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UNIVERSIDADE FEDERAL DA PARAÍBA

CENTRO DE ENERGIAS ALTERNATIVAS E RENOVÁVEIS


DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

Laboratório de Dispositivos Eletrônicos


Integrantes do grupo: Fulano, sicrano, Beltrano, ...
o
1 Experimento: Caracterização de Diodos
A figura a seguir ilustra com clareza o objetivo principal deste experimento. Nela, é feita uma
comparação entre valores oriundos da simulação (curva em vermelho) e dados experimentais colhidos
pelo professor de 2 diodos zener 4,7 V disponíveis no laboratório LEAD (curvas em verde e azul).

Nos dias de hoje, só se faz projeto assistido por computador, ou seja, usamos a simulação para prever o
comportamento do nosso circuito, antes de fabricá-lo. Fabricar com base em tentativa e erro resultaria
em um custo muito alto... Porém, neste cenário, o comportamento global do circuito só será bem
previsto pela simulação se os modelos usados no simulador forem fiéis ao comportamento do
dispositivo físico.

A figura acima mostra que nem sempre este é o caso. Enquanto que, na região A de corrente, o modelo
de simulação condiz relativamente bem (apenas) com o dispositivo real de referência 1N4732A, na
regiao B de corrente o modelo de simulação não condiz com qualquer das referências disponíveis no
LEAD. Podem ser enumerados aqui diversos cenários em que o modelo no simulador não condiz com a
realidade: o modelo no simulador corresponde a um dispositivo A, e estamos de posse de um
dispositivo B; operamos o dispositivo em uma região não prevista ou não interessante às vistas do
fabricante do dispositivo, uma grande dispersão de fabricação, em que o modelo de simulação
representa a média de comportamentos, mas seu dispositivo está à margem, etc.

O objetivo principal deste experimento é a caracterização experimental da diodos visando a


formulação de um modelo de simulação condizente com o comportamento verificado
experimentalmente. O modelo de simulação que você fará aqui será usado no Experimento 02, para
prever os resultados dos circuitos a serem desenvolvidos com os componentes modelados.
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Introdução à modelagem
Na figura ao lado, temos o comportamento de 2
dispositivos fictícios. O elemento azul é caracterizado por
3 parâmetros: os coeficientes que multiplicam X2, X1 e X0
(respectivamente 1, 3 e 3,5). Já o elemento vermelho
requer a caracterização de 2 parâmetros para que seu
comportamento (linear) seja representado (os
coeficientes 1,5 e 5,6). Exemplificaremos o mais simples.

Suponha que você dispõe de 2 pontos experimentais


P1(Y1, X1) e P2(Y2, X2), que podem, por exemplo,
representar relações corrente-tensão obtidas
experimentalmente de um diodo. Como chegar então aos
parâmetros que definem o comportamento do dispositivo?

Tudo começa pela hipótese da expressão que define o comportamento do dispositivo. Suponha então
que façamos a hipótese de que se trata do dispositivo vermelho, um elemento cujo comportamento é
definido pela expressão Y=A∙X+B. Devemos olhar para a expressão, e imaginar maneiras de manipulá-la
de forma a anular um ou outro parâmetro. No caso em questão (outras expressões irão requerer
outras manipulações...), podemos fazer as seguintes manipulações:

Subtraindo (2) de (1), chegamos a:

Por fim, basta aplicar o valor encontrado de A em qualquer dos pontos (no caso abaixo, P1):

Em via de regra, para cada parâmetro a ser caracterizado, precisaremos de uma medida. Assim, para
caracterizar o elemento azul, precisaríamos de (no mínimo) 3 pontos. Mas o que acontece se eu partir
de uma hipótese de equação que não modela todo o comportamento do dispositivo? Esta situação
pode ser ilustrada se imaginarmos, erroneamente, que o comportamento do dispositivo é
caracterizado por uma expressão de 1ª ordem (Y=A∙X+B), usarmos o ponto P1 e P2 para caracterizar A
e B, e acreditarmos que o dispositivo é tal como a curva vermelha, quando na verdade o dispositivo se
comporta como a curva em azul! O que fazer neste caso? Um terceiro ponto, diferente de P1 e P2,
poderia ser usado para se checar a hipótese de base, que neste cenário nos indicaria que a equação de
1ª ordem não conseguiria prever o ponto P3: teríamos que reformular nossa hipótese de expressão!
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Introdução ao PROTOBOARD

