UNIVERSIDADE FEDERAL DA INTEGRAÇÃO LATINO-AMERICANA - UNILA

FELIPE MARQUES
HUESLEY CÂNDIDO
LIDIA ABRANTES
MARIO REGATIERI
RAFAEL CUNHA

RELATÓRIO:
Diodos

Foz do Iguaçu
2019
 LISTA DE GRÁFICOS

Gráfico 1. Intensidade x Voltagem do Diodo 1............................................................9

Gráfico 2. Intensidade x Voltagem do Diodo 2..........................................................10
Gráfico 3. Intensidade x Voltagem do Diodo 3..........................................................10
Gráfico 4. Voltagem x Intensidade do Diodo 1 linearizado........................................11
Gráfico 5. Voltagem x Intensidade do Diodo 2 linearizado........................................12
Gráfico 6. Voltagem x Intensidade do Diodo 3 linearizado........................................13
 LISTA DE TABELAS

Tabela 1. Tensões finais em diferentes intensidades aplicadas no Diodo 1...............8

Tabela 2. Tensões finais em diferentes intensidades aplicadas no Diodo 2...............8
Tabela 3. Tensões finais em diferentes intensidades aplicadas no Diodo 3...............9
 4

LISTA DE FIGURAS

Figura 1. Curvas características e correspondentes modelos elétricos do díodo.......8

Figura 2. Circuito equivalente utilizado para realizar a prática....................................9
 SUMÁRIO

RESUMO..............................................................................................................................................5
1. INTRODUÇÃO.............................................................................................................................6
2. DESCRIÇÃO EXPERIMENTAL................................................................................................8
3. DADOS, ANÁLISE DE DADOS E DISCUSSÕES.................................................................9
4. CONCLUSÃO............................................................................................................................16
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS..............................................................................................17
 6

RESUMO
Essa prática é focada em diodo em um circuito RC. A corrente e a
resistência foram geradas pelo circuito RC KL-21001 Linear Circuit Lab. A corrente
foi ajustada entre 0,1mA e 5mA, a resistência foi ajustada para 0,1Ω. O circuito foi
montado no circuito RC KL-13007 Basic Electricity Experiments Module. A tensão foi
medida pelo multímetro da DIGITAL MULTIMETER ET-2082C. Foi possível observar
que os valores medidos apresentaram comportamento exponencial. Os valores de
menor voltagem variaram em intensidades mais baixas, e os valores de maior
voltagem apresentaram maiores variações, seguindo o que se espera da teoria.
 7

1. INTRODUÇÃO
O objetivo desse experimento foi conhecer o dispositivo diodo, bem como
utilizar o diodo em um circuito averiguando suas propriedades elétricas. Sistemas
eletrônicos e circuitos elétricos usam constantemente diodos semicondutores. Tais
positivos tem por principal característica, deixar com que a corrente e seus terminais
fluam de forma mais fácil em uma direção que na outra. Os diodos também são
muito utilizados em circuitos multiplicadores de tensão, ceifadores ou ainda em
circuitos retificadores, responsáveis por converter uma tensão de entrada alternada
em uma saída de tensão contínua (Benedito et al, 2012).

Um Diodo semicondutor é um dispositivo composto de cristal semicondutor de

silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por
diferentes gases durante sua formação, que causa a polarização de cada uma das
extremidades. É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor. Possui
uma queda de tensão de, aproximadamente, 0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício)
(Barreto, 2014).

A polarização do diodo dependente da polarização da fonte geradora. A

polarização é direta quando o polo positivo da fonte geradora entra em contato com
o lado do cristal P (chamado de anodo) e o polo negativo da fonte geradora entra em
contato com o lado do cristal N (chamado de cátodo) (Barreto,2014).

Assim, se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo,
os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e
conseguirão ultrapassar a junção P-N, movimentando-os e permitindo a passagem
de corrente elétrica. A polarização é indireta quando o inverso ocorre. Assim,
ocorrerá uma atração das lacunas do ânodo (cristal P) pela polarização negativa da
fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do cátodo (cristal N) pela
polarização positiva da fonte geradora, sem existir um fluxo de portadores livres na
junção P-N, ocasionando no bloqueio da corrente elétrica (Barreto, 2014).

Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais, a condução de corrente
elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm, que é
quase desprezível. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa)
não é total devido novamente pela presença de impurezas, tendo uma pequena
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corrente que é conduzida na ordem de microampères, chamada de corrente de fuga,

que também é quase desprezível (Eletrônica pt).

