2022

Laborato◌́rio de Dispositivos
Eletro◌̂nicos

Prof. Otacílio M. Almeida

Prof. Marcos Zurita

UFPI
Centro de Tecnologia
Departamento de Eng. Elétrica

Ver. 1.1
01/01/2022
SUMÁRIO

APRESENTAÇÃO .............................................................................................................................1

PRÁTICA Nº 01 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ....................................................................2

PRÁTICA Nº 02 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA SEM E COM

FILTRO CAPACITIVO ....................................................................................................................6

PRÁTICA Nº 03 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER .................................................12

PRÁTICA Nº 04 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ ................................................16

PRÁTICA Nº 05 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE ...........................................................................20

PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .............................................24

PRÁTICA Nº 07 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR FET ...............................................28

PRÁTICA Nº 08 – FET OPERANDO COMO CHAVE ..........................................................................31

PRÁTICA Nº 09 – FET OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .............................................37

APRESENTAÇÃO

A apostila de práticas de Laboratório referente à Disciplina de Dispositivos

Eletrônicos consiste: edição, estruturação e adequação das práticas antigas do laboratório.
As novas práticas incluem ótima didática, organização e clareza, as quais contornam
problemas e dúvidas sugeridas por alunos e professores que utilizaram o material durante
os semestres anteriores.

Sendo assim, é apresentado o objetivo geral: fortalecer o incentivo ao aprendizado e

moldar o perfil do estudante direcionado à área de estudo da eletrônica; e de forma
semelhante são apresentados os objetivos específicos: adequar à aplicação prática o
conteúdo da disciplina, criar roteiros conforme o conteúdo ministrado semanalmente e
impor estrutura lógica na elaboração da prática.

Uma organização da estrutura dos roteiros de prática foi estabelecida de modo que
um encaminhamento lógico durante a realização do experimento possa ser seguido.

Aos alunos, este trabalho pretende contribuir de forma satisfatória no processo de

ensino-aprendizagem, de modo que literaturas complementares possam ser utilizadas em
auxílio do processo de ensino.
PRÁTICA Nº 01 – CURVA
CARACTERÍSTICA DO DIODO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o levantamento das curvas características do diodo mediante
simulação e experimentação.

2. INFORMAÇÃO TEÓRICA
O comportamento da curva característica I = f(v) do diodo real e o modelo de segmentos lineares
utilizados na determinação dos seus parâmetros são ilustrados na Figura 1(a) e (b), respectivamente. O
comportamento da curva exponencial é dependente do material que constitui a junção, sua área e a variação
de temperatura, apresentando assim uma queda de tensão específica para o componente (0,6 a 0,8 V para o
diodo de silício). Ter o conhecimento dos parâmetros do modelo do diodo é bastante comum em aplicações,
onde é desejável analisar as perdas do componente quando em condução. A partir da análise gráfica da
Figura 1(a) e do modelo apresentado na Figura 1(b), as Eqs. (1), (2), (3), (4) e (5) são obtidas e tratam: a
resistência média do componente (Rav), o modelo de segmentos lineares adotado, a expressão geral da
potência no componente, a potência média dissipada no componente na forma integral do valor médio e
resultado da potência média, respectivamente. Nota-se que a Eq. (5) é composta por uma componente de
corrente média e uma componente de corrente eficaz ao quadrado.

Vfo Rav D
Id

Figura 1 - (a) Curva característica e (b) modelo segmentos lineares do diodo.

Vf �Vf O
Rav � N (1)
If N

Vd �Vf O �Rav . Id (2)

p D (t ) �Id .Vd �Vf O . Id �Rav . Id 2 (3)

 T
1
Pd med (t ) � . �p D (t ) . dt (4)
T 0

Pd med (t ) �Vf O . Id med �Rav . Id ef2 (5)

3. ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
O esquemático do circuito experimental é ilustrado na Figura 2.

Id R1
+A -
0...10 A
+
+
Vi D1 V Vd
0...2 V
- -

0
Figura 2 - Esquemático a ser montado durante o experimento.

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

A seguir é apresentada a seguinte especificação:
� Vi = 0 a 10 [V] [Tensão contínua variável a ser aplicada à entrada].
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
� IfMAX = 0,90 [A] [Corrente máxima adotada no diodo];
� VfN = 0,70 [V] [Queda de tensão nominal no diodo]; e
� D1 1N4007 [Diodo selecionado].

Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:

� Voltímetro (1);
� Amperímetro (1); e
� Fonte de tensão CC (1).

5. ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar o valor das resistências comerciais, bem como a potência dissipada; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e preencher a
Tabela 1 para os resultados simulados.

6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a análise computacional
monte o circuito experimental. Mantenha a fonte Vi desligada.
b) Ligue a fonte Vi e ajuste a tensão desta de modo que a corrente medida pelo amperímetro seja a exigida na
Tabela 1, meça a tensão Vd com o voltímetro e preencha a Tabela 1.
Tabela 1. Resultados experimentais e simulados.

Id (A) 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90

Vd Simulado (V)

Vd Experimental (V)

7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas I=f(v) simulada e experimental utilizando a Tabela 1.
b) Determinar a resistência média Rav referente às curvas I = f(v) simulada e experimental traçadas
anteriormente.
c) Como a temperatura influencia na curva característica do diodo?
d) Determine a temperatura da junção do diodo fazendo uso das características térmicas do diodo adotado,
onde deve ser considerada a temperatura ambiente de 25ºC para I(A) igual a 0,8 A (como aproximação utilize
a curva experimental obtida) conforme a Tabela 1.
e) Comente a respeito dos resultados obtidos com o experimento e seu respectivo circuito simulado.
f) Pesquise a respeito dos tipos de diodos: Schottky, Tunnel e Varicap.

8. APÊNDICE

PLANILHA 1: Cálculo da resistência série

1. Especificações:
Vi = 10 V [tensão na fonte de entrada]

2. Considerações:
IdM = 0.9 A [corrente inicial no diodo]
Vd = 0.7 V [queda de tensão no diodo]
Radot [resistência adotada]
Padot [potência dissipada no resistor]

3. Análise teórica:

i. Determinando resistência e potência

Vi �Vd
R1 �
� R1 = 10,33 Ω
IdM
PR1 �
�( Vi �Vd) �
Id M PR1 = 8,37 W

� Adota-se resistor de 10 ��
/ 10 W
PRÁTICA Nº 02 – RETIFICADORES
MONOFÁSICOS COM E SEM FILTRO
CAPACITIVO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é a analise do funcionamento dos circuitos retificadores
monofásicos de meia onda e onda completa mediante simulação e experimentação.

2. INFORMAÇÃO TEÓRICA
Os circuitos retificadores integram a maioria dos dispositivos eletrônicos que necessitam de uma
fonte de tensão CC condicionada a partir de uma fonte AC disponível. Os retificadores constituem um dos
três blocos básicos de uma fonte linear de tensão CC, cujo diagrama é representado na Figura 1.

Figura 1: Diagrama de blocos de uma fonte linear de tensão em corrente contínua.

BLOCO RETIFICADOR
Existem 3 topologias básicas de retificadores: retificador de meia onda, retificador de onda completa
em tap central e, retificador de onda completa em ponte. As diferentes topologias de retificadores podem ser
obtidas a partir do acréscimo de componentes, ou rearranjo na posição dos mesmos, tal como apresentados na
Figura 2.

(a) (b) (c)

Figura 2: Topologias básicas de circuitos retificadores: (a) retificador de meia onda; (b) retificador de onda
completa em tap central e; (c) retificador de onda completa em ponte.
 Para uma tensão de entrada (Vi) senoidal, tal como esboçada na Figura 3a, a forma de onda da
tensão na saída de um retificador de meia onda assemelha-se aquela esboçada na Figura 3b, ao passo que na
saída dos retificadores de onda completa em tap central e em ponte assemelha-se a Figura 3c.

(a) (b) (c)

Figura 3: Formas de onda da tensão: (a) na entrada dos retificadores; (b) na saída do retificador de meia
onda; (c) na saída dos retificadores de onda completa em tap central e em ponte.

Convém nesse ponto considerar os conceitos de Valor Médio e Valor Eficaz.