O PROTOBOARD é uma ferramenta de auxílio à montagem de circuitos eletrônicos. Em uma de suas


versões mais simples, o PROTOBOARD é ilustrado a seguir. Há diferentes campos no PROTOBOARD,
com conexões específicas. Os campos azuis na figura a seguir são geralmente usados como
barramentos de tensão de alimentação (+VCC, -VCC, GND). Observar a descontinuidade das linhas
horizontais, ao passar pelo “W” no meio do PROTOBOARD. Nos campos vermelhos na figura a seguir,
geralmente se conectam os componentes.

De maneira geral, caso você precise usar fios, você deve utilizar os menores tamanhos de fio possíveis,
ou seja, o seu circuito deve ocupar uma pequena área do PROTOBOARD. Além disso, você deve tentar
fazer uma configuração de montagem que facilite a dedução do circuito pretendido.

Os pontos W
horizontais
Os pontos
nesta região
verticais
estão nesta
ligados
regiãosíestão
Os pontos
entre
ligados entre
verticais nestasí
Os pontos
região estão W
horizontais
ligados entre sí
nesta região
estão ligados
entre sí

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Introdução à Técnica de Medição que utilizaremos

Você irá caracterizar a relação tensão-corrente dos dispositivos. Para isso, precisaria inicialmente usar
um multímetro como voltímetro, medir a tensão no diodo, mudar o multímetro para amperímetro,
desconectar um dos terminais do diodo, colocar o multímetro em série, e medir o valor da corrente no
diodo. Ao invés disso, você fará uma medida indireta. Em todas as caracterizações, o diodo estará em
série com uma resistência: basta medir, com o multímetro, o valor da resistência (apenas 1 vez no
início do experimento, para ter precisão nas contas), e em seguinda medir o valor da tensão na
resistência em série com o diodo, e dividir o valor da tensão medida pelo valor da resistência, que você
obterá o valor da corrente! IMPORTANTE: USEM TODAS AS CASAS DECIMAIS DO MULTÍMETRO, para
ter precisão nos valores experimentais.

A caracterização de UM PONTO da curva tensão-corrente (V D, ID) do diodo será executado em (apenas)


2 passos (ver figuras a seguir).

1-
Regular a
saída
da Fonte
DC de

tensão até que a tensão na resistência em série


com o diodo seja tal que resulte na corrente
pretendida. Exemplo: com o multímetro, você viu
que a resistência de valor nominal de 10 kΩ é na
verdade um resistor de 9.870 Ω. Objetivando
aplicar 1 mA no diodo, você deve regular a Fonte
DC de tensão até que o valor de tensão na
resistência seja de 9,87 V, tal como mostrado na
figura.

2- Em seguida, meça o valor da tensão no diodo, com a


ajuda do multímetro (valor no exemplo: 0,67 V). Um
ponto da curva tensão-corrente obtido é (0,67 V, 1
mA). Repetir o procedimento para outros pontos de
corrente. Em caso de mudança da resistência, medir
antecipadamente seu valor. Dica: como o experimento

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é em grupo, dividam as tarefas: enquanto um regula a fonte, o outro mede, um outro anota, o
último verifica se está tudo ok,...

Material a ser utilizado no experimento e MODELOS QUCS a serem simulados.

Tipo Componente Ilustração Observações


Você vai caracterizar este diodo (apenas) no
P regime inverso, ou seja, no regime de
Diodo 1N4728A operação de um diodo zener. Olhe o detalhe
no encapsulamento (faixa escura) para saber
Zener 3,3 V qual o terminal N.
N
Diodo Zener Você vai caracterizar este diodo TANTO NO
P REGIME INVERSO (4V7) QUANTO NO REGIME
DIRETO (0V7). Em regime direto, este zener
Diodo 1N4732A
pode em princípio ser usado como “um zener
Zener 4,7 V com tensão de breakdown de
N aproximadamente 0,7 V” (por exemplo, para
compor um VREF de 1,4 V).
Folha de dados disponível na internet.
P Familiarize-se com as especificações. Olhe o
detalhe no encapsulamento (faixa clara) para
Diodo retificador Diodo 1N4007 saber qual o terminal N.
N
LED Vermelho
LEDS LED Verde
LED Azul
Resistor 1 watt Valores: 1 k e 10 k

Valor: 100 
Resistores Resistor 2 watts

Resistor 5 watts Valor: 1 

Antes do experimento, procure informações na internet e preencha a tabela abaixo.

