UNIVERSIDADE ESTADUAL DE MARINGÁ

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA QUÍMICA

ENGENHARIA ELÉTRICA

João Pedro Ferregato da Silva - RA 122468

Lethicia Fernanda Paris - RA 115218
Mario Lucas Lima de Souza Ribeiro - RA 118654

RELATÓRIO I - DIODOS

Relatório do experimento realizado com um

diodo na disciplina de Laboratório de Circuitos
Eletrônicos I

Professor: Luiz Carlos Campana Sperandio

Maringá
2022
Sumário
1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA 1

2 OBJETIVOS 3

3 METODOLOGIA 4
3.1 Equipamentos utilizados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.2 Realização do experimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

4 RESULTADOS E DISCUSSÕES 5

5 CONCLUSÕES 8

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9
1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

Os semicondutores, em especial os diodos, são materiais presentes em muitas aplicações

eletrônicas do dia a dia, pois possuem baixa condutividade elétrica e podem se alternar
entre isolante e condutor. O funcionamento de um semicondutor se baseia no principio
de ligação covalente do átomo do material utilizado, como: Si, Ge e GaAs.

Para que os materiais semicondutores possam conduzir corrente elétrica é necessário

que seus átomos se agrupem para ganhar estabilidade. Isso ocorre quando há ligações
quı́micas covalentes nas quais os átomos passam a ter oito elétrons e se tornam condutores
de eletricidade.

O funcionamento do diodo é ditado pela ’Junção PN’, que diz à respeito da junção
de dois semicondutores, um do tipo P (elétrons livres são minoritários) e outro do tipo N
(elétrons livres são majoritários). A união desses dois semicondutores cria uma barreira
de Potencial na região de junção:

Figura 1: Junção PN

O lado P do diodo recebe o nome de ânodo (A) e o lado N cátodo (K), e durante a
polarização direta do dispositivo, a corrente passará no sentido do ânodo para cátodo. No
entanto, para passar corrente pelo diodo neste sentido o potencial elétrico deverá vencer
o potencial de barreira da junção.

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 Figura 2: Diodo

Figura 3: Circuito esquematizado da polarização direta

Para o diodo de Silı́cio, só haverá condução de corrente elétrica se o potencial da

polarização direta for maior ou igual à 0,7V, tensão está que é chamada de ’Tensão de
Joelho’. Essa caracterı́stica do diodo permite com que ele se comporte como uma chave
no circuito.

Para um diodo ideal, a condição de polarização reversa permitiria o dispositivo fun-

cionar como uma chave aberta. No entanto, para um diodo real, existirá uma corrente
mı́nima passando pelo sentido reverso.

Ambas correntes podem ser calculadas através da equação de Shockley:

Id = Is(eV d/nV t )

Onde, Id é a corrente de polarização direta, Is a corrente de polarização reversa, Vd a

tensão sobre o diodo, n o fator de idealidade e Vt a tensão térmica, calculado por:

k.T k
Vt= q

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 No qual Tk é a temperatura absoluta,

k = 1, 38x10−23 J/K

q = 1, 6x10−19 C

O funcionamento do diodo pode ser visualizado por meio de um gráfico da corrente

em função da tensão sobre ele:

Figura 4: Curva caracterı́stica do diodo de Silı́cio

2 OBJETIVOS

A finalidade dos experimentos realizados é observar a funcionalidade de um dispositivo

diodo real, apontar sua caracterı́stica de chave aberta e fechada, assim como analisar seu
comportamento em cada tipo de polarização. Essa análise prática será feita também
para comprovar a existência de uma corrente mı́nima durante a polarização reversa do
dispositivo, e também para encontrar o fator de idealidade da equação de Shockley. E
por fim, gerar o gráfico da curva do funcionamento do diodo através dos dados coletados,
comparando-o o com a curva teórica.

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3 METODOLOGIA

3.1 Equipamentos utilizados

• 1 x Multı́metro digital

• 1 x Protoboard de 830 pinos

• 2 x Jumper macho-macho

• 1 x Fonte DC de 8 V

• 1 x Resistor de 220 Ω

• 1 x Resistor de 470 Ω

• 1 x Resistor de 1K Ω

• 1 x Resistor de 2,2K Ω

• 1 x Resistor de 4,7K Ω

• 1 x Resistor de 10K Ω

• 1 x Resistor de 47K Ω

• 1 x Resistor de 100K Ω

• 1 x Diodo 1n4004

• 1 x Controlador de corrente

3.2 Realização do experimento

No experimento foi montado um circuito com um diodo 1N4004 em série com um

resistor, ligados por jumpers e montados em uma protoboard.

