ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO/IESTI –

BACHARELADO
ELTA01A - ELETRÔNICA ANALÓGICA 1

Projeto de circuito amplificador.

EQUIPE 06

Anna Beatryz Costa - 2021020279

Ryan Felipe Ferreira Ribeiro - 2021020958
Thiago Batista Araújo - 2021032968

Professor: Egon Luiz Muller Junior

21 de Julho de 2022
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1 INTRODUÇÃO

Para colocar em prática os conhecimentos adquiridos na disciplina de eletrônica

analógica 1, foi proposto um projeto de circuito amplificador com restrição de frequência.
Neste sentido, este projeto tem como objetivo passar por todo o processo de elaboração,
por meio de cálculos apresentados em sala de aula e simulações, de um circuito que cubra
as seguintes especificações: 𝑉𝑐𝑐 = 20𝑉 , 𝑅𝐿 = 1𝐾Ω, 𝐹𝑚í𝑛 = 100𝐻𝑧 e ganho |𝐴𝑣 | = 8, com
𝑍𝐼 ≥ 4𝐾, 𝑍𝑂 ≤ 100Ω e 𝑉𝑂𝑃 𝑃 ≥ 𝑉𝐶𝐶 /2. Para a elaboração foi considerado 𝑅𝑓 𝑡 = 500Ω e
𝛽1 = 𝛽2 = 150. A equipe utilizou o ambiente de desenvolvimento LTspice para a simulação
para que pudesse validar de maneira teórica e prática o circuito desenvolvido.
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2 MEMORIAL DE CÁLCULOS

O memorial de cálculos são os cálculos realizados em nosso projeto de circuito am-

plificador. Abaixo de cada folha desenvolvida há uma breve descrição do que foi realizado,
passo-a-passo, visando uma melhor compreensão.

2.1 Análise CC

Figura 1 – Primeira folha de desenvolvimento.

Em um primeiro momento, foi definida Icq de 3mA, escolhida pelo grupo, para o
desenvolver do projeto. Sendo assim, em sequência, foi aplicada a diretiva de projeto do
primeiro estágio do circuito (primeiro transistor) para determinação dos resistores. Dessa
Capítulo 2. MEMORIAL DE CÁLCULOS 4

forma, foram calculados RE1, RC, R2 e R1. Além disso, foram definidos os valores de VE
e Vb.

Figura 2 – Segunda folha de desenvolvimento.

Com os valores de R1 e R2 obtidos, deve-se recalcular o valor de VB e VE, para

que os valores fiquem mais condizentes. Assim, foi recalculado os valores da tensão na
base e no emissor, e posteriormente os valores de IE e ICq. Após isso, foi determinado
VCEq e re1.
Capítulo 2. MEMORIAL DE CÁLCULOS 5

Figura 3 – Terceira folha de desenvolvimento.

Para o segundo estágio do circuito (considerando o segundo transistor), tem-se que

a tensão que sai do coletor do primeiro transistor é a mesma tensão da base do segundo
transistor. Assim, foi definido o valor de VB2 e VE2. Seguindo passos semelhantes ao do
primeiro estágio, e escolhendo ICq do segundo estágio (também 3mA), foi determinado
RE3, IE2 e re2.
Capítulo 2. MEMORIAL DE CÁLCULOS 6

2.2 Análise AC

Figura 4 – Quarta folha de desenvolvimento.

Tendo a parte CC do circuito projetada por completo, foi realizado a análise AC

do mesmo. Para tal, considera-se fontes CC do circuito como GND e capacitores como
curtos. Dessa forma, foi desenhado o circuito AC e calculado valores como: Zb2, AV2
(ganho), REAC1, AV1 e RE2.
Capítulo 2. MEMORIAL DE CÁLCULOS 7

Figura 5 – Quinta folha de desenvolvimento.

Com o valor de RE2 calculado, foi realizado a correção do valor de REAC1 e do

ganho AV1 (primeiro estágio). Posteriormente, foi calculado ZB1 (impedância do primeiro
estágio), rs’2 e Zo (impedância de saída).
Capítulo 2. MEMORIAL DE CÁLCULOS 8

Figura 6 – Sexta folha de desenvolvimento.

Com a parte CC e AC do projeto prontas, em um último momento, foi realizado

o cálculo das capacitâncias do circuito. Assim, considerando que regiões de maior resis-
tência devem possuir menor frequência e vice-versa, foi determinado as frequências dos
capacitores Ce1 Ce2, e posteriormente, os capacitores.
Capítulo 2. MEMORIAL DE CÁLCULOS 9

Figura 7 – Sétima folha de desenvolvimento.

Da mesma forma que as frequências e capacitâncias de Ce1 e Ce2 foram determi-

nadas, foi calculado FCb e CB do circuito.
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3 CIRCUITO PROJETADO

Com base nos valores obtidos e características do circuito, os transistores escolhidos

foram o 2N3904 e o 2N3906.

Figura 8 – Esquema elétrico do circuito montado no simulador LTspice.

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4 SIMULAÇÕES

Como dito, o software utilizado pelo grupo para a montagem e simulação do cir-
cuito foi o LTspice, que pode ser baixado e entendido no link: Link LTspice.

4.1 Tensão de entrada x Tensão de saída

Figura 9 – Gráfico circuito com ganho a 20mV.

Figura 10 – Gráfico circuito com ganho a 20mV.

Figura 11 – Gráfico circuito com ganho a 50mV.

Capítulo 4. SIMULAÇÕES 12

Figura 12 – Gráfico circuito com ganho a 300mV.

Figura 13 – Gráfico circuito com ganho a 325mV - início de distorção.

4.2 Distorção

Figura 14 – Gráfico Distorção.

4.3 Tensão de saída x Frequência

Figura 15 – Gráfico Tensão de saída x Frequência.

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5 CONCLUSÃO

Por meio da conjuntura apresentada, o grupo pôde observar, por meio de simula-
ções, que o amplificador desenvolvido cumpre com seu objetivo. Todas as etapas foram
comprovadas com testes funcionais por meio do software LTspice. Como pode ser visto
no capítulo quatro ("Simulações"), o projeto garante um ganho de 8V na onda de saída
em diversos cenários, além de obedecer as frequências estabelecidas no início do projeto.
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6 ANEXOS

Figura 16 – Transistor utilizado 2N3904.

Capítulo 6. ANEXOS 15

Figura 17 – Transistor utilizado 2N3906.

Capítulo 6. ANEXOS 16

Figura 18 – Capacitor(C1) de 3.3microF.

Capítulo 6. ANEXOS 17

Figura 19 – Capacitor(C2) de 47microF.

Capítulo 6. ANEXOS 18

Figura 20 – Capacitor(C3) de 6.8microF.

Capítulo 6. ANEXOS 19

Figura 21 – Resistor(R1) de 62k Omhs.

Capítulo 6. ANEXOS 20

Figura 22 – Resistor(R2) de 10k Omhs.

Capítulo 6. ANEXOS 21

Figura 23 – Resistor(Re1) de 680 Omhs.

Capítulo 6. ANEXOS 22

Figura 24 – Resistor(Re2) de 1k2 Omhs.

Capítulo 6. ANEXOS 23

Figura 25 – Resistor(Re3) de 3k3 Omhs.

Capítulo 6. ANEXOS 24

Figura 26 – Resistor(Rft) de 500k Omhs.

Capítulo 6. ANEXOS 25

Figura 27 – Resistor(Rc) de 3k3 Omhs.

Capítulo 6. ANEXOS 26

Figura 28 – Resistor(R1) de 1k Omhs.