Valores máximos Valor/Unidade Condição/Observação


1N4728A Potência @25°C
Corrente reversa (ruptura)
Potência @25°C
1N4732A
Corrente reversa (ruptura)
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Potência @25°C
Corrente direta DC
1N4007 Corrente direta (de surto)
Tensão reversa
Corrente reversa @25°C
1. Caracterização experimental dos diodos (zener, retificador, LED).
a. MONTAGEM: Todos os dispositivos serão caracterizados com o mesmo setup, que é
mostrado a seguir. Em algumas caracterizações, por conta da faixa ampla de corrente a
ser estimulada, utilizaremos diferentes valores de resistência série. Apenas um resistor
de 1 k é mostrado na figura a seguir, a título de ilustração. Além disso, a disposição do
diodo na figura também é a título de ilustração, você já deve ser capaz de saber qual
disposição usar, a depender se vai caracterizar o dispositivo em regime inverso ou em
regime direto.

b. Com um mesmo valor de resistência série (R serie), para variar o valor da corrente no
dispositivo você deve variar o valor da fonte de alimentação (V DD). A corrente no diodo
será calculada ao se medir a tensão em Rserie e dividir o valor medido pelo valor de Rserie.
c. Para tentarmos fazer uma medida com maior precisão, para saber o valor de R serie com
precisão será necessário medir o valor da resistência. Na hora do experimento, pegue os
resistores a serem usados no experimento (1 Ω, 100 Ω, 1 kΩ e 10 kΩ) e caracterize-os
com a ajuda do multímetro. Anote na tabela a seguir os valores de resistência medidos.
d. Com base na tabela a seguir, que contém os valores de corrente a serem estimulados
nos diodos para cada opção de resistência série, anote na tabela os valores de tensão
em Rserie para que a respectiva corrente seja obtida (cálculo simples, lei de Ohm). Para
cada valor de corrente, você deve medir a tensão em R serie e regular a tensão da fonte de
alimentação (VDD) até obter o valor de tensão em R serie necessário a imprimir o valor de
corrente desejado.
e. Uma vez regulado o VDD para que se consiga o valor de tensão necessário em R serie (para
cada caso), anote o valor da tensão no diodo, e preencha a tabela a seguir. USE 3 CASAS
APÓS O 1º DÍGITO SIGNIFICATIVO (EX. 2,738 V).

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f. IMPORTANTE: você fará um modelo de dispositivo que será o mais preciso para aquele
componente do qual dispõe!! Por isso, você deve GUARDAR CONSIGO OS
COMPONENTES QUE VOCÊ USOU NA CARACTERIZAÇÃO até o final do período. Nomei-os
com o seu grupo e guarde-os em sua caixa.
g. Imprima a folha a seguir e leva-a ao experimento.

Caracterização dos diodos Zeners


Tensão no dispositivo (V)
Rserie Rserie Corrente Tensão em Rserie 1N4728A 1N4732 1N4732A
nomina medido (V) (inverso) A (direto)
l (inverso)
100 µA
200 µA
10 k 300 µA
500 µA
750 µA
1 mA
2 mA
1 k 3 mA
5 mA
7,5 mA
10 mA
20 mA
100  30 mA
50 mA
75 mA

Caracterização do diodo Retificador 1N4007


Regime Rserie Rserie Corrente Tensão em Rserie (V) Tensão no dispositivo (V)
nominal medido
Inverso 10 k *
100 mA
200 mA
300 mA
Direto 1
500 mA
750 mA
1000 mA
* Nesta caracterização, a corrente reversa do diodo retificador é supostamente desprezível.
Você deve colocar o valor de VDD como sendo o máximo que o aparelho fornece (33 V DC). Mesmo
assim (e veja que Rserie=10 k!), você medirá uma tensão muito pequena em Rserie (talvez nula...).

