UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

CAMPUS DE SOBRAL
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA
PROFESSOR: PAULO ROBSON MELO COSTA
E-MAIL: robsoncee@gmail.com
EXPERIMENTO I – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

NOME:_______________________________________________________ DATA: ____________

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é o levantamento das curvas características do diodo mediante
simulação e experimentação.
2. INFORMAÇÃO TEÓRICA

O comportamento da curva característica I = f(v) do diodo real e o modelo de segmentos lineares

utilizados na determinação dos seus parâmetros são ilustrados na Figura 1(a) e (b), respectivamente. O
comportamento da curva exponencial é dependente do material que constitui a junção, sua área e a
variação de temperatura, apresentando assim uma queda de tensão específica para o componente (0,6 a
0,8 V para o diodo de silício). Ter o conhecimento dos parâmetros do modelo do diodo é bastante comum
em aplicações, onde é desejável analisar as perdas do componente quando em condução. A partir da
análise gráfica da Figura 1(a) e do modelo apresentado na Figura 1(b), as Eqs. (1), (2), (3), (4) e (5) são
obtidas e tratam: a resistência média do componente (Rav), o modelo de segmentos lineares adotado, a
expressão geral da potência no componente, a potência média dissipada no componente na forma integral
do valor médio e resultado da potência média, respectivamente. Nota-se que a Eq. (5) é composta por
uma componente de corrente média e uma componente de corrente eficaz ao quadrado.

Figura 1 - (a) Curva característica e (b) modelo segmentos lineares do diodo.

Vfo Rav D
Id

Vf N  Vf O
Rav  (1)
If N
 Vd  Vf O  Rav. Id (2)

p D (t )  Id .Vd  Vf O . Id  Rav . Id 2 (3)

T
1
T 0
Pd med (t )  . p D (t ) . dt (4)

Pd med (t )  Vf O . Id med  Rav . Id ef2 (5)

3. ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
O esquemático do circuito experimental é ilustrado na Figura 2.
Figura 2 - Esquemático a ser montado durante o experimento.
Id R1
+A -
0...10 A
+
+
Vi D1 V Vd
0...2 V
- -

0
4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir é apresentada a seguinte especificação:
 Vi = 0 a 2,7 [V] [Tensão contínua variável a ser aplicada à entrada].
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
 IfMAX = 0,90 [A] [Corrente máxima adotada no diodo];
 VfN = 0,70 [V] [Queda de tensão nominal no diodo]; e
 D1 1N4007 [Diodo selecionado].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
 Voltímetro (1);
 Amperímetro (1); e
 Fonte de tensão CC (1).

5. ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar o valor das resistências comercial, bem como a potência dissipada; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e preencher a
Tabela 1 para os resultados simulados.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a análise
computacional monte o circuito experimental. Mantenha a fonte Vi desligada.
b) Ligue a fonte Vi e ajuste a tensão desta de modo que a corrente medida pelo amperímetro seja a
exigida na Tabela 1, meça a tensão Vd com o voltímetro e preencha a Tabela 1.
Tabela 1. Resultados experimentais e simulados.

Id (A) 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90

Vd (V) Simulado

Vd (V) Experimental

7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar as curvas I=f(v) simulada e experimental utilizando a Tabela 1.
b) Determinar a resistência média Rav referente às curvas I = f(v) simulada e experimental traçadas
anteriormente.
c) Como a temperatura influencia na curva característica do diodo?
d) Comente a respeito dos resultados obtidos com o experimento e seu respectivo circuito simulado
correspondente.
e) Pesquise a respeito dos tipos de diodos: Schottky, Tunnel e Varicap.