MINISTRIO DA EDUCAO UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAMPA CENTRO DE TECNOLOGIA DE ALEGRETE CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA PROFESSOR MARCOS V. T.

HECKLER

TRABALHO DE TELECOMUNICAES

Acadmicos: Ana Paula C. de Mello Dion Lenon P. Feil Guilherme Domeneghi Jonathan Berenhs Mauricio Engers

Alegrete/RS 2012

1 INTRODUO

Neste trabalho so apresentados trs projetos da disciplina de Telecomunicaes. O primeiro um circuito amplificador a transistor com caractersticas de projeto para a corrente no coletor de 0,1mA. O segundo, um amplificador sintonizado, projetado para trabalhar na frequncia de 250kHz. J o terceiro, consta de um misturador com topologia duplamente balanceada.

2 PROJETO DE UM AMPLIFICADOR A TRANSISTOR:

Com a inveno dos transistores, as vlvulas foram pouco a pouco substitudas por estes novos amplificadores, devido s vantagens de menor consumo de energia, maior durabilidade, menor tamanho e custo menor. Os amplificadores transistorizados tm comportamento diferente dos valvulados, a distoro diferente e no necessitam de transformadores de sada para casar as impedncias dos alto-falantes. Hoje os amplificadores transistorizados podem ser construdos com transistores bipolares ou MOSFETs ou ainda circuitos integrados [2].

2.1 Projeto

a) Projetar o circuito de polarizao do transistor, de modo que a corrente no coletor assuma o valor de 0,1 mA (grupo 1)

A partir do circuito da Figura 1, foi projetado o circuito para polarizao do transistor, assumindo uma corrente no coletor de 0,1 mA, uma tenso VCE de 10 V e uma tenso de entrada de 10 mV de pico. O transistor utilizado foi o 2N2222.

Figura 1 Circuito de polarizao do transistor. O clculo para determinao dos valores dos resistores e capacitores apresentado a seguir. Conforme [1], em regra prtica, projeta-se VBB como cerca de VCC, VCE como cerca de VCC e ICRC como VCC, logo tem-se VCE conforme Equao 1.

VCE = VCC

(1)

Assim, rearranjando os termos da equao anterior:

VCC = 3VCE Substituindo os valores, tem-se que:

VCC = 30 V De forma anloga a VCE, obtm-se VBB.

VBB = VCC = 10 V

Adotando a tenso VBE de 0,7V a tenso VE obtida a partir da equao a seguir. VE = VBB - VBE Substituindo os valores: (2)

VE = 9,3 V Assim, assumindo que IE = IC, obtem-se o valor de RE:

RE =

= 93 k

Da mesma forma de VBB, encontra-se o valor de RC, sabendo que ICRC dado como VCC conforme a equao a seguir.

ICRC = VCC

Logo, substituindo os valores, tem-se que:

RC =100 k Conforme [3], R1 e R2 so obtidos a partir das seguintes equaes:

R1 + R2 =

VCC = VBB

(3)

Assim, assumindo IE = IC = 0,1 mA, e substituindo os valores nas equaes, chega-se aos seguintes valores para R1 e R2: R1 = 200 k; R2 = 100 k Os capacitores do circuito de polarizao do transistor foram determinados a partir do circuito Figura 2.

Figura 2. Circuito para determinao dos capacitores.

RC1 =

; RC2 =

; RCarga =

Logo, substituindo os valores:

RC1 = RC2 = 66,66 k; RCarga = 28,57 k Admitindo que a reatncia capacitiva de C1 10% da resistncia RC1, e a reatncia capacitiva de C2 10% da resistncia RCarga, tem-se que: XC1 = 6666 ; XC2 = 2857 Sabendo que a capacitncia dada pela equao abaixo:

C=

E substituindo os valores na equao, obtem-se os seguintes valores para C1 e C2 : C1 = 2,387 nF; C2 = 5,57 nF. b) Utilizando o simulador Orcad/PSpice, simular o circuito projetado e obter as formas de onda de entrada e sada para um sinal de tenso de entrada de 10mV de pico e frequncia de 10 kHz. A curva de ganho em funo da frequncia para a faixa de 0 100 kHz. Refazer este procedimento em bancada.

Aps os clculos, analisou-se o funcionamento do circuito no programa de simulao Orcad, para um sinal senoidal na entrada com 0.01V e 10kHz, obteve-se as formas de onda da sada e da entrada conforme Figura 3.

