Apostila DispositivosEletronicos UFPI-v1-9

2022
Laboratório de Dispositivos
Eletrônicos
Prof. Otacílio M. Almeida

Prof. Marcos Zurita
UFPI
Centro de Tecnologia
Departamento de Eng. Elétrica
Ver. 1.1
01/01/2022
SUMÁRIO
APRESENTAÇÃO ................................................................................................................................................. 1
PRÁTICA Nº 01 – O OSCILOSCÓPIO COMO INSTRUMENTO DE CARACTERIZAÇÃO ........................................... 2
PRÁTICA Nº 02 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ...................................................................................... 3
PRÁTICA Nº 03 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS COM E SEM FILTRO CAPACITIVO ........................................ 6
PRÁTICA Nº 04 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER.................................................................. 13
PRÁTICA Nº 05 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ ................................................................. 17
PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE ............................................................................................ 21
PRÁTICA Nº 07 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .............................................................. 25
PRÁTICA Nº 08 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR FET ................................................................ 29
PRÁTICA Nº 09 – FET OPERANDO COMO CHAVE ............................................................................................ 33
PRÁTICA Nº 10 – FET OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .............................................................. 37

Universidade Federal do Piauí – Laboratório de Dispositivos Eletrônicos 1
APRESENTAÇÃO
A apostila de práticas de Laboratório referente à Disciplina de Dispositivos Eletrônicos

consiste: edição, estruturação e adequação das práticas antigas do laboratório. As novas práticas
incluem ótima didática, organização e clareza, as quais contornam problemas e dúvidas sugeridas
por alunos e professores que utilizaram o material durante os semestres anteriores.
Sendo assim, é apresentado o objetivo geral: fortalecer o incentivo ao aprendizado e

moldar o perfil do estudante direcionado à área de estudo da eletrônica; e de forma semelhante
são apresentados os objetivos específicos: adequar à aplicação prática o conteúdo da disciplina,
criar roteiros conforme o conteúdo ministrado semanalmente e impor estrutura lógica na
elaboração da prática.
Uma organização da estrutura dos roteiros de prática foi estabelecida de modo que um
encaminhamento lógico durante a realização do experimento possa ser seguido.
Aos alunos, este trabalho pretende contribuir de forma satisfatória no processo de ensino-
aprendizagem, de modo que literaturas complementares possam ser utilizadas em auxílio do
processo de ensino.
PRÁTICA Nº 01 – O OSCILOSCÓPIO COMO

INSTRUMENTO DE CARACTERIZAÇÃO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é a caracterização de um diodo semicondutor com o auxílio dos recursos
de um osciloscópio de armazenamento digital (DSO).
2. INFORMAÇÃO TEÓRICA
Osciloscópios são...
PRÁTICA Nº 02 – CURVA CARACTERÍSTICA

DO DIODO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o levantamento das curvas características do diodo mediante simulação
e experimentação.
O comportamento da curva característica I = f(v) do diodo real e o modelo de segmentos lineares utilizados
na determinação dos seus parâmetros são ilustrados na Figura 1(a) e (b), respectivamente. O comportamento da
curva exponencial é dependente do material que constitui a junção, sua área e a variação de temperatura,
apresentando assim uma queda de tensão específica para o componente (0,6 a 0,8 V para o diodo de silício). Ter o
conhecimento dos parâmetros do modelo do diodo é bastante comum em aplicações, onde é desejável analisar as
perdas do componente quando em condução. A partir da análise gráfica da Figura 1(a) e do modelo apresentado na
Figura 1(b), as Eqs. (1), (2), (3), (4) e (5) são obtidas e tratam: a resistência média do componente (Rav), o modelo
de segmentos lineares adotado, a expressão geral da potência no componente, a potência média dissipada no
componente na forma integral do valor médio e resultado da potência média, respectivamente. Nota-se que a Eq. (5)
é composta por uma componente de corrente média e uma componente de corrente eficaz ao quadrado.
Vfo Rav D
Id
Figura 1 - (a) Curva característica e (b) modelo segmentos lineares do diodo.
Vf N  Vf O
Rav  (1)
If N
Vd  Vf O  Rav . Id (2)
p D (t )  Id .Vd  Vf O . Id  Rav . Id 2 (3)
T
1
T 0
Pd med (t )  . p D (t ) . dt (4)
Pd med (t )  Vf O . Id med  Rav . Id ef2 (5)
3. ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
O esquemático do circuito experimental é ilustrado na Figura 2.
Id R1
+A -
0...10 A
+
+
Vi D1 V Vd
0...2 V
- -
0
Figura 2 - Esquemático a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

A seguir é apresentada a seguinte especificação:
 Vi = 0 a 10 [V] [Tensão contínua variável a ser aplicada à entrada].
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
 IfMAX = 0,90 [A] [Corrente máxima adotada no diodo];
 VfN = 0,70 [V] [Queda de tensão nominal no diodo]; e
 D1 1N4007 [Diodo selecionado].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:

 Voltímetro (1);
 Amperímetro (1); e
 Fonte de tensão CC (1).
5. ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem experimental é
necessário:
a) Determinar e especificar o valor das resistências comerciais, bem como a potência dissipada; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e preencher a Tabela 1
para os resultados simulados.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a análise computacional monte
o circuito experimental. Mantenha a fonte Vi desligada.
b) Ligue a fonte Vi e ajuste a tensão desta de modo que a tensão medida sobre o diodo seja a exigida na Tabela 1,
meça a corrente Id com o amperímetro e preencha a Tabela 1.
Tabela 1. Resultados experimentais e simulados.
Vd (V) 0,10 0,40 0,55 0,60 0,63 0,66 0,69 0,72 0,75 0,80
Id Simulado (A)
Id Experimental (A)
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas I=f(v) simulada e experimental utilizando a Tabela 1.
b) Determinar a resistência média Rav referente às curvas I = f(v) simulada e experimental traçadas anteriormente.
c) Como a temperatura influencia na curva característica do diodo?
d) Determine a temperatura da junção do diodo fazendo uso das características térmicas do diodo adotado, onde
deve ser considerada a temperatura ambiente de 25ºC para I(A) igual a 0,8 A (como aproximação utilize a curva
experimental obtida) conforme a Tabela 1.
e) Comente a respeito dos resultados obtidos com o experimento e seu respectivo circuito simulado.
f) Pesquise a respeito dos tipos de diodos: Schottky, Tunnel e Varicap.
8. APÊNDICE
PLANILHA 1: Cálculo da resistência série
1. Especificações:
Vi = 10 V [tensão na fonte de entrada]
2. Considerações:
IdM = 0.9 A [corrente inicial no diodo]
Vd = 0.7 V [queda de tensão no diodo]
Radot [resistência adotada]
Padot [potência dissipada no resistor]
3. Análise teórica:
i. Determinando resistência e potência
Vi  Vd
R1  R1 = 10,33 Ω
Id M
PR1  ( Vi  Vd)  Id M PR1 = 8,37 W
 Adota-se resistor de 10 / 10 W

PRÁTICA Nº 03 – RETIFICADORES
MONOFÁSICOS COM E SEM FILTRO
CAPACITIVO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é a analise do funcionamento dos circuitos retificadores monofásicos de
meia onda e onda completa mediante simulação e experimentação.
Os circuitos retificadores integram a maioria dos dispositivos eletrônicos que necessitam de uma fonte de
tensão CC condicionada a partir de uma fonte AC disponível. Os retificadores constituem um dos três blocos básicos
de uma fonte linear de tensão CC, cujo diagrama é representado na Figura 1.
Figura 1: Diagrama de blocos de uma fonte linear de tensão em corrente contínua.
BLOCO RETIFICADOR
Existem 3 topologias básicas de retificadores: retificador de meia onda, retificador de onda completa em tap
central e, retificador de onda completa em ponte. As diferentes topologias de retificadores podem ser obtidas a partir
do acréscimo de componentes, ou rearranjo na posição dos mesmos, tal como apresentados na Figura 2.
(a) (b) (c)
Figura 2: Topologias básicas de circuitos retificadores: (a) retificador de meia onda; (b) retificador de onda
completa em tap central e; (c) retificador de onda completa em ponte.
Para uma tensão de entrada (Vi) senoidal, tal como esboçada na Figura 3a, a forma de onda da tensão na
saída de um retificador de meia onda assemelha-se aquela esboçada na Figura 3b, ao passo que na saída dos
retificadores de onda completa em tap central e em ponte assemelha-se a Figura 3c.
(a) (b) (c)
Figura 3: Formas de onda da tensão: (a) na entrada dos retificadores; (b) na saída do retificador de meia onda; (c)
na saída dos retificadores de onda completa em tap central e em ponte.
Convém nesse ponto considerar os conceitos de Valor Médio e Valor Eficaz.
Valor Médio de um Sinal

O valor médio de um sinal é o valor constante que num dado intervalo de tempo T corresponde ao valor
médio do sinal no mesmo intervalo de tempo. Graficamente, corresponde a área média do sinal em função do tempo,
sendo a área da curva acima de zero considerada positiva ou negativa, caso contrário. Matematicamente, o valor
médio de um sinal f(t) no intervalo de t = t0 a t = t1 é dado por:
(Eq. 1)
Valor Eficaz de um Sinal

