Curvas características do diodo

UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ
DEPARTAMENTO DE ENG. ELÉTRICA

DISCIPLINA DE ELETRÔNICA ANALÓGICA
ELETRÔNICA ANALÓGICA
PRÁTICAS DE LABORATÓRIO
PROFESSORES: Demercil de Sousa Oliveira Jr.

René Pastor Tórrico Bascope
SUMÁRIO páginas
APRESENTAÇÃO ........................................................................................................................... 1
PRÁTICA Nº 01 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ....................................................... 2
PRÁTICA Nº 02 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEIA ONDA E ONDA

COMPLETA SEM E COM FILTRO CAPACITIVO ....................................................................... 5
PRÁTICA Nº 03 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER ................................ 10
PRÁTICA Nº 04 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ ............................. 14
PRÁTICA Nº 05 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE.................................................................. 17
PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS ............................. 20
PRÁTICA Nº 07 – FET OPERANDO COMO CHAVE ................................................................. 24
PRÁTICA Nº 08 – CIRCUITOS COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS .......................... 30
PRÁTICA Nº 09 – APLICAÇÕES PRÁTICAS COM LM741 ....................................................... 34
PRÁTICA Nº 10 – FONTE AUXILIAR REGULADA A TRANSISTOR COM

PROTEÇÃO DE CURTO-CIRCUITO ............................................................................................ 39
Universidade Federal do Ceará – Laboratório de Eletrônica Analógica. 1
APRESENTAÇÃO
A apostila de práticas de Laboratório referente à Disciplina de Eletrônica Analógica

consiste: edição, estruturação e adequação das práticas antigas do laboratório. As novas
práticas incluem ótima didática, organização e clareza, as quais contornam problemas e
dúvidas sugeridas por alunos e professores que utilizaram o material durante os semestres
anteriores a 2011/I.
Sendo assim, é apresentado o objetivo geral: fortalecer o incentivo ao aprendizado e

moldar o perfil do estudante direcionado à área de estudo da eletrônica; e de forma
semelhante são apresentados os objetivos específicos: adequar à aplicação prática o
conteúdo da disciplina, criar roteiros conforme o conteúdo ministrado semanalmente e
impor estrutura lógica na elaboração da prática.
Uma organização da estrutura dos roteiros de prática foi estabelecida de modo que
um encaminhamento lógico durante a realização do experimento possa ser seguido.
Aos alunos, este trabalho pretende contribuir de forma satisfatória no processo de

ensino-aprendizagem, de modo que literaturas complementares possam ser utilizadas em
complementação ao processo de ensino.
PRÁTICA Nº 01 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o levantamento das curvas características do diodo
mediante simulação e experimentação.
2. INFORMAÇÃO TEÓRICA
O comportamento da curva característica I = f(v) do diodo real e o modelo de segmentos
lineares utilizados na determinação dos seus parâmetros são ilustrados na Figura 1(a) e (b),
respectivamente. O comportamento da curva exponencial é dependente do material que constitui a
junção, sua área e a variação de temperatura, apresentando assim uma queda de tensão específica
para o componente (0,6 a 0,8 V para o diodo de silício). Ter o conhecimento dos parâmetros do
modelo do diodo é bastante comum em aplicações, onde é desejável analisar as perdas do
componente quando em condução. A partir da análise gráfica da Figura 1(a) e do modelo
apresentado na Figura 1(b), as Eqs. (1), (2), (3), (4) e (5) são obtidas e tratam: a resistência média
do componente (Rav), o modelo de segmentos lineares adotado, a expressão geral da potência no
componente, a potência média dissipada no componente na forma integral do valor médio e
resultado da potência média, respectivamente. Nota-se que a Eq. (5) é composta por uma
componente de corrente média e uma componente de corrente eficaz ao quadrado.
Vfo Rav D
Id
Figura 1 - (a) Curva característica e (b) modelo segmentos lineares do diodo.
Vf N  Vf O
Rav  (1)
If N
Vd  Vf O  Rav . Id (2)
p D (t )  Id .Vd  Vf O . Id  Rav . Id 2 (3)
T
1
T 0
Pd med (t )  . p D (t ) . dt (4)
Pd med (t )  Vf O . Id med  Rav . Id ef2 (5)

3. ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
O esquemático do circuito experimental é ilustrado na Figura 2.
Id R1
+A -
0...10 A
+
+
Vi D1 V Vd
0...2 V
- -
0
Figura 2 - Esquemático a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir é apresentada a seguinte especificação:
• Vi = 0 a 2,7 [V] [Tensão contínua variável a ser aplicada à entrada].
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
• IfMAX = 0,90 [A] [Corrente máxima adotada no diodo];
• VfN = 0,70 [V] [Queda de tensão nominal no diodo]; e
• D1 1N4007 [Diodo selecionado].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
• Voltímetro (1);
• Amperímetro (1); e
• Fonte de tensão CC (1).
5. ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar o valor das resistências comercial, bem como a potência dissipada; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
preencher a Tabela 1 para os resultados simulados.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a análise
computacional monte o circuito experimental. Mantenha a fonte Vi desligada.
b) Ligue a fonte Vi e ajuste a tensão desta de modo que a corrente medida pelo amperímetro seja a
exigida na Tabela 1, meça a tensão Vd com o voltímetro e preencha a Tabela 1.
Tabela 1. Resultados experimentais e simulados.
Id (A) 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90
Vd (V) Simulado
Vd (V) Experimental
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas I=f(v) simulada e experimental utilizando a Tabela 1.
b) Determinar a resistência média Rav referente às curvas I = f(v) simulada e experimental traçadas
anteriormente.
c) Como a temperatura influencia na curva característica do diodo?
d) Determine a temperatura da junção do diodo fazendo uso das características térmicas do diodo
adotado, onde deve ser considerada a temperatura ambiente de 25ºC para I(A) igual a 0,8 A (como
aproximação utilize a curva experimental obtida) conforme a Tabela 1.
e) Comente a respeito dos resultados obtidos com o experimento e seu respectivo circuito simulado
correspondente.
f) Pesquise a respeito dos tipos de diodos: Schottky, Tunnel e Varicap.
8. APÊNDICE
PLANILHA 1: Cálculo da resistência série

1. Especificações:
Vi  2.7 [V] [tensão na fonte de entrada]
2. Considerações:
Id M  0.9 [A] [corrente inicial no diodo]
Vd  0.7 [V] [queda de tensão no diodo]
Radot  18 [] [resistência adotada]
Padot  0.25 [W] [potência dissipada no resistor]
3. Análise teórica:
i. determinando resistência e potência
Vi  Vd
R1  R1  2.222 []
Id M
PR1  ( Vi  Vd )  Id M PR1  1.8 [W]
adota-se resistor de 2,2 / 2 W

ii. condição para paralelismo de resistências
2 2
( Vi  Vd) ( Vi  Vd)
Padot   0.222 [W]
Radot Radot
iii. número de resistências em paralelo:

 Id M 
n  ceil  n8 [número de resistências em paralelo]
 P R
adot adot 
 
 Radot

adotam-se 8 resistores de 18 / 0.25 W em paralelo
nota: caso o resistor de 2,2 / 2 W utilizado para o experimento não

esteja disponível, utiliza-se como alternativa 8 resistores de 18 /0.25 W
em paralelo.
PRÁTICA Nº 02 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEIA ONDA E ONDA

