
aos terminais do díodo e no eixo dos yy' a
corrente no díodo. Verifique que a curva que
obtém é exactamente a curva característica do
díodo zener.
d) Grave em disquete os ficheiros produzidos para
posterior inclusão no relatório. Figura 1.3
3. Montagem e teste
Com o teste em bancada pretende-se obter um conjunto significativo de pares de valores (VD,
ID) por variação da tensão de entrada Vi, que possibilite a construção com relativo rigor da
curva característica do díodo em teste; no caso do díodo de silício 1N4002 a sua curva
característica é do tipo da representada na figura 2.1. O díodo é montado de acordo com o
esquema da figura 2.2, numa primeira fase, para obtenção da sua característica directa, e depois
invertido para obtenção da característica inversa.
3.1 Condução dos testes - díodo 1N4002
a) Implemente o circuito de acordo com o esquema da figura 2.2, usando os seguintes

componentes:
D = 1N4002 ou equivalente
R = a determinar
Vi = fonte de tensão CC ajustável de 0 a 30V

b) Calcule o valor da resistência R, e da potência nela dissipada, para uma corrente máxima
no circuito da ordem dos 30 mA.
c) Ajuste a tensão da fonte Vi para a sua tensão mínima. Em seguida faça variar a tensão de
alimentação de forma a obter valores de corrente para ID de forma a poder construir uma
tabela do tipo da apresentada na tabela 2. Note que deve retirar mais pontos nas zonas onde a
curva apresentar segunda derivada, pois para definir uma recta apenas são necessários dois
pontos.
Fig.2.3
d) Inverta a polarização do díodo D e implemente o circuito da figura 2.3. Por variação da
tensão Vi, tente medir o valor da corrente inversa IR e a correspondente tensão inversa VR de
acordo com a tabela 3. Registe as leituras obtidas. Discuta os valores encontrados.
Nota: Esta montagem apresenta vários aspectos que vale a pena referir. Em primeiro lugar
colocou-se, em série com o díodo, uma resistência de 1MΩ. Esta resistência forma com
o multímetro um divisor de corrente. Este fenómeno deve ser considerado nos cálculos a
efectuar. Em segundo lugar sendo a corrente a medir da ordem do nano Ampere, a
queda de tensão resultante na resistência de 1 MΩ deve ter um valor na ordem do mV
passível de medida com os multímetros disponíveis no laboratório. Com base nesse
conhecimento pode-se calcular a corrente inversa do díodo.

e) Com os registos efectuados em b) e c) trace a curva característica do díodo

(características directa e inversa num mesmo gráfico). De acordo com os valores da
corrente da polarização directa, verifique que o aumento de tensão que é necessário
aplicar aos terminais do díodo de modo que a corrente duplique é aproximadamente
constante e indique esse valor. Justifique.
f) Com auxílio da montagem da Fig 2.4 e com uma fonte de tensão sinusoidal à entrada
com 10V de amplitude à frequência de 1kHz, observe a curva característica do díodo no
osciloscópio colocando-o no modo XY. Notar que enquanto o canal horizontal
representa a queda de tensão no díodo (a queda de tensão na resistência é praticamente
desprezável) o canal vertical representa a corrente que passa no díodo ( e que é a mesma
que passa na resistência R2).
Fig. 2.4
g) Com base na curva característica do díodo obtida em d) proponha um modelo linear

por partes, propondo valores para Vγ, RF e RR, para o díodo que testou.
3.2 Condução dos testes - díodo emissor de luz (LED)
No circuito utilizado em 3.1 substitua o díodo 1N4002 por um LED, vermelho ou verde.