A alimentação foi de uma fonte de 8 V conectada a um regulador de corrente para não

danificar nenhum componente. O positivo da fonte foi conectado ao diodo e o negativo à
carga.

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 Foi-se mudando o valor resistivo com os seguintes valores em Ohm: 220, 470, 1K, 2,2K,
4,7K, 10K, 47K e 100K, anotando a queda de tensão do diodo e a corrente - medidos com
um multı́metro digital. O circuito está mostrado abaixo:

Figura 5: Circuito

4 RESULTADOS E DISCUSSÕES

Com o experimento feito, foi montado a seguinte tabela:

R(ohm) Vd(mV) Id exp(mA) Id teo (mA)

220 738 0,74 33
470 709 0,73 15,5
1K 678 0,73 7,32
2,2K 645 0,73 3,34
4,7K 614 0,73 1,57
10K 583 0,73 0,74
47K 518 0,73 0,159
100K 490 0,73 0,07

Tabela 1: Valores de tensão e corrente do diodo alterando as resistências

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 E o gráfico gerado pelos valores obtidos, e utilizando Id teórico, temos:

Figura 6: Gráfico 1 - Corrente por tensão

No gráfico acima, é fornecido a tensão de joelho, onde a corrente aumenta rapidamente

e a tensão fica entre 0,6 á 0,8V. Ainda, durante o experimento foi notado que os valores de
corrente experimental não se alteravam devido a falha de medição do multı́metro utilizado,
uma vez que a corrente era muito pequena. Assim, para calcular essa corrente utilizamos
a seguinte equação:

8−V d
Idteo = R

Sendo 8V a tensão de saı́da do circuito. Aplicando a equação para o caso da Linha 1 da

tabela, obtemos:

8−0,738
Idteo = 220

Idteo = 33 mA

Como no experimento o objetivo era chegar no valor da corrente de fuga, dada a

equação anteriormente, necessitamos calcular a a temperatura ambiente em Kelvin. As-
sim:

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 T k = 273 + T c

Considerando que a temperatura ambiente no momento do experimento era de 25 graus

Celsius, então:

T k = 273 + 25

T k = 298 K

Com o valor da temperatura encontrada, utilizando a equação da tensão térmica e subs-

tituindo as constantes:

1,38x10−23 .298
Vt= 1,6x10−19

V t = 0, 0257 = 25, 7 mV

Com a tensão térmica encontrada, podemos encontrar o fator de idealidade que é dado
por:

V d2−V d1
n= V t.ln( Id2 )
Id1

Assim, tomando os dois pontos da equação como linha 1 e linha 2 da Tabela 1, temos:

0,738−0,709
n= 0,033
0,0257.ln( 0,0155 )

n = 1, 49

Note que o fator de idealidade está dentro do intervalo correto, entre 1 e 2. Assim, com
o valor encontrado, temos que a corrente de polarização reversa do circuito é:

Id
Is = e( V d/nV t)

0,033
Is = e0,738/1,49.0,0257

Is = 14, 08 nA

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5 CONCLUSÕES

A curva obtida é bem diferente da curva teórica de um diodo ideal devido às quedas de
tensão que um diodo real apresenta. O gráfico se assemelha à figura 4, tendo um ”joelho”e
apresentando uma caracterı́stica exponencial após ultrapassar a tensão de barreira - algo
entre 600 e 700 mV para nosso experimento.

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REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

DIAS, Fabiana. SEMICONDUTORES. Educa + Brasil. Disponı́vel em: ¡https://www.educamaisbras

Acesso em: 06, Agosto de 2022.

BOYLESTAD, Robert. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos, 11ª edição. Pe-
arson Universidades, 2013.

BABOS, Flávio. Diodo: Função, Aplicação e 10 Tipos Principais. Flávio Babos. Dis-
ponı́vel em: ¡https://www.flaviobabos.com.br/diodo/¿. Acesso em: 06, Agosto de 2022.

PEREIRA, Jonathan. Teoria dos Semicondutores e o Diodo Semicondutor. IFRN. Dis-

ponı́vel em: ¡https://www.ifrn.edu.br¿. Acesso em: 06, Agosto de 2022.