COMPLETA SEM E COM FILTRO CAPACITIVO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é a analise do funcionamento dos circuitos retificadores
monofásicos de meia onda e onda completa mediante simulação e experimentação.
Os circuitos retificadores integram a maioria dos dispositivos eletrônicos que necessitam de
uma fonte de tensão CC condicionada a partir de uma fonte AC senoidal disponível. Os diferentes
circuitos (topologias) retificadores podem ser obtidos a partir do acréscimo de componentes, ou
rearranjo na posição dos mesmos. Os circuitos retificadores a serem montados durante a prática são
apresentados na Figura 2. Nota-se que o simples acréscimo de um filtro capacitivo é capaz de
reduzir a ondulação na forma de onda da tensão no capacitor, permitindo assim o aumento do valor
médio da tensão de saída, conforme proposto na Figura 1.
Durante a determinação dos valores de resistência de carga e da capacitância de filtro, é
necessário analisar o resultado teórico e o experimental. Para os retificadores sem filtro capacitivo,
os elementos do circuito são determinados utilizando o valor eficaz da tensão na saída do
retificador para uma queda de tensão no diodo considerada. São apresentados nas Eqs. (1), (2) e (3)
o valor eficaz de tensão na saída para os retificadores: meia onda, onda completa com derivação e
onda completa em ponte, respectivamente; e o valor de resistência de carga é tratado na Eq. (4).
Vo EF  0,5 . (Vs PK  Vd ) (1)
1
Vo EF  . (Vs PK  Vd ) (2)
2
1
Vo EF  . (Vs PK  2 .Vd ) (3)
2
2
Vo EF
Ro  (4)
Po
Para o circuito retificador com filtro capacitivo, os elementos de circuito são determinados
considerando o valor da tensão média aproximadamente igual ao valor da tensão eficaz na saída do
retificador, para uma queda de tensão no diodo e uma ondulação de tensão no capacitor
considerada em projeto. É mostrado nas Eqs. (5) e (6) o valor médio da tensão de saída para os
retificadores, na Eqs. (7) e (8) o valor da capacitância para filtro capacitivo, e na Eq. (9) o cálculo
da resistência de carga, onde para cada par de equações apresentadas diz respeito aos retificadores:
meia onda e onda completa (expressão é a mesma para os retificadores em ponte e em derivação).
Vo EF  VoMED  (Vs PK  Vd  0,5 . VC ) (5)
Vo EF  VoMED  (Vs PK  2 .Vd  0,5 . VC ) (6)
Io
C (7)
fr . VC
Io
C (8)
2 . fr . VC
2
VoMED
Ro  (9)
Po
DVC
Vs max
Vo med
Vsmin
0 p 2p 3p 4p t ( w.t)
- Vs max
T Tc
Figura 1. Forma de onda da tensão na carga em um retificador de meia onda com filtro
capacitivo.
Os esquemáticos dos circuitos experimentais são apresentados na Figura 2.
D1 D1
Id Rs +A Id Rs
+A
1 2 1 2
+ + 0...0.2 A 0...0.2 A
Lp Ls Io + Io +
Lp Ls +
Vrms Ro V Vo Vrms C- Ro V Vo
Vp Vs
0...20 V 0...20 V
- -
- -
(a) (b)
D1 Rs D1
Id Id
1 2
Io
Io +
Lp Ls + Lp Ls 2
+
Vrms Vrms C Ro
- Vo
Ro Vo Rs
1 -
-
Ls Ls
D2 D2
(c) (d)
Id Id
Ls D1 D2 Ls D1 D2
2
Io Io
+ 2
+
Lp Rs Lp Rs +
Vrms Ro Vo Vrms C Ro Vo
1 1 -
Ls - Ls -
D4 D3 D4 D3
(e) (f)
Figura 2. Esquemáticos a serem montados durante o experimento: (a) retificador de meia onda,
(b) retificador de meia onda com filtro capacitivo, (c) retificador de onda completa com derivação,
(d) retificador de onda completa com derivação e filtro capacitivo, (e) retificador de onda
completa em ponte e (f) retificador de onda completa em ponte com filtro capacitivo.
A seguir são apresentadas as seguintes especificações:
• Vrms = 220 [V] [Tensão eficaz no primário do transformador]; e
• Po = 0,5 [W] [Potência na carga].
• Vs = 12 [V] [Tensão eficaz no secundário do transformador];
• fr = 60 [Hz] [Freqüência da rede];
• Vd = 0,70 [V] [Queda de tensão no diodo];
• ∆VC = 15%.VsMAX [V] [Ondulação de tensão no capacitor filtro]; e
• D1,D2,D3,D4 1N4007 [Diodo retificador].
• Amperímetro (1);
• Transformador com derivação central (+12V/+12V) (1); e
• Osciloscópio (1).
a) Determinar e especificar os componentes utilizados (resistores e capacitores);
b) Conforme a Tabela 1, determinar teoricamente o valor das grandezas exigidas; e
c) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
preencher a Tabela 1.
Nota1: durante a simulação utilize a função K_linear do ORCAD para o acoplamento magnético
das indutâncias do lado primário Lp e do secundário Ls para o transformador (no primário assumir
uma indutância de 1H e determinar a indutância no secundário, fazendo uso da Eq.(10)).
Vp ef . Ls  Vs ef . Lp
2 2
(10)
6. PROCEDIMENTO
a) A partir dos esquemáticos apresentados na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a análise
computacional, monte cada um dos circuitos retificadores. Mantenha a alimentação AC desligada.
b) Ligue a alimentação AC; para cada circuito retificador montado, utilizando um multímetro,
meça as grandezas experimentais exigidas na Tabela 1 e preencha os campos correspondentes.
c) Para cada circuito retificador, com a ponteira de tensão do osciloscópio e sua referência
corretamente posicionada, verifique o tempo de condução do diodo (Tc) para o circuito retificador
correspondente.
Nota2: As grandezas Id1EF, Id1MED, ∆VC, Tc e VdPIV devem ser medidas utilizando o osciloscópio.
Nota3: A Tabela 1 deve ser replicada para cada circuito retificador analisado.
Nota4: Devido à impossibilidade da medição de corrente eficaz em um dado diodo de forma direta
com o multímetro disponível, acrescenta-se um resistor (Rs) de baixa resistência (1Ω/0,25W) e
tolerância reduzida (< 5%) em série com o diodo escolhido (conforme visto na Figura 2), em
seguida fazendo uso do osciloscópio é verificada a forma de onda da tensão no resistor que é
proporcional a corrente que circula no diodo (medição indireta).
Tabela 1. Resultado teórico, simulado e experimental.
Circuito Método de análise utilizado

Grandeza
Retificador Teórico Simulado Experimental
Id1MED [A]
Id1EF [A]
IoMED [A]
_ VoMED [V]
∆VC [V]
Tc [ms]
VdPIV [V]
7. QUESTIONÁRIO
a) Comente a respeito do tempo de condução (Tc) verificado em cada circuito retificador e faça um
comparativo dos resultados obtidos entre as demais grandezas utilizando a Tabela 1.
b) Comente a respeito dos resultados obtidos em cada um dos circuitos retificadores montados
experimentalmente e compare com o seu equivalente simulado atentando para as grandezas
presentes na Tabela 1.
c) Analisando o circuito da Figura 2(f), suponha que o diodo D3 se danifique quando operando em
regime permanente. Na 1ª situação, o componente comporta-se como um elemento de impedância
infinita; e na 2ª situação, o componente comporta-se como um elemento de baixa impedância.
Análise o comportamento do circuito para ambas as situações impostas. Apresente as formas de
onda de tensão na carga.
d) Comente o motivo pelo qual foi adotada a medição indireta na determinação da corrente eficaz
no diodo e não a medição direta utilizando o amperímetro AC convencional.
e) Para as Figuras 2(e) e 2(f), explique o motivo da discrepância entre os valores medidos
experimentalmente: Id1MED e IoMED; a partir da forma de medição utilizada.
f) Pesquise a respeito da Ponte de Graetz.
g) Pesquise a respeito dos diodos utilizados em circuitos retificadores: Standard Recovery, Fast
Recovery e Ultra Fast Recovery.
8. APÊNDICE
8.1 Planilha 1: Dimensionamento dos componentes

