1. O documento discute o uso da tecnologia bipolar em circuitos integrados atuais, mencionando famílias como ECL e tecnologias como BiCMOS e transistores de heterojunção.
2. A família ECL é destacada como tendo alta velocidade e sendo usada onde velocidade é requerida, como comunicações via satélite.
3. Transistores bipolares de heterojunção são descritos como podendo fornecer maiores velocidades que bipolares de silício, com aplicações em amplificadores
1. O documento discute o uso da tecnologia bipolar em circuitos integrados atuais, mencionando famílias como ECL e tecnologias como BiCMOS e transistores de heterojunção.
2. A família ECL é destacada como tendo alta velocidade e sendo usada onde velocidade é requerida, como comunicações via satélite.
3. Transistores bipolares de heterojunção são descritos como podendo fornecer maiores velocidades que bipolares de silício, com aplicações em amplificadores
1. O documento discute o uso da tecnologia bipolar em circuitos integrados atuais, mencionando famílias como ECL e tecnologias como BiCMOS e transistores de heterojunção.
2. A família ECL é destacada como tendo alta velocidade e sendo usada onde velocidade é requerida, como comunicações via satélite.
3. Transistores bipolares de heterojunção são descritos como podendo fornecer maiores velocidades que bipolares de silício, com aplicações em amplificadores
USO DE TECNOLOGIA BIPOLAR NOS CIS ATUAIS CIRCUITOS ELETRNICOS INTEGRADOS PROFESSOR HAMILTON KLIMACH
ARGUS LUCONI ROSENHAIM LEANDRO PRYTULA STEVAN RUSCHEL DA SILVEIRA
PORTO ALEGRE, JULHO DE 2010
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RESUMO O uso da tecnologia bipolar encontra-se presente ainda nos dias atuais em diversas aplicaes. Nesse trabalho encontra-se algumas categorias de circuitos integrados (CIs) que utilizam a tecnologia bipolar, como a famlia ECL, a tecnologia BiCMOS e outros CIs mais recentes, que utilizam o transistor bipolar de heterojuno.
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SUMRIO 1. RESUMO............................................................................................................2 2. INTRODUO..................................................................................................4 3. FAMLIA ECL DE COMPONENTES...........................................................5 3.1 Funcionamento..............................................................................................5 3.2 Caractersticas da famlia ECL...................................................................6 3.3 Aplicaes......................................................................................................6 4. TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROJUNO......................................6 4.1 Descrio: Modelo das bandas....................................................................7 4.2 Propriedades.................................................................................................8 4.3 Aplicaes......................................................................................................8 5. TECNOLOGIA BiCMOS..................................................................................9 6. TECNOLOGIA BiCMOS COM TRANSISTOR DE HETEROJUNO...........................................................9 7. CONCLUSO....................................................................................................11 8. BIBLIOGRAFIA...............................................................................................12 9. ANEXOS 9.1 Anexo 1 Datashett componente ECL......................................................13 9.2 Anexo 2 Datasheet componente com Heterojuno.............................15
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INTRODUO O uso de tecnologia bipolar em circuitos integrados foi muito utilizada durante dcadas. Com o aperfeioamento da tecnologia MOSFET, reduzindo consumo e diminuindo dimenses, a tecnologia bipolar perdeu espao. No entanto, algumas caractersticas dos bipolares fazem com que eles continuem importantes para determinadas aplicaes e dentro deste contexto que sero estudados.
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FAMLIA ECL DE COMPONENTES
A Lgica de Emissores Acoplados (em ingls Emitter Coupled Logic - ECL) foi criada em agosto de 1956 na IBM, por Hannon S. Yourke. Por dcadas foi a famlia lgica digital mais rpida. Essa alta velocidade se deve ao fato de que os transistores operam fora da saturao reduzindo atrasos relativos a carga e descarga de capacitores parasitas e mantendo os nveis lgicos em uma faixa de sinal relativamente pequena (0,8V ou menor).