Na Figura 1 temos 3 curvas características (ou curvas de diodo) e seus

correspondentes modelos elétricos. Da esquerda para a direita, temos a primeira
curva que representa o gráfico de um diodo ideal. No entanto, uma barreira de
potencial existente no diodo real representa uma diferença de tensão, que desloca o
gráfico na segunda curva. Se considerarmos a resistividade do próprio material que
compõe o diodo, podemos associar uma resistência em série, desta forma a curva
resultante será dada pelo terceiro gráfico (Eletrônica pt, 2019).

Figura 1. Curvas características e correspondentes modelos elétricos do díodo.

Fonte: Eletrônica Pt
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2. DESCRIÇÃO EXPERIMENTAL
Esta prática consiste em aplicar diferentes potenciais no diodo para ver sua
resposta em corrente. Para realização desta prática foram utilizados os seguintes
materiais:
Módulo KL-21001 – Linear Circuits Lab;
Módulo KL-13007 – Linear Circuits Lab ;
Cabos conectores – Linear Circuits Lab;
2 Multímetros.
Com o multímetro na função voltímetro ligado em paralelo a fonte integrada
do módulo KL -21001, regulou-a em 10V e energizou o bloco a do módulo KL-13007.

Figura 2. Circuito equivalente utilizado para realizar a prática.

Associou ao circuito um multímetro na função voltímetro em paralelo ao

Diodo 1 (D1) e outro multímetro paralelo ao resistor R1 para através da leio de Ohm
medir a corrente que passa pelo circuito. Feito isso, aplicou-se diferentes potenciais
no diodo ajustando o divisor de tensão VR1, anotando sua resposta em corrente.
O mesmo foi procedimento foi realizado para o Diodo Zener (D2) e o Diodo
Emissor de Luz (D3). Mudando a posição do voltímetro paralelo ao D1, para o D2 e
depois para o D3, variando a tensão pelo potenciômetro VR1, anatou-se as
respostas em corrente. Durante o experimento, a penas o diodo analisado estava
com o circuito fechado, os outros dois estavam com o circuito aberto, onde se
encontra as linhas pontilhadas na figural X.
 10

3. DADOS, ANÁLISE DE DADOS E DISCUSSÕES

Primeiramente ajustou-se a tensão em R1 para 1V e assim tornou-se
possível variar a intensidade com o objetivo de medir a voltagem final em cada um
dos três diodos e assim obter a curva característica I x V de tais. Pelas tabelas 1, 2 e
3 estão explicitados os dados obtidos experimentalmente com os respectivos erros
calculados através do manual de instruções do multímetro no qual foi observado as
tensões e intensidades.

Tabela 1. Tensões finais em diferentes intensidades aplicadas no Diodo 1

If (mA ± ΔmA) V f(V ± ΔV)
0,10 ± 0,0005 mA 0,48 ± 0,0024 V
0,21 ± 0,0011 mA 0,52 ± 0,0026 V
0,30 ± 0,0015 mA 0,53 ± 0,0027 V
0,40 ± 0,0020 mA 0,55 ± 0,0028 V
0,51 ± 0,0026 mA 0,56 ± 0,0028 V
0,61 ± 0,0031 mA 0,57 ± 0,0029 V
0,70 ± 0,0035 mA 0,57 ± 0,0029 V
0,79 ± 0,0040 mA 0,58 ± 0,0029 V
0,91 ± 0,0046 mA 0,58 ± 0,0029 V
1,01 ± 0,0051 mA 0,59 ± 0,0030 V
2,00 ± 0,010 mA 0,62 ± 0,0031 V
3,00 ± 0,015 mA 0,64 ± 0,0032 V
4,00 ± 0,020 mA 0,65 ± 0,0033 V
5,00 ± 0,025 mA 0,67 ± 0,0033 V

Tabela 2. Tensões finais em diferentes intensidades aplicadas no Diodo 2

If (mA ± ΔmA) V f(V ± ΔV)

0,11 ± 0,0005 mA 5,60 ± 0,028 V
0,21 ± 0,0011 mA 5,78 ± 0,029 V
0,32 ± 0,0016 mA 5,87 ± 0,030 V
0,40 ± 0,0020 mA 5,92 ± 0,030 V
0,51 ± 0,0026 mA 5,97 ± 0,030 V
0,60 ± 0,0030 mA 6,00 ± 0,030 V
 11

0,70 ± 0,0035 mA 6,02 ± 0,030 V

0,80 ± 0,0040 mA 6,04 ± 0,030 V
0,91 ± 0,0046 mA 6,06 ± 0,030 V
1,03 ± 0,0052 mA 6,08 ± 0,030 V
2,02 ± 0,0101 mA 6,14 ± 0,031 V
3,00 ± 0,0150 mA 6,17 ± 0,031 V
4,00 ± 0,0200 mA 6,18 ± 0,031 V
5,00 ± 0,0250 mA 6,20 ± 0,031 V