1. Especificações:
Po  0.5 [W]
[potência na carga]
2. Considerações:
Vs  12 [V] [tensão eficaz no secundário transformador]
fr  60 [Hz] [frequência da rede]

Vd  0.7 [V] [queda de tensão no diodo]
VC%  15% [taxa de ondulação]
3. Projeto retificador de meia onda sem filtro:

Vomed_msc  0.318  2 Vs  Vd Vo med_msc  5.174 [V] [tensão média na carga]
Voef_msc  0.5  2 Vs  Vd Vo ef_msc  8.135 [V] [tensão eficaz na carga]
2
Voef_msc
Romsc  Ro msc  132.366 [] [resistência de carga]
Po
VdPIV_msc   2 Vs Vd PIV_msc  16.971 [V] [tensão de pico reversa]
componentes adotados: 2 x 270 / 0.25W [paralelo]
4. Projeto retificador de meia onda com filtro:
VCmcc  VC%  2 Vs  Vd VCmcc  2.441 [V]
Vomed_mcc   2 Vs  Vd  0.5 VCmcc  Vo med_mcc  15.05 [V] [tensão média na carga]
Vo ef_mcc  Vo med_mcc Vo ef_mcc  15.05 [V] [tensão eficaz na carga]
2
Vomed_mcc
Romcc  Ro mcc  453.021 [] [resistência de carga]
Po
Po 6
Co mcc   10
Vo med_mcc fr VCmcc Co mcc  226.872 [uF] [capacitância de filtro]
VdPIV.mcc  2 2 Vs Vd PIV.mcc  33.941 [V] [tensão de pico reversa]
componentes adotados: 2 x 910 / 0.25W [paralelo] 220 F/ 25V [capacitor]
PRÁTICA Nº 03 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é projeto e analise do funcionamento de uma fonte de
tensão regulada a diodo zener mediante simulação e experimentação.
Pequenas fontes de alimentação lineares são utilizadas em aplicações que necessitam de
uma potência absorvida reduzida, sendo o diodo zener o componente utilizado em tais fontes. A
partir de um circuito retificador com filtro capacitivo alimentando uma carga linear, uma tensão no
capacitor com ondulação considerada em projeto é obtida. Para que a tensão na saída (na carga)
seja exatamente constante projeta-se um circuito resistivo em série com o diodo zener, sendo assim
a variação da potência drenada pela carga na saída depende das características de potência do diodo
zener e do valor da resistência série, de modo que não haja perda na regulação da tensão na saída.
São ilustradas na Figura 1 as etapas de um circuito pertencente a uma fonte de tensão regulada a
diodo zener, onde se notam as etapas: abaixamento da tensão, retificação, filtragem e regulação da
tensão na carga.
+ + +
Vrms tensão CC
Lp Ls DR C DZ
regulada
- - -
transformador retificação filtragem regulação
abaixador
Figura 1. Etapas de uma fonte de alimentação CC.
A resistência em série com o diodo zener (Rs) deve ser projetada de modo a manter a
tensão regulada nos terminais da carga, mesmo que a impedância de saída seja variável, e uma
ondulação de tensão nos terminais do capacitor seja permitida. São apresentados nas Eqs. (1) e
(2): o valor mínimo e o valor máximo da corrente no diodo Zener, de modo a garantir que o
componente esteja trabalhando na região de operação. A Eq. (3) é útil na determinação da
regulação de tensão na carga.
Vi MAX  Vz
Rs MIN  (1)
Iz MAX  Io MIN
Vz
RoMIN 
Vi MIN  Vz (2)
 Iz MIN
Rs MIN
VoVAZIO  Vo PLENA CARGA

Rv (%)  *100 (3)
Vo PLENA CARGA
O esquemático do circuito experimental é apresentado na Figura 2.
D1 Rs Io
+A
+ + 0...0.2 A
Iz +
Vrms Lp Ls
+ RL Ro V Vo
Vs C Dz
- 10k 0...20 V
-
- -
Figura 2. Esquemático a ser montado durante o experimento.

• Vrms = 220 [V] [Tensão eficaz aplicada ao primário do transformador];
• Vo = 5,1 [V] [Tensão de saída regulada]; e
• Po = 500 [mW] [Potência na carga].
• fr = 60 [Hz] [Freqüência da rede];
• Vs = 12 [V] [Tensão eficaz no secundário];
• Vd = 0,70 [V] [Queda de tensão no diodo];
• ∆VC = 15%.VsMAX [V] [Ondulação no capacitor filtro];
• IzMIN = 10% Iz; [A] [Corrente mínima no zener];
• IzMAX = 60% Iz; [A] [Corrente máxima no zener];
• Dz 1N4733A; [Diodo zener selecionado 5,1V/1W]; e
• D1 1N4007 [Diodo selecionado].
• Amperímetro (1);
• Transformador com ponto central (+12V/+12V) (1); e
• Osciloscópio (1).
a) Determinar e especificar os componentes comerciais utilizados (resistores e capacitores);
b) Conforme a Tabela 1, determinar teoricamente o valor das grandezas exigidas; e
c) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
preencher a Tabela 2.
6. PROCEDIMENTO
computacional, monte o circuito experimental. Mantenha a alimentação AC desligada.
b) Ligue a alimentação AC, para o circuito experimental sem carga, preencha a Tabela 1 com as
especificações dos componentes determinadas e as grandezas medidas experimentalmente.
c) Acrescentando uma carga Ro, inicialmente em um valor máximo de resistência, preencha a
Tabela 2 com os valores de tensão e corrente, conforme indicado nesta tabela.
Nota1: Para a carga Ro utilize um potenciômetro 2,2KΩ/1W.
Nota2: As grandezas ∆VC e VdPIV devem ser medidas utilizando o osciloscópio.
Tabela 1. Resultados experimentais I.
Especificação de Componentes
Componente Símbolo Valor do componente adotado
Capacitor C
Resistor Rs
Análise do circuito retificador de meia onda com filtro e diodo zener sem carga
Circuito Método de análise utilizado

Grandeza
Retificador Simulado Experimental
IzMED [A]
VoMED [V]
-
∆VC [V]
VdPIV [V]
Tabela 2. Resultados experimentais II.
Io (mA) Vo (V) – Teórico Vo (V) – Simulado Vo (V) – Experimental
10,0
30,0
50,0
70,0
90,0
100,0
120,0
140,0
160,0
7. QUESTIONÁRIO
a) Determine a regulação de tensão na carga para os resultados experimentais e simulados na
Tabela 2 e esboce a curva de regulação de tensão na carga em função do aumento da carga.
b) A partir dos resultados da Tabela 2 traçar as curvas Vo=f(Io) (simulada e experimental) e
comente a respeito do comportamento gráfico obtido.
c) Explique o comportamento do diodo zener na região de ruptura inversa.
d) Analisando o circuito da Figura 2, suponha que o capacitor C seja retirado do circuito em um
dado instante após o circuito ter atingido regime permanente. Análise e explique o comportamento
do circuito para esta situação imposta fazendo uso de simulação. Apresente as formas de onda de
tensão na carga.
e) Pesquise a respeito do regulador shunt programável TL431.
f) Comente a respeito do comportamento das curvas apresentadas na Figura 3.
8. APÊNDICE
16.25V
15.00V
13.75V
V(C)
12.5V
10.0V
7.5V
V(Rs)
5.0V
2.5V
0V
V(Ro)
200mA
100mA
0A
250ms 300ms 400ms 500ms
I(Ro)
Time
Figura 3. Principais formas de onda.
PRÁTICA Nº 04 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um
transistor de TBJ na configuração emissor-comum mediante simulação e experimentação.
Estando o Transistor Bipolar de Junção (TBJ) NPN polarizado na configuração emissor
comum, conforme ilustrado na Figura 1; um par de curvas características é necessário para
descrever o comportamento do componente nesta configuração: uma curva para o circuito de
entrada ou base-emissor e a outra curva para o circuito de saída ou coletor-emissor (estas curvas
são amplamente encontradas nas folhas de especificação do componente). As curvas características
são apresentadas na Figura 2.
IC C
Ic
N
Ib Ib
VCE
P
B
VBE N Ie
IE E
Figura 1. Notação e símbolo transistor NPN.
(a) (b)
Figura 2. Curvas características: (a) Circuito de saída e (b) circuito de entrada.