Figura 3. Simulao no Orcad, formas de onda da entrada e sada do circuito. A senoide verde a onda na entrada do circuito, j a senoide vermelha a onda na sada do circuito. Pode-se observar que existe uma amplificao, a qual o objetivo do circuito, tambm existe uma defasagem entre elas devido ao acoplamento no ser perfeito. Para completar a anlise do circuito, simulou-se o ganho em frequncia, expresso na forma de onda da Figura 4.

Figura 4. Simulao no Orcad, ganho do circuito em funo da frequncia. Como ilustrado, na curva existe a saturao do circuito em alta frequncia. Aps a simulao no software Orcad, montou-se o circuito em protoboard, com a ajuda de um gerador de sinal, na entrada colocou-se uma forma de onda senoidal com amplitude de 0.01V e frequncia de 10kHz. Com o auxlio de um osciloscpio, obtevese a forma de onda da entrada e da sada ilustradas na Figura 5.

Figura 5. Forma de onda obtida no experimento.

Na cor roxa est a onda de entrada do circuito, em azul pode ser observada a onda de sada do circuito. Assim, o ganho gerado pelo circuito de aproximadamente oito vezes e a defasagem de aproximadamente 90 entre entrada e sada, essa defasagem devido ao acoplamento no ser perfeito.

3 PROJETO AMPLIFICADOR SINTONIZADO

Os amplificadores sintonizados so empregados para separar e amplificar uma estipulada faixa de frequncias de um sinal. Este tipo de amplificador de grande aplicao em receptores de rdio e televiso, nos estgios de sintonizao. Assim, caracterizado por ter no coletor do transistor um circuito ressonante, ou seja, utiliza um filtro passa-faixas para realizar a sintonia.

3.1 Projeto

a) Realizar o projeto do circuito, de modo que o amplificador esteja sintonizado em 250 kHz (grupo 1).

O projeto foi desenvolvido de modo que a amplificador estivesse sintonizado em uma frequncia de 250 kHz. O circuito com os valores de projeto pode ser visualizado na Figura 6.

30.00V

100.1uA R3 200K

L1 1.22uH C2 5.57n 0V 30
V

V1

C1 0V
V

Q1 9.971V 429.0nA

100.7uA
I I-101.2uA

200.9uA

2.41n 99.71uA R4

C3 9.408V 101.2uA R2 93k C4 1m 100k 330n

R1 50k

0A V10 VOFF = 0 VAMPL = 2 FREQ = 250k

0V

Figura 6. Circuito amplificador sintonizado. Primeiramente estabeleceu-se o valor do capacitor a ser utilizado no filtro ressonante e atravs da manipulao da equao da frequncia de ressonncia, encontrou-se o valor do indutor. A frequncia de ressonncia estabelecida pela equao a seguir.

1 2 L C

(4)

O clculo do valor do indutor ocorre por consequncia da equao da frequncia de ressonncia e pode ser expresso atravs da equao a seguir.

2 f 2 C

(5)

Considerando a frequncia de ressonncia de 250kHz e atribuindo um valor comercial para o capacitor de 330nF, obtm-se a indutncia que compem o circuito ressonante.
L1

2 250x10 330x10
3 2

L1 1,22 H

Com a definio dos valores da capacitncia C3 e indutncia L1 possvel obter a resposta em frequncia do circuito amplificador sintonizado, que representa a relao do ganho entre o sinal de entrada e sada do sistema. Alm do projeto do estgio ressonante do circuito sintonizador, ainda necessrio a determinao dos elementos que garantem a polarizao CC do transistor 2n2222. Assim, os resistores R2, R3 e R4 bem como os capacitores de desacoplamento C1 e C2 devem ser determinados para o transistor operar em sua regio linear, conforme apresentado no primeiro projeto do amplificador a transistor. O capacitor C4 paralelo ao resistor do emissor foi projetado no valor de 1mF para garantir a polarizao do transistor e a amplificao do sinal. Neste circuito existe uma resposta transitria que depende dos elementos armazenadores de energia. A Figura 7 apresenta a resposta transitria de partida do circuito bem como a representao em regime permanente, demonstrando que o circuito apresenta um bom desempenho.

40V

0V

-40V 0s V(R1:2) 5ms V(V10:+) 10ms Time 15ms 20ms

Figura 7. Transitrio inicial do circuito amplificador sintonizado.

