Universidade Federal do ABC

RELATÓRIO 4: POLARIZAÇÃO DE
TRANSISTORES E AMPLFICADOR DE
PEQUENOS SINAIS

Professor: Rodrigo Reina Muñoz

Discentes: Milena Medeiros Svensson – 11201811622

Luiza dos Santos Mattos – 12202222059
Stephanie Nagasava da Costa - 11201722647

Março, 2023
 1. INTRODUÇÃO
A polarização de transistores é um processo fundamental para
garantir que o transistor esteja operando na sua região ativa, onde ele pode
amplificar sinais elétricos. A polarização adequada é importante para assegurar
que o transistor esteja operando com a corrente e a tensão corretas em seus
terminais, garantindo um desempenho consistente e confiável.
Existem diferentes técnicas de polarização de transistores, incluindo
a polarização por divisor de tensão, polarização por emissor, polarização por
coletor, entre outras. Cada técnica de polarização visa fornecer uma corrente
estável e constante para o transistor para operar na sua região ativa.
Os transistores são frequentemente utilizados como amplificadores
de pequenos sinais em eletrônica. Eles são capazes de aumentar a amplitude
de um sinal elétrico de entrada, produzindo uma saída amplificada, que pode
ser usada para controlar dispositivos externos, como alto-falantes ou lâmpadas.
A amplificação de pequenos sinais é uma aplicação comum para transistores,
onde um sinal de entrada de baixa amplitude precisa ser aumentado para um
nível mais alto para ser processado por outros componentes do circuito.
O comportamento dos transistores como amplificadores em relação
à frequência depende da sua construção e da configuração do circuito. Em
geral, os transistores apresentam uma resposta de frequência limitada, o que
significa que eles têm uma faixa de frequência na qual podem operar como
amplificadores de forma eficaz. Para assegurar que o transistor seja capaz de
amplificar sinais em uma ampla faixa de frequência, é necessário projetar o
circuito para ter uma resposta de frequência plana, o que pode ser alcançado
usando técnicas de compensação de frequência, como capacitores ou
indutores.

2. OBJETIVO
A fim de validar a teoria de transistores através da prática em
laboratório, o objetivo desse experimento consistiu em verificar a polarização e
emissor comum com divisor de tensão na base, verificar a amplificação de
sinais, levantar a curva de resposta de um amplificador, verificar o efeito do
capacitor entre emissor e referência e obter os valores das impedâncias de
entrada e de saída.
 3. METODOLOGIA
Na primeira parte do experimento, com o objetivo de simular um
circuito de polarização do Transistor montou-se em uma protoboard o circuito
exemplificado na figura a seguir:

 
Em seguida, após a montagem, foram medidos os valores de I B, IC,
IE, VBE e VCE. Após as medições foi calculado o valor do ganho (β) através da
seguinte fórmula:
β = Ic / Ib

Na segunda parte do experimento montou-se um amplificador de

pequenos sinais a partir da adição de três capacitores ao circuito apresentado
acima, de acordo com a figura abaixo:

A tensão do gerador de sinais foi ajustada para 50 mVpp e para

obter os valores de Vspp, variou-se a frequência com os valores propostos no
guia do experimento. A partir dos resultados obtidos, um gráfico com a curva
de resposta do amplificador foi montado.
Finalmente, o último item pedia a remoção do Capacitor CE e o
ajuste da amplitude e frequência para 50 mVpp e 10 kHz, respectivamente.
Com isso, foi possível medir a tensão Vspp e verificar a influência da
resistência de emissor.

4. RESULTADOS

Parte 1:

Após a montagem do circuito de polarização do transistor, na tabela

abaixo (1) encontram-se os valores medidos no experimento:
Tabela 1 – Valores de IB, IC, IE, VBE e VCE medidos

Ib Ic Ie VBE VCE
0,053
mA 14,16 mA 14,74 mA 0,421 V 6,09 V
Fonte: Autoras, 2023

Em seguida, foi possível calcular o ganho β, obtendo-se o valor de β

= 267,16. Considerando o que valor deveria estar entre 150 e 300, o
experimento foi considerado válido. Já que as correntes na base, coletor e
emissor estão em um nível adequado para manter o transistor na sua região
ativa.

Questões:

A partir do valor do ganho obtido, para fazer uma comparação,

esses valores também foram calculados, onde foi possível obter os resultados
expostos na tabela 2, os quais possuem bastante semelhança e algumas
pequenas variações que podem ser explicadas por perdas de calor, calibração
etc.

Tabela 2 – Valores calculados de IB, IC, IE, VBE e VCE

Ib Ic Ie VBE VCE
0,051 mA 13,62 mA 13,67 mA 0,7 V 6,15 V
Fonte: Autoras, 2023

Parte 2:
Na segunda e última parte do experimento, foi montado o circuito de
amplificador de pequenos sinais e os resultados encontram-se na tabela 3:
 Tabela 3 – Valores medidos de Vspp a partir da variação da frequência

f [kHz] 1 10 50 100 500 1000 2000 3000 4000 5000

Vspp [V]  2,21 2,35  2,41   2,31 2,01 1,75 1,53  1,03  0,82 0,78
Av          
Fonte: Autoras, 2023

No último item do guia, é pedido que um capacitor Ce seja retirado e

o ajuste da amplitude e frequência seja feito, para 50 mVpp e 10 kHz. O valor
obtido foi de Vspp = 1,61V.

5. CONCLUSÃO

Em um circuito de polarização por divisão de tensão de transistores

na configuração emissor-coletor, espera-se que as correntes na base, coletor e
emissor estejam em um nível adequado para manter o transistor na sua região
ativa de operação. Especificamente, a corrente na base deve ser suficiente
para polarizar o transistor, enquanto as correntes no coletor e no emissor
devem ser ajustadas para garantir que o transistor esteja operando na sua
região ativa. Os valores obtidos no experimento estão de acordo com a teoria
já que o ganho obtido foi de 267,16 e o ideal seria estar entre 150 e 300. Os
valores calculados teoricamente de IB, IC, IE, VBE e VCE, também assemelharam-
se aos medidos em laboratório.

Na configuração emissor comum, um transistor bipolar de junção

(TBJ) é usado para amplificar sinais de baixa amplitude. Nessa configuração, o
sinal de entrada é aplicado ao terminal da base do TBJ, enquanto o sinal
amplificado é coletado no terminal do coletor. O sinal de saída é medido entre o
coletor e o emissor...concluir a parte 2 do exp

Referências

Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. Robert Boylestad, Louis Nashelsky. Pearson,

2004.