Para um ponto de operação adotado, obtido a partir da interseção entre a curva de carga e
uma das diferentes curvas características do circuito de saída e interno a região de operação segura,
projeta-se o circuito com TBJ para diversas aplicações: corte-saturação e amplificação de sinais; é
interessante que tal ponto escolhido esteja interno a curva que limita a região de operação segura do
TBJ real, tendo em vista a limitação das características externas a que o componente esteja
submetido (esforços).
- +
Icc A
0...0.2 A
Rc
100
Ibb Rb + +
Q1
+ A - V 0...20 V Vcc
Vbb 100k - -
0...2 mA
0
Figura 3. Esquemático a ser montado durante o experimento.
• Vcc = 0 a 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída];
• Ibb = 20 a 80 [uA] [Corrente de base contínua aplicada a o circuito de entrada]; e
• Q1 BC546 [Transistor NPN utilizado].
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados;
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traçar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcc e Vbb desligadas.
b) Ligue a fonte de tensão Vbb e conecte-a ao circuito de entrada de forma a polarizar a junção
base-emissor do TBJ e regule a tensão desta fonte de modo a ajustar o valor de corrente Ibb
medida por um amperímetro ao exigido; com outra fonte de tensão Vcc variável, ligue e conecte-a
ao circuito de saída e regule a tensão desta fonte de modo a ajustar o valor da tensão Vce medida
por um voltímetro ao exigido e com um segundo amperímetro meça a corrente no coletor Icc
obtida. Este procedimento deve ser repetido e os campos da Tabela 1 preenchidos.
c) Determinar o ganho do transistor experimentalmente.

Tabela 1. Resultados simulados e experimentais.
Corrente no coletor medida Ic (mA)
Ibb (uA)
20 40 60 80
0,5
3
Vce (V)
5
10
15
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar a curva de saída Ic = f(Vce) de um TBJ: experimental e simulada.
Nota1: A Figura 4 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.
b) Determine o ganho de corrente (β) para as curvas traçadas em (a) item (7).
c) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) item (7) explorando os seguintes
tópicos: funcionamento na configuração emissor-comum, curvas de característica de entrada e
saída, ganho de corrente e limites de operação.
d) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante a prática, comente a respeito das
principais características de operação, bem como as limitações de operação.
e) Pesquise a respeito: transistores de carboneto de silício e suas aplicações.
8. APÊNDICE
Figura 4. Curva característica de saída Ic = f(Vce) simulada.
20mA Ib (100uA)
Ib (80uA)
15mA
Ib (60uA)
Ic(V) 10mA
Ib (40uA)
5mA
Ib (20uA)
0A
0V 5V 10V 15V
Vce(V)
PRÁTICA Nº 05 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é projetar e analisar o funcionamento de um TBJ como
chave mediante simulação e experimentação.
Fazendo uso da curva característica do circuito de saída ilustrada na Figura 1, pode-se
projetar o circuito de tal forma que o TBJ tipo NPN comporte-se como uma chave, onde se notam
as regiões de operação do componente quando em corte e quando em saturado. Em regime de
saturação forte, admite-se um ganho de corrente de projeto reduzido de tal forma que um pequeno
valor de corrente aplicado a base sature instantaneamente o componente.
Saturação
Corte
Figura 1. Curva característica de saída.

Para um dado ponto de operação adotado, obtido a partir da interseção entre a curva de
carga e a curva característica do circuito de saída, e interno a região de operação segura, projeta-se
o circuito com TBJ. A Eq. (1) permite determinar o valor da resistência de base a partir de uma
corrente de base considerada, da mesma forma a Eq. (2) faz-se uso da curva característica de saída
para determinar o valor da resistência Rc.
Vbb  Vbe
Rb  (1)
Ib
Vcc  Vce SATU