14.2V

10.0V

0V

-10.0V

-14.2V 18.1643ms 18.1680ms 18.1720ms V(R1:2) V(V10:+)

18.1760ms Time

18.1800ms

18.1840ms

Figura 8. Circuito amplificador sintonizado em regime. No circuito projetado, o filtro ressonante L1C3 srie funciona em paralelo com o resistor de carga e torna-se uma parte do circuito de coletor. As frequncias muito baixas veem o indutor como um curto, enquanto as frequncias altas veem o capacitor como um curto. Assim, somente as frequncias prximas da frequncia de ressonncia desenvolvem-se sobre o resistor de sada.

3.2 Anlise da resposta em frequncia

b) Utilizando o simulador Orcad/PSpice, simular o circuito projetado e obter a curva de ganho em funo da frequncia para a faixa de 100 1000 kHz. Utilizar o transistor 2N2222 para a simulao.

possvel obter a resposta em frequncia do circuito amplificador sintonizado com a FFT. Com isso pode-se visualizar se o circuito est proporcionando o ganho necessrio no intervalo de frequncia desejado, neste caso 250 kHz como demonstrado na Figura 9.

15V

10V

5V

0V 0Hz V(R1:2)

100KHz V(V10:+)

200KHz

300KHz

400KHz

500KHz

Frequency

Figura 9. Resposta em frequncia FFT do circuito analisado. Para obter a curva de ganho em funo da frequncia para a faixa de 100 1000 kHz necessrio mudar a fonte de simulao por uma fonte Vac, possibilitando traar o espectro de frequncias no PSpice. Assim, os seguintes parmetros foram especificados: Start Frequency: 100; End Frequency: 500k; Total Points: 1000. Na resposta em frequncia do circuito amplificador, ilustrada na Figura 10, possvel visualizar que o circuito se comporta como um filtro passa faixa, onde a resposta em frequncia mostra apenas a frequncia projetada do filtro. O ganho apresentado nesta frequncia tende ao infinito, pois trata-se de um circuito ressonante, que atenua as frequncias diferentes da ressonncia apresentada pelo circuito LC.

10V

5V

0V 100Hz V(R1:2)

1.0KHz

10KHz Frequency

100KHz

1.0MHz

Figura 10. Espectro em frequncia do circuito sintonizado.

10V

5V

0V 100KHz V(R1:2)

250KHz Frequency

400KHz

Figura 11. Espectro ampliado na frequncia 250kHz.

4 PROJETO MISTURADOR

Misturador de frequncias um circuito amplamente utilizado em sistemas de comunicao. Sinais de frequncias elevadas so convertidos em outros de frequncia intermediria, atravs da combinao do sinal modulado com o proveniente do oscilador local, em um elemento no linear. Normalmente empregado no estgio de entrada de receptores e seu desempenho deve ser conveniente para no comprometer o sistema de comunicao. O processo de misturao de sinais em um elemento no linear definido como a converso de um sinal de determinada frequncia em outro, de frequncia diferente, atravs da combinao do sinal original com o proveniente do oscilador local. O circuito consiste de um elemento no linear associado a circuitos lineares, que so responsveis pela separao dos terminais de frequncias altas (RF e OL) e baixas (FI). A gerao de FI s ocorre atravs da superposio de sinais em um dispositivo no linear. Na sada de um dispositivo misturador so geradas componentes da frequncia soma (f1+f2), FI (f1f2) e uma srie infinita de produtos de intermodulao, resultantes do batimento com sinais originais aplicados. Os nveis destes produtos de intermodulao decrescem medida que aumenta a ordem das harmnicas dos quais se originaram. A topologia desenvolvida foi a do misturador duplamente balanceado. Uma das vantagens deste circuito conseguir obter isolamento entre as trs portas (RF, OL e FI).

4.1 Projeto

O circuito do misturador duplamente balanceado constitudo por dois circuitos balanceados simples, associados em paralelo, com diferena de fase apropriada para combinar os sinais de RF e do oscilador local (OL). A figura abaixo apresenta a topologia utilizada.