Valor Médio de um Sinal

O valor médio de um sinal é o valor constante que num dado intervalo de tempo T corresponde ao
valor médio do sinal no mesmo intervalo de tempo. Graficamente, corresponde a área média do sinal em
função do tempo, sendo a área da curva acima de zero considerada positiva ou negativa, caso contrário.
Matematicamente, o valor médio de um sinal f(t) no intervalo de t = t0 a t = t1 é dado por:

(Eq. 1)

Valor Eficaz de um Sinal

O valor eficaz de um sinal é o valor constante de tensão, corrente ou potência que num dado
intervalo de tempo T causa a mesma dissipação de potência numa carga resistiva referencial que o sinal em
questão, no mesmo intervalo de tempo. O valor eficaz também é denominado Valor RMS (Root Mean
Square – Raiz Média Quadrática). O valor RMS de um sinal f(t) no intervalo de t = t0 a t = t1 é dado por:

(Eq. 2)

Valor Médio e Eficaz em Retificadores Monofásicos

A aplicação das Equações 1 e 2 às expressões matemáticas da tensão de saída de retificadores
monofásicos de meia onda e onda completa, evidencia de forma quantitativa a diferença de desempenho das
diferentes topologias. A síntese desses casos é apresentada no Quadro 1. Em todos os casos considera-se
como entrada a tensão expressa por Vi(t) = Vmsen(ωt), VD0 a queda de tensão na polarização direta do diodo,
e o intervalo observado igual ao período do sinal de entrada (T).
 Topologia Vo(t) VoCC VoRMS

Meia Onda (Vm-VD0)sen(ωt), se t ≤ T/2

0,318(Vm – VD0) (Vm – VD0)/2√2
0, se t > T/2

Onda Completa
|(Vm-VD0)sen(ωt)| 0,636(Vm – VD0) (Vm – VD0)/√2
em Tap Central

Onda Completa
|(Vm-2VD0)sen(ωt)| 0,636(Vm – 2V D0 ) (Vm – 2VD0)/√2
em Ponte

Quadro 1: Tensões média e eficaz da tensão de saída de retificadores monofásicos de meia onda e onda
completa, considerando-se uma forma de onda senoidal como tensão de entrada.

BLOCO DE FILTRAGEM
Nota-se que forma de onda das tensões de saída das três topologias de retificador apresenta uma
elevada ondulação, principalmente no caso do retificador de maia onda (Figura 3). De maneira geral, essa
ondulação é indesejável e uma filtragem se faz necessária. Geralmente isso é feito pelo simples acréscimo de
um filtro capacitivo, reduzindo a ondulação na forma de onda da tensão e elevando o médio da tensão de
saída, conforme esboçado na Figura 4.
DVC

Vsmax
Vo med
Vsmin

0 p 2p 3p 4p t (w.t )

- Vsmax

T Tc
Figura 4: Forma de onda da tensão na carga em um retificador de meia onda com filtro capacitivo.

Conforme esboçado na Figura 4, em regime de operação, o pleno carregamento do capacitor ocorre

cada vez que a tensão de saída do retificador atinge seu máximo, VsMAX, cujo valor é dado pela Eq. 1, sendo
VD0 a queda de tensão no diodo. Se o produto entre a capacitância de filtragem (C) e a resistência da carga
(R) for muito maior que o período do sinal de entrada (RC >> T), a descarga será muito mais lenta do que o
decaimento da tensão de entrada de tal forma que pode-se assumir que logo após o instante de máximo a
corrente na carga passa a ser fornecida unicamente pela descarga do capacitor. Essa descarga perdurará até o
instante em que a tensão na saída do retificador voltar a ser superior a tensão no capacitor quando o diodo
torna a conduzir, recarregando o capacitor para um novo ciclo. O ângulo do sinal de entrada no qual isso
ocorre (θc) pode ser calculado pela Eq. 2, tomando como base a variação tolerada da tensão de saída, ΔVo.

(Eq. 1)

(Eq. 2)
 Dessa forma, a capacitância do filtro necessária para produzir a variação na tensão de saída ΔVo ,
para uma carga resistiva de valor R e sinal de entrada senoidal de frequência f, pode ser determinada pela Eq.
3. Note que nesta equação o ângulo θc deve estar expresso em radianos.