O valor eficaz de um sinal é o valor constante de tensão, corrente ou potência que num dado intervalo de
tempo T causa a mesma dissipação de potência numa carga resistiva referencial que o sinal em questão, no mesmo
intervalo de tempo. O valor eficaz também é denominado Valor RMS (Root Mean Square – Raiz Média
Quadrática). O valor RMS de um sinal f(t) no intervalo de t = t0 a t = t1 é dado por:
(Eq. 2)
Valor Médio e Eficaz em Retificadores Monofásicos

A aplicação das Equações 1 e 2 às expressões matemáticas da tensão de saída de retificadores monofásicos
de meia onda e onda completa, evidencia de forma quantitativa a diferença de desempenho das diferentes topologias.
A síntese desses casos é apresentada no Quadro 1. Em todos os casos considera-se como entrada a tensão expressa
por Vi(t) = Vmsen(ωt), VD0 a queda de tensão na polarização direta do diodo, e o intervalo observado igual ao
período do sinal de entrada (T).
Topologia Vo(t) VoCC VoRMS
Meia Onda (Vm-VD0)sen(ωt), se t ≤ T/2

0,318(Vm – VD0) (Vm – VD0)/2√2
0, se t > T/2
Onda Completa
|(Vm-VD0)sen(ωt)| 0,636(Vm – VD0) (Vm – VD0)/√2
em Tap Central
Onda Completa
|(Vm-2VD0)sen(ωt)| 0,636(Vm – 2VD0) (Vm – 2VD0)/√2
em Ponte
Quadro 1: Tensões média e eficaz da tensão de saída de retificadores monofásicos de meia onda e onda completa,
considerando-se uma forma de onda senoidal como tensão de entrada.
BLOCO DE FILTRAGEM
Nota-se que forma de onda das tensões de saída das três topologias de retificador apresenta uma elevada
ondulação, principalmente no caso do retificador de maia onda (Figura 3). De maneira geral, essa ondulação é
indesejável e uma filtragem se faz necessária. Geralmente isso é feito pelo simples acréscimo de um filtro
capacitivo, reduzindo a ondulação na forma de onda da tensão e elevando o médio da tensão de saída, conforme
esboçado na Figura 4.
Figura 4: Forma de onda da tensão na carga em um retificador de meia onda com filtro capacitivo.
Conforme esboçado na Figura 4, em regime de operação, o pleno carregamento do capacitor ocorre cada
vez que a tensão de saída do retificador atinge seu máximo, VsMAX, cujo valor é dado pela Eq. 1, sendo VD0 a queda
de tensão no diodo. Se o produto entre a capacitância de filtragem (C) e a resistência da carga (R) for muito maior
que o período do sinal de entrada (RC >> T), a descarga será muito mais lenta do que o decaimento da tensão de
entrada de tal forma que pode-se assumir que logo após o instante de máximo a corrente na carga passa a ser
fornecida unicamente pela descarga do capacitor. Essa descarga perdurará até o instante em que a tensão na saída do
retificador voltar a ser superior a tensão no capacitor quando o diodo torna a conduzir, recarregando o capacitor para
um novo ciclo. O ângulo do sinal de entrada no qual isso ocorre (θc) pode ser calculado pela Eq. 2, tomando como
base a variação tolerada da tensão de saída, ΔVo.
(Eq. 1)
(Eq. 2)
Dessa forma, a capacitância do filtro necessária para produzir a variação na tensão de saída ΔVo, para uma
carga resistiva de valor R e sinal de entrada senoidal de frequência f, pode ser determinada pela Eq. 3. Note que
nesta equação o ângulo θc deve estar expresso em radianos.
(Eq. 3)
Após o filtro a tensão de saída aproxima-se do seu valor médio em corrente contínua, tanto mais quanto
maior foi o fator RC adotado. Nessa situação, seus valores médio e eficaz divergem muito pouco e podem ser
aproximados por:
(Eq. 4)
No caso de retificadores de onda completa a Eq. e 3 precisa ser ajustada. Nesses retificadores o semiciclo
negativo do sinal de entrada é retificado na saída com polaridade positiva. Por isso a descarga do capacitor de filtro
para a carga é π radianos mais breve e uma capacitância menor seja requerida para produzir a mesma variação na
tensão de saída do que aquela necessária em um retificador de meia onda:
(Eq. 5)
É preciso notar ainda que caso se trate de um retificador em ponte, a carga do capacitor se dá pela condução
de dois diodos em série em cada semiciclo. É necessário, portanto, computar duas vezes a queda nos diodos da
tensão de pico na entrada, devendo-se a tensão máxima de carga ser calculada pela Eq. 6 ao invés da Eq. 1.
(Eq. 6)
BLOCO REGULADOR DE TENSÃO

Após a filtragem, a tensão na saída apresenta uma ondulação bem mais baixa do que aquela da etapa se
retificação, mas ainda existe e a magnitude desta variação depende diretamente da carga alimentada na saída da
fonte. Além disso, o valor médio da tensão de saída pode diferir daquele desejado na carga. Por essas razões, é muito
comum que após a filtragem um bloco adicional dedicado a regular a tensão tornando a saída mais insensível às
variações na carga e capaz de assumir valores específicos distintos daqueles entregues pelo transformador. Circuitos
reguladores de tensão não serão abordados nessa prática.
Os esquemáticos dos circuitos experimentais são apresentados na Figura 5.
D1 D1
Id Rs + Id Rs
A
+A
1 2 1 2
+ + 0...0.2 A 0...0.2 A
Lp Ls Io + Ls Io +
Lp +
Vrms Vp Vs Ro V Vo Vrms C- Ro V Vo
0...20 V 0...20 V
- -
- -
(a) (b)
D1 Rs D1
Id Id
1 2
Io
Io +
Lp Ls + Lp Ls 2
+
Vrms Vrms C Ro Vo
-
Ro Vo Rs
1 -
-
Ls Ls
D2 D2
(c) (d)
Id Id
Ls D1 D2 Ls D1 D2
Io Io
2
+ 2
+
Lp Rs Lp Rs +
Vrms Ro Vo Vrms C Ro Vo
1 1 -
Ls - Ls -
D4 D3 D4 D3
(e) (f)
Figura 5: Esquemáticos a serem montados durante o experimento: retificador de meia onda sem (a) e com filtro
capacitivo (b); Retificador de onda completa em tap central sem (c) e com filtro capacitivo (d); Retificador de onda
completa em ponte sem (e) e com filtro capacitivo (f).
Em cada circuito a resistência série Rs destina-se unicamente a permitir a medição da forma de onda da
corrente no diodo com o auxílio do osciloscópio. Para que a presença desse resistor não altere significativamente a
tensão de saída, seu valor deve ser bem menor do que a da resistência de carga. Convencionou-se neste
procedimento Rs = Ro/100, logo Rs = 1 Ω. Dado o baixo tempo de condução de cada diodo, um resistor para uma
potência de ¼ W é suficiente.

A seguir são apresentadas as seguintes especificações:
 VRMS = 220 V [Tensão eficaz no primário do transformador]; e
 Ro = 100 Ω [Resistência da carga].
 Vs = 12 V [Tensão eficaz no secundário do transformador];
 f = 60 Hz [Freqüência da rede];
 VD0 = 0,70 V [Queda de tensão no diodo];
 ∆Vo = 15% VsMAX [Ondulação de tensão no capacitor filtro]; e
 D1 a D4 = 1N4007 [Diodo retificador].
 1 Voltímetro;
 1 Amperímetro;
 1 Transformador com tap central (+12V/+12V); e
 1 Osciloscópio.
Conforme as informações apresentadas nas seções anteriores, antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar os componentes utilizados, isto é, resistores e capacitores. Lembre-se de que resistores
precisam ser especificados em termos de resistência e potência de trabalho enquanto capacitores, em termos de
capacitância e tensão tolerada;
b) Determinar teoricamente o valor das grandezas exigidas (conforme a Tabela 1); e
c) Simular o circuito referente ao procedimento, analisar resultados esperados e preencher a Tabela 1.
Nota1: Caso a simulação seja feita com indutores acoplados para modelar o transformador, deve-se dimensionar a
relação entre as indutâncias do primário e secundário do transformador conforme a Eq. 7. Dessa forma, se a tensão
eficaz no primário do transformador for 220 V e no secundário 18 V, a relação entre as indutâncias L1 e L2 deve ser
aproximadamente 149:1.
(Eq. 7)
O fator de acoplamento entre os indutores deve ser K = 1, o que em alguns simuladores pode ser
parametrizado diretamente nos componentes ou através de uma diretiva específica. Em simuladores SPICE, como o
LTSpice, isso pode ser feito acrescentando a diretiva K L1 L2 1 ou K L1 L2 L3 1, no caso em que L2 e L3
modelam os dois enrolamentos secundários ligados em série para prover o tap central.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir dos esquemáticos apresentados na Figura 5 e dos resultados obtidos durante a análise computacional,
monte cada um dos circuitos retificadores. Mantenha a alimentação AC desligada.
b) Ligue a alimentação AC; para cada circuito retificador montado, utilizando um multímetro, meça as grandezas
experimentais exigidas na Tabela 1 e preencha os campos correspondentes.
c) Para cada circuito retificador, com a ponteira de tensão do osciloscópio e sua referência corretamente posicionada,
verifique o tempo de condução do diodo (Tc) para o circuito retificador correspondente.
Nota2: As grandezas Id1EF, Id1MED, ∆Vo, Tc e VdPIV devem ser medidas utilizando o osciloscópio.
Nota3: A Tabela 1 deve ser replicada para cada circuito retificador analisado.
Nota4: Devido à impossibilidade da medição de corrente eficaz em um dado diodo de forma direta com o multímetro
disponível, acrescenta-se um resistor (Rs) de baixa resistência (1Ω/0,25W) e tolerância reduzida (< 5%) em série
com o diodo escolhido (conforme visto na Figura 2), em seguida fazendo uso do osciloscópio é verificada a forma
de onda da tensão no resistor que é proporcional a corrente que circula no diodo (medição indireta).
Tabela 1. Resultado teórico, simulado e experimental.
Método de análise utilizado