Repita a experiência da figura 2.2 com o LED polarizado directamente, seguindo os

procedimentos anteriormente descritos em 3.1 a) e b). De seguida, inverta a polarização do
LED e de acordo com a figura 2.3 meça a corrente inversa tendo o cuidado de não exceder uma
tensão inversa de 5V ao terminais do LED.
Repita as alíneas d) e e) para o caso do LED.
3.2 Condução dos testes - díodo zener de 4,7V
a) No circuito da figura 2.2, substitua o LED por um díodo zener de 4,7V.

b) Com o díodo polarizado na região directa faça variar a tensão de alimentação Vi, de 0 a
30V, de forma a obter leituras para ID de acordo com a tabela 2 em anexo. Registe os
valores da tensão VD aos terminais do díodo na tabela 2.
c) Inverta a polarização do díodo Dz e faça variar novamente a tensão de alimentação Vi,
entre 0 e 30V, de forma a obter leituras para ID de acordo com a tabela 3 em anexo.
Registe as leituras obtidas.
d) Com os registos efectuados em b) e c) trace a curva característica do díodo
(características directa e inversa num mesmo gráfico).
e) Com base na curva característica do díodo obtida em d) proponha um modelo linear por
partes, propondo valores para Vγ, VZ, RD, RZ e RR, para o díodo que testou.
4 - Comentários finais e conclusões
Apresente os seus comentários finais em relação ao trabalho efectuado, aos resultados

encontrados e correspondentes conclusões, tendo em conta as curvas teóricas esperadas e as
encontradas com o teste em bancada.

5 – Anexos
Tabela 1
1. V1= 10V; V2=10V; V3=10V

VA VB VC VD VE VF VG
Tensões nos nós
VD1 VD2 VD3 VD4

Tensão aos terminais dos díodos
ID1 ID2 ID3 ID4

Corrente nos díodos
D1 D2 D3 D4
Estado dos díodos
2. V1= -10V; V2=10V; V3= -10V

Tensões nos nós
VD1 VD2 VD3 VD4

ID1 ID2 ID3 ID4

D1 D2 D3 D4
Estado dos díodos
3. V1= 10V; V2= 5V; V3= -10V

Tensões nos nós
VD1 VD2 VD3 VD4

ID1 ID2 ID3 ID4

D1 D2 D3 D4
Estado dos díodos

Tabela 2 Tabela 3
Vd (V) Vf ID =(Vf- Vd )/R V1 (V) IR (mA)

0 0
0,4 2,5
0,5 4,0
0,51 4,1
0,52 ..
… 5,0
0,60 5,1
0,61 …
… 6,0
0,70 6,1
0,71 …
0,72 7,0
0,73 8,0
0,74 …
0,75 30
…

Estudo de circuitos com díodos
1. Objectivo
É objectivo deste trabalho o estudo de alguns circuitos típicos que utilizam como seu elemento
fundamental o díodo.
Pretende-se, com a observação das formas de onda na saída de cada um dos circuitos dados, a
comparação dos sinais de entrada e saída, o registo dos valores máximo e mínimo da tensão na
saída de cada um dos circuitos, a observação de pontos de interesse particular e o registo das
suas características, etc..
O registo das formas de onda a observar deve efectuar-se sobre o recticulado das folhas em
anexo, não esquecendo de registar as escalas utilizadas no osciloscópio.
2. Simulação em PSpice
2.1. Estudo de um circuito rectificador de onda completa – análise Transient
Desenhe o circuito da figura 2.1 utilizando o Schematics do MicroSim. Para os parâmetros da

fonte de tensão alternada sinusoidal, Vi, considere a fonte tipo VSIN, com: VAMP=10V,
FREQ=50Hz e 0 para os restantes parâmetros, admita ainda que RL = 1kΩ. Após conclusão e
gravação do trabalho proceda ao Setup da análise Transient, considerando para o parâmetro
Final time=60ms e parâmetro Step Ceiling=10µs.
Figura 2.1
Proceda à simulação do circuito, verifique a forma de onda da tensão aos terminais da

carga RL, meça a sua amplitude máxima e compare-a com a forma de onda da tensão
da fonte, Vi . Comente o que obtém.
2.2 Estudo de um circuito limitador com díodos zener – análise Transient