3.1 Funcionamento
Essa famlia apresenta um bloco lgico com duas sadas, a NOU e a OU, obtidas a partir do mesmo circuito, como pode ser visto na figura 1. O circuito ECL funciona de maneira anloga a um amplificador diferencial. Quando ambas as entradas estiverem em nvel zero, os transistores T3 e T2 estaro no limiar da regio de corte, portanto I2 ser pequena e por isso o potencial em Z2 ser alto. Se I2 tem um baixo valor, I1 ter um valor alto de modo a satisfazer a condio Ie=I1+I2. Com isso o transistor T1 estar no limiar da saturao, impondo assim, um potencial baixo em Z1. Quando pelo menos uma das entradas (A ou B) estiver com potencial alto (nvel 1), o seu respectivo transistor (T3 ou T2) estar no limiar da saturao e, com isso, I2 ser elevada, logo o potencial de Z2 ser baixo. Se I2 elevada, I1 dever ser pequena de modo a manter a corrente Ie. Com isso o transistor T3 estar no limiar de corte, impondo assim um potencial alto em Z1. A transposio dessas situaes para uma tabela verdade pode ser vista na tabela 1, onde se pode ver que a sada Z1 uma sada OU e a sada Z2 uma sada NOU.
Figura 1 Porta ECL
A B Z1 Z2 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 Tabela 1 Tabela verdade porta ECL
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3.2 Caractersticas da Famlia ECL
1) A natureza diferencial do circuito torna-o menos suscetvel a rudos. Em particular um sinal de interferncia tende a afetar ambos os lados do par diferencial de maneira similar, no causando chaveamento de corrente. Essa propriedade vem da propriedade de rejeio de modo-comum do par diferencial. 2) A corrente drenada da fonte de alimentao permanece constante durante o chaveamento dos transistores, ou seja, no so gerados spikes de corrente, eliminando uma importante fonte de rudo em circuitos digitais. Essa uma caracterstica fundamental para essa famlia, visto que opera com uma faixa de nveis lgicos muito pequena, correspondendo a uma margem de rudo pequena. 3) Os circuitos com ECL normalmente operam com tenses de alimentao negativas (terminal de alimentao positivo conectado ao terra). 4) Trabalham com nveis lgicos incompatveis com outras famlias. Isso significa que a operao entre o ECL e outras famlias requer circuitos de interface adicionais. 5) Fan-out igual a 25. 6) Tempo de atraso muito baixo , da ordem de poucos nanosegundos. Atualmente esta famlia responde numa velocidade de uns 600 MegaHz.. 7) Disponibiliza sadas complementares, simplificando o projeto. 8) A potncia dissipada pelos blocos dessa famlia da ordem de 50 a 70 mW por bloco. Isso se d pelo fato de no trabalharem na regio de corte e saturao e sim, na regio ativa. 9) Os transistores bipolares utilizados nesses circuitos so fabricados em silcio.
3.3 Aplicaes
Circuitos integrados ECL so utilizados onde velocidade alta requerida. Sua principal aplicao est em linhas de comunicao, principalmente na comunicao via satlite, onde alm de velocidade preciso trabalhar com pequenos sinais. No anexo 1 apresentado o datasheet de um componente com tecnologia ECL.
TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROJUNO O transistor bipolar de heterojuno (HBT) uma melhoria do transistor de juno bipolar (BJT). HBTs podem fornecer maiores velocidades de comutao que transistores bipolares de silcio, principalmente por causa de suas reduzidas resistncia de base e capacitncia entre coletor e substrato. Em comparao com BJTs, apresentam melhor desempenho em termos de resistncia de base, capacitncia base-emissor e freqncia de corte. Tambm apresentam uma boa linearidade e baixo rudo. HBTs so usados em aplicaes de alta confiabilidade, tais como amplificadores de potncia de telefones celulares e drivers laser. A idia de empregar uma heterojuno to antiga quanto o BJT convencional, que remonta a uma patente de 1951, no entanto at a dcada de 70 no havia tecnologia que permitisse a construo desses transistores. 7
4.1 Descrio: Modelo das bandas O transistor bipolar de heterojuno distingue-se do transistor bipolar de homojuno em virtude da juno emissora ser uma heterojuno com o material do lado do emissor possuindo maior altura da banda proibida. O tipo de transistor com mais potencialidades o n-p-n, visto que a mobilidade dos eltrons maior que a das lacunas. A Fig. 2 representa esquematicamente um TBH.
Figura 2 Transistor n-p-n de heterojuno
Esta estrutura, em equilbrio termodinmico e na zona ativa direta de funcionamento apresenta um diagrama de bandas como indicado na figura 3 (a) e (b) respectivamente. Do diagrama da figura 3(b), fcil de reconhecer que a heterojuno no emissor responsvel pelo aumento da altura da barreira de potencial na banda de valncia que dificulta o movimento dos buracos da regio da base para a regio do emissor. Este fato traduz-se num aumento do rendimento de injeo, e por isso do F (ou F ).
