Universidade Federal da Bahia

Escola Politécnica
Departamento de Engenharia Elétrica e de Computação

Dispositivos Eletrônicos – ENGC41

Semestre Letivo Suplementar – 2020
Aluno(a): YU DIN DOS S. JUNG

Avaliação 3

Orientações gerais:

• A avaliação é individual.
• As simulações devem ser realizadas no simulador gratuito LTspice, cujo link para
download e tutoriais podem ser encontrados no Moodle da disciplina.
• O arquivo do LTspice com o transistor e seu modelo, a serem utilizados em todas as
simulações solicitadas, foram fornecidos no Moodle da disciplina (os arquivos
sch_nmos4.asc e transistor.lib devem ficar na mesma pasta do computador). Nenhuma
alteração deve ser feia nas configurações do transistor presente no arquivo.
• Sugere-se a edição e utilização deste documento para adicionar as repostas (curvas, e
cálculos). Não há necessidade de incluir revisões teóricas, introdução, metodologia,
conclusão ou referências às respostas.
• O documento com as repostas deve ser enviado no formato PDF através do link
disponibilizado no Moodle da disciplina.
• A data limite de entrega é 17-12-2020.
1 – O circuito da Figura 1 pode ser utilizado para obter as características de saída I D x VDS
parametrizadas por VGS para a configuração fonte comum do MOSFET NMOS.

Figura 1 – Circuito para obtenção da característica ID x VDS parametrizadas por VGS.

a) Simule o circuito da Figura 1 utilizando o transistor presente no arquivo do LTspice

disponibilizado (ver orientações geais) e apresente os gráficos ID x VDS. (0,5) Sugestão de
configuração para as simulações:
Tabela II – Configurações para a simulação ID x VDS parametrizadas por VGS.
VDS VGS
Valor inicial: 0 Valor inicial: 0
Valor final (máximo) : 6 V Valor final: 6
Incremento (passo): 0,01 V Incremento (passo): 1,5 V
 b) Obtenha VA, VT0 e μC’ox para o transistor fornecido sabendo que ele tem W/L = 15.
Apresente os cálculos e preencha as Tabelas II, III e IV com os valores obtidos da simulação
e calculados. (3,5)
Tabela II – Tensões e corrente obtidos das simulações para cálculos de VA.
VGS VDS1 ID1 VDS2 ID2
3V 2.1011494V 4.2122988pA 2.1103448V 4.0387993mA

Ro= ohm

Va=
Tabela III – Tensões e corrente obtidos das simulações para cálculos de VT0 e μC’ox.
VGS1 VDS1 ID1 VGS2 VDS2 ID2
3V 2.1149425V 4.0389513mA 4.5V 2.1149425V 9.849711mA

Tabela IV – Parâmetros calculados.

VA VT0 μC’ox,
-2.10V 0.329V 0.00007A/V^2
Vto=

uCox=
2 – Considere o circuito amplificador da Figura 2.

Figura 2 – Amplificador de tensão.

a) Projete o amplificador para AV = 7, Rin = 60 kΩ, consumo máximo de 5 mW. Assumir Rfonte
= 50 Ω, n =1, W = 15 µm, L = 1 µm, VDD = 6 V, VRS = 100 mV e VB = 0. O circuito opera
em f = 65 kHz. Utilize VA, VT0 e μC’ox, obtidos no item 1-b). Apresente os cálculos e anote
os valores dos componentes, das tensões e das correntes na Tabela V. (3,5)
 Tabela V – Resultados teóricos e de simulação para o ponto de operação DC.
Teórico Simulado
ID
IRB1
VD
VG
VS
R1
R2
RS
RD
C1
C2

b) Simule o circuito projeto para obter seu ponto de operação DC. Anote as tensões e correntes
de polarização obtidas da simulação na Tabela V (0,5).
c) Simule o circuito projetado para obter a resposta em frequência (simulação AC). Apresente
o gráfico da resposta em frequência e identifique o valor do ganho AV para a frequência de
operação f = 65 kHz. Converta o valor de dB para unidades absolutas. (1,0)
Tabela II – Configurações para a simulação AC.
Tipo de sweep (varredura): década
Número de pontos: 100
Valor inicial: 6,5 kHz
Valor final (máximo) : 650 kHz
d) Acrescentando ao circuito projetado um capacitor de acoplamento AC para conectar uma
carga RL = 500 Ω à saída, como na Figura 3, calcule C3 e o novo ganho AV. (1,0)

Figura 3 – Amplificador de tensão com carga.