Desenhe o circuito da figura 2.2 utilizando o Schematics do MicroSim. Para os parâmetros da

fonte de tensão alternada sinusoidal, Vi, considere a fonte tipo VSIN, com: VAMPL=10V,
FREQ=1kHz e 0 para os restantes parâmetros. Utilize o díodo D1N750 para DZ1 e DZ2 (zener
de 4,7V). Após conclusão e gravação do trabalho proceda ao Setup da análise Transient,
considerando para o parâmetro Final time=5ms e Step Ceiling=1µs.
Figura 2.2
Proceda à simulação do circuito, verifique a forma de onda da tensão aos terminais do circuito,
Vo, e compare-a com a forma de onda da tensão da fonte, Vi, meça os seus valores máximo e
mínimo e relacione-os com os valores de VZ0 e V" dos díodos DZ1 e DZ2. Comente o que
obtém.
2.3 Estudo de um circuito deslocador de nível – análise Transient
Desenhe o circuito da figura 2.3 utilizando o Schematics do MicroSim. Para a fonte de tensão,
Vi, considere a fonte do tipo VPULSE, com: V1=-5V, V2=+5V, PW=0,5ms, PER=1ms e 0
para os restantes parâmetros. Utilize o díodo D1N4002. VL=2V. Após conclusão e gravação do
trabalho proceda ao Setup da análise Transient, considerando para o parâmetro Final time=5ms
e Step Ceiling = 1µs.
Figura 2.3
Proceda à simulação do circuito, verifique a forma de onda da tensão aos terminais do circuito,
Vo, e compare-a com a forma de onda da tensão da fonte, Vi, meça os seus valores máximo e
mínimo e relacione-os com os valores máximo e mínimo de Vi e o valor da tensão VL.
Comente o que obtém.
3. Montagem

3.1. Equipamentos e componentes
Osciloscópio, gerador de sinais 2Hz-2MHz, fontes de tensão DC 0-30V, multímetro

digital, kit de componentes para Electrónica I e transformador 220V/12V.
3.2. Circuito da figura 3.1
Monte o circuito da figura 3.1. Aplique na entrada uma tensão alternadada sinusoidal, com
amplitude máxima 10V e frequência de 1KHz. [VL=VL1=VL2=5Vdc].
a) Registe as formas de onda das tensões na entrada e saída do circuito, que observa no osci-
loscópio, bem como os valores máximo e mínimo da tensão na saída.
b) Comute o gerador de sinais para onda triangular, mantendo a amplitude máxima de 10V e
frequência de 1kHz, e registe as formas de onda na entrada e saída bem como os valores
máximo e mínimo da tensão na saída.
c) Coloque o osciloscópio no modo X-Y e trace a curva representativa da função de
transferência do circuito.
d) Explique o funcionamento do circuito, obtenha analiticamente a tensão na saída do cir-
cuito e compare-a com os resultados que obteve em a) e b).
e) Que nome dá ao circuito da figura?

Monte o circuito da figura 3.2 e repita os procedimentos descritos nas alíneas a) a e) do
ponto 3.2.

ponto 3.2.

ponto 3.2.
Monte o circuito representado na figura 3.5 com C1 = 100 NF e C2 = 100 µF. Aplique na
entrada uma tensão alternada sinusoidal com amplitude máxima de 10V e frequência de 1kHz.
a) Registe as formas de onda no ponto A (canal 1) e na saída do circuito (canal 2).
b) Registe os valores máximos da tensões no ponto A e na saída do circuito.
c) Faça variar a frequência do sinal na entrada até um valor suficientemente baixo (10Hz) e
volte a registar as formas de onda das tensões no ponto A e na saída do circuito.

d) Comente o que observa e relacione a forma de onda com a frequência do sinal na entrada.
e) Que nome dá ao circuito e explique o seu funcionamento.

ponto 3.2.

ponto 3.2.