Circuito
Grandeza
Retificador
Teórico Simulado Experimental
Id1MED [A]
Id1EF [A]
IoMED [A]
_ VoMED [V]
∆VC [V]
Tc [ms]
VdPIV [V]
7. QUESTIONÁRIO
a) Comente a respeito do tempo de condução (Tc) verificado em cada circuito retificador e faça um comparativo dos
resultados obtidos entre as demais grandezas utilizando a Tabela 1.
b) Comente a respeito dos resultados obtidos em cada um dos circuitos retificadores montados experimentalmente e
compare com o seu equivalente simulado atentando para as grandezas presentes na Tabela 1.
c) Analisando o circuito da Figura 5(f), suponha que o diodo D3 se danifique quando operando em regime
permanente. Na 1ª situação, o componente comporta-se como um elemento de impedância infinita; e na 2ª situação,
o componente comporta-se como um elemento de baixa impedância. Análise o comportamento do circuito para
ambas as situações impostas. Apresente as formas de onda de tensão na carga.
d) Comente o motivo pelo qual foi adotada a medição indireta na determinação da corrente eficaz no diodo e não a
medição direta utilizando o amperímetro AC convencional.
e) Para as Figuras 5(e) e 5(f), explique o motivo da discrepância entre os valores medidos experimentalmente:
Id1MED e IoMED; a partir da forma de medição utilizada.
f) Pesquise a respeito da Ponte de Graetz.
g) Pesquise a respeito dos diodos utilizados em circuitos retificadores: Standard Recovery, Fast Recovery e Ultra
Fast Recovery.
PRÁTICA Nº 04 – FONTE DE TENSÃO

REGULADA A DIODO ZENER
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é projeto e analise do funcionamento de uma fonte de tensão regulada a
diodo zener mediante simulação e experimentação.
O terceiro e último bloco apresentado na Figura 1 da Prática 3, aqui reapresentada, é um circuito regulador
de tensão. Existem diversas formas de se implementar esse regulador. Apresenta-se aqui, por hora, a solução mais
simples, o regulador a diodo zener. Esta solução mais simples é perfeitamente adequada a pequenas fontes de
alimentação lineares voltadas a aplicações que necessitam de uma potência absorvida reduzida.
Figura 1: Diagrama de blocos de uma fonte linear contendo um regulador na tensão na saída.
A partir de um circuito retificador com filtro capacitivo alimentando uma carga linear, uma tensão no
capacitor com ondulação considerada em projeto é obtida. Para que a tensão na saída (na carga) seja
aproximadamente constante projeta-se um circuito resistivo em série com o diodo zener, sendo assim a variação da
potência drenada pela carga na saída depende das características de potência do diodo zener e do valor da resistência
série, de modo que não haja perda na regulação da tensão na saída. São ilustradas na Figura 2 as etapas de um
circuito pertencente a uma fonte de tensão regulada a diodo zener, onde se notam as etapas: abaixamento da tensão
(caso mais comum), retificação, filtragem e regulação da tensão na carga.
Figura 2: Etapas de uma fonte de alimentação CC.
O circuito regulador de tensão a diodo zener é apresentado na Figura 3. Note que o zener é polarizado
reversamente, de modo a operar na Região Zener. A resistência em série com o diodo zener (RS) deve ser projetada
de modo a manter a tensão regulada nos terminais da carga (RL), mesmo que a impedância de saída seja variável, a
tensão de entrada (VE) apresente alguma variação (geralmente proveniente da ondulação de tensão nos terminais do
capacitor de filtro). Em outras palavras, ainda que a tensão de entrada no regulador varie e a carga alimentada varie
de impedância (ambos dentro de certos limites), a tensão de saída do regulador não variar de forma significativa.
Figura 3: Circuito regulador de tensão a diodo zener.
Considere a curva I-V típica de um diodo zener apresentada na Figura 4. Para que a regulação da tensão
seja assegurada, o projeto deve garantir primeiramente que a corrente mínima no zener (I Z) não caia abaixo do valor
mínimo especificado pelo fabricante, IZK, evitando assim que o ponto de operação saia da Região Zener. Ao mesmo
tempo, a corrente no zener não pode exceder aquela que o componente é capaz de suportar, I ZM. Essa corrente
máxima é geralmente expressa pelo fabricante, mas pode ser estimada em função da potência de trabalho do
componente (PMAX) e do valor nominal de sua tensão zener (VZ) como:
IZM = PMAX/VZ (Eq. 1)
Figura 4: Curva I-V característica de um diodo zener.
Note que, embora a tensão zener seja normalmente expressa como um valor fixo, uma pequena variação
ocorre em função do ponto de operação, sendo a diferença entre seus valores máximo e mínimo expressa por ΔV Z,
tal como esboçado na Figura 4. Desde que as condições de projeto sejam atendidas, a máxima variação observada na
tensão de saída do regulador deve ser menor ou igual a ΔV Z.
Dessa forma, conhecidos os valores mínimo e máximo da tensão de entrada do regulador (VEmin, VEmax), a
tensão de saída desejada (VS) e os valores mínimo e máximo da corrente na carga (ILmin, ILmax), pode-se projetar o
regulador seguindo alguns poucos passos.
1. Escolha do diodo zener: O diodo zener pode ser escolhido com base em dois parâmetros: a tensão zener
(VZ) e a corrente máxima de regulação (IZM).
Caso a tensão de saída desejada (VS) não coincida com a tensão zener de algum diodo comercial, pode-se
tentar encontrar uma associação série de diodos zener e/ou retificadores cuja soma seja igual ou próxima da
tensão almejada. Uma tensão de saída igual a 5,0 V, por exemplo, poderia ser obtida com um diodo zener
de 4,3 V reverso em série com um diodo retificador (0,7 V) polarizador diretamente. De outro modo, uma
tensão de 7,2 V poderia ser obtida com dois diodos zener de 3,6 V reversos em série.
Já a corrente máxima de regulação tolerada pelo diodo (I ZM) deve ser maior do que a diferença entre a
corrente máxima e a mínima solicitada pela carga (ΔIL = ILmax - ILmin). Isso se deve ao fato de que, por estar
a carga em paralelo com o diodo zener, toda a corrente que ela não consome nos intervalos em que
demanda corrente mínima, recai sobre o diodo. Naturalmente o zener deve ser capaz de suportar essa
corrente excedente à carga pelo tempo que for necessário.
2. Determinação da resistência RS: O valor da resistência RS deve ser escolhido de forma a assegurar que a
corrente reversa no diodo (IZ) se mantenha dentro da faixa de IZK a IZM para quaisquer valores de tensão de
entrada dentro da faixa especificada (VEmin a VEmax) e quaisquer valores de corrente na carga dentro da faixa
especificada (ILmin a ILmax). Uma rápida análise revela duas situações extremas possíveis: Mínima entrada
para máxima saída (VE = VEmin e IL = ILmax) e; Máxima entrada para mínima saída (VE = VEmax e IL = ILmin).
Os valores limites de RS devem ser determinados pela análise de cada uma dessas situações:
a. Mínima entrada para máxima saída (VE = VEmin e IL = ILmax): nessa situação a carga está
consumindo o valor máximo de corrente, restando apenas uma pequena parcela da que atravessa
RS para polarizar o diodo. Essa corrente residual deve ser ao menos capaz de manter o diodo na
região zener, portanto:
ISmin = IZK + ILmax
Mas,
ISmin = (VEmin – VZ)/RS
Logo:
RSmax = (VEmin – VZ)/(IZK + ILmax)
b. Máxima entrada para mínima saída (VE = VEmax e IL = ILmin): nessa situação a carga está
consumindo o valor mínimo de corrente e toda a corrente excedente que atravessa R S deverá ser
fluir pelo diodo. Essa corrente excedente deve ser inferior a máxima corrente tolerada pelo zener,
assim:
ISmax = IZM + ILmin
Mas,
ISmax = (VEmax – VZ)/RS
Logo:
RSmin = (VEmax – VZ)/(IZM + ILmin)
Determinados os valores máximo e mínimo da resistência RS, pode-se arbitrar um valor intermediário que
satisfará ambas as situações extremas. Uma boa prática é adotar um valor comercial próximo ao valor
mediano, isto é:
RSadotado ≈ (RSmax + RSmin)/2.
3. Determinação da potência máxima dissipada em RS: Naturalmente o resistor adotado deverá ser capaz
de tolerar a potência máxima a ser dissipada por ele. Esse valor pode ser facilmente determinado como:
PRSmax = RSadotado * ISmax2
Figura 5: Parâmetros de alguns diodos zener fornecidos no datasheet da Surge Components. Além dos parâmetros
IZK e IZM correspondentes a cada diodo o fabricante informa ainda outros parâmetros como impedância máxima
(ZZT) corrente de surto tolerada (IR) e a corrente de teste (IZT) à qual corresponde a tensão nominal do zener (VZ).
O esquemático do circuito experimental é apresentado na Figura 2.
Figura 6: Esquemático do circuito a ser montado durante o experimento.