D1 1 D1N4148 D3 V1 VOFF = 0 VAMPL = 5 FREQ = 570k V3 D1N4148

L1 2 10u C1 12.235n

R1 50

V+

FREQ = 1025k VAMPL = 5 VOFF = 0 D4 V2 VOFF = 0 VAMPL = 5 FREQ = 570k D2 1 D1N4148 D1N4148

R2 50 C2 12.235n L2 2 10u
V-

Figura 12. Topologia do misturador duplamente balanceado. Os diodos, quando polarizados diretamente, comportando-se como resistncias no lineares, ou seja, so os responsveis pela insero da no linearidade no circuito. J, quando polarizados reversamente, comportam-se como circuitos abertos. As fontes de tenso V1 e V2 representam o sinal de RF do circuito, a fonte V3 responsvel pelo oscilador local. O circuito ressonante na sada projetado para filtrar as frequncias em fc = 455 kHz, eliminando as outras componentes de intermodulao.

4.2 Dimensionamento dos Componentes

O dimensionamento dos componentes utilizados no misturador de frequncias foi feito como descrito abaixo: - Diodos: os diodos foram definidos de forma a suportar as correntes que sero escoadas pelos mesmos e tambm para suportar a tenso mxima reversa sobre eles (V= 10 V). - Frequncia de RF (fRF): 570 kHz, definido nos requisitos do projeto. - Frequncia de FI (fFI): 455 kHz, definido nos requisitos do projeto. Esta a frequncia utilizada para dimensionar o filtro de sada do projeto. - Frequncia do OL (fOL): 1025 kHz, definido pela soma de fRF e fFI. - Filtro: Os filtros foram projetados individualmente para cada terminal de FI, da seguinte forma:

(6)

Onde L o indutor e teve seu valor arbitrado de 10uH. Desta forma encontra-se o valor do capacitor:

4.3 Analise da Resposta no Tempo

A figura a seguir apresenta a resposta do sinal no domnio do tempo, no qual em vermelho representado o sinal de entrada e em verde o sinal de sada.

5.0V

0V

-5.0V 0s 1us 2us V(R1:1,R2:2) V(V1:+,V1:-) 3us 4us 5us Time 6us 7us 8us 9us 10us

Figura 13. Anlise da resposta do misturador no domnio do tempo. Pode-se observar que a amplitude do sinal de sada, como previsto, a aproximadamente metade da amplitude do sinal de entrada. A distoro na forma de onda da sada pode ser justificada pelo fato do filtro no ser ideal, deixando que outras frequncias de intermodulao, mesmo que em menor amplitude, estejam presentes no sinal.

4.4 Anlise da Resposta em Frequncia

A figura a seguir apresenta a resposta do sinal no domnio da frequncia.

2.46V

(455.000K,2.4161)

2.00V

1.50V

1.00V

0.50V

0V 57KHz V(R1:1,R2:2)

100KHz

300KHz Frequency

1.0MHz

3.0MHz

Figura 14. Anlise da resposta do misturador no domnio da frequncia. Nota-se que com a filtragem do circuito em fC = fFI , as frequncias de soma, RF e OL foram bastante atenuadas, juntamente com as outras frequncias de intermodulao. A frequncia de interesse (fFI), manteve-se em nvel esperado.

5 CONSIDERAES FINAIS

Este trabalho teve seu foco voltado ao desenvolvimento de dispositivos eletrnico voltados s comunicaes. Em um primeiro momento, foi desenvolvido um amplificador a transistor no sintonizado, cujo projeto foi desenvolvido em duas etapas: simulao e montagem prtica em bancada. As etapas do projeto foram executadas em paralelo e, assim, foi possvel comprovar na bancada os resultados obtidos na simulao. A comprovao prtica fundamental no desenvolvimento destes projetos. O projeto de um amplificador sintonizado foi desenvolvido a partir do amplificador a transistor com a insero de um indutor no coletor do transistor. Este projeto foi implementado apenas em ferramenta de simulao, desta forma, foi possvel observar o comportamento em frequncia deste amplificador, onde foi mostrado o ganho na frequncia definida no projeto. O ltimo projeto desenvolvido foi o de um misturador de frequncia, onde tivemos autonomia para determinar a topologia de circuito a ser utilizado. Este tipo de equipamento no foi discutido em detalhes durante o curso, o que torna o seu projeto ainda mais interessante.

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] Malvino, Albert Paul. Eletrnica, 4a edio So Paulo: Pearson Makron Books, 1997. [2] Disponvel em <http://pt.wikipedia.org/wiki/Amplificador>. Acesso em: 01 Out. 2012 . [3] Sedra, Adel S; Smith, Kenneth C. Microeletrnica, 5a edio So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007 . [4] Young, Paul H. Tcnicas de Comunicao Eletrnica, 5a edio So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2006.