Rc  (2)
 . Ib
Ic
Rc
Q1 +
Ib Rb Vcc
-
+
Vbb
-
0
• Vcc = 12 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída]; e
• Vbb = 2,2 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de entrada].
• Hfe = β = 30 [Ganho de corrente do transistor];
• Ib = 100 [uA] [Corrente de base adotada];
• VceSAT = 0,3 [V] [Tensão de saturação do transistor];
• fc = 10 [KHz] [Freqüência do sinal de entrada-onda quadrada]; e
• Q1 BC546 [Transistor utilizado].
• Osciloscópio (1);
• Multímetro (1); e
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados; e
algumas formas de onda pertinentes e preencher o Quadro 1.
6. PROCEDIMENTO
computacional monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vbb e Vcc desligadas.
b) Ligue a fonte Vbb, ajuste corretamente a sua tensão e aplique este sinal ao circuito de entrada de
forma a polarizar a junção base-emissor do TBJ, mantendo assim uma corrente de base
considerada; com outra fonte de tensão Vcc, ajuste a tensão desta para o valor considerado, aplique
ao circuito de saída e observe com o osciloscópio as formas de onda de tensão em Rc e nos
terminais Coletor-Emissor. Em seguida, esboce as formas de onda experimental para as grandezas
Vbb, Vce e VRc no Quadro 1.
Quadro 1. Formas de onda simulada e teórica.
Vbb(V)
0 t( )
Vce(V)
0 t( )
VRc(V)
0 t( )
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as formas de onda de tensão experimental e simulada para o TBJ: Vbb, Vce e VRC.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) tomando como referência o
comportamento do circuito e a curva característica do circuito de saída.
c) Determine as perdas de condução do TBJ usando a curva característica Ic = f(Vce).
d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento.
e) Pesquisar a respeito das principais especificações do TBJ encontradas na folha de dados dos
fabricantes de modo que o componente trabalhe como chave.
f) Pesquise aplicações que fazem uso do TBJ funcionando como chave.
8. APÊNDICE
PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o projeto e a analise do funcionamento de um TBJ tipo
N como amplificador de sinais mediante simulação e experimentação.
Fazendo uso da configuração de polarização por divisor de tensão, o TBJ é capaz de
amplificar pequenos sinais. Durante a etapa de projeto, uma seqüência de passos deve ser seguida
de forma a facilitar a análise e a compreensão do circuito. Primeiramente, faz-se uso da análise CC
como forma de dimensionar os valores dos componentes do circuito para um ponto de operação
corretamente escolhido; em seguida, fazendo uso da análise AC (análise de pequenos sinais)
determinam-se os diversos parâmetros do circuito (ganho de tensão, ganho de corrente, impedância
de entrada e impedância de saída). São ilustrados nas Figuras 1(a), (b) e (c) o circuito amplificador
adotado, o circuito necessário à análise CC e o circuito adotado à análise AC (fazendo uso do
modelo de pequenos sinais do TBJ), respectivamente.
Vcc Vcc
+
R1 Rc - R1 Rc
Cc
0 0
R3 C1 Q1 Q1
RL
Vi
R4 R2 Re Ce
R2 Re
0 0
(a) (b)
B C
ii R3 ib io
Vi R4 R1 R2 ro Rc RL
rp b.ib
0
(c)
Figura 1. (a) Circuito amplificador, (b) circuito utilizado para análise CC e (c) circuito utilizado
para análise AC.
Nota1: Nota-se que ao circuito da Figura 1(a) são acrescentados os resistores 3 e 4, fato que se
justifica pela necessidade de medição da corrente de entrada no circuito durante a análise
experimental, como forma de serem comparados os parâmetros de pequenos sinais obtidos por
análise teórica, simulação e experimento.
O esquemático do circuito experimental é tratado na Figura 2.
+ Vcc
- R1 Rc
Cc
c 2
0
R3 + -
1 -C1
+ 10u
Q1
1k 10u b
RL
+ e 10k
Vi R4 R2 Re + Ce
- - 22u
1k
0
• Vcc = 20 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída].
• Vc = 8 a 10 [V] [Intervalo de tensão média adotado em projeto];
• Vth =5 [V] [Tensão Thévenin];
• Ib = 100 [uA] [Corrente de base adotada];
• Pd = 0,15 [W] [Potência dissipada];
• Vce =8 [V] [Tensão de operação do transistor];
• Vi = 100 [mV] [Tensão de pico a pico];
• fc = 10 [KHz] [Freqüência do sinal de entrada]; e
• Q1 BC546 [Transistor NPN utilizado].
• Gerador de função (1);
• Multímetro (1); e
2
Nota : Adotou-se o ponto de operação utilizando a curva característica de saída do componente,
considerando a curva para um Ib (100 uA), Vce (8V) e Pd (0,15W).
Nota3: é aconselhável utilizar resistores com tolerância reduzida para os elementos R3, R4 e RL.
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados necessários a polarização CC; e
6. PROCEDIMENTO
computacional monte o circuito experimental proposto. Mantenha a fonte Vcc desligada.
b) Com o sinal de tensão Vi corretamente calibrado, conecte-o ao circuito de entrada de tal forma
que o sinal AC aplicado ao circuito (ponto 1) seja amplificado na saída (ponto 2). Ligue e ajuste a
fonte de tensão Vcc ao valor indicado. Fazendo uso do osciloscópio: meça a tensão (pico a pico) no
ponto 1, meça a tensão (pico a pico) no ponto 2, e finalmente meça a tensão (pico a pico) sobre o
resistor R3. Preencha a Tabela 1.
Tabela 1. Resultados: teórico, simulado e experimental.
Valores de tensão (pico a pico teórico, simulado e experimental) [V]
Teórico Simulado Experimental
Ponto 1
Ponto 2
Resistor R3
Parâmetros do modelo de pequenos sinais
Teórico Simulado Experimental
Av (ganho de tensão)
Ai (ganho de corrente)
Zi (impedância de entrada)
Zo (impedância de saída)
7. QUESTIONÁRIO
a) Apresente as formas de onda nos pontos 1 e 2 (Figura 2), e comente os resultados.
Nota4: a Figura 3 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.
b) Explique o procedimento experimental para se obter os parâmetros do modelo AC.
c) Apresente o equacionamento em forma literal referente aos parâmetros do modelo de pequenos
sinais para o circuito proposto na Figura 2. Faça uso deste equacionamento e obtenha os parâmetros
do modelo de pequenos sinais teórico e simulado.
d) Comente e compare detalhadamente os resultados obtidos por meio da análise teórica, simulação
e experimento para o modelo de pequenos sinais, conforme a Tabela 1.
e) Fazendo referência a uma aplicação do TBJ como amplificador de sinais, apresente um circuito
amplificador de áudio utilizando TBJ’s e descreva o seu funcionamento.
8. APÊNDICE
20mV
0V
-20mV
V(ponto1)
4.0V
0V
-4.0V
V(ponto2)
10V
5V
0V
9.0ms 9.1ms 9.2ms 9.3ms 9.4ms 9.5ms
V(Coletor)
Time
Figura 3 - Formas de onda obtidas em simulação.
PRÁTICA Nº 07 – FET OPERANDO COMO CHAVE

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o projeto e a analise de um drive de acionamento de um
MOSFET de potência mediante simulação e experimentação.
Uma aplicação dos transistores MOSFET de potência é bastante comum em circuitos de
processamento de energia, onde os estados de corte e de saturação devem ser definidos. Circuitos
auxiliares capazes de acionar tais chaves são necessários, de modo a permitir que circuitos de sinais
controlem circuitos de potência elevada.
Estando o MOSFET trabalhando como chave e aplicada uma tensão dreno-fonte maior ou
igual à tensão de limiar (Vgsth), os fenômenos de armazenamento ou recombinação dos portadores
minoritários, que caracterizam os aspectos capacitivos eletrostáticos e de depleção, vão determinar
seu comportamento em comutação, conforme a Figura 1. Portanto, as cargas a remover são das
capacitâncias intrínsecas, razão pela qual durante a comutação são exigidas correntes de porta
elevada, quando são desejados tempos de comutação reduzidos mesmo em operação em baixa
freqüência, de modo a minimizar a potência perdida na comutação. A capacitância de entrada é
definida como a soma entre as capacitâncias gate-dreno (Cgd) e gate-source (Cgs), e a
capacitância de saída é a capacitância dreno-source (Cds).
Cgd D
M1
G Cds
Cgs
S
Figura 1 - Representação das capacitâncias intrínsecas.
A análise do circuito, apresentado na Figura 2, fundamenta-se nos estados bem definidos
de corte e de saturação da chave de potência, cujo sinal de controle é gerado por um drive de
acionamento. Na primeira etapa, um sinal nível alto (5V) é gerado pela fonte de tensão V1, o
transistor Q2 entra em estado de saturação e passa a conduzir uma correte de coletor Ic2, o divisor
de tensão formado pelas resistências R4 e R5 garante que o transistor Q3 entre em estado de
saturação e conduza uma corrente Ie3, uma parcela desta corrente faz o diodo D1 conduzir, Q1
entrar em estado de corte, um impulso elevado de corrente é exigido e uma tensão Vgs surge entre
os terminais G e S. Na segunda etapa, um sinal de nível baixo (0V) é gerado pela fonte de tensão
V1, o transistor Q2 entra em estado de corte e não mais circulará a corrente Ic2, estando os
terminais de base e emissor do transistor Q3 no mesmo potencial (15V), este estará em estado de
corte, a carga armazenada no capacitor intrínseco Cgs contribui para o aparecimento de uma tensão
capaz de polarizar o transistor Q1, levando-o a saturação e drenando rapidamente a carga
armazenada, proveniente da etapa anterior (quando saturado).
+ R5
Vcd Ie 3 R1
- 120
Q3 Vdreno
0 Id 1 ID
R4 D1 R2 Vgate +
M1 Vcc
-
VC2 22
Ic 2
VE1
Q2 R3 Q1 D2 R7
R6 680 10k
Vpulse
0
• Vcc = 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de potência]; e
• Vcd = 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de controle].
• Hfe = β = 40 [Ganho de corrente dos transistores para saturação forte];
• Id1 = 400 [mA] [Corrente de gatilho];
• Vbe = 0,7 [V] [Tensão da junção base-emissor];
• Vpulse = 2,7 [V] [Amplitude da tensão – forma de onda quadrada – Don = 0,25];
• fc = 10 [kHz] [Freqüência do sinal de entrada];
• D1 UF4007 [Diodo Ultra Fast Recovery];
• D2 1N5246 [Diodo zener 16V – 0,5W];
• M1 IRF 540 [Mosfet de Potência];
• Q2 BC546 [Transistor TBJ NPN utilizado]; e
• Q1, Q3 BC327 [Transistor TBJ PNP utilizado].
Os instrumentos e equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
• Multímetro (1);
• Gerador de função (1); e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
esboçar algumas formas de onda pertinentes (VC2, VE1, Vgate e Vdreno) no Quadro 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 2 e análise dos resultados obtidos no pré-
laboratório monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcd e Vcc desligadas.
b) Com o sinal de tensão Vpulse corretamente calibrado, aplique-o ao circuito de modo a polarizar
a junção base-emissor de Q2, mantendo assim uma corrente de base pulsada; ligue a fonte de
tensão Vcd e a conecte ao circuito de controle, ajuste a tensão desta para o valor considerado e
verifique com o osciloscópio as formas de onda de tensão em VC2, VE1 e Vgate. Em seguida,
ligue a fonte de tensão Vcc e a conecte ao circuito de potência, ajuste a tensão desta para o valor
considerado e verifique com o osciloscópio a forma de onda de tensão em Vdreno. Esboce as
formas de onda experimentais requeridas no Quadro 1.
Quadro 1. Formas de onda simulada e teórica.
VC2(V)
0 t( )
VE1(V)
0 t( )
Vgate(V)
0 t( )
Vdreno(V)
0 t( )
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as formas de onda de tensão experimental e simulada: VC2, VE1, Vgate e Vdreno.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) do item (7) tomando como
referência o comportamento do circuito.
c) Determine a perda total do MOSFET em simulação.
Nota1: Procedimento para cálculo apresentado no apêndice.
d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento para MOSFET.
e) Apresente um circuito detalhado para acionamento de MOSFET de potência (diferente do
apresentado na prática) e apresente uma explicação detalhada do seu funcionamento.
f) Explique a função dos componentes D2 e R7 no circuito da Figura 3.
g) Pesquise aplicações práticas que utilizem o MOSFET funcionando como chave.
8. APÊNDICE
Cálculo das perdas para MOSFET de potência.

