2022

Laboratório de Dispositivos
Eletrônicos

Prof. Otacílio M. Almeida

Prof. Marcos Zurita

UFPI
Centro de Tecnologia
Departamento de Eng. Elétrica

Ver. 1.1
01/01/2022
SUMÁRIO

APRESENTAÇÃO.................................................................................................................................. 1

PRÁTICA Nº 01 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ...................................................................... 2

PRÁTICA Nº 02 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA SEM E COM

FILTRO CAPACITIVO ........................................................................................................................ 6

PRÁTICA Nº 03 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER .................................................. 12

PRÁTICA Nº 04 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ ................................................. 16

PRÁTICA Nº 05 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE ............................................................................. 20

PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS............................................... 24

PRÁTICA Nº 07 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR FET ................................................. 28

PRÁTICA Nº 08 – FET OPERANDO COMO CHAVE ............................................................................. 31

PRÁTICA Nº 09 – FET OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .............................................. 37

APRESENTAÇÃO

A apostila de práticas de Laboratório referente à Disciplina de Dispositivos

Eletrônicos consiste: edição, estruturação e adequação das práticas antigas do laboratório.
As novas práticas incluem ótima didática, organização e clareza, as quais contornam
problemas e dúvidas sugeridas por alunos e professores que utilizaram o material durante
os semestres anteriores.

Sendo assim, é apresentado o objetivo geral: fortalecer o incentivo ao aprendizado e

moldar o perfil do estudante direcionado à área de estudo da eletrônica; e de forma
semelhante são apresentados os objetivos específicos: adequar à aplicação prática o
conteúdo da disciplina, criar roteiros conforme o conteúdo ministrado semanalmente e
impor estrutura lógica na elaboração da prática.

Uma organização da estrutura dos roteiros de prática foi estabelecida de modo que
um encaminhamento lógico durante a realização do experimento possa ser seguido.

Aos alunos, este trabalho pretende contribuir de forma satisfatória no processo de

ensino-aprendizagem, de modo que literaturas complementares possam ser utilizadas em
auxílio do processo de ensino.
PRÁTICA Nº 01 – CURVA
CARACTERÍSTICA DO DIODO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o levantamento das curvas características do diodo mediante
simulação e experimentação.

2. INFORMAÇÃO TEÓRICA
O comportamento da curva característica I = f(v) do diodo real e o modelo de segmentos lineares
utilizados na determinação dos seus parâmetros são ilustrados na Figura 1(a) e (b), respectivamente. O
comportamento da curva exponencial é dependente do material que constitui a junção, sua área e a variação
de temperatura, apresentando assim uma queda de tensão específica para o componente (0,6 a 0,8 V para o
diodo de silício). Ter o conhecimento dos parâmetros do modelo do diodo é bastante comum em aplicações,
onde é desejável analisar as perdas do componente quando em condução. A partir da análise gráfica da
Figura 1(a) e do modelo apresentado na Figura 1(b), as Eqs. (1), (2), (3), (4) e (5) são obtidas e tratam: a
resistência média do componente (Rav), o modelo de segmentos lineares adotado, a expressão geral da
potência no componente, a potência média dissipada no componente na forma integral do valor médio e
resultado da potência média, respectivamente. Nota-se que a Eq. (5) é composta por uma componente de
corrente média e uma componente de corrente eficaz ao quadrado.

Vfo Rav D
Id

Figura 1 - (a) Curva característica e (b) modelo segmentos lineares do diodo.

Vf N  Vf O
Rav  (1)
If N

Vd  Vf O  Rav . Id (2)

p D (t )  Id .Vd  Vf O . Id  Rav . Id 2 (3)

 T
1
T 0
Pd med (t )  . p D (t ) . dt (4)

Pd med (t )  Vf O . Id med  Rav . Id ef2 (5)

3. ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
O esquemático do circuito experimental é ilustrado na Figura 2.

Id R1
+A -
0...10 A
+
+
Vi D1 V Vd
0...2 V
- -

0
Figura 2 - Esquemático a ser montado durante o experimento.

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

A seguir é apresentada a seguinte especificação:
 Vi = 0 a 10 [V] [Tensão contínua variável a ser aplicada à entrada].
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
 IfMAX = 0,90 [A] [Corrente máxima adotada no diodo];
 VfN = 0,70 [V] [Queda de tensão nominal no diodo]; e
 D1 1N4007 [Diodo selecionado].

Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:

 Voltímetro (1);
 Amperímetro (1); e
 Fonte de tensão CC (1).

5. ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar o valor das resistências comerciais, bem como a potência dissipada; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e preencher a
Tabela 1 para os resultados simulados.

6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a análise computacional
monte o circuito experimental. Mantenha a fonte Vi desligada.
b) Ligue a fonte Vi e ajuste a tensão desta de modo que a corrente medida pelo amperímetro seja a exigida na
Tabela 1, meça a tensão Vd com o voltímetro e preencha a Tabela 1.
Tabela 1. Resultados experimentais e simulados.

Id (A) 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90

Vd (V) Simulado

Vd (V) Experimental

7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas I=f(v) simulada e experimental utilizando a Tabela 1.
b) Determinar a resistência média Rav referente às curvas I = f(v) simulada e experimental traçadas
anteriormente.
c) Como a temperatura influencia na curva característica do diodo?
d) Determine a temperatura da junção do diodo fazendo uso das características térmicas do diodo adotado,
onde deve ser considerada a temperatura ambiente de 25ºC para I(A) igual a 0,8 A (como aproximação utilize
a curva experimental obtida) conforme a Tabela 1.
e) Comente a respeito dos resultados obtidos com o experimento e seu respectivo circuito simulado.
f) Pesquise a respeito dos tipos de diodos: Schottky, Tunnel e Varicap.

8. APÊNDICE

PLANILHA 1: Cálculo da resistência série

1. Especificações:
Vi = 10 V [tensão na fonte de entrada]

2. Considerações:
IdM = 0.9 A [corrente inicial no diodo]
Vd = 0.7 V [queda de tensão no diodo]
Radot [resistência adotada]
Padot [potência dissipada no resistor]

3. Análise teórica:

i. Determinando resistência e potência

Vi  Vd
R1  R1 = 10,33 Ω
IdM
PR1  ( Vi  Vd)  IdM PR1 = 8,37 W

 Adota-se resistor de 10 / 10 W