 Vprm = 220 [V] [Tensão eficaz aplicada ao primário do transformador];
 Vsec = 12 [V] [Tensão eficaz no secundário do transformador];
 VS = 5,1 [V] [Tensão de saída regulada];
 RLmax =1k [Ω] [Resistência máxima da carga];
 RLmin = 55 [Ω] [Resistência mínima da carga];
 RZ =1 [Ω] [Resistência para medição da corrente no zener].

 fr = 60 [Hz] [Freqüência da rede];
 Vd = 0,70 [V] [Queda de tensão no diodo];
 ∆VC = 4,5 [V] [Ondulação no capacitor filtro];
 Dz 1N4733A [Diodo zener selecionado 5,1V/1W]; e
 D1 1N4007 [Diodo retificador].
 Amperímetro (1);
 Transformador para 12 V (1); e
 Osciloscópio (1).
necessário:
a) Determinar e especificar os componentes comerciais utilizados (resistores e capacitores).
I - Determine primeiramente o valor do resistor série (R S) do regulador de tensão, valendo-se para isso do
procedimento descrito na seção anterior. Lembre-se de considerar como resistência adotada um valor
comercial ou um que possa ser obtido a partir da associação de resistores comerciais. Os resistores de
potência disponíveis no laboratório são: 10Ω, 18Ω, 100Ω, 220Ω (não use mais do que um resistor de cada
valor).
II – Uma vez dimensionado o resistor RS, calcule o capacitor do filtro (C1) considere as equações descritas
no guia da Prática 03, assumindo para isso que a carga alimentada pelo conjunto retificador-filtro equivale a
resistência da carga máxima (RLmin) somada a resistência RS. Lembre-se de considerar como capacitância
adotada um valor comercial. Os capacitores disponíveis no laboratório são: 47 μF, 100 μF, 220 μF, 330 μF,
470 μF, 1000 μF e 4700 μF.
b) Conforme a Tabela 1, determinar teoricamente o valor dos demais capacitores. O capacitor C1
Sobredimensionado deve ter seu valor aproximadamente igual ao dobro da capacitância nominal de C 1, enquanto o
Subdimensionado, aproximadamente a metade do valor de C1 nominal; A título de exemplo, se o capacitor nominal
adotado fosse 100 μF, o sobredimensionado seria 220 μF e o subdimensionado 47 μF.
c) Preencher a Tabela 2 com os valores de tensão e corrente calculados e obtidos por simulação.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 6 e dos resultados obtidos durante a análise computacional, monte
o circuito experimental com carga mínima (RLmax) e C1 nominal. Mantenha a alimentação AC desligada.
b) Ligue a alimentação AC, para o circuito experimental e preencha a Tabela 2 com as grandezas medidas
experimentalmente.
c) Desligue a alimentação e substitua a carga para RLmin., mantendo C1 em seu valor nominal.
d) Refaça o item b) para o novo valor de RL.
e) Refaça os itens de a) até c) substituindo o capacitor C1 para os valores sobredimensionado e depois
subdimensionado.
Nota1: As grandezas ∆VE, VS e IZ devem ser medidas utilizando o osciloscópio, sendo a corrente I Z medida
indiretamente a partir da queda de tensão em RZ.
Tabela 1. Componentes do projeto.
Especificação de Componentes
Componente Variação Valor do componente
Calculado
Aadotado ou nominal (C1nominal)

Capacitor
C1
Sobredimensionado (≈ 2* C1adotado)
Subdimensionado (≈ C1adotado/2)
Calculado
Resistor
Aadotado (RSadotado)
RS
Potência mínima tolerada (PRs)
Tabela 2. Resultados experimentais.
Análise do circuito retificador de meia onda com filtro e regulador a diodo zener
Capacitor Método de análise utilizado

e Grandeza
Carga RL Calculado Simulado Experimental
IzMIN [mA]
IzMAX [mA]
VsMIN [V]
-
VsMAX [V]
VsMED [V]
∆VE [V]
7. QUESTIONÁRIO
a) Determine a regulação de tensão na carga para os resultados experimentais e simulados na Tabela.
b) A partir dos resultados da Tabela 2 traçar as curvas VL = f(IL) (simulada e experimental) e comente a respeito do
comportamento gráfico obtido.
c) Explique o comportamento do diodo zener na região de ruptura reversa.
d) Analisando o circuito da Figura 2, suponha que o capacitor C seja retirado do circuito em um dado instante após o
circuito ter atingido regime permanente. Analise e explique o comportamento do circuito para esta situação imposta
fazendo uso de simulação. Apresente as formas de onda de tensão na carga.
e) Pesquise a respeito do regulador shunt programável TL431.
PRÁTICA Nº 05 – CURVAS
CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um transistor de TBJ na
configuração emissor-comum mediante simulação e experimentação.
Estando o Transistor Bipolar de Junção (TBJ) NPN polarizado na configuração emissor comum, conforme
ilustrado na Figura 1; um par de curvas características é necessário para descrever o comportamento do componente
nesta configuração: uma curva para o circuito de entrada ou base-emissor e a outra curva para o circuito de saída ou
coletor-emissor (estas curvas são amplamente encontradas nas folhas de especificação do componente). As curvas
características são apresentadas na Figura 2.
Ic
Ib
Ie
Figura 1. Notação e símbolo transistor NPN.
(a) (b)
Figura 2. Curvas características: (a) Circuito de saída e (b) circuito de entrada.

Para um ponto de operação adotado, obtido a partir da interseção entre a curva de carga e uma das
diferentes curvas características do circuito de saída e interno a região de operação segura, projeta-se o circuito com
TBJ para diversas aplicações: corte-saturação e amplificação de sinais; é interessante que tal ponto escolhido esteja
interno a curva que limita a região de operação segura do TBJ real, tendo em vista a limitação das características
externas a que o componente esteja submetido (esforços).
O esquemático do circuito experimental é ilustrado na Figura 3. A fonte de alimentação da malha de saída (V2) foi
propositalmente trocada de lugar com o resistor de coletor (R C) de maneira a facilitar a leitura das grandezas com o
osciloscópio. Desta forma, a tensão lida no nó 2 é a própria tensão de coletor-emissor (VCE) e a tensão no nó 3 é
diretamente proporcional a corrente de coletor. Ao adotar RC = 100 Ω, a tensão lida passa a ser um décimo da
corrente em miliampéres, ou seja, se a tensão medida no osciloscópio for 2,93 V, sabe-se que a corrente de coletor é
de 29,3 mA.
Figura 3. Esquemático a ser montado durante o experimento.

 V1 = 0 a 15 [V] [Tensão contínua aplicada à polarização base-emissor do TBJ];
 V2 = 0 a 15 [V] [Tensão contínua aplicada à malha de saída];
 RC = 100 [Ω] [Resistor de coletor]
470 k [Ω] [Resistor de base para IC = 1 mA]
 RB = 100 k [Ω] [Resistor de base para IC = 10 mA]
10 k [Ω] [Resistor de base para IC = 50 mA]
 Q1: 2N3904 [Transistor NPN utilizado].
 Osciloscópio (1);
 Multímetro (1); e
necessário:
a) Simular o circuito referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traçar algumas formas de onda
pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) Com as fontes V1 e V2 desconectadas de qualquer circuito, ligue-as, ajuste a tensão de saída de ambas para 0 V e
desligue-as em seguida;
b) Ajuste o multímetro para a função de miliamperímetro e encaixe as pontas de prova nas entradas específicas para
essa função;
c) Conecte a ponteira do canal 1 do osciloscópio ao nó 1 do circuito e a ponteira do canal 2 ao nó 3. Ligue o
osciloscópio, ative os dois canais e ajuste a escala de tensão do canal 1 para adequar-se a medição da tensão base-
emissor (VBE) do transistor. Lembre-se de que quanto menor a escala, maior a precisão do valor medido;
d) A partir do esquemático apresentado na Figura 3 e dos resultados obtidos durante a análise computacional, monte
o circuito experimental proposto utilizando inicialmente o valor do resistor de base (R B) correspondente a IC = 1 mA.
Mantenha as fontes V1 e V2 desligadas.
e) Ligue a fonte de tensão V2 e conecte-a ao circuito de saída de forma a polarizar a junção base-coletor do TBJ e
regule cuidadosamente a tensão desta fonte de modo a ajustar seu valor naquele indicado Na primeira linha da
Tabela 1;
f) Ligue a fonte de tensão V1 e conecte-a ao circuito de entrada de forma a polarizar a junção base-emissor do TBJ e
regule-a cuidadosamente de modo a obter o primeiro valor de I C destacado na Tabela 1, isto é, 1,0 mA. Anote o
valor da corrente de base (IB1) correspondente na Tabela 1;
Obs.: Caso, mesmo com a elevação da tensão V1, a tensão VBE permanecer em zero e a corrente lida
pelo multímetro seja zero ou apresente valores aleatórios, confira o circuito. Estando esse sem
erros, é possível que o fusível de proteção do multímetro esteja queimado.
Tabela 1. Corrente de coletor (IC) para diferentes valores de corrente de base (IB) em função da tensão VCE.
VCE (V)
0,0 0,12 0,30 0,50 0,75 1,00 3,00 5,00 RB V2
IB (μA)
IB1 = 0,0 1 mA 470 kΩ 1,1
IB2 = 0,0 10 mA 100 kΩ 2,0
IB3 = 0,0 50 mA 10 kΩ 6,0
h) Ajuste cuidadosamente a tensão V2 de modo obter as demais tensões VCE listadas na Tabela 1. Para cada valor
ajustado, anote o valor da corrente de coletor (I C) correspondente;
i) Concluída as medições da primeira linha da Tabela 1, desligue as fontes V1 e V2. Não é necessário zera-las;
j) Substitua o resistor RB por aquele correspondente a segunda linha da Tabela 1;
k) Repita os passos e) a i) para obter os valores de IC para as demais linhas da Tabela 1. Atente para o novo valor de
RB e V2 em cada nova linha;
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas de saída Ic = f(Vce) do TBJ: experimental e simulada;
Nota1: A Figura 4 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.