Monte o circuito representado na figura 3.8, tendo o cuidado de manter inicialmente desligados
o condensador C (10μF) e o díodo de zener (VZ0=7,5V) [Rp=220Ω e RL=1k Ω]. Aplique
na entrada uma tensão alternada sinusoidal, com frequência de 50Hz, obtida no secundário
de um transformador 220V/12V.
a) Registe as formas de onda das tensões na entrada e na saída, bem como os respectivos
valores
máximos e mínimos.
b) Com o multímetro digital na escala DCV meça a tensão na saída e compare o valor medido
com o valor médio teórico.
c) Compare as formas de onda na entrada e saída. De que circuito se trata? Compare os valores
máximos das tensões na entrada e saída e justifique a diferença encontrada.
d) Ligue agora o condensador C, volte a registar a forma de onda da tensão na saída e comente
o que observou comparativamente com o que obteve em a). Justifique.
e) Meça a tensão de tremor e compare com o valor que obteria teoricamente.
f) Se substituísse o condensador C por um outro de capacidade mais elevada que modificação
esperaria obter na forma de onda na saída? Justifique.
g) Acrescente ao circuito o díodo zener DZ (7,5V) como indicado na figura. Volte a registar
a forma de onda na saída do circuito e compare-a com o que obteve anteriormente. Comente
quanto ao valor de VZ e a sua relação com a forma de onda na saída.
♦♦♦♦

Figuras
Fig. 3.1 Fig. 3.2
Fig. 3.3 Fig. 3.4
Fig. 3.5 Fig. 3.6
Fig. 3.7 Fig. 3.8

FOLHA DE REGISTOS
CH1 ____ V/div CH2 ____ V/div BT_____ s/div CH1 ____ V/div CH2 ____ V/div BT ______ s/div
CH1 __ V/div CH2 ____ V/div BT_____ s/div CH1 ____ V/div CH2 ____ V/div BT ______ s/div

FOLHA DE REGISTOS

FOLHA DE REGISTOS

Curvas características do
transistor de junção bipolar (NPN)
I - Objectivo
O presente trabalho tem por objectivo obter o traçado da família de curvas IC=f(VCE) e IB=f(VBE)
de um transistor de junção bipolar (npn), calcular o ganho de corrente (βF) a partir das medidas
efectuadas, obter um valor aproximado da tensão de Early (VA) a partir das curvas traçadas e
identificar as regiões de funcionamento do transistor na família de curvas IC=f(VCE).
As curvas características obter-se-ão a partir de pares de valores (VCE, IC), para diferentes
valores de IB, e (VBE, IB) para um dado valor de VCE, utilizando-se a montagem em emissor
comum representada na figura 1.
Fig. 1
II - Montagem e condução dos testes
Implemente o circuito de acordo com o esquema da figura 1, utilizando os equipamentos e

componentes a seguir discriminados:
- Fonte de alimentação DC, ajustável, 2x30V

- Multímetro digital
- Transistor NPN BC338
- Resistências de ¼W (RB=47KΩ, RC=180Ω)
- Resistência variável RV=4,7KΩ
Introdução à Electrónica Pág. 17 Setembro 2010

1. Ajuste a fonte de tensão, VBB, e a resistência variável, RV, de forma a obter a corrente de
base IB desejada, de acordo com o quadro anexo; de seguida faça variar a tensão de VCC,
para os valores indicados na tabela, procedendo à leitura dos valores de VCE e VBE,
efectuando o seu registo no quadro da Folha de Registos.
2. Para cada par de medidas efectuadas calcule o valor de IC e o valor de βF , este último para as
situações em que tal fizer sentido.
3. Com base nas medidas efectuadas e nos valores de IC calculados, construa o gráfico IC=f(VCE)
para as correntes de base IB =10, 20, 40, 60, 80 e 100µA.
4. Sobre a família de curvas atrás referidas trace a recta de carga para VCC=5V.
5. Com base na família de curvas IC=f(VCE) observe a variação de IC e de βF com VCE e

comente. Obtenha um valor aproximado para a tensão de Early, VA..
6. Com base nas medidas efectuadas trace o gráfico IB=f(VBE) para VCE=2V, aproximadamente.
7. Identifique, sobre a família de curvas IC=f(VCE) as regiões de funcionamento do transistor

(zona activa directa (ZAD), zona de corte (ZC) e zona de saturação (ZS)).
--- *** ---

FOLHA DE REGISTOS
IB(µA) 10 20 40 60 80 100
VCC(V)
VCE(V)
0,5
VBE(V)
VCE(V)
1
VBE(V)
VCE(V)
2
VBE(V)
VCE(V)
4
VBE(V)
VCE(V)
6
VBE(V)
VCE(V)
10
VBE(V)
IB(µA) 10 20 40 60 80 100
VCC(V)
IC
0,5
βF
IC
1
βF
IC
2
βF
IC
4
βF
IC
6
βF
IC
10
βF