Tabela 3. Tensões finais em diferentes intensidades aplicadas no Diodo 3

If (mA ± ΔmA) V f(V ± ΔV)

0,10 ± 0,0005 mA 1,76 ± 0,0088 V
0,20 ± 0,0010 mA 1,79 ± 0,0090 V
0,31 ± 0,0016 mA 1,81 ± 0,0091 V
0,39 ± 0,0020 mA 1,82 ± 0,0091 V
0,51 ± 0,0026 mA 1,83 ± 0,0092 V
0,60 ± 0,0030 mA 1,83 ± 0,0092 V
0,71 ± 0,0036 mA 1,84 ± 0,0092 V
0,81 ± 0,0041 mA 1,85 ± 0,0093 V
0,90 ± 0,0045 mA 1,86 ± 0,0093 V
1,04 ± 0,0052 mA 1,86 ± 0,0093 V
1,94 ± 0,0097 mA 1,90 ± 0,0095 V
2,98 ± 0,0149 mA 1,93 ± 0,0097 V
4,10 ± 0,0205 mA 1,96 ± 0,0098 V
5,04 ± 0,0252 mA 1,99 ± 0,0100 V

Com os valores coletados das tabelas 1, 2 e 3 tornou-se possível a

construção do gráfico de I x V para cada um dos três diodos através do software
Origin pro 8, a fim de obter uma melhor visualização dos resultados e no auxílio de
cálculos futuros.

Gráfico 1. Intensidade x Voltagem do Diodo 1

12
 13

Gráfico 2. Intensidade x Voltagem do Diodo 2.

Gráfico 3. Intensidade x Voltagem do Diodo 3.

Observa-se que os gráficos se comportam de maneira exponencial, com os

valores de voltagem com poucas variações em intensidades mais baixas, e altas
variações em valores quando atinge uma determinada intensidade. Obteve-se uma
 14

curva característica de intensidade x voltagem dos diodos, permitindo o obter a

corrente máxima através do gráfico e a corrente de saturação Is e o fator de
identidade n de cada diodo dada pela Equação 1.
I = Is x e^[(Vd/nVt)-1)] (Equação 1)
Considerando I>>Is no sentido direto a equação se aproxima da relação
exponencial:
Ln(i) = Ln(Is) + Vd/nVt
Como é possível observar, essa equação pode ser linearizada, onde se
obterá uma equação como a seguir:
Y = a + bx

Com, a = Ln(Is) e b = 1/nVt

Plotando graficamente obteve-se:

Gráfico 4. Voltagem x Intensidade do Diodo 1 linearizado

Ln (Is) = -13,79289

Is = e^-13,79289 = 1,023 x 10^-6 mA

1/n x Vt = 26,21
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Considerando Vt = 25 mV

N = 1,52

Pelo diodo 2:

Gráfico 5. Voltagem x Intensidade do Diodo 2 linearizado

Ln (Is) = -39,244

Is = e^-39,244

Is = 9,0478 x 10^-18 mA

1/nVt = 6,77186

N = 5,906
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Pelo diodo 3:

Gráfico 6. Voltagem x Intensidade do Diodo 3 linearizado

Ln(Is) = -41,252

Is = e^-41,252

Is = 1,2115 x 10^-18 mA

1/nVt = 22,94

N = 1,74
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4. CONCLUSÃO
A partir dos elementos apresentados constatou-se que os valores medidos
se comportaram exponencialmente sendo que os valores de menor voltagem
apresentaram variações em intensidades mais baixas, proporcionalmente
apresentou altas variações quando atingiu-se uma determinada intensidade.
Portanto, os valores comportaram-se conforme o esperado teoricamente.
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REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
Benedito, L. F.; Ferrari, W. Curva Característica de Diodo. Relatório
Experimental. 2012. Pato Branco, PR. Disponível
em:<https://www.docsity.com/pt/relatorio-eletronica-a-curva-caracteristica-do-diodo/
4798772/>.Acesso em 08/11/2019 às 13:07h.
Barreto, R. F. Levantamento de curva característica de diodo. 2014. Disponível
em: <https://www.trabalhosfeitos.com/ensaios/Levantamento-Da-Curva-Caracter
%C3%ADstica-Do-Diodo/62130895.html>. Acesso em 08/11/2019 Às 12:34h.
Eletrônica Pt. Diodo. 2019 Disponível em:<https://www.electronica-pt.com/diodo>.
Acesso em 08/11/2019 às 12:54h.