b) Estimar o valor da tensão de Early com base na projeção das curvas traçadas;
c) Determine o ganho de corrente (β) para as curvas traçadas em (a).
d) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) explorando os seguintes tópicos: funcionamento
na configuração emissor-comum, curvas de característica de entrada e saída, ganho de corrente e limites de
operação.
e) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante a prática, comente a respeito das principais características
de operação, bem como as limitações de operação.
f) Pesquise a respeito: transistores de carboneto de silício e suas aplicações.
8. APÊNDICE
Figura 4. Curva característica de saída Ic = f(Vce) simulada.
20mA Ib (100uA)
Ib (80uA)
15mA
Ib (60uA)
Ic(V) 10mA
Ib (40uA)
5mA
Ib (20uA)
0A
0V 5V 10V 15V
Vce(V)
PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO

CHAVE
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é projetar e analisar o funcionamento de um TBJ como chave mediante
simulação e experimentação.
Fazendo uso da curva característica do circuito de saída ilustrada na Figura 1, pode-se projetar o circuito de
tal forma que o TBJ tipo NPN comporte-se como uma chave, onde se notam as regiões de operação do componente
quando em corte e quando em saturado. Em regime de saturação forte, admite-se um ganho de corrente de projeto
reduzido de tal forma que um pequeno valor de corrente aplicado a base sature instantaneamente o componente.
Saturação
Corte
Figura 1. Curva característica de saída.

Para um dado ponto de operação adotado, obtido a partir da interseção entre a curva de carga e a curva
característica do circuito de saída, e interno a região de operação segura, projeta-se o circuito com TBJ. A Eq. (1)
permite determinar o valor da resistência de base a partir de uma corrente de base considerada, da mesma forma a
Eq. (2) faz-se uso da curva característica de saída para determinar o valor da resistência Rc.
Vbb  Vbe
Rb  (1)
Ib
Vcc  VceSAT
Rc  (2)
 . Ib
Ic
Rc
+
Ib Rb Q1 Vcc
-
+
Vbb
-
0

 Vcc = 12 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída]; e
 Vbb = 2,2 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de entrada].
 hfe = β = 30 [Ganho de corrente do transistor];
 Ib = 100 [uA] [Corrente de base adotada];
 VceSAT = 0,3 [V] [Tensão de saturação do transistor];
 fc = 10 [KHz] [Frequência do sinal de entrada-onda quadrada]; e
 Q1: BC548 [Transistor utilizado].
necessário:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados; e
b) Simular o circuito referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traçar algumas formas de onda
pertinentes e preencher o Quadro 1.
6. PROCEDIMENTO
o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vbb e Vcc desligadas.
b) Ligue a fonte Vbb, ajuste corretamente a sua tensão e aplique este sinal ao circuito de entrada de forma a
polarizar a junção base-emissor do TBJ, mantendo assim uma corrente de base considerada; com outra fonte de
tensão Vcc, ajuste a tensão desta para o valor considerado, aplique ao circuito de saída e observe com o osciloscópio
as formas de onda de tensão em Rc e nos terminais Coletor-Emissor. Em seguida, esboce as formas de onda
experimental para as grandezas Vbb, Vce e VRc no Quadro 1.
Quadro 1. Formas de onda simulada e teórica.
V bb(V )
0 t( )
V c e (V )
0 t( )
V Rc (V )
0 t( )
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as formas de onda de tensão experimental e simulada para o TBJ: Vbb, Vce e VRC.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) tomando como referência o comportamento do
circuito e a curva característica do circuito de saída.
c) Determine as perdas de condução do TBJ usando a curva característica Ic = f(Vce).
d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento.
e) Pesquisar a respeito das principais especificações do TBJ encontradas na folha de dados dos fabricantes de modo
que o componente trabalhe como chave.
f) Pesquise aplicações que fazem uso do TBJ funcionando como chave.
PRÁTICA Nº 07 – TBJ OPERANDO COMO

AMPLIFICADOR DE SINAIS
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o projeto e a analise do funcionamento de um TBJ tipo N como
amplificador de sinais mediante simulação e experimentação.
Fazendo uso da configuração de polarização por divisor de tensão, o TBJ é capaz de amplificar pequenos
sinais. Durante a etapa de projeto, uma sequência de passos deve ser seguida de forma a facilitar a análise e a
compreensão do circuito. Primeiramente, faz-se uso da análise CC como forma de dimensionar os valores dos
componentes do circuito para um ponto de operação corretamente escolhido; em seguida, fazendo uso da análise CA
(análise de pequenos sinais) determinam-se os diversos parâmetros do circuito (ganho de tensão, ganho de corrente,
impedância de entrada e impedância de saída). São ilustrados nas Figuras 1(a), (b) e (c) o circuito amplificador
adotado, o circuito equivalente para a análise CC e o circuito equivalente para a análise CA (fazendo uso do modelo
de pequenos sinais do TBJ), respectivamente.
+ Vcc
- R1 Rc
0
Q1
R2 Re
0
(a) (b)
(c)
Figura 1. (a) Circuito amplificador, (b) circuito equivalente para análise CC e (c) circuito equivalente para análise
de pequenos sinais (CA).
Nota1: O resistor R3 na Figura 1(a) destina-se à medição da corrente de entrada no circuito durante a análise
experimental, como forma de serem comparados os parâmetros de pequenos sinais obtidos por análise teórica,
simulação e experimento.
O esquemático do circuito experimental é tratado na Figura 2.

 Vcc = 20 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída].
 Vc = 8 a 10 [V] [Intervalo de tensão média adotado em projeto];
 Vth =5 [V] [Tensão Thévenin];
 Ib = 100 [uA] [Corrente de base adotada];
 Pd = 0,15 [W] [Potência dissipada];
 Vce =8 [V] [Tensão de operação do transistor];
 Vi = 100 [mV] [Tensão de pico a pico];
 fc = 10 [KHz] [Frequência do sinal de entrada]; e
 Q1: BC548B [Transistor NPN utilizado].
 Gerador de função (1);
 Multímetro True RMS (1); e
2
Nota : Adotou-se o ponto de operação utilizando a curva característica de saída do componente, considerando a
curva para um Ib = 100 uA), Vce = 8V.
Nota3: O ganho β (ou hfe) do transistor deve ser considerado com base no datasheet do modelo disponível no
laboratório.
Nota4: é aconselhável utilizar resistores com tolerância reduzida para os elementos R3 e RL.
necessário:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados necessários a polarização CC; e
pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
o circuito experimental proposto. Mantenha a fonte Vcc desligada.
b) Com o sinal de tensão Vi corretamente ajustado, conecte-o ao circuito de entrada de tal forma que o sinal CA
aplicado ao circuito (ponto 1) seja amplificado na saída (ponto 2). Ligue e ajuste a fonte de tensão Vcc ao valor
indicado. Fazendo uso de um multímetro True RMS na escala de corrente alternada: meça a tensão (pico a pico) no
ponto 1, meça a tensão (pico a pico) no ponto 2, e finalmente meça a tensão (pico a pico) sobre o resistor R3.
Preencha a Tabela 1. Lembre-se de que a leitura em CA feita pelo multímetro fornecerá o valor RMS da forma
de onda. É necessário, portanto, calcular o valor pico a pico a partir da leitura RMS.
Tabela 1. Resultados: teórico, simulado e experimental.
Valores de tensão (pico a pico teórico, simulado e experimental) [V]
Ponto 1
Ponto 2
Resistor R3
Parâmetros do modelo de pequenos sinais
Av (ganho de tensão)
Ai (ganho de corrente)
Zi (impedância de entrada)
Zo (impedância de saída)
7. QUESTIONÁRIO
a) Apresente as formas de onda nos pontos 1 e 2 (Figura 2), e comente os resultados.
Nota4: a Figura 3 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.
b) Explique o procedimento experimental para se obter os parâmetros do modelo CA.
c) Apresente o equacionamento em forma literal referente aos parâmetros do modelo de pequenos sinais para o
circuito proposto na Figura 2. Faça uso deste equacionamento e obtenha os parâmetros do modelo de pequenos
sinais teórico e simulado.
d) Comente e compare detalhadamente os resultados obtidos por meio da análise teórica, simulação e experimento
para o modelo de pequenos sinais, conforme a Tabela 1.
e) Fazendo referência a uma aplicação do TBJ como amplificador de sinais, apresente um circuito amplificador de
áudio utilizando TBJ’s e descreva o seu funcionamento.
8. APÊNDICE
Figura
3 - Formas de onda obtidas em simulação.
PRÁTICA Nº 08 – CURVAS
CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR FET
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um transistor FET
(MOSFET tipo intensificação) mediante simulação e experimentação.
O transistor MOSFET tipo N polarizado corretamente e o símbolo gráfico são ilustrados na Figura 1. Um
par de curvas características é necessário para descrever o comportamento do componente: uma curva de dreno e a
uma curva de transferência (estas curvas são amplamente encontradas nas folhas de especificação do componente),
as quais são apresentadas na Figura 2.
ID
D
n
n
D
IG=0 +
P VDS G
+ G SS -
VGS IS
-
n
S S
Figura 1 - Polarização MOSFET tipo N e símbolo gráfico.
Figura 2 - Curvas características: (a) curva de dreno e (b) de transferência.