Aplicações com o
transistor de junção bipolar (NPN)
I. Objectivos
O presente trabalho tem por objectivo o estudo de aplicações típicas de circuitos com o
transistor de junção bipolar.
II. Introdução
Da análise do circuito da figura 1 pode concluir-se que, para uma variação em degrau da tensão
Vi(t) obtém-se para a tensão aos terminais do condensador C, VC(t), a seguinte expressão:
em que : Vf representa a tensão final no condensador (t=∞)

Vi representa a tensão inicial no condensador (t=0)
Figura 1
III. Preparação
1. No circuito da figura 2 considere o interruptor S1 fechado e S2 aberto e considere para a

tensão de limiar de condução dos LED’s , VLEDon=1,8V.
Calcule as correntes na base e no colector de cada um dos transistores, Q1 e Q2.
2. Calcule o PFR (ponto de funcionamento em repouso) dos transistores Q1 e Q2 no circuito

da figura 2, com S1 fechado e S2 aberto.
3. Calcule o valor de βF, mínimo, para que o transistor Q2 entre na zona de saturação, com S1
fechado e S2 aberto.
4. Calcule o valor aproximado da frequência de cintilação dos LED’s no circuito da figura 3,

para C1=C2=100µF. Apresente todos os cálculos. E para C1=C2=10µF?
Pág. 20
IV. Montagem e condução dos testes (figura 2)

1. Implemente o circuito de acordo com o esquema da figura 2.
2. Pressione alternadamente cada um dos botões S1 e S2 e observe o comportamento do

circuito.
Figura 2
3. Com S1 fechado e S2 aberto meça e registe os valores das tensões VBEQ1, VBEQ2, VCEQ1,
VCEQ2, ICQ1 e ICQ2.
4. Idem para S2 fechado e S1 aberto.
5. Como define o comportamento do circuito?
V. Montagem e condução dos testes (figura 3)

1. Implemente o circuito de acordo com o esquema da figura 3.
2. Considere C1=C2=100µF. Meça e registe a frequência de cintilação dos LED’s para o

circuito representado na figura 3. Compare essa frequência com a calculada no ponto III.4.
3. Se utilizar C1=C2=10µF que modificação espera obter na frequência obtida na alínea

anterior? Meça e registe a frequência de cintilação dos LED’s e compare-a com o valor
obtido no ponto anterior.
4. Coloque a base do transistor Q1 à massa. O que observa? Meça e registe o valores das
tensões VBEQ1, VBEQ2, VCEQ1, VCEQ2 e das correntes IC1 e IC2. O que pode concluir quanto
às zonas de operação dos transistores Q1 e Q2?
Pág. 21
5. Retire a massa da base do transistor Q1 e coloque-a na base do transistor Q2. O que

observa? Meça e registe o valores das tensões VBEQ1, VBEQ2, VCEQ1, VCEQ2 e das correntes
IC1 e IC2. O que pode concluir quanto às zonas de operação dos transistores Q1 e Q2?
6. Retire a massa da base de Q1 e aumente a tensão de alimentação para 20V e meça

novamente a frequência de oscilação dos LED’s. Compare com os valores obtidos
anteriormente.
Figura 3
7. Volte a colocar a tensão de alimentação do circuito nos 10V. Registe as formas de onda
vCE(t) e vBE(t) no transistor Q1. Justifique o seu andamento.
8. Registe as formas de onda aos terminais do condensador C1 e meça os tempos de

crescimento e decaimento. Justifique o andamento da forma de onda obtida.
9. Modificando a capacidade dos condensadores C1 e C2 altera-se a frequência de comutação

dos transistores no circuito. Apresente outra sugestão de modificação nos parâmetros do
circuito que provoque alteração semelhante. Com a modificação proposta e considerando
C1=C2=100µF, apresente o seu dimensionamento para a frequência de cintilação de 1kHz.
♦♦♦♦
Pág. 22
Caracterização e Aplicações de Transístores MOSFET
I - Objectivos
Este trabalho de laboratório tem como objectivos fundamentais a caracterização dos