(Eq. 3)

Após o filtro a tensão de saída aproxima-se do seu valor médio em corrente contínua, tanto mais
quanto maior foi o fator RC adotado. Nessa situação, seus valores médio e eficaz divergem muito pouco e
podem ser aproximados por:

(Eq. 4)

No caso de retificadores de onda completa a Eq. e 3 precisa ser ajustada. Nesses retificadores o
semiciclo negativo do sinal de entrada é retificado na saída com polaridade positiva. Por isso a descarga do
capacitor de filtro para a carga é π radianos mais breve e uma capacitância menor seja requerida para
produzir a mesma variação na tensão de saída do que aquela necessária em um retificador de meia onda:

(Eq. 5)

É preciso notar ainda que caso se trate de um retificador em ponte, a carga do capacitor se dá pela
condução de dois diodos em série em cada semiciclo. É necessário, portanto, computar duas vezes a queda
nos diodos da tensão de pico na entrada, devendo-se a tensão máxima de carga ser calculada pela Eq. 6 ao
invés da Eq. 1.

(Eq. 6)

BLOCO REGULADOR DE TENSÃO

Após a filtragem, a tensão na saída apresenta uma ondulação bem mais baixa do que aquela da etapa
se retificação, mas ainda existe e a magnitude desta variação depende diretamente da carga alimentada na
saída da fonte. Além disso, o valor médio da tensão de saída pode diferir daquele desejado na carga. Por
essas razões, é muito comum que após a filtragem um bloco adicional dedicado a regular a tensão tornando a
saída mais insensível às variações na carga e capaz de assumir valores específicos distintos daqueles
entregues pelo transformador. Circuitos reguladores de tensão não serão abordados nessa prática.

3. ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
Os esquemáticos dos circuitos experimentais são apresentados na Figura 5.

D1 D1
Id Rs Id Rs
+A +A
1 2 1 2
+ + 0...0.2 A 0...0.2 A
Lp Ls Io + Io +
Lp Ls +
Vrms Vp Vs Ro V Vo Vrms C- Ro V Vo
0...20 V 0...20 V
- -
- -

(a) (b)
 D1 Rs D1
Id Id
1 2
Io
Io +
Lp Ls + Lp Ls 2
+
Vrms Vrms C Ro
- Vo
Ro Vo Rs
1 -
-

Ls Ls
D2 D2

(c) (d)

Id Id
Ls D1 D2 Ls D1 D2
Io Io
2
+ 2
+
Lp Rs Lp Rs +
Vrms Ro Vo Vrms C Ro Vo
1 1 -
Ls - Ls -

D4 D3 D4 D3

(e) (f)

Figura 5: Esquemáticos a serem montados durante o experimento: retificador de meia onda sem (a) e com
filtro capacitivo (b); Retificador de onda completa em tap central sem (c) e com filtro capacitivo (d);
Retificador de onda completa em ponte sem (e) e com filtro capacitivo (f).

Em cada circuito a resistência série Rs destina-se unicamente a permitir a medição da forma de onda
da corrente no diodo com o auxílio do osciloscópio. Para que a presença desse resistor não altere
significativamente a tensão de saída, seu valor deve ser bem menor do que a da resistência de carga.
Convencionou-se neste procedimento Rs = Ro/100, logo Rs = 1 Ω. Dado o baixo tempo de condução de
cada diodo, um resistor para uma potência de ¼ W é suficiente.