Para um ponto de operação adotado, obtido a partir da interseção entre a curva de carga e curva de
transferência, o circuito com FET é projetado para diversas aplicações: corte-saturação e amplificação de sinais; é
interessante que tal ponto escolhido esteja interno a curva que limita a região de operação do FET real, tendo em
vista a limitação das características externas as quais o componente esteja submetido (esforços).

A seguir são apresentadas as especificações dos componentes do circuito:
 R1 = 1 kΩ
 R2 = 10 kΩ (potenciômetro)
 Rd = 1 kΩ
 M1 = 2N7000 (vide datasheet )
 V1 = fonte DC (V = 6 V)
 V2 = fonte DC (V = 0 a 20 V)
Os instrumentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário simular o circuito referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traçar algumas
formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
1. Assegure-se de reunir todos os componentes listados, bem como um protoboard e um voltímetro.
2. Com os terminais da fonte V1 ainda desligados, ajuste a tensão de saída para o valor de 6 V;
3. Com os terminais da fonte V2 ainda desligados, ajuste a tensão de saída para o valor de 20 V;
4. Desligue as fontes V1 e V2 (com cautela para não desajusta-las);
5. Monte o circuito da Figura 1 no protoboard atentando para não inverter os terminais de M1;
6. Conecte um voltímetro ao circuito para medir a tensão do nó 1 em relação ao terra (Vgs);
Procedimento de determinação da faixa de valores de Vgs:
1. Ligue a fonte V1;

2. Ajuste o potenciômetro R2 para uma tensão Vgs de aproximadamente 0,8 V;
3. Ligue a fonte V2;
4. Usando o voltímetro, meça os valores médios da tensão Vds e da tensão sobre Rd, proporcional a Id;
5. Ajuste a tensão Vgs por meio do potenciômetro R2 até que a tensão Vds medida seja de 6,0 V;
6. Arredonde com duas casas decimais o valor do Vgs aplicado no item anterior. Este será o valor máximo de
Vgs (VgsMAX). Anote-o na Tabela 1;
7. Reduza a tensão Vgs por meio do potenciômetro R2 até que a tensão Vds medida seja de 19,0 V;
8. Arredonde com duas casas decimais o valor do Vgs aplicado no item anterior. Este será o valor mínimo de
Vgs (VgsMIN). Anote-o na Tabela 1;
Tabela 1 – Valores de Vgs para caracterização de M1

VgsMIN (V) VgsMED (V) VgsMAX (V)
9. Determine o valor médio entre VgsMIN e VgsMAX, arredondando o valor do resultado com duas casas
decimais. Este será o valor de VgsMED. Anote-o na Tabela 1.
Procedimento de medição:
1. Ajuste a tensão Vgs por meio do potenciômetro R2 para o valor VgsMIN indicado na Tabela 1;
2. Ajuste a tensão da fonte V2 de modo a obter o primeiro valor não nulo de Vds indicado na Tabela 1 (note
que os valores correspondentes a Vds = 0 já estão preenchidos);
3. Usando o voltímetro, meça o valor médio da tensão sobre Rd e calcule o Id correspondente ao par de
tensões Vgs e Vds indicadas na Tabela 2 e anote nela o valor medido;
4. Repita os passos 2 e 3 para cada uma das tensões de Vds, até a tensão de 6 V;
5. Após medir o Id correspondente a Vds = 6 V, ajuste a tensão da fonte V2 para 0 V;
6. Ajuste o potenciômetro R2 para o próximo valor da tensão Vgs indicado na Tabela 2;
7. Repita os passos 2 a 6 até que todos os valores de Id da Tabela 2 tenham sido medidos;
8. Desligue a fonte de alimentação V2 e, em seguida, desligue a fonte de alimentação V1.
Tabela 2 - Valores medidos

Vgs Vds (V) Id (mA) [ V(3)/Rd ] √(Id) (mA½) Saturação (S/N)
0,0 0,00 0,00 N
0,1
0,2
0,4
VgsMIN
0,6
1,0
3,0
6,0
0,0 0,00 0,00 N
0,1
0,2
0,4
VgsMED
0,6
1,0
3,0
6,0
0,0 0,00 0,00 N
0,1
0,2
0,4
VgsMAX
0,6
1,0
3,0
6,0
9. Sabe-se que um transistor MOS na região de saturação apresenta pouca variação na corrente de dreno
mediante a variação de Vds. Com base nessa informação, observe na Tabela 2 a evolução de Id para cada
valor de Vds de uma mesma tensão Vgs e preencha a última coluna da tabela indicando em cada linha se
M1 encontrava-se na região de saturação ou não (S, para “sim” ou N para “não”);
Tratamento e Análise dos dados:
Sabe-se que o valor da corrente de dreno em um MOSFET na região de saturação pode ser calculado pela equação:
Id = (Kn/2)(Vgs – Vth)2 (Eq. 1)
Uma forma de estimar os parâmetros Kn e Vth do transistor em questão é plotando-se a curva da raiz quadrada de Id
na saturação em função de Vgs, tal como na Figura 4.
Figura 4 – Raiz quadrada de Id em função de Vgs para diferentes valores de Vds na saturação.
A fim de estimar os parâmetros Kn e Vth, faça:
1. Para cada valor da corrente de dreno registrado na Tabela 2, que corresponda à região de saturação, calcule
o valor da raiz quadrada de Id anotando na coluna correspondente o resultado;
2. Utilizando somente os valores correspondentes aos do regime de saturação, esboce a curva da raiz quadrada
da corrente de dreno em função da tensão Vgs, tal como na Figura 4, valendo-se para isso do gabarito a
seguir.
3. Com base no gráfico esboçado no item anterior, estime o valor de Vth pela interseção com o eixo horizontal
(√(Id) = 0 V) da reta de extrapolação linear dos pontos medidos (tal como na Figura 2, para a qual Vth ≈ 1,5
V) e anote o resultado na Tabela 3.
4. Com base na inclinação da reta traçada no item 2 e da Eq. 1, estime o valor de Kn e anote o resultado na
Tabela 3.
5. Considerando os dados informados no datasheet do fabricante, os dados estimados são coerentes?
Comente.
Tabela 3 - Parâmetros estimados de M1

2
Vth (V) Kn (mA/V )
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas Id = f(Vds) e Id = f(Vgs) do MOSFET: experimental e simulada.
Nota3: A Figura 5 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas no item (a) explorando os seguintes tópicos: polarização
utilizada, curvas características e limites de operação.
c) Consultando a folha de dados do FET adotado durante a prática, comente a respeito das principais características
de operação, bem como os limitantes de operação.
d) Pesquise os tipos de MOSFET: MOS de sinal, DMOS, VMOS, UMOS e MOSFET de Potência.
8. APÊNDICE
1.3A
Vg = 3V
1.0A
Id(A)
Vg = 2,4V
0.5A
Vg = 2,2V
Vg = 2V
Vg = 1,8V
0A
0V 2V 4V 6V 8V 10V
Vds(V)
Figura 5 - Curva característica de saída Id = f(Vds) obtida em simulação.

PRÁTICA Nº 09 – FET OPERANDO COMO

CHAVE
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o projeto e a analise de um drive de acionamento de um MOSFET de
potência mediante simulação e experimentação.
Fazendo uso da curva característica do circuito de saída ilustrada na Figura 1, pode-se projetar o circuito de
tal forma que o MOSFET comporte-se como uma chave, onde se notam as regiões de operação do componente
quando em corte e quando em saturado.
Figura 1 - Curva característica de saída do IRF740 a 25°C.
Um MOSFET de intensificação não apresentará corrente entre os terminais de dreno e fonte a menos que
uma um valor mínimo de tensão de limiar, VT, seja aplicado entre os terminais de porta e fonte (VGS), conforme
observado nas curvas da Figura 2.
Figura 2 - Curvas típicas de um MOSFET de intensificação canal n.