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Caracterização dos LEDS (regime direto) - Não haverá modelagem neste caso!!!
Tensão no dispositivo (V)
Rserie Rserie Corrente Tensão em Rserie LED LED LED
nomina medido (V) VERMELHO VERDE AZUL
l
1 mA
1 k 5 mA
10 mA
2. Uso do multímetro para verificar se a junção PN está ok
a. Neste último experimento, você vai testar o diodo 1N4007.
b. Observe que o multímetro AGILENT U1252B que você usou até agora para medir tensão,
corrente ou resistência, tem uma opção que se parece com um diodo (ver figura no
ANEXO II).
c. Nesta opção, o multímetro tenta forçar uma corrente de teste no circuito, e mede a
tensão necessária em seus terminais para imprimir a corrente de teste.
d. A tensão máxima é limitada em algum valor (por exemplo, 2,5V), e caso uma tensão
maior que o valor limite seja necessária para forçar a corrente de teste, o display
indicará a condição de resistência muito alta.
e. Ajuste o multímetro para testar diodos, e deixe seus terminais desconectados. Observe e
anote o que aparece no display.
f. Ligue (conecte) os dois terminais do multímetro. Observe e anote o que aparece no
display.
g. Conecte o diodo 1N4007 nos terminais do multímetro, ligando o terminal VERMELHO do
multímetro no lado N do diodo, e o terminal PRETO do multímetro no lado P do diodo.
Observe e anote o que aparece no display.
h. Inverta os terminais. Observe e anote o que aparece no display.
i. Preencha a tabela abaixo

Condição Valor mostrado


EXPERIMENTO: Terminais desconectados
TESTE DE Terminais em curto
DIODOS Vermelho=P (1N4007), preto=N (1N4007)
Vermelho=N (1N4007), preto=P (1N4007)

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3. Modelagem dos diodos zeners e do diodo retificador


a. Aqui começa o processo de modelagem dos seus dispositivos, e isto será feito após o
experimento. Você irá modelar comportamentos de junções PN, sejam em regime
direto, seja em regime inverso. Tal como você viu na seção Introdução à Modelagem, o
ponto de partida para uma boa representação de comportamento é uma hipótese
correta de equação que o modela. E agora, que equação usar?
b. Em um dos slides sobre junção PN em regime inverso (reveja), havia a seguinte
informação sobre a corrente reversa de um diodo zener em processo de ruptura:

c. Na aula sobre corrente em regime direto, você viu que, desprezando-se o impacto da
resistência interna do diodo (RS, não confundir com Rserie), a relação corrente-tensão do
diodo é dada por:

d. Dentre estas duas possibilidades, o professor acredita que uma função exponencial ou
uma combinação de equações exponenciais podem conseguir representar
adequadamente o comportamento experimental na faixa de valores do nosso interesse.
Mas caberá a você determinar se a expressão no item h (ou outra que vier à sua mente)
será necessária. Não se pode prever a equação em 100% dos casos, por vezes é apenas
quando olhamos a forma dos dados experimentais que vislumbramos a expressão...
e. Já que estamos falando de exponencial, vamos aqui ilustrar o comportamento corrente-
tensão exponencial (com algumas complementações). Veja o setup Qucs a seguir:

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Modelo do diodo
(direto ou inverso)
RS

VOFFSET
IS

f. Observe o modelo utilizado, composto por uma fonte de tensão DC (representando um


valor inferior mas próximo à tensão de ruptura do zener) em série com uma resistência
RS (representando a resistência interna do diodo, devido às regiões neutras e contatos),
em série com um diodo padrão do Qucs (em que se controla IS e ).
g. O modelo acima é bastante versátil, pois incorpora diversos parâmetros e permite a
análise visual, simples e rápida, do impacto de cada parâmetro (VOFFSET, RS, IS e ) na
curva corrente-tensão que se pretende “igualar” aos dados experimentais. Observe que
a curva acima foi plotada em escala log-linear (eixo vertical em log, eixo horizontal em
linear) e que, já que a corrente neste caso é funcão exponencial da tensão aplicada, o
gráfico da corrente é uma reta.
h. Você pode testar diferentes combinações dos parâmetros acima para se familiarizar com
os resultados. Como ilustração, veja o que ocorre quando RS=20 , VOFFSET=0,2 V,
IS=10-11 A e =1,2.

