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Aula LAB 01 – Semicondutores de potência

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SANTA CATARINA


DEPARTAMENTO ACADÊMICO DE ELETRÔNICA
CURSO TÉCNICO DE ELETRÔNICA
Eletrônica de Potência

AULA LAB 01
LABORATÓRIO SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

1 INTRODUÇÃO
Esta aula de laboratório tem por objetivo consolidar os conhecimentos obtidos nas
aulas teóricas referentes ao estudo de semicondutores de potência, aplicados nos conversores
de eletrônica de potência, mais especificamente diodos, tiristores e transistores.
Em síntese, objetiva-se:
• Testar semicondutores de potência;
• Implementar circuitos de disparo de tiristores e transistores;
• Levantar a curva de corrente versus tensão de diodos;
• Entender o funcionamento de semicondutores de potência.

2 DIODOS SEMICONDUTORES
Obtenha na internet a folha de dados do diodo MUR 160.
A seguir, verifique se o diodo está em boas condições, utilizando o multímetro. Meça
a tensão direta do mesmo:
VD = __________.

Levante a curva de corrente versus tensão, tanto na região direta como na região
reversa do diodo, anotando os valores nas tabelas 1 e 2. Utilize como referência o circuito da
figura 1. O diodo utilizado no circuito é o MUR 160 e o resistor é de 100 Ω.

Tabela 1 – Valores de tensão e corrente na região direta.


Tensão no resistor Corrente calculada
Tensão na fonte [V] Tensão no diodo [V]
[V] no diodo [mA]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0

Tabela 2 – Valores de tensão e corrente na região reversa.


Tensão no resistor Corrente calculada
Tensão na fonte [V] Tensão no diodo [V]
[V] no diodo [mA]
0,0
15,0
30,0

Eletrônica de Potência - Laboratório 1/5


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Desenhe a curva característica do diodo na figura 2. Utilize os dados das tabelas 1 e 2


e extrapole os pontos para obter uma melhor visualização da curva.

Determine a máxima perda em condução do diodo.


A tensão direta do diodo de potência é maior ou menor do que de um diodo de sinal?

Polarização Direta Polarização Reversa

+ R1 + R1

Vi Vi

- D1 - D1

Figura 1 – Circuito de polarização do diodo semicondutor.

iD

vD

Figura 2 – Curva característica do diodo de potência.

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3 TIRISTORES (RETIFICADOR CONTROLADO DE SÍLICIO)


Obtenha na internet a folha de dados do SCR BT 151.
A seguir, verifique se o diodo está em boas condições, utilizando o multímetro.

Implemente o circuito mostrado na figura 3 e provoque o disparo e bloqueio do SCR


conforme orientações do professor. Para disparar o tiristor, conecte através de um condutor
(fiozinho) o resistor R2 ao terminal de gatilho do SCR. Já para bloquear o tiristor, inicialmente
desligue a fonte de alimentação, em seguida religue o circuito e verifique que o mesmo
deixou de conduzir. A outra possibilidade é curto-circuito através de um condutor, conforme
indicado na figura, o terminal de anodo com o terminal de catado do SCR.
Os elementos do circuito da figura 3 são:
Vi = 5 V;
R1 = 100 Ω;
R2 = 220 Ω;
D1 = LED comum;
T1 = BT 151.

Comprove que o tiristor permanece em condução mesmo após se retirar o pulso de


disparo.
Meça a tensão entre anodo e catodo do tiristor quando o mesmo estiver conduzindo:
VT = __________.

Quais as duas formas de bloquear um tiristor que foram testadas?


Determine a máxima perda em condução do tiristor.

R1

+ D1
R2

Vi
A
- T1
G
C

Figura 3 – Circuito para teste do tiristor (SCR).

4 TRANSISTOR MOSFET
Obtenha na internet a folha de dados do MOSFET IRF 540.
A seguir, verifique se o MOSFET está em boas condições, utilizando o multímetro.
Em continuação, implemente o circuito mostrado na figura 4, objetivando verificar o
disparo e bloqueio do MOSFET.
Os elementos do circuito da figura 4 são:
Vi = 15 V;

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R1 = 680 Ω;
R2 = 1 kΩ;
R3 = 33 Ω;
D1 = LED comum;
M1 = IRF 540.

R1

+
D1
Vi
R2
D
- R3 M1
G
S

Figura 4 – Circuito para teste do MOSFET.

Ajustando o resistor R2, verifique a operação do MOSFET na região de corte, ôhmica


e saturação.
Levante a curva da corrente de dreno (ID) em função da tensão entre gatilho e fonte
(VGS) do MOSFET, anotando os valores na tabela 3.
Trace a curva da corrente de dreno em função da tensão entre gatilho e fonte conforme
a figura 5.

Tabela 3 – Valores da corrente de dreno e tensão entre gatilho e fonte.


Corrente de dreno Resistência calculada
VGS [V] VDS [V]
[mA] entre dreno e fonte [Ω]
0,0
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
5,0
10,0
15,0

Qual a tensão de limiar do MOSFET?

O que pode ser concluído com relação à resistência do MOSFET entre dreno e fonte?

Determine a perda de condução do MOSFET.

Determine o atraso para entrada em condução do MOSFET.

Determine o atraso de bloqueio do MOSFET.

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iD

vGS

Figura 5 – Curva característica do MOSFET de potência.

5 RECUPERAÇÃO REVERSA DE DIODOS (DEMONSTRAÇÃO)


Este circuito será demonstrado pelo professor, não é necessária sua montagem em
aula.
Implemente o circuito mostrado na figura 6, que tem a finalidade de mostrar a
recuperação reversa em diodos de potência. Verifique com o professor a demonstração do
circuito.
R3

20 Ω

R1 R2 L1 D1
1N 4007
33 Ω 5 mH
+
15 V 100 Ω
PWM D I
Vi
M1 D1
G
- IRF 540
T1 R4 S
10 kΩ
Arduino 2N2222

Figura 6 – Circuito para verificar a recuperação reversa de diodos.

Eletrônica de Potência - Laboratório 5/5