 V1 = 0 a 10 [V] [tensão VGS].
 V2 = 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída]; e
 R1 = 10k [Ω] [Resistor de entrada]
 R2 = 1M [Ω] [Resistor de descarga]

 Vled =2 [V] [Queda de tensão no led];
 Iledmax = 15 [mA] [Corrente máxima no led];
 M1 = 2N7000 [Transistor utilizado].
 D1 = Diodo led [cores vermelho ou verde, de acordo com a disponibilidade]

O valor de Rd deve ser determinado pela análise do circuito da Figura 3, em função das especificações
apresentadas. O procedimento de cálculo deve ser incluído no relatório. Escolher valores comerciais para os
resistores e utilize-os na simulação do circuito. Para o cálculo considere Vds = 0 na saturação.
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar o resistor comercial utilizado; e
b) Simular o circuito referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traçar algumas formas de
onda pertinentes e preencher o Quadro 1.
6. PROCEDIMENTO
a) Monte apenas o circuito de acionamento do LED, composto pelo led, o resistor Rd e a fonte VCC. Meça a
corrente
b) A partir do esquemático apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a análise computacional monte
o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes V1 e V2 desligadas.
c) Ligue a fonte V1 (fonte CC ajustável), ajuste a sua tensão para 0 V e aplique este sinal ao circuito de entrada.
Com outra fonte de tensão, V2, ajuste a tensão para 15 V e aplique ao circuito de saída. Comece aumentando o
valor de V1 conforme a Tabela 1 e anote a variação da corrente de dreno (Id) e tensão Vds. O valor de Vgs não
deve ultrapassar 10 V. A corrente de dreno não deve ultrapassar 15 mA.
d) Utilize o gerador de sinais para alimentar a entrada do circuito com um onda quadrada variando entre 0 e 10V,
com frequência de 10kHz. Observe com o osciloscópio as formas de onda de tensão em Rd e nos terminais dreno-
fonte. Em seguida, esboce as formas de onda experimental para as grandezas V1, Vds e VRd no Quadro 1. Todas
as formas de onda devem estar sincronizadas com a mesma base de tempo. Os valores de amplitude e tempo
devem ser preenchidos nos eixos dos gráficos.
e) Desligue o gerador, remova o resistor R2 e torne a liga-lo. Observe com o osciloscópio as formas de onda de
tensão em Rd e nos terminais dreno-fonte. Em seguida, esboce as formas de onda experimental para as grandezas
V1, Vds e VRd no Quadro 2. Todas as formas de onda devem estar sincronizadas com a mesma base de tempo. Os
valores de amplitude e tempo devem ser preenchidos nos eixos dos gráficos.
Tabela 1: valores simulados e experimentais.

Vgs [V] Id Vds Vgs [V] Id Vds
Apenas led e Rd 4,0
0,0 4,5
0,5 5,0
1,0 5,5
1,5 6,0
2,0 7,0
2,5 8,0
3,0 9,0
3,5 10,0
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as formas de onda de tensão experimental para o MOSFET (conforme Quadro 1).
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) tomando como referência o comportamento do
circuito e a curva característica do circuito de saída.
c) Com base nos dados experimentais, o MOSFET efetivamente funcionou como chave? Caso afirmativo, a partir de
qual tensão VGS o mesmo pode ser considerado uma chave aberta ou uma chave fechada.
d) Pesquisa no datasheet do MOSFET utilizado quais são suas principais características, como valores máximos de
tensão e corrente admissíveis.
e) A partir dos dados experimentais, calcular qual o valor da resistência apresentada pelo MOSFET entre os
terminais D e S para Vgs = 0V, 2V, 4V, e 10V.
f) Explique a razão da diferença apresentada das formas de onda de Vds e Vrd entre os Quadros 1 e 2. Qual o papel
de R2?

PRÁTICA Nº 10 – FET OPERANDO COMO

AMPLIFICADOR DE SINAIS
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o projeto e a analise do funcionamento de um MOSFET canal N como
amplificador de sinais mediante simulação e experimentação.
Fazendo uso da configuração de polarização por divisor de tensão, o MOSFET é capaz de amplificar
pequenos sinais. Durante a etapa de projeto, uma seqüência de passos deve ser seguida de forma a facilitar a análise
e a compreensão do circuito. Primeiramente, faz-se uso da análise CC como forma de dimensionar os valores dos
componentes do circuito para um ponto de operação corretamente escolhido; em seguida, fazendo uso da análise AC
(análise de pequenos sinais) determinam-se os diversos parâmetros do circuito (ganho de tensão, ganho de corrente,
impedância de entrada e impedância de saída). São ilustrados nas Figuras 1(a), (b) e (c) o circuito amplificador
teórico, o circuito equivalente para análise CC e o circuito equivalente para análise AC (fazendo uso do modelo π-
hibrido com resistência rO), respectivamente.
(a) (b)
(c)
Figura 1 - (a) Circuito amplificador, (b) circuito equivalente para análise CC e (c) circuito equivalente para análise
AC.
Embora o circuito apresentado na Figura 1.a esteja formalmente correto, a obtenção do ponto de polarização
almejado pode se tornar um pouco trabalhosa na prática. Isso se deve, principalmente, à variabilidade da tensão de
limiar (Vth) apresentada pelos transistores, ainda que sejam provenientes de um mesmo lote de fabricação. Como a
corrente de dreno é proporcional ao quadrado da diferença entre a tensão porta-fonte (Vgs) e a tensão de limiar
(conforme a Eq. 1), uma pequena diferença entre o valor utilizado no projeto e o valor real de Vth é suficiente para
alterar significativamente o ponto de polarização do transistor.
Id = ½Kn(Vgs – Vth)2, (Eq. 1)
Por esse motivo o circuito prático foi ligeiramente alterado para o circuito da Figura 2.a, de modo a permitir o ajuste
de Vgs por meio do potenciômetro P1.
(a) (b)
Figura 2- (a) Circuito prático do amplificador MOS a ser implementado. (b) Malha de polarização da porta a ser
implementada e ajustada inicialmente antes do restante do circuito em (a).
Além disso, ao circuito da Figura 2.a também foi incluído o resistor R3 em série com a fonte de sinal a fim de
permitir a medição do ganho global de corrente do amplificador (A i) e a alimentação repartida em duas fontes, a fim
de facilitar a medição da resistência de saída do transistor (rO).

 VDD1 = 20 [V] [Tensão contínua aplicada à malha de entrada].
 VDD2 = 15 a 30 [V] [Tensão contínua aplicada à malha de saída].
 RL = 10 [kΩ] [Resistor de carga]
 P1 = 100 [kΩ] [Potenciômetro para ajuste de Vgs ]
 R1 = 100 [kΩ] [Resistor de polarização da porta]
 R2 = 10 [kΩ] [Resistor de polarização da porta]
 R3 =1 [kΩ] [Resistor auxiliar para medição da corrente de entrada]
 C1 = 10 [μF] [Capacitor de acoplamento do sinal de entrada]
 C2 = 10 [μF] [Capacitor de acoplamento do sinal de saída]
 C3 = 22 [μF] [Capacitor de bypass de Rs]

 Id = 50 [mA] [Intervalo de tensão média adotado em projeto];
 Vds = 8,0 [V] [Tensão no porta-fonte];
 Av = -7.1 a -7.4 [V/V] [Ganho de tensão];
 Vin = 20 [mV] [Tensão de pico a pico];
 fi = 1,0 [KHz] [Freqüência do sinal de entrada]; e
 M1 2n7000 [MOSFET VMOS canal N utilizado].
 Gerador de função (1);
necessário:
a) Determinar e especificar os resistores Rd e Rs utilizando valores comerciais ou arranjos série/paralelo de valores
comerciais de forma a atender o ganho Av e a tensão Vds especificados. Assuma nessa fase que a resistência de
saída do MOS (rO) pode ser desprezada.
pertinentes e preencher a Tabela 1. Utilize preferencialmente o modelo Spice do 2N7000 fornecido no Apêndice
para essa simulação.
6. PROCEDIMENTO
a) Ajuste a fonte V1 para a tensão especificada e a fonte V2 para o mesmo valor de V1;
b) Monte o circuito da Figura 2.b, ajustando o potenciômetro P1 de modo a obter a menor tensão possível no nó
1 em relação ao terra;
c) Desligue as fontes e monte o restante do circuito da Figura 2.a, partindo da malha de polarização da entrada
montada no item anterior. Confira atentamente sua montagem, especialmente os pinos de M1, com ao auxílio
do datasheet do fabricante;
d) Com a fonte de sinal (Vin) ainda desconectada, ligue as duas fontes e ajuste o potenciômetro P1 de modo a
obter a corrente de dreno especificada. Para isso, meça a corrente de dreno indiretamente através da queda de
tensão em Rd. Uma vez ajustado P1, ele a fonte V1 não devem mais ser alterados;
e) Meça e registre as grandezas solicitadas na Tabela 1;
f) Com cautela para não desajustar a fonte V1, reduza a fonte V2 para 15 V, meça e registre os valores
solicitados nas duas primeiras linhas da Tabela 2;
g) Ajuste a fonte V2 para 30 V, meça e registre os valores solicitados na terceira e quarta linhas da Tabela 2;
h) Ajuste novamente a fonte V2 para o valor nominal (20V) e conecte a fonte de sinal inicialmente ajustada para
20 mV pico-a-pico;
i) Meça com o osciloscópio os valores pico-a-pico das tensões de entrada (nó 1) e da saída (Vout), registrando-
os valores na Tabela 3;
j) Com o auxílio de um multímetro True RMS meça o valor eficaz da tensão sobre o resistor R3 e registre o
resultado na Tabela 3;
k) Aumente cuidadosamente a amplitude do sinal de entrada até observar, no osciloscópio, a deformação na

