5.

Lista de Exerccios - Amplificadores e Modelos TBJ

1.

Um TBJ tendo = 100 est polarizado com uma corrente cc de coletor de 1 mA. Calcule os
valores de gm, re e r no ponto de polarizao.
Resposta: 40 mA/V; 25 ; 2,5 k.

2.

No circuito abaixo, VBE ajustado para fornecer uma corrente de coletor cc de 1 mA. Suponha
que VCC = 15 V, RC = 10 k e = 100. Calcule o ganho de tenso vc/vbe. Se vbe = 0,005 sen t
volts, calcule vC(t) e iB(t).
Resposta: -400 V/V; 5 2 sen t volts; 10 + 2 sen t A.
VCC
iC

RC
vC

RB

iE
vi

iB

VI

3.

Determine o ganho de tenso vc/vi para o circuito do problema anterior supondo = 100, RC =
3 k e RB = 100 k.
Resposta: -2,93 V/V.

4.

No circuito abaixo, determinar o ganho de tenso e a mxima excurso de sinal de sada do

circuito. Suponha que o capacitor C tem valor infinito, ou seja, age como curto-circuito para as
freqncias de interesse e circuito aberto para sinais cc. Suponha = 100.
V+ = +10 V
RE = 10 k

= 1,84 V.
Resposta: 184 V/V, V
c

vI
vO
RC = 5 k
V- = -10 V

5.

O transistor da figura abaixo est polarizado com uma fonte de corrente constante I = 1 mA,
tendo = 100 e VA = 100 V. (a) Calcule as tenses cc na base, emissor e coletor. (b) Determine
gm, r e r0. (c) Se o terminal Z for conectado ao terra, X fonte de sinal vs com uma resistncia Rs
= 2 k e Y a uma resistncia de carga de 8 k, use o modelo -hbrido para desenhar o circuito
equivalente para pequenos sinais do amplificador (Observe que a fonte I deve ser substituda por
um circuito aberto). Calcule o ganho de tenso vy/vs. Se r0 for desprezada, qual o erro na
estimativa do valor do ganho? Os capacitores devem ser considerados como curto-circuito para ca
e circuito aberto para cc.
+10 V

8 k
Y

Resposta: (a) 0,1 V; 0,8 V; 2 V; (b) 40mA/V;

2,5 k; 100 k; (c) 77 V/V; +3,9 %.

X
10 k

Z
I = 1 mA

6.

Ache o modelo equivalente -hbrido do circuito a seguir, tambm conhecido como

configurao Darlington. Calcule o valor equivalente r, e g ,m do modelo em funo de r1 e g m1 ,
do primeiro transistor.
g

Resposta: r, = 2( + 1) r1 , g,m = m1
C

2
C
B

Q2
Q1

7.

(Concurso Perito Criminal 2002) Julgue Verdadeiro ou Falso para cada item
apresentado.
Responda os itens 1 e 2 para esta lista.
O circuito mostra um amplificador a Transistor. Considere que, para este transistor, = hFE = hfe =
100 e que VCC = 12 V, R1 = 30 k, R2 = 15 k, RC = RL = 4 k e RE = 3,3 k. Considere tambm
que todos os capacitores do circuito tm capacitncia to alta que podem ser considerados em
curto-circuito para as componentes de frequncia dos sinais que so amplificados. Com relao a
este circuito, julgue os itens que se seguem:
1. Caso o resistor de carga RL seja substituido por um altoVCC
falante, e um sinal de entrada senoidal com frequncia de 100
kHz seja injetado na entrada ve, ento ser gerado um som
senoidal audvel no alto-falante.
RC
R1
C2
2. A componente de polarizao (DC) do potencial em relao
ao terra no n A maior que 6V.
A
C1
+
3. A impedncia de entrada do circuito igual a 45 k.
v
R
4.
O ganho de tenso do amplificador igual a 1.
L
s
ve
5. Caso o resistor RE seja substituido por um fio (curto-circuito),
C3
R2

o circuito resultante estar corretamente polarizado na regio

ativa e apresentar maior estabilidade de sua corrente de
RE
polarizao em relao a variaes do valor de .
8.

(Concurso EAOEAR 2009) - calcule as tenses CC na base, coletor e emissor do

transistor.
+19V
O valor aproximado do ganho de tenso Av = Vi/Vo do
amplificador da figura abaixo igual a:
A) 3900
4,7 k
B) 140
39 k
C) 39
Vo
D) 14
Vi
3,9 k

1,1 k

330

9.
(Concurso ELETROBRS 2007)
Devem ser feitas medidas em um transistor, de modo que se obtenham os parmetros do circuito
equivalente hbrido incremental, caracterizado pelas funes:
Vbe = f(Ib, Vce) e Ic = f(Ib, Vce)
hie
vce
vbe
Os respectivos valores incrementais so:
hfe.ib
vbe = tenso entre base e emissor;
hre.vce
ib = corrente de base;
1/hoe
ic = corrente de coletor;
vce = tenso entre coletor e emissor
dado o circuito equivalente hbrido h:
A alternativa certa ser medir o parmetro:
(A) hie = vbe/ib, com o coletor em curto para a terra;
(B) hfe = vbe/vce, com a base em aberto;
(C) hie = vbe/ib, com o coletor em aberto;
(D) hre = vce/vbe, com a base em curto para a terra;
(E) hoe = vce/ic, com o coletor em curto para a terra.
10.

(Provo 2005)

A figura apresenta o circuito de um amplificador transistorizado na configurao emissor comum. O

modelo para pequenos sinais em baixa frequncia deste circuito est representado abaixo, onde os
parmetros tm os seguintes valores:
RS = 1 k, RB = 2 k, r = 2 k, ro = 10 k, RC = 5 k, RL = 5 k e gm = 100 mA/V
Calcule:
a) A resistncia de entrada da
base: Rib = vb/ib;
b) A resistncia de entrada do
amplificador: Ri = vs/is;
c) A resistncia de sada do
coletor: Roc = vc/ic;
d) A resistncia de sada do
amplificador: Ro = vo/io;
e) O ganho de tenso a circuito
v
aberto: A va = o
v s RL =

VCC

RB1

RC

C3

C1

RS

Q1
NPN

RL

VS

f) O ganho de corrente em
curto-circuito:
i
A ic = o
i s RL = 0
VS
g) O ganho de tenso global:
v
A va = o
vf

RE

RB2

RS

vs

is

vc

vb
ib

RB

C2

+
v

ic
r
ve

gm.v

vo
io
RC

RL

11. Um transistor NMOS tipo enriquecimento com Vt = 2 V tem sua fonte aterrada e uma fonte cc
de 3 V conectada na porta. Em que regio de operao o dispositivo se encontra para (a) VD = + 0,5
V? (b) VD = 1 V? (c) VD = 5 V.
Resposta: (a) triodo; (b) saturao; (c) saturao.
12. Se o dispositivo NMOS do exerccio anterior tiver um nCox = 20 A/V2, W = 100 m e L = 10
m, encontre o valor da corrente de dreno que resulta em cada um dos trs casos (a), (b) e (c)
especificados no exerccio anterior. Despreze a dependncia de iD com vDS na saturao.
Resposta: (a) 75 A, (b) 100 A, (c) 100 A.
13. Um transistor NMOS tipo enriquecimento com Vt = 2 V conduz uma corrente iD = 1 mA quando
vGS = vDS = 3 V. Desprezando a dependncia de iD com vDS na saturao, encontre o valor de iD para
vGS = 4 V e vDS = 5 V. Calcule tambm o valor da resistncia dreno-fonte rDS para pequenos valores
de vDS e vGS = 4 V.
Resposta: 4 mA, 250 .
14. (Provo 2002) Para ser empregado como amplificador, o Transistor de Efeito de Campo (FET)
tipo enriquecimento, construdo com tecnologia MOS, deve operar na regio de saturao. O
circuito da figura apresenta um amplificador com MOSFET de canal N operando na regio de
saturao.
Calcule: (a) a corrente de dreno ID; (b) a tenso entre a porta e a fonte (VGS); (c) o valor mximo Rd
para que o transistor se mantenha operando na regio de saturao.
A
1 W
(VGS Vt )2
; W = 250m; L = 10m e I D = k 'n
Dados: Vt = 1V; k 'n = 40
V
2
L
+12V
+12V

4M

Rd = 5k

+
VGS
6M

ID

MOSFET
-

5k

Sergio Shimura outubro/2014