100
50
-20
3.14995ms 3.15000ms 3.15005ms 3.15010ms 3.15015ms 3.15020ms
Time
(a)
iD ,vDS
VCC
ID
VDSsat
0
tr t
(b)
Figura 3 – Perdas: (a) entrando em condução e (b) detalhes.
100
50
-20
3.479285ms 3.479600ms 3.480000ms 3.480400ms 3.480796ms
Time
(a)
iD ,vDS
VCC
ID
VDSsat
0
tf t
(b)
Figura 4 – Perdas: (a) entrando em bloqueio e (b) detalhes.
Perdas do MOSFET em condução
iD (t )  I D
t t
1 on 1 on 2
  iD (t )   dt 
t
   I D  dt  I D  on
2
I Deff
TS 0 TS 0 TS
 2 t 
PMOS cond   RDS  I Deff  RDS   I D  on 
2
 TS 
Perdas na entrada em condução
iD t  
ID
t
tr
vDS t   VCC
p MOS (t )  iD t   vDS t 
t
1 r
PMOS ( on )    p MOS( on)  dt
TS 0
1
PMOS ( on )  VCC  I D  t r  f S
2
Perdas do MOSFET no bloqueio
iD t   I D 
ID
t
tf
vDS t   VCC
p MOS (t )  iD t   vDS t 
tf
1
PMOS ( off )    p MOS( off )  dt
TS 0
1
PMOS ( off )   VCC  I D  t f  f S
2
Perda Total do MOSFET
PMOS (Total)  PMOS (cond)  PMOS (on)  PMOS (off )

PRÁTICA Nº 08 – CIRCUITOS COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é levantar e traçar a curva de ganho em freqüência
referente à dinâmica de um amplificador operacional (AMP-OP) real e verificar não idealidades.
Um amplificador operacional ideal é um amplificador de alto ganho, com banda-passante
ilimitada. O amplificador operacional real é normalmente construído recorrendo à utilização de
sub-circuitos, compostos por transistores TBJ e ou FET como componentes ativos, de modo a
reunir em uma única pastilha circuitos elaborados. Algumas limitações de ordem física (ganho
infinito, necessidade de correntes ou tensões de polarização, realimentação e não linearidades, entre
outros) vão condicionar as características de operação estável. Circuitos de compensação interna
são projetados de modo a reduzir o ganho em malha aberta (AVD) com o aumento da freqüência,
garantindo assim a estabilidade. Em aplicações práticas, é comum o uso de componentes passivos
(resistores e capacitores, entre outros) conectados externamente ao AMP-OP, de modo a reduzir o
ganho de tensão do circuito a um valor bastante reduzido (ganho em malha fechada, ACE),
acarretando assim a uma série de benefícios como: o ganho de tensão do amplificador é mais
estável e preciso, o qual é estabelecido por componentes externos; a impedância de entrada do
circuito assume um valor maior em relação ao AMP-OP isolado; a impedância de saída do circuito
assume um valor menor em comparação ao AMP-OP isolado; e a resposta em freqüência do
circuito ocupa uma faixa maior do espectro de freqüência.
O gráfico do ganho em função da freqüência (Av = f(fs)) obtido a partir de um circuito com
AMP-OP, ilustrado na Figura 1, trata o comportamento do ganho de tensão, quando um sinal de
tensão senoidal com amplitude definida e freqüência variável é aplicado à entrada. A freqüência é
tratada no eixo das abscissas em escala logarítmica e o ganho é tratado no eixo das ordenadas em
[V/V]; comumente o ganho é tratado em decibéis [dB], conforme a Eq. (1).
Av [V/V]
A VD
0,707.A VD
1
f 1 fs [Hz]
0 fc
Figura 1 - Gráfico do ganho em função da freqüência.
Vo
Av  20 . log(| |) (1)
Vi
Nota-se na Figura 1, que em baixas freqüências, próximo à operação DC (abaixo de fc), o

ganho é dado por AVD, a freqüência de corte (fc) do AMP-OP é definida para 70,7% do ganho DC e
a freqüência para ganho unitário (f1) ocorre para a tensão de saída igual à tensão de entrada.
+
Vcc
V+
3 7 LM741 -
+
6
Vi RL 0 Vo
2
-
4 C1 0
Vcc
V- R0 +
Vsin 10k -
RF
0
0
• Vcc = 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito].
• Vsin =1 [V] [Tensão de pico a pico do sinal senoidal];
• fs = 100 a 1M [Hz] [Freqüência do sinal senoidal]; e
• C1 LM 741 [AMP-OP utilizado].
Os instrumentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
• Multímetro (1);
a) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traçar
6. PROCEDIMENTO
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcc desligadas.
Nota1: é aconselhável utilizar resistores com tolerância reduzida para os elementos RF e RL.
b) Utilizando as resistências RF=10kΩ e RL=1kΩ, aplique ao ponto (Vi) o sinal de tensão senoidal
com tensão pico-a-pico constante e freqüência definida na Tabela 1. Ligue as fontes Vcc e meça a
tensão no ponto Vo com o osciloscópio e determine a resposta em freqüência para o ganho do
AMP-OP (Av).
c) Obtenha a freqüência de corte (fc) e a freqüência para ganho unitário (f1) do AMP-OP.
d) Repetir os passos (b) e (c) do item (6), para as resistências RF=22kΩ e RL=1kΩ.
Fs (Hz) 100 300 700 1k 3k 7k 10k
Vi (Vpp)
Vo (Vpp)
Av (V/V)
Av (dB)
Fs (Hz) 30k 70k 100k 200k 300k 700k 1M
Vi (Vpp)
Vo (Vpp)
Av (V/V)
Av (dB)
Fc (Hz) F1 (Hz)
Nota: A Tabela 1 deve ser replicada para cada circuito experimental.

7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas de ganho Av [dB] = f(fs [Hz]) (gráfico de ganho) para os passos (b) e (d) do
item (6): experimental e simulada.
b) Comparar as curvas de ganho traçadas em (a) item (7) (indicando valores de freqüência de corte)
com aquela esperada para o modelo real do amplificador operacional (folha de dados) e comente
detalhadamente seus resultados.
c) Explique o comportamento das formas de onda apresentadas na Figura 3.
d) Consultando a folha de dados do AMP-OP adotado durante a prática e comente a respeito das
principais características de operação, bem como os limites de operação.
e) Para AMP-OP defina os principais parâmetros relacionados: ganho diferencial, ganho de modo
comum, largura de banda, impedância diferencial de entrada, impedância de saída, máxima taxa de
crescimento da tensão de saída e tensão de desvio de entrada.
f) Explique o procedimento experimental para se obter o gráfico de fase.
g) Consultando a folha de dados dos AMP-OP’s: LM741 e LM311; faça um comparativo entre as
suas características e indique aplicações específicas mais adequadas ao uso destes (baseado no
roteiro desta prática).
8. APÊNDICE
5.0V
0V
-5.0V
450ms 460ms 470ms 480ms 490ms 500ms

Vi(1Vpp) Vo Time
Frequência de 100 Hz
500mV
0V
-500mV
910.82us 912.00us 914.00us 916.00us

Vi(1Vpp) Vo Time
Frequência de 1 MHz
Figura 3 – Formas de onda obtidas em simulação (com RF=10kΩ e RL=1kΩ) para as frequências
de 100 Hz e 1 MHz.
PRÁTICA Nº 09 – APLICAÇÕES PRÁTICAS COM LM741

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é analisar e verificar o comportamento do amplificador
operacional (AMP-OP) em diferentes aplicações mediante simulação e experimentação.
Diversos circuitos analógicos e circuitos digitais fazem uso AMP-OP em aplicações que
exigem a manipulação de sinais, tais como: comparação, amplificação e integração, entre outras; de
modo a explorar suas características construtivas.
Um modelo equivalente de um AMP-OP ideal, descrito por um circuito esquemático, é
ilustrado na Figura 1. Verificam-se alguns elementos essenciais ao modelo ideal: impedância de
entrada (Ri), impedância de saída (Ro) e o ganho de tensão (Av).
V-
Av Ro
Ri + + Vo
2e6 - - 75
V+ E 0
GAIN = 200
Figura 1- Modelo ideal LM 741.

Como forma de limitar o ganho componente em malha aberta elementos externos são
conectados ao AMP-OP, contribuindo assim para um ganho limitado em malha fechada. É
apresentado na Figura 2 um modelo equivalente ao modelo real do LM741 utilizado em simulação.
U1 V+
OS2
7
3 + 5
OUT 6
2 - 1
4 OS1
V-
LM741
Figura 2- Modelo simulado referente ao LM 741.
Portanto, o LM741 integra uma grande variedade de circuitos clássicos de modo a serem
exploradas suas características de operação. Os seguintes circuitos a serem experimentados são
citados: seguidor, comparador, amplificador inversor, amplificador não-inversor e somador
inversor, entre outras combinações.
V- V-
4 4 1
1 2
2 Va -
-
6 6
Vo1 Vo2
3 3
Va + Vb + Ro
Ro 5
7 5 10k 7 10k
V+ V+
0 0
(a) (b)
RF RF
V- V-
RL 4 1 RL 4 1
2 2
Va - -
6 6
Vo3 0 Vo4
3 3
+ Ro Va + Ro
7 5 10k 7 5 10k
V+ V+
0 0 0
(c) (d)
RF
V-
RL1 V- +
Vcc 2 4 1
Va
4 1 - -
2
RL2 - 6
6 3 Vo
Vb Vo5 +
3 Vcc 0 + Ro
+ Ro 5
7 5 - 7 10k
10k
V+ 0
0 0 V+
(e) (f)
Figura 3. Esquemáticos a serem montados durante o experimento: (a) seguidor, (b) comparador,
(c) amplificador inversor, (d) amplificador não-inversor, (e) somador inversor e (f) detalhe da
alimentação do integrado.

• Vcc = 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito]; e
• Av =2 [V/V] [Ganho dos circuitos].
• C1 LM 741 [AMP-OP utilizado];
• Va =6 [V] [Tensão de pico a pico do sinal senoidal];
• fa =1 [kHz] [freqüência do sinal Va]; e
• Vb = -2 [V] [Tensão contínua].
Os instrumentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
algumas formas de onda pertinentes no Quadro 1.
Nota1: Utilize um potenciômetro 2,2KΩ/1W para obter a tensão contínua Vb.
Nota2: Adote valores para as resistências acima de 10KΩ.
6. PROCEDIMENTO
computacional, monte os circuitos experimentais propostos. Mantenha as fontes Vcc desligadas.
b) Ligue as fontes Vcc, para o circuito (a) da Figura 2 trace no Quadro 1 a forma de onda Vo1.
c) Para o circuito (b) da Figura 2 trace no Quadro 1 a forma de onda Vo2.
d) Para o circuito (c) da Figura 2 trace no Quadro 1 a forma de onda Vo3.
e) Para o circuito (d) da Figura 2 trace no Quadro 1 a forma de onda Vo4.
f) Para o circuito (e) da Figura 2 trace no Quadro 1 a forma de onda Vo5.
Quadro 1. Forma de onda simulada e forma de onda experimental.

Vo1(V)
0 t( )
Vo2(V)
0 t( )
Vo3(V)
0 t( )
Vo4(V)
0 t( )
Vo5(V)
0 t( )
7. QUESTIONÁRIO
a) Apresente as formas de onda experimentais e simuladas obtidas.
b) Para cada um dos circuitos apresentados na Figura 2 determine a expressão para o ganho de
tensão (Av) em forma literal, em função das tensões aplicadas às portas e resistências do circuito.
c) Para os resultados experimentais e simulados obtidos, faça um breve comentário.
d) Utilizando o modelo ideal do LM741 apresentado na Figura 1, apresente e justifique os
resultados de simulação obtidos referente ao esquemático (e) da Figura 3.
e) Para o circuito do amplificador diferencial apresentado na Figura 4 (também conhecido como
amplificador diferenciador de instrumentação), determine a expressão que relaciona a tensão de
saída (Vo) em função da corrente (Is) e das resistências do circuito.
f) Para o circuito do amplificador diferencial apresentado na Figura 4, supondo uma corrente Is

capaz de variar de 0 a 1A, determine as resistências do circuito de modo que a tensão na saída Vo
possa variar de 0 a 10 V (proporcional a variação da corrente) e valide seus resultados obtidos por
simulação (adote Rs = 1Ω e as demais resistências valores acima de 10kΩ).
R4
+Vcc
0 U1
R3 7
3
Va +
Is 6
Rs Vo
R1
2
Vb -
4
0
R5
R2
Figura 4- Amplificador diferenciador de instrumentação.

PRÁTICA Nº 10 – FONTE AUXILIAR REGULADA A TRANSISTOR COM PROTEÇÃO

DE CURTO-CIRCUITO
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é dimensionar os componentes de uma fonte auxiliar
regula a transistor, ajustar a proteção de curto-circuito, e verificar os resultados obtidos mediante
simulação e experimentação.
A maioria das fontes de baixa potência utiliza a tensão regulada em um diodo zener para
alimentar cargas resistivas. A fonte de tensão regulada a diodo zener utiliza um resistor de potência
em série, capaz limitar a corrente fornecida à carga e ao diodo, de tal forma que a tensão na saída
permaneça constante, desde que sejam obedecidas as especificações de projeto. Algumas
desvantagens obtidas nesta fonte podem ser citadas: perdas no resistor de potência, perda da
regulação com aumento da carga e aplicação limitada aos circuitos de sinais, entre outras. Com o
simples acréscimo de um transistor TBJ, uma pequena corrente regulada injetada na base pode ser
amplificada no termina de coletor e controlar a corrente drenada por uma carga; diferentes circuitos
auxiliares podem ser desenvolvidos como forma de tornar o dispositivo mais robusto, onde são
citados: circuito de proteção contra curto-circuito, proteção contra sobre tensão e circuitos com
realimentação em tensão/corrente, diversos outros.
O princípio de funcionamento da fonte regulada a transistor com proteção de curto-circuito
é ilustrado pelo diagrama de blocos na Figura 1, onde a tensão na saída é amostrada por um
circuito, que provê uma tensão de realimentação para ser comparada com uma tensão de referência,
que resulta na atuação de um elemento de controle.
Ve Elemento Vo
(entrada (saída
não-regulada) de controle regulada)
Tensão de Circuito Circuito de

referência comparador amostragem
Figura 1 – Diagrama de blocos de uma fonte regulada a transistor.
O circuito de proteção contra curto-circuito é projetado de modo que a corrente fornecida à

carga não ultrapasse a especificação de projeto. Quando um curto-circuito ocorre, o aumento da
corrente provoca um aumento da queda de tensão na resistência série (Rs), de modo que o aumento
da tensão na junção base-emissor polariza o transistor de proteção (Q2), o qual é capaz de drenar
parte da corrente de regulação do zener, de modo a manter a corrente de carga sempre constante.
Para a correta escolha dos componentes do circuito são estabelecidos alguns critérios: o
limite de potência dissipada nos componentes não deve ser excedido, o valor da resistência de R3
deve ser fixado acima de 10kΩ e o valor da resistência de R1 deve ser determinado de modo a
garantir que o diodo opere na região de regulação. Sendo assim, os demais elementos devem ser
determinados.
Q1 15 Io
+A
R1 R2 Rs + 0...0.2 A
18k
+
Ve Led
Q2 C1
R4 Ro V Vo
10uF
D1 10k 0...20 V
-
D2 R3
D3 -
0
• Ve = 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito];
• Vo = 10 [V] [Tensão na saída];
• Po = 0,5 [W] [Potência de saída]; e
• Icc = 60 [mA] [Corrente de curto circuito].
• β = 150 [Ganho do TBJ Q1];
• Q1 BD139 [Transistor de ganho];
• Q2 BC546 [Transistor de proteção – operando como chave];
• D1 D1N5240 [Diodo Zener 10V/0,5W]; e
• D2, D3 1N4148 [Transistor standard].
Os instrumentos e equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
a) Determinar e especificar os resistores utilizados; e
6. PROCEDIMENTO
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha a fonte Ve desligada.
b) Ligue a fonte Ve e com um amperímetro conectado a carga, ajuste a corrente de saída para os
valores definidos na Tabela 1, meça a tensão na carga (Ro) e preencha a Tabela 1.
Nota1: Para a carga Ro utilize um potenciômetro 10KΩ/1W.
Io (mA) 5 10 15 20 30 40 50 60 70 80
Vo (V)
Simulado
Vo (V)
Experimental
7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas de ganho Vo = f(Io): experimental e simulada.
b) Comparar as curvas traçadas em (a) do item (7) e explique seus resultados.
c) Explique detalhadamente o comportamento dos componentes internos à fonte quando um curto-
circuito é aplicado à saída. Justifique sua resposta por meio de simulação.
d) Apresente o procedimento de cálculo necessário à especificação dos componentes do circuito.
e) Comente a função dos diodos D2 e D3 no circuito.
f) Pesquise a respeito da configuração Darlington e de que forma ela pode ser aplicada ao circuito
da Figura 2.
g) Explique o comportamento do circuito apresentado na Figura 3, ressaltando a função de cada
componente do circuito.
8. APÊNDICE
Q1
Ve Vo
Rsc
R1 +VCC
Q2
R2
+ U1 RL
Dz -
R3
-VCC
0 0 0
Figura 3 – Circuito limitador de corrente com AMP-OP.

Curvas características do diodo

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

DEPARTAMENTO DE ENG. ELÉTRICA

PROFESSORES: Demercil de Sousa Oliveira Jr.

PRÁTICA Nº 01 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ....................................................... 2

PRÁTICA Nº 02 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEIA ONDA E ONDA

PRÁTICA Nº 03 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER ................................ 10

PRÁTICA Nº 04 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ ............................. 14

PRÁTICA Nº 05 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE.................................................................. 17

PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS ............................. 20

PRÁTICA Nº 07 – FET OPERANDO COMO CHAVE ................................................................. 24

PRÁTICA Nº 08 – CIRCUITOS COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS .......................... 30

PRÁTICA Nº 09 – APLICAÇÕES PRÁTICAS COM LM741 ....................................................... 34

PRÁTICA Nº 10 – FONTE AUXILIAR REGULADA A TRANSISTOR COM

A apostila de práticas de Laboratório referente à Disciplina de Eletrônica Analógica

Sendo assim, é apresentado o objetivo geral: fortalecer o incentivo ao aprendizado e

Aos alunos, este trabalho pretende contribuir de forma satisfatória no processo de

PRÁTICA Nº 01 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

Figura 1 - (a) Curva característica e (b) modelo segmentos lineares do diodo.

p D (t )  Id .Vd  Vf O . Id  Rav . Id 2 (3)

Pd med (t )  Vf O . Id med  Rav . Id ef2 (5)

PLANILHA 1: Cálculo da resistência série

PR1  ( Vi  Vd )  Id M PR1  1.8 [W]

adota-se resistor de 2,2 / 2 W

iii. número de resistências em paralelo:

nota: caso o resistor de 2,2 / 2 W utilizado para o experimento não

PRÁTICA Nº 02 – RETIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEIA ONDA E ONDA

Vo EF  0,5 . (Vs PK  Vd ) (1)

Vo EF  VoMED  (Vs PK  Vd  0,5 . VC ) (5)

Vo EF  VoMED  (Vs PK  2 .Vd  0,5 . VC ) (6)

Circuito Método de análise utilizado

8.1 Planilha 1: Dimensionamento dos componentes

fr  60 [Hz] [frequência da rede]

3. Projeto retificador de meia onda sem filtro:

Voef_msc  0.5  2 Vs  Vd Vo ef_msc  8.135 [V] [tensão eficaz na carga]

VdPIV_msc   2 Vs Vd PIV_msc  16.971 [V] [tensão de pico reversa]

componentes adotados: 2 x 270 / 0.25W [paralelo]

4. Projeto retificador de meia onda com filtro:

VCmcc  VC%  2 Vs  Vd VCmcc  2.441 [V]

Vomed_mcc   2 Vs  Vd  0.5 VCmcc  Vo med_mcc  15.05 [V] [tensão média na carga]

Vo ef_mcc  Vo med_mcc Vo ef_mcc  15.05 [V] [tensão eficaz na carga]

VdPIV.mcc  2 2 Vs Vd PIV.mcc  33.941 [V] [tensão de pico reversa]

PRÁTICA Nº 03 – FONTE DE TENSÃO REGULADA A DIODO ZENER

VoVAZIO  Vo PLENA CARGA

Figura 2. Esquemático a ser montado durante o experimento.

Componente Símbolo Valor do componente adotado

Circuito Método de análise utilizado

Tabela 2. Resultados experimentais II.

Io (mA) Vo (V) – Teórico Vo (V) – Simulado Vo (V) – Experimental

PRÁTICA Nº 04 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ

Figura 1. Notação e símbolo transistor NPN.

Figura 2. Curvas características: (a) Circuito de saída e (b) circuito de entrada.

c) Determinar o ganho do transistor experimentalmente.

Corrente no coletor medida Ic (mA)

PRÁTICA Nº 05 – TBJ OPERANDO COMO CHAVE

Figura 1. Curva característica de saída.

Vcc  Vce SATU

PRÁTICA Nº 06 – TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS

Valores de tensão (pico a pico teórico, simulado e experimental) [V]

Teórico Simulado Experimental

Parâmetros do modelo de pequenos sinais

Teórico Simulado Experimental

PRÁTICA Nº 07 – FET OPERANDO COMO CHAVE