parte superior ou inferior do sinal de saída. Registre na Tabela 4 os valores pico-a-pico das tensões no nó 1
(V1) e na saída (Vout), bem como o valor DC mínimo ou máximo de Vds observados e, copie a tela do
osciloscópio;
l) Aumente ainda mais a amplitude do sinal de entrada até observar a deformação na outra parte do sinal
(inferior ou superior). Registre na Tabela 4 os valores pico-a-pico das tensões no nó 1 (V1) e na saída (Vout),
bem como o valor DC mínimo ou máximo de Vds observados e, copie a tela do osciloscópio;
m) Complete a Tabela 2 calculando e registrando o valor resistência de saída de M1;
n) Preencha a Tabela 5 calculando e registrando os valores dos ganhos de tensão e de corrente do amplificador.
A corrente de entrada deve ser calculada a partir do valor da tensão eficaz medida sobre o resistor R3 e a
corrente eficaz de saída calculada a partir da tensão pico-a-pico observada sobre RL na saída.
Tabela 1. Valores teórico, simulado e experimental do ponto de polarização de M1 (CC).
Vgs (V)
Vds (V)
Vs (V)
Id (mA) 50
Tabela 2. Valores teórico, simulado e experimental de Id e Vds para determinação de rO.
Id1 (mA)
VDD2 = 15 V
Vds1 (V)
Id2 (mA)
VDD2 = 30 V
Vds2 (V)
rO = (Vds2 - Vds1)
( Id2 - Id1) --
Tabela 3. Tensões do sinal de entrada, saída e sobre o resistor R3 para cálculo dos ganhos Av e Ai.
Tensão pico-a-pico no Nó 1 (V)
Tensão pico-a-pico de Vout (V)
Tensão eficaz sobre R3 (V)
Tabela 4. Valores da e saturação do sinal de saída.
Vopp (V)
Saturação no lado
V1pp (V)
superior de Vout
VdsMAX (V)
Vopp (V)
Saturação no lado
V1pp (V)
inferior de Vout
VdsMIN (V)
Tabela 5. Ganhos de tensão, de corrente e impedâncias de entrada e saída do amplificador.
Av (ganho de tensão)
Ai (ganho de corrente)
Zi (impedância de entrada)
Zo (impedância de saída)
7. QUESTIONÁRIO
a) Apresente as formas de onda experimentais nos nós 1 e Vout (Figura 2.a), e comente os resultados.
Nota: a Figura 3 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.
b) Explique o procedimento experimental para se obter os parâmetros do modelo AC.
c) Apresente o equacionamento em forma literal referente aos parâmetros do modelo de pequenos sinais para o
circuito proposto na Figura 2.a. Faça uso deste equacionamento e obtenha os parâmetros do modelo de pequenos
sinais teórico e simulado.
d) Comente e compare detalhadamente os resultados obtidos por meio da análise teórica, simulação e experimento
para o modelo de pequenos sinais, conforme a Tabela 1.
e) Fazendo referência a uma aplicação do MOSFET como amplificador de sinais, apresente um circuito amplificador
de áudio utilizando MOSFET e descreva o seu funcionamento.
8. APÊNDICE
8.1. Modelo de Formas de Onda Obtidas em Simulação Para o Amplificador MOS
40mV
0V
-40mV
V(ponto1)
4.0V
0V
-4.0V
V(ponto2)
12V
8V
4V
9.0ms 9.2ms 9.4ms 9.6ms 9.8ms 10.0ms
V(dreno)
Time
Figura 3 - Formas de onda obtidas em simulação.
8.2. Modelo SPICE para o Transistor MOS 2N7000
*Modelo do 2N7000
*Atribuicoes dos nos externos
*Node 1 -> Drain
*Node 2 -> Gate
*Node 3 -> Source
.SUBCKT 2n7000 1 2 3
M1 9 7 8 8 MM L=100u W=100u
.MODEL MM NMOS LEVEL=1 IS=1e-32

+VTO=1.5 KP=0.0932174
+CGSO=1.79115e-07 CGDO=1.0724e-11
+GAMMA=1.76U PHI=.75 LAMBDA=1.25M
+RD=.35 RS=.448 PB=.8 MJ=.46
+CBD=44.4P CBS=53.3P CGBO=1.16e-11)
RS 8 3 1.10523
D1 2 1 MD
.MODEL MD D IS=2.71011e-10 RS=0.0140826 N=1.5 BV=60

+IBV=1e-05 EG=1.16084 XTI=3.00131 TT=0
+CJO=3.41211e-11 VJ=4.67429 M=0.899864 FC=0.1
RDS 3 1 2.4e+11
RD 9 1 0.0001
RG 2 7 2.18034
D2 4 5 MD1
* Valores padrao usados em MD1:
* RS=0 EG=1.11 XTI=3.0 TT=0
* BV=infinito IBV=1mA
.MODEL MD1 D IS=1e-32 N=50
+CJO=7.93181e-11 VJ=0.643298 M=0.9 FC=1e-08
D3 0 5 MD2
* EG=1.11 XTI=3.0 TT=0 CJO=0
* BV=infinito IBV=1mA
.MODEL MD2 D IS=1e-10 N=0.400165 RS=3.00002e-06
RL 5 10 1
FI2 7 9 VFI2 -1
VFI2 4 0 0
EV16 10 0 9 7 1
CAP 11 10 1.58786e-10
FI1 7 9 VFI1 -1
VFI1 11 6 0
RCAP 6 10 1
D4 0 6 MD3
* EG=1.11 XTI=3.0 TT=0 CJO=0
* RS=0 BV=infinito IBV=1mA
.MODEL MD3 D IS=1e-10 N=0.400165
.ENDS 2n7000

Apostila DispositivosEletronicos UFPI-v1-9

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Apostila DispositivosEletronicos UFPI-v1-9

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

2022

Prof. Otacílio M. Almeida

PRÁTICA Nº 01 – O OSCILOSCÓPIO COMO INSTRUMENTO DE CARACTERIZAÇÃO ........................................... 2

PRÁTICA Nº 02 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ...................................................................................... 3

PRÁTICA Nº 03 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS COM E SEM FILTRO CAPACITIVO ........................................ 6

PRÁTICA Nº 04 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER.................................................................. 13

PRÁTICA Nº 05 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ ................................................................. 17

PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE ............................................................................................ 21

PRÁTICA Nº 07 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .............................................................. 25

PRÁTICA Nº 08 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR FET ................................................................ 29

PRÁTICA Nº 09 – FET OPERANDO COMO CHAVE ............................................................................................ 33

PRÁTICA Nº 10 – FET OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .............................................................. 37

A apostila de práticas de Laboratório referente à Disciplina de Dispositivos Eletrônicos

Sendo assim, é apresentado o objetivo geral: fortalecer o incentivo ao aprendizado e

PRÁTICA Nº 01 – O OSCILOSCÓPIO COMO

PRÁTICA Nº 02 – CURVA CARACTERÍSTICA

Figura 1 - (a) Curva característica e (b) modelo segmentos lineares do diodo.

p D (t )  Id .Vd  Vf O . Id  Rav . Id 2 (3)

Pd med (t )  Vf O . Id med  Rav . Id ef2 (5)

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:

PLANILHA 1: Cálculo da resistência série

i. Determinando resistência e potência

 Adota-se resistor de 10 / 10 W

Figura 1: Diagrama de blocos de uma fonte linear de tensão em corrente contínua.

(a) (b) (c)

(a) (b) (c)

Convém nesse ponto considerar os conceitos de Valor Médio e Valor Eficaz.

Valor Médio de um Sinal

Valor Eficaz de um Sinal

Valor Médio e Eficaz em Retificadores Monofásicos

Topologia Vo(t) VoCC VoRMS

Meia Onda (Vm-VD0)sen(ωt), se t ≤ T/2

BLOCO REGULADOR DE TENSÃO

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

Tabela 1. Resultado teórico, simulado e experimental.

Método de análise utilizado

PRÁTICA Nº 04 – FONTE DE TENSÃO

Figura 2: Etapas de uma fonte de alimentação CC.

Figura 3: Circuito regulador de tensão a diodo zener.

Figura 4: Curva I-V característica de um diodo zener.

Figura 6: Esquemático do circuito a ser montado durante o experimento.

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:

Tabela 1. Componentes do projeto.

Componente Variação Valor do componente

Aadotado ou nominal (C1nominal)

Tabela 2. Resultados experimentais.

Capacitor Método de análise utilizado

Figura 1. Notação e símbolo transistor NPN.

Figura 2. Curvas características: (a) Circuito de saída e (b) circuito de entrada.

Figura 3. Esquemático a ser montado durante o experimento.

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

IB1 = 0,0 1 mA 470 kΩ 1,1

IB2 = 0,0 10 mA 100 kΩ 2,0

IB3 = 0,0 50 mA 10 kΩ 6,0

Nota1: A Figura 4 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.

PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO

Figura 1. Curva característica de saída.

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

PRÁTICA Nº 07 – TBJ OPERANDO COMO

Figura 2 - Esquemático a ser montado durante o experimento.

4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO