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Experimento 1 – Diodo
Integrantes do Grupo:
O diodo utilizado neste experimento é o IN4007 e seu esboço simbólico e visual é dado pela
figura 1.
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Tabela 1 - Informações do datasheet
Vf (V) 1,1
If (A) 1
Vr (V) 1000
Ir (μA) 5
Nesta etapa foi verificado os valores de resistência do diodo utilizando o multímetro, resultando
na tabela 2.
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Figura 3 - Circuito montado em bancada
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Tabela 4 - Valores de tensão e corrente no diodo em polarização direta
Vf (V) 0 5 10 15 20
Id (mA) 0 0 0 0 0
Conclusão: nota-se que o diodo polarizado diretamente conecta corretamente o circuito, onde
sua tensão medida por último é o valor estudado para o diodo ideal, já polarizado reversamente acaba
abrindo o circuito não permitindo assim nenhum fluxo de corrente.
3. Questões
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2. Descreva como você pode identificar os terminais de um diodo com o ohmímetro.
R: Com o multímetro, que tenha bateria, no modo ohmímetro, ele aplica uma tensão
nos terminais do diodo, facilitando assim a identificação dos extremos.
3. Baseado no valor da queda de tensão do diodo, que você usou, este diodo é de silício
ou de germânio? Por quê?
R: Silício, pois sua tensão em polarização direta é de aproximadamente 600mV,
enquanto que um diodo de germânio só alcançaria o valor de 200mV.
4. O técnico ao medir a resistência de um diodo, obteve um valor alto tanto para a
resistência direta como para a reversa. O que ele pode concluir a respeito do diodo?
R: Que o diodo se encontra em estado aberto em qualquer polarização.
0V 0V 0,56V
0V 5V 0,56V
5V 0V 0,56V
5V 5V 5V
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➢ Etapa 5: Diodo executando função de porta lógica NAND
0V 0V 0V
0V 5V 4,378V
5V 0V 4,378V
5V 5V 4,423V
Conclusão: pelo comportamento da primeira porta, nota-se que se trata de uma porta E,
enquanto que esta última trata-se de uma NAND, já que quando as entradas A e B são ambas 0V, a
saída também é de 0V.
4. Questões
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Figura 9 - Simbologia de portas lógicas
AND NAND
A B Y A B Y
0 0 0 0 0 1
0 1 0 0 1 1
1 0 0 1 0 1
1 1 1 1 1 0