transístores MOSFET contidos no circuito integrado 4007, bem como o desenho e teste de
alguns circuitos baseados nos mesmos. Este circuito integrado, da família CMOS, cuja
topologia pode ser vista na Figura 1, é constituído por 3 transístores tipo NMOS e 3 tipo
PMOS, com as ligações indicadas.
Figura 1 - Circuito Integrado 4007: Duplo par complementar mais inversor.
Este trabalho de laboratório está dividido em duas fases distintas. Numa primeira fase,
pretende-se determinar o ganho de corrente, K, e a tensão de limiar, VT de ambos os transístores
NMOS e PMOS. Numa segunda fase, vai-se estudar algumas aplicações típicas dos transístores
MOS: nomeadamente, o inversor lógico, a amplificador de tensão com carga resistiva, a fonte
de corrente e um amplificador de tensão com carga activa.
Um outro aspecto deste trabalho de laboratório, que não existiu nos trabalhos de laboratório
anterior, é o facto de o relatório ser preenchido neste mesmo guia e entregue na última semana
de realização do trabalho.
Pág. 23
II - Caracterização dos Transístores MOS
Proponha um procedimento para a obtenção experimentalmente do ganho de corrente, K, e da

tensão de limiar, VT, dos transístores NMOS e PMOS, cujas portas se encontram ligadas ao
pino 6. Note que existem diversas alternativas possíveis. Antes de iniciar o trabalho
experimental, mostre ao Docente de laboratório o procedimento que vai utilizar, para obter a
sua aprovação.
Parâmetros dos transístores NMOS e PMOS

Kp Vto
Transístor NMOS
Transístor NMOS
Pág. 24
III - Inversor CMOS
Na Figura 2 apresenta-se o inversor lógico CMOS. Este circuito é um dos componentes

fundamentais nos circuitos digitais CMOS, como sejam por exemplo, as memórias e os
processadores que se utilizam nos computadores actuais.
Figura 2 – Inversor CMOS:(a) Símbolo, e (b) Esquema Eléctrico.
Estime os tempos de propagação tpHL e tpLH do inversor da Figura 2.
Pág. 25
Simulação Eléctrica
Realize uma simulação eléctrica do inversor CMOS com vista a medir os tempos de
propagação. Para saber a forma de simular circuitos com transístores MOS no simulador
eléctrico PSpice, consulte a documentação do laboratório disponível na zona de documentação
da área da Unidade Curricular no Sistema de Informação. Caso ainda não tenha determinado
experimentalmente os parâmetros dos transístores MOS, utilize os valores dados no documento
de apoio da simulação no PSpice.
Anexe a este documento o resultado obtido na simulação. Compare os resultados dos tempos de
propagação experimentais e os teóricos, e comente os resultados.
Pág. 26
Procedimento Experimental
Monte o circuito da Figura 2. Coloque na entrada uma onda quadrada com um período tal que
permita medir os tempos de propagação, tpHL e tpLH. Registe as formas de onda de entrada e
saída na Figura 3.
CH1 ______ V/div CH2 ______ V/div BT_______ s/div

Figura 3 – Formas de onda do inversor CMOS
Compare com os tempos de propagação teóricos e obtidos por simulação, e comente os

resultados obtidos.
Pág. 27
IV - Amplificador de Tensão com Carga Resistiva
Na Figura 4 apresenta-se o amplificador de tensão estudado nesta secção; trata-se da conhecida

montagem de fonte comum com carga resistiva.
Figura 4 – Amplificador de tensão com carga resistiva.
Estudo Teórico e Dimensionamento
a) Dimensione as resistências para ID1 = 6 mA e VD =9 V;

b) Desenhe o modelo de sinais fracos deste amplificador;
c) Determine o ganho de tensão G=vo/vi.
Pág. 28
Parâmetros do amplificador com carga resistiva