WC Limite inferior da banda de conduo WV Limite superior da banda de valncia WG Altura da banda proibida
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Figura 3 - Diagrama de bandas do TBH. (a) Equilbrio termodinmico; (b) Zona ativa direta.
4.2 Propriedades
Para alm do aumento do rendimento de injeo j mencionado, a heterojuno do emissor permite que a regio da base possa ser fortemente dopada, mais que a regio do emissor, sem prejuzo do rendimento de injeo, e mesmo do F (ou F ) dada a pequena largura da regio de base. Uma elevada condutividade da base apresenta vrias vantagens: 1) Pequenas quedas de tenso na base, quer longitudinais quer transversais. Aumenta- -se a condutividade dinmica (melhoria da resposta em frequncia) e diminuem os efeitos da densidade de corrente no uniformes. 2) As bases podem ser mais estreitas j que as regies de transio se encontram quase completamente do lado do emissor e do coletor. No h assim problemas de atravessamento da base sendo tambm menor que o tempo de permanncia dos portadores na base. A variao do F (ou F ) com as tenses aplicadas tambm muito menor (efeito de Early). 3) A juno emissora apresenta uma capacitancia menor, visto que a concentrao de doadores no emissor menor que a habitual com a consequente melhoria da sua resposta em frequncia. 4) A tenso de disrupo do emissor aumenta tambm pela razo anterior, podendo ser da ordem da juno coletora. 5) Os TBH podem funcionar num intervalo de temperaturas maior que os transistores bipolares usuais devido ao tipo de materiais semicondutores utilizados e natureza dos tomos de impurezas de substituio.
4.3 Aplicaes Os HBTs so usados para aplicaes digitais e analgicas de microondas com freqncias muito elevadas, podendo chegar a centenas de gigahertz.
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TECNOLOGIA BiCMOS A tecnologia BiCMOS combina os circuitos Bipolar e CMOS na mesma pastilha de CI. Nessa tecnologia a parte lgica realizada por circuitos CMOS e a parte bipolar apenas o estgio de sada pois, devido a alta transcondutncia do transistor bipolar, este capaz de fornecer uma maior corrente por unidade de rea de silcio que o MOSFET. Resumindo as vantagens da unio das duas tecnologias:
Baixa Potncia Consumida Alta velocidade de operao Alta impedncia de entrada Alta capacidade de corrente Amplas margens de rudo de acionamento
claro que para a utilizao em conjunto dessas tecnologias acarreta num aumento de custo e complexidade do processo de fabricao. No anexo 2 mostrado o datasheet de um circuito BiCMOS.
Figura 4 Exemplo de um BiCMOS
TECNOLOGIA BiCMOS COM TRANSISTOR DE HETEROJUNO Existe um consrcio europeu h trs anos denominado DotFive que visa obter transistores de heterojuno Silcio/Germnio operando na faixa de 0,5 THz para aplicaes de comunicao, imagem ou radar. Em fevereiro de 2010 nos Estados Unidos esse consrcio apresentou dois de seus resultados. O primeiro resultados apresentado foi de um CI transmissor e receptor da University of Wuppertal na Alemanha. O O chipset 158-165 GHz suporta esquemas de modulao QAM e incluem VCO, prescaler e cadeias de amplificadores. 10
O segundo resultado foi um receptor de 650 GHz, com uma antena integrada. Esse circuito trabalha com largura de banda entre 635-665GHz. Ambos circuitos foram implementados em uma tecnologia Europia Silcio/Germnio BiCMOS. As figuras 5 e 6 mostram os CIs produzidos.
Figura 5 Transmissor e receptor 160 GHz
Figura 6 Receptor 650 GHz
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CONCLUSO
O uso da tecnologia bipolar nos dias atuais prova que na rea de eletrnica muitos conceitos no envelhecem. Com o aperfeioamento de materiais e tcnicas possvel trazer a tona antigas idias e implement-la como solues em determinadas ocasies.
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BIBLIOGRAFIA
[1] Microelectronics circuits 5th, Sedra, Adel S. and Smith, Kenneth C., 2004 [2] Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated Circuits, HERBERT KROEMER, IEEE 1982 [3] Heterojunction Bipolar Transistors, Y.C. Chou and R. Ferro [4] Eletrnica Digital I, Fabiano Fruett, 2007 [5] http://en.wikipedia.org/wiki/Heterojunction_bipolar_transistor [6] http://www.ihp-microelectronics.com