5º Experimento

Estudo Dirigido sobre Dispositivos semicondutores

fotoemissores e fotoreceptores

Universidade de Brasília - UnB

Faculdade de Tecnologia - FT
Departamento de Engenharia Elétrica - ENE
Laboratório de Materiais Elétricos e Magnéticos - turma C2

1. Objetivo corrente máxima é 35mA e

O experimento teve como objetivo
levantar as curvas características Id x Vd
para o diodo, Ic x Vce para o
fototransistor, observar a resposta da
fotocélula para diferentes condições de
iluminação e encontrar as curvas de
resposta em um acoplamento óptico.
limitando a fonte a 5 V:
𝑅𝑝𝑑 * 𝐼𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑓𝑜𝑛𝑡𝑒 + 𝑉𝐷 = 0
𝑅𝑝𝑑 = (5 − 1, 6)\ 0, 35𝑚
𝑅𝑝𝑑 = 97, 143Ω
Obs:Utilizamos o Rpd de 100Ω que é o
valor comercial aproximado.

2. Introdução Teórica

3. Materiais e equipamentos utilizados

● Multímetros
● LED TIL 32
● Resistor 100Ω
● Fonte de tensão
● Resistor 1kΩ Figura 4.1 -

● Fototransistor TIL32
● Procedimento 2 - Montar circuito
● Osciloscópio
da figura 4.2, utilizando um
● Fotocelula
fototransistor NPN. Variar a tensão
de entrada em passos de 0,5 V de
4. Procedimento experimental
0 até 6V para uma iluminação
extra de 60V e 80V. Nesta
● Procedimento 1 - Montar circuito
montagem através das
da figura 4.1, variar a tensão de
especificações do circuito ( VCEmax
entrada em passos de 0,2V de 0
= 50V e PMax = 50mW)
até 5V e levantar a tabela e curva
encontramos a corrente máxima:
característica ID x VD. Nesta
montagem utilizamos um resistor
𝐼𝑀𝑎𝑥 = 𝑃𝑚𝑎𝑥\𝑉𝑐𝑒𝑚𝑎𝑥
de proteção(Rpd) cujo seu valor
𝐼𝑚𝑎𝑥 = 1𝑚𝐴
pode ser calculado pelas leis de
kirchoff, sabendo pelas
Utilizamos ainda um Rpt = 1kΩ.
especificações do diodo que a
 No procedimento 1 encontramos os
dados da tabela e gráfico 5.1. Podemos
observar uma curva quase linear e o
aparecimento de corrente apenas quando
a tensão de entrada supera a queda de
tensão no diodo, especificadamente
VFonte = 1,8V.
Figura 4.2 -

● Procedimento 3 - Montar circuito

com fotocélula e levantar as VFonte(V) VD(V) ID(A)
tensões de circuito aberto e
corrente de curto circuito para três 0 0 0
caso:
0,2 0,20 0
A) Luz ambiente;
B) Escuro; 0,4 0,39 0
C) Iluminada por lampada variando
sua tensão em passos de 20V de 0,6 0,59 0
40 até 160V. 0,8 0,77 0
● Procedimento 4 - Montar circuito
da figura 4.3 e registar as curvas 1,0 1,01 0
do osciloscópio, observando que
os dois circuitos estão apenas com 1,2 1,20 0
contato óptico, onde o 1,4 1,40 0
fototransistor recebe o sinal
luminoso emitido pelo led. 1,6 1,60 0
A) Definir frequência como 4KHz e
1,8 1,80 0,2
tensão no fototransistor 6V.
B) Alterar frequência para 40kHz e 2,0 1,86 1,3
manter amplitude.
C) Retornar frequência para 4kHz e 2,2 1,92 2,7
aumentar a amplitude.
2,4 1,97 4,3

2,6 2,01 5,7

2,8 2,05 7,2

3,0 2,10 9,0

3,2 2,14 10,3

Figura 4.3 -
3,4 2,80 11,8
5. Resultados experimentais e análise 3,6 2,22 13,4
dos resultados
3,8 2,26 14,9

4,0 2,30 16,5

 4,2 2,34 18,0 5,0 4,69 0,289 3,76 1,16

4,4 2,38 19,6 5,5 5,10 0,282 4,26 1,135

4,6 2,42 21,1 6,0 5,68 0,285 4,72 1,147

Tabela 5.2 - Procedimento 2
4,8 2,46 22,6

5,0 2,50 24,2

Tabela 5.1 - Procedimento 1

Gráfico 5.2 - Curva característica IC x VCE

Ao realizar o procedimento 3
encontramos os dados das tabelas 5.3 e
5.4. Quanto maior a iluminação, maior a
tensão de circuito aberto e maior a
corrente de curto circuito. Isso se deve ao
Grafico 5.1 - Curva característica ID x VD
fato que com mais luz há um maior
Na realização do procedimento 2 número de elétrons sendo retirados da
encontramos a tabela e gráfico 5.2. superfície da fotocélula e participando da
Observa-se que para uma maior corrente.
iluminação VFoto é menor e I é maior para Neste mesmo procedimentos realizamos
uma mesma tensão de entrada , logo a testes utilizando leds. Observou se que a
curva será mais vertical. tensão oferecida pela fotocélula é
aproximadamente 2 V e é insuficiente
para acender dois leds em série pois a
60 V 80V queda de tensão deve chegar a 3,2V. Por
Vent Vfoto I(mA) VFoto I(mA) outro lado colocando os leds em paralelo
observamos que eles acendem com
0 0 0 0 0 intensidades diferentes devido a diferença
de resistência interna de cada um deles.
0,5 0,26 0,210 0,17 0,307

1,0 0,81 0,230 0,25 0,725 VOC(V) ICC(mA)

1,5 1,23 0,243 0,46 0,945 Luz 0,588 0,23

Ambiente
2,0 1,80 0,254 0,91 0,986
Escuro 0,02 0,0
2,5 2,21 0,255 1,38 1,019
Tabela 5.3 - Procedimento 3A e 3B

3,0 2,71 0,257 1,85 1,033 Lampada

3,5 3,21 0,261 2,31 1,055 Vlamp(v) VOC(V) ICC(mA)

4,0 3,70 0,264 2,81 1,070 40 1,2 2,3

4,5 4,20 0,275 3,24 1,086

 60 1,77 12,7
Figura 5.2 - Procedimento 4B

80 2,01 39,0
Nesta etapa retornamos a frequência para
100 2,10 82,0 4kHz e aumentamos a amplitude. Este
aumenta faz com que o fototransistor saia
120 2,17 153,8 da região ativa e observamos na própria
curva que ocorre um corte na tensão de
140 2,17 224,8
saída.
160 2,21 355,8
Tabela 5.4 - Procedimento 3C

Ao realizar o procedimento 4
encontramos as seguintes curvas:

Nesta montagem utilizamos uma

frequência de 4kHz e o fototransistor com
6V. Observamos que o sinal de saída tem
defasagem de 180º. Isso ocorre porque a
tensão de entrada aumentou, aumenta a
iluminação do led e consequentemente no Figura 5.3 - Procedimento 4C

fototransistor, diminuindo assim sua

6. Conclusão
resistência e sua tensão.

7. Bibliografia

Figura 5.1 - Procedimento 4A

Na curva da figura 5.2 aumentamos a

frequência para 40kHz.Observamos um
sinal de saída atenuado e com defasagem
diferente de 180º.Este resultado se deve
aos efeitos capacitivos no diodo e no
fototransistor. Com altas frequências
ocorre uma diminuição na reatância e
uma atenuação do sinal de saída.