Valor
Resistência R1
Resistência R2
Resistência R3
Ganho de tensão G=vo/vi
Pág. 29
Desenhe no PSpice, o circuito da Figura 4, utilizando as resistências determinadas

anteriormente. Registe o Ponto de Funcionamento em Repouso (PFR) do circuito, em
particular, ID1 e VD1. Compare os valores obtidos com os desejados. Comente os resultados
obtidos.
Coloque na entrada no circuito uma onda sinusoidal de 1 V de amplitude e frequência de

100 kHz e realize uma simulação transiente. Anexe as formas de onda em vi e vo. Compare o
ganho de tensão obtido com o obtido teoricamente. Comente os resultados obtidos.
Pág. 30
Monte o circuito da Figura 4 utilizando as resistências determinadas anteriormente. Meça o

Ponto de Funcionamento em Repouso (PFR) do circuito, em particular, ID1 e VD1. Compare os
valores obtidos com os desejados. Comente os resultados obtidos.
Ajuste o gerador de funções para que vi seja uma onda sinusoidal de 1 V de amplitude e
frequência de 100 kHz. Registe na Figura 5, as formas de onda em vi e vo. Compare o ganho de
tensão obtido com o teórico. Comente os resultados obtidos.

Figura 5 – Formas de onda do amplificador com carga resistiva.
Pág. 31
V - Fonte de Corrente CMOS
Nesta secção vai-se estudar o funcionamento de uma fonte de corrente CMOS (ver Figura 6).
Para além de se observar o funcionamento deste circuito, pretende-se também determinar a sua
resistência de saída.
Figura 6 – Fonte de Corrente baseada em Transístores MOSFET.
Desenhe no PSpice, o circuito da Figura 6. Utilize uma resistência normal para R1 e não
coloque o amperímetro. Realize uma simulação do PFR e visualize as tensões e correntes sobre
o circuito.
1. Utilize para RL uma resistência de 2,7 kΩ;
Pág. 32
2. Ajuste R1 de forma a medir no amperímetro, uma corrente de 2 mA;

3. Meça a tensão VL para RL=2,7 kΩ, VL1; VL1= ____________________________
4. Altere RL para uma resistência de 3,3 kΩ;
6. Calcule ro da fonte de corrente, que coincide com ro2:
(1)
Monte o circuito da Figura 6.

1. Utilize para RL uma resistência de 2,7 kΩ;
2. Ajuste R1 de forma a medir no amperímetro, uma corrente de 2 mA;
4. Altere RL para uma resistência de 3,3 kΩ;
6. Calcule ro da fonte de corrente e compare com o valor obtido por simulação.
Pág. 33
VI - Amplificador de Tensão com Carga Activa
Na Figura 7 apresenta-se o esquema eléctrico de um amplificador de tensão de fonte comum

com carga activa. Considere que se utiliza no amplificador ID1=ID2=2 mA.
Figura 7 – Amplificador de Tensão com Carga Activa.
Pág. 34
Estudo Teórico e Dimensionamento
Determine a tensão no dreno do transístor M3, VD3. Desenhe o modelo de sinais fracos do
circuito e preveja o ganho de tensão deste amplificador.
Parâmetros do amplificador com carga activa

Valor
Tensão VD3
Ganho de tensão G=vo/vi
Pág. 35
Desenhe no PSpice, o circuito da Figura 7. Obtenha o valor da tensão VD3 no Ponto de

Funcionamento em Repouso (PFR). Compare com o valor previsto teoricamente.
Defina o sinal vi como uma onda sinusoidal de 40 mV de amplitude e 100 kHz de frequência.
Registe em anexo as formas de onda em vi e vo. Compare o ganho de tensão obtido com o valor
teórico previsto.
Monte o circuito da Figura 7. Meça o valor da tensão VD3 no Ponto de Funcionamento em

Repouso (PFR). Compare com o valor previsto teoricamente.
Ajuste o gerador de funções para que vi seja uma onda sinusoidal de 40 mV de amplitude e
100 kHz de frequência. Registe na Figura 8, as formas de onda em vi e vo. Compare o ganho de
tensão obtido com o valor teórico previsto.
Pág. 36