RS=0
VOFFSET=0
IS=10-15 A
=1 RS=20
VOFFSET=0.2
IS=10-11 A
=1.2

i. Por fim, e paramos por aqui para não tolhermos muito sua criatividade, veja o que
acontece se os dados experimentais forem tais que com apenas uma função exponencial
você não conseguirá representá-los (há solução para tudo, não é mesmo?). Observe a
utilização de 2 sub-modelos colocados em paralelo para que a forma de onda
experimental (que seria equivalente à azul) seja corretamente representada. Observe a
1ª figura deste guia, e você verá a necessidade de um tal modelo completo...

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j. Como então comparar os dados experimentais com algum modelo? Há alguns


simuladores que permitem a inserção de dados experimentais diretamente no
esquemático. Infelizmente não é o caso do Qucs, mas a gente dá um jeito. Você fará esta
comparação em um editor de planilha de sua preferência (por exemplo, Excel), auxiliado
pelos resultados visuais do Qucs.
k. Insira os dados experimentais em uma planilha, colocando como primeira coluna as
tensões medidas, como segunda coluna as correntes (já conhecidas) e uma terceira
coluna para descrever uma equação de corrente que é função dos valores de tensão. Ver
o exemplo abaixo (apenas 3 pontos de corrente-tensão são usados. Você deve usar toda
a sua tabela). Repita o processo para cada diodo.

l. Observe que no exemplo acima, o comportamento do diodo, mesmo no caso de um


zener, é modelado pela equação IZ=IS∙exp(VZ/(∙VT)). Os dados da 1ª coluna mostrados
acima são fictícios.
m. Por que o professor escolheu a faixa de corrente de 100 µA a 75 mA? Por achá-la uma
faixa plausível para uma aplicação tal como o VREF do seu LDO, ou mesmo um regulador
de tensão para cargas da ordem de dezenas de mA! Você usará apenas esta janela de
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comportamento. Infelizmente, dificilmente você conseguirá modelar o comportamento


do seu diodo apenas com a equação mostrada. Lembre-se: você pode usar OFFSET, RS,
combinações em paralelo, etc. Exercite sua criatividade! Caso você precise usar OFFSET
e/ou RS, talvez seja melhor fazer uma planilha em que a tensão é que é posta em função
da corrente, pois quem você conhece é a corrente...).
n. Quando você conseguir um modelo (equação) adequado em seu editor de planilha,
implemente o modelo no simulador Qucs, e faça uma simulação paramétrica DC para se
certificar de que os resultados de simulação são compatíveis com os resultados
experimentais.
o. Se tudo deu certo, isto é, se os dados experimentais foram satisfatoriamente
reproduzidos no simulador (você pode usar marcadores para mostrar pontos
específicos) m cada um dos casos, sua tarefa de modelagem estará cumprida. Por
satisfatoriamente, entende-se que, globalmente, há um bom acordo entre os dados
experimentais e resultados de simulação. É provável que você não consiga reproduzir
com precisão todos os pontos experimentais, não se preocupe com isso, e não perca
muito tempo tentando buscar diferenças cada vez menores (coloque um prazo para a
tarefa de ajuste de curvas). Em caso de dúvida, escreva ao professor.
p. Preencha a tabela abaixo com as expressões que você obteve, para cada caso

Equação da corrente ID em função da tensão VD


Dispositivo
(ou de VD em função de ID).
1N4728A (inverso)

1N4732A (inverso)

1N4732A (direto)

1N4007 (direto)

q. Para cada um dos dispositivos na tabela do item "p", inclua no campo a seguir gráficos
oriundos do seu editor de planilhas, em que são comparados os dados experimentais e
os dados do seu modelo.

r. Para cada um dos dispositivos na tabela do item "p", inclua no campo a seguir figuras
oriundas do simulador Qucs, em que você mostra o setup de simulação com seu modelo
e os resultados de simulação para uma varredura de tensão (ou corrente) que
contemple a faixa dos dados experimentais.

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s. Por fim, guarde bem este relatório e seus setups no Qucs, pois eles serão valiosos
quando você iniciar o projeto do VREF!