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

A seguir são apresentadas as seguintes especificações:
� VRMS = 220 V [Tensão eficaz no primário do transformador]; e
� Ro = 100 Ω [Resistência da carga].
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
� Vs = 12 V [Tensão eficaz no secundário do transformador];
� f = 60 Hz [Freqüência da rede];
� VD0 = 0,70 V [Queda de tensão no diodo];
� ∆Vo = 15% VsMAX [Ondulação de tensão no capacitor filtro]; e
� D1 a D4 = 1N4007 [Diodo retificador].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
� 1 Voltímetro;
� 1 Amperímetro;
� 1 Transformador com tap central (+12V/+12V); e
� 1 Osciloscópio.
5. ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas nas seções anteriores, antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar os componentes utilizados, isto é, resistores e capacitores. Lembre-se de que
resistores precisam ser especificados em termos de resistência e potência de trabalho enquanto capacitores,
em termos de capacitância e tensão tolerada;
b) Determinar teoricamente o valor das grandezas exigidas (conforme a Tabela 1); e
c) Simular o circuito referente ao procedimento, analisar resultados esperados e preencher a Tabela 1.
Nota1: Caso a simulação seja feita com indutores acoplados para modelar o transformador, deve-se
dimensionar a relação entre as indutâncias do primário e secundário do transformador conforme a Eq. 7.
Dessa forma, se a tensão eficaz no primário do transformador for 220 V e no secundário 18 V, a relação entre
as indutâncias L1 e L2 deve ser aproximadamente 149:1.

(Eq. 7)

O fator de acoplamento entre os indutores deve ser K = 1, o que em alguns simuladores pode ser
parametrizado diretamente nos componentes ou através de uma diretiva específica. Em simuladores SPICE,
como o LTSpice, isso pode ser feito acrescentando a diretiva K L1 L2 1 ou K L1 L2 L3 1, no caso em
que L2 e L3 modelam os dois enrolamentos secundários ligados em série para prover o tap central.

6. PROCEDIMENTO
a) A partir dos esquemáticos apresentados na Figura 5 e dos resultados obtidos durante a análise
computacional, monte cada um dos circuitos retificadores. Mantenha a alimentação AC desligada.
b) Ligue a alimentação AC; para cada circuito retificador montado, utilizando um multímetro, meça as
grandezas experimentais exigidas na Tabela 1 e preencha os campos correspondentes.
c) Para cada circuito retificador, com a ponteira de tensão do osciloscópio e sua referência corretamente
posicionada, verifique o tempo de condução do diodo (Tc) para o circuito retificador correspondente.
Nota2: As grandezas Id1EF, Id1MED, ∆Vo, Tc e VdPIV devem ser medidas utilizando o osciloscópio.
Nota3: A Tabela 1 deve ser replicada para cada circuito retificador analisado.
Nota4: Devido à impossibilidade da medição de corrente eficaz em um dado diodo de forma direta com o
multímetro disponível, acrescenta-se um resistor (Rs) de baixa resistência (1Ω/0,25W) e tolerância reduzida
(< 5%) em série com o diodo escolhido (conforme visto na Figura 2), em seguida fazendo uso do
osciloscópio é verificada a forma de onda da tensão no resistor que é proporcional a corrente que circula no
diodo (medição indireta).
Tabela 1. Resultado teórico, simulado e experimental.

Método de análise utilizado

Circuito
Grandeza
Retificador
Teórico Simulado Experimental

Id1 MED [A]

Id1EF [A]

IoMED [A]

_ VoMED [V]

∆VC [V]

Tc [ms]

VdPIV [V]

7. QUESTIONÁRIO
a) Comente a respeito do tempo de condução (Tc) verificado em cada circuito retificador e faça um
comparativo dos resultados obtidos entre as demais grandezas utilizando a Tabela 1.
b) Comente a respeito dos resultados obtidos em cada um dos circuitos retificadores montados
experimentalmente e compare com o seu equivalente simulado atentando para as grandezas presentes na
Tabela 1.
c) Analisando o circuito da Figura 5(f), suponha que o diodo D3 se danifique quando operando em regime
permanente. Na 1ª situação, o componente comporta-se como um elemento de impedância infinita; e na 2ª
situação, o componente comporta-se como um elemento de baixa impedância. Análise o comportamento do
circuito para ambas as situações impostas. Apresente as formas de onda de tensão na carga.
d) Comente o motivo pelo qual foi adotada a medição indireta na determinação da corrente eficaz no diodo e
não a medição direta utilizando o amperímetro AC convencional.
e) Para as Figuras 5(e) e 5(f), explique o motivo da discrepância entre os valores medidos
experimentalmente: Id1 MED e IoMED; a partir da forma de medição utilizada.
f) Pesquise a respeito da Ponte de Graetz.
g) Pesquise a respeito dos diodos utilizados em circuitos retificadores: Standard Recovery, Fast Recovery e
Ultra Fast Recovery.