Figura 8 – Formas de onda do amplificador com carga activa.
Pág. 37

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Departamento de Engenharia Electrotécnica

Características V-I do díodo de silício, do díodo zener

Pretende-se com este trabalho a iniciação em simulação de circuitos eléctricos em PSpice e a

Na 1ª fase pretende-se a simulação em PSpice, fazendo a análise dc de um circuito com díodos

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2. Introdução - Simulação em PSpice

O PSpice é um programa de computador para análise do comportamento de circuitos eléctricos

Em conjunto com o módulo Schematics, o PSpice é utilizado no projecto, teste e optimização

Introdução à Electrónica Pág. 1

2.1. Estudo de um circuito com díodos em dc – análise Bias Point Detail

a) Desenhe o circuito da figura 1.1 utilizando o Schematics do MicroSim (V1 a V3:

b) Após conclusão e gravação do trabalho proceda à simulação do circuito; por defeito

2.2. Estudo da característica do díodo de silício 1N4002– análise DC Sweep

a) Desenhe o circuito da figura 1.2 utilizando o Schematics do MicroSim (R1=1kΩ,

Introdução à Electrónica Pág. 2

2.3. Estudo da característica do díodo zener de 4,7V, 1N750– análise DC Sweep

a) Desenhe o circuito da figura 1.3 utilizando o Schematics do MicroSim (R1=1kΩ,

3.1 Condução dos testes - díodo 1N4002

a) Implemente o circuito de acordo com o esquema da figura 2.2, usando os seguintes

Introdução à Electrónica Pág. 3

Introdução à Electrónica Pág. 4

e) Com os registos efectuados em b) e c) trace a curva característica do díodo

g) Com base na curva característica do díodo obtida em d) proponha um modelo linear

3.2 Condução dos testes - díodo emissor de luz (LED)

Introdução à Electrónica Pág. 5

Repita a experiência da figura 2.2 com o LED polarizado directamente, seguindo os

3.2 Condução dos testes - díodo zener de 4,7V

a) No circuito da figura 2.2, substitua o LED por um díodo zener de 4,7V.

4 - Comentários finais e conclusões

Apresente os seus comentários finais em relação ao trabalho efectuado, aos resultados

Introdução à Electrónica Pág. 6

1. V1= 10V; V2=10V; V3=10V

VD1 VD2 VD3 VD4

ID1 ID2 ID3 ID4

2. V1= -10V; V2=10V; V3= -10V

VD1 VD2 VD3 VD4

ID1 ID2 ID3 ID4

3. V1= 10V; V2= 5V; V3= -10V

VD1 VD2 VD3 VD4

ID1 ID2 ID3 ID4

Introdução à Electrónica Pág. 7

Vd (V) Vf ID =(Vf- Vd )/R V1 (V) IR (mA)

Introdução à Electrónica Pág. 8

Estudo de circuitos com díodos

Desenhe o circuito da figura 2.1 utilizando o Schematics do MicroSim. Para os parâmetros da

Proceda à simulação do circuito, verifique a forma de onda da tensão aos terminais da

2.2 Estudo de um circuito limitador com díodos zener – análise Transient

Introdução à Electrónica Pág. 9

Desenhe o circuito da figura 2.2 utilizando o Schematics do MicroSim. Para os parâmetros da

2.3 Estudo de um circuito deslocador de nível – análise Transient

Introdução à Electrónica Pág. 10

3.1. Equipamentos e componentes

Osciloscópio, gerador de sinais 2Hz-2MHz, fontes de tensão DC 0-30V, multímetro

3.2. Circuito da figura 3.1

3.3. Circuito da figura 3.2

3.4. Circuito da figura 3.3

3.5. Circuito da figura 3.4

3.6. Circuito da figura 3.5

Introdução à Electrónica Pág. 11

3.7. Circuito da figura 3.6

3.8. Circuito da figura 3.7

3.9. Circuito da figura 3.8

Introdução à Electrónica Pág. 12

Fig. 3.1 Fig. 3.2

CH1 V/div CH2 V/div BT___ s/div

CH1 V/div CH2 V/div BT___ s/div

CH1 V/div CH2 V/div BT___ s/div