4. Para entender o comportamento dos LEDs: fenômeno de eletro-luminescência


a. Primeiramente, revise as aulas sobre semicondutores e junção PN, e busque
informações sobre o fenômeno de eletroluminescência. Por exemplo, em:
http://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_emissor_de_luz
b. Dentre as diversas classificações de semicondutores, uma delas diz respeito ao tipo de
bandgap (configuração das bandas de energia). Os semicondutores são assim
classificados em semicondutores com bandgap direto (tal como o Arseneto de Gálio) e
semicondutores com bandgap indireto (tal como o Silício). Acontece que para se obter
alta eficiência de emissão de fótons nos processos de recombinação, em que um elétron
na banda de condução “desce” (em termos energéticos) para a banda de valência
emitindo um fóton (e esse consiga sair do semicondutor), é preciso que o semicondutor
em questão apresente bandgap direto.
c. A quantidade de energia liberada como fóton por um elétron que “salta” da banda de
condução para a banda de valência (diferença de energia entre os dois níveis, que é igual
ao valor do bandgap) está intimamente ligada à frequência do fóton emitido, através da
equação abaixo:

E E
f= =
h 4 , 14⋅10−15 eV⋅s
d. Além disso, você vai precisar da relação entre frequência e comprimento de onda (neste
caso, da onda eletromagnética), que no caso da luz no vácuo é dada pela sequinte
equação:

c 3⋅10 8 m⋅s−1
λ= =
f f
e. Agora observe uma ilustração dos comprimentos de onda do espectro visível:
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Figura 1: Espectro visível (fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/Espectro_visível)


f. Se o fóton “for azul”, ele terá o seguinte valore de energia associado:
−15 −15 3⋅108 1 ,2⋅10−6
E azul=4 , 14⋅10 ⋅f =4 , 14⋅10 ⋅ = −9
≈2 , 5 eV
λ 470⋅10
g. Se por outro lado o fóton “for verde”, ele terá o seguinte valore de energia associado:
1, 2⋅10−6
E verde = −9
≈2 ,2 eV
550⋅10
h. Se finalmente o fóton “for vermelho”, ele terá o seguinte valore de energia associado:
1 , 2⋅10−6
E vermelho= −9
≈1 , 8 eV
670⋅10
i. Desta forma, os saltos de energia associados ao elétron saltando da banda de condução
para a banda de valência correspondem a diferenças de potencial de 2,5 V, 2,2 V e 1,8 V
respectivamente. Estes valores são aproximados, e foram definidos por uma escolha
arbitrária (feita pelo olho do professor) dos valores de comprimento de onda.
j. Observe atentamente os valores obtidos experimentalmente, e compare-os com os
valores aproximados teóricos. Os valores correspondem? Comente sobre este item do
experimento, o que aprendeu, sobre o valor das tensões de acionamento dos LEDs em
relação à tensão de acionamento dos diodos em silício, etc.

5. Sugestão de leitura extra: fenômeno de foto-condutividade e efeito foto-elétrico

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a. Nas aulas, o professor mencionou que há outros mecanismos além da temperatura e da


dopagem para a geração de portadores de carga. Busque informações sobre o
fenômeno da fotocondutividade (exemplo: http://pt.wikipedia.org/wiki/LDR e em
http://pt.wikipedia.org/wiki/Sulfeto_de_cádmio) e sobre o efeito foto-elétrico e células
solares com base em junção PN.

ANEXO I: Usando um multímetro para verificar se o diodo


ainda está funcional
Multímetro

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ANEXO II: Código de cores dos dispositivos passivos

x10 %
Obs. Pode
haver mais
uma banda à
esquerda,
Qual o valor
representando
do resistor
o dígito
acima?das
Veja um aplicativo em:
centenas
www.areaseg.com/sinais/resistores.html
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x10 %

x10 %H

Qual o valor do
indutor acima?
Veja um aplicativo em:
www.electronics2000.co.uk/calc/inductor-code-calcu
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Eletrolí Cerâ
ticos micos Nos
capacitores
eletrolíticos,
em geral o
Polié valor de
ster capacitância é
Qual o valor explicitamente
x10pF
do capacitor indicado.
ao lado?
Leitura complementar:
http://pt.wikipedia.org/wiki/Capacitor

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