Dispositivos Eletrônicos de Potência

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA
ELECTRNICA DE POTNCIA
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA:

1. diodo
2. tiristor - (SCR) silicon controlled rectifier.
4. transistor bipolar - (TJB).
3. tiristor de corte comandado (GTO) - gate turn off thyristor.

B
D
E
5. transistor de efeito de campo de potncia (MOSFET).
G
C
6. IGBT - insulated gate bipolar transistor.
E
A
7. MCT - MOS controlled thyristor.
G
K
IST-DEEC
2003
Prof Beatriz Vieira Borges
G
S
DIODO
TIRISTOR
5000 V, 10000A
lentos: 5000V, 5000A, tq=100s

rpidos: 2000V, 200A, tq=20s
GTO
4500V, 1000A
9000V, 9000A (mdulos)
G
C
TRANSISTOR
BIPOLAR
MOSFET
DISPOSITIVOS
G
S
2000V, 2 a 10A
1000V, 100A
B
C
E
D
100V, 30A
1000V, 6A
IGBT
IST-DEEC
2003
G
E
3500V, 300A
Diodo
DISPOSITIVOS
Conduz se a tenso vAK se tornar positiva.
Esquema equivalente
do diodo em conduo
Bloqueia se a corrente IF se tornar negativa
Caracterstica
Caracterstica
real
real
Caracterstica
Caracterstica
ideal
ideal
IF
IST-DEEC
2003
Vj
Potncia dissipada:
PF=VFIF=VjIFav + RjIFef2
IF
VAK
Rj
Resistncia trmica do
dissipador:
VAK
Tjmax - Ta = Rth j-a PF
DISPOSITIVOS
Limites de operao:
VRRM
IFRMS
IFAV
IFRM
IFSM
I2t
tenso inversa mxima de pico repetitivo

mximo valor eficaz da corrente directa
mximo valor mdio da corrente directa
mximo valor de pico rep. da corrente directa
mximo valor de pico no rep. da
t
corrente directa
2
2
I
t
=
i
D dt
caracterstica de choque trmico
0
valor mdio da corrente directa

valor eficaz da corrente directa
IST-DEEC
2003
I F ( av )
1t
= iD dt
T0
I F ( RMS )
1t 2
= iD dt
T0
DISPOSITIVOS
Caracterstica dinmica
dinmica
Caracterstica
trr tempo de recuperao inversa;
intervalo de tempo entre a inverso da

corrente e a interseco da tangente no
incio da subida com o eixo t
i mx
t rr
t
Q rr
I RM
ta
IST-DEEC
2003
Qrr carga de recuperao inversa (C);
Carga elctrica removida da juno

durante a transio ON-OFF
ta tempo de armazenamento;
Intervalo desde que se inverte at

comear a subir exponencialmente
DISPOSITIVOS
Passagemconduo
conduo
Passagem
IF
vAK
Carga de capacidade
t
Potncia dissipada
t
Passagemao
aocorte
corte
Passagem
IF
Circuito de proteco para evitar
oscilaes:
Problemas quando a frequncia
aumenta
IST-DEEC
2003
vAK
t
com RC
DISPOSITIVOS
Classificao de
de dodos
dodos
Classificao
Schottky
Schottky
Von = 0.3
Vmx < 150V
IST-DEEC
2003
Recuperao
Recuperaorpida
rpida
(fast
(fastrecovery)
recovery)
trr baixo (<s)

Vmx < kV
Imx < kA
Rectificadores
Rectificadores
trr elevado
Vmx > kV
Imx > kA
DISPOSITIVOS
Schottky
Schottky
Mx. tenso de bloqueio
Mx. Corrente directa

valor mdio
Tenso de conduo
Corrente de fuga
no corte
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Recuperao
Recuperaorpida
rpida
Mx. tenso
de bloqueio
no corte
Corrente fuga
no corte
Tempo de
recuperao
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Rectificadores
Rectificadores
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Dodosem
emsrie
srie(repartir
(repartirtenses
tensesinversas)
inversas)
Dodos
Dodosem
emparalelo
paralelo(repartir
(repartircorrentes
correntesdirectas)
directas)
Dodos
Equalizao por
dispositivo
Seleco de dodos com
caractersticas muito
semelhantes
IST-DEEC
2003
Equalizao por
acomplamento magntico
S para correntes de kA; processo
caro e complexo; mais peso, mais
volume.
Equalizao por
resistncias
S para correntes mais baixas
DISPOSITIVOS
Tiristor
SCR
Semi-controlado
Semi-controlado
Controlo apenas na passagem a ON
Conduz se vAK for positivo e se existir um

impulso de corrente na gate, de curta
durao. Bloqueia se a corrente IF se anular.
+ VAK -
A
IAK
Caracterstica
Caracterstica
ideal
ideal
Caractersticareal
real
Caracterstica
ii G1>i >>iiG2 > iG3

G1
disparo
G2
G3
VRRM
IST-DEEC
2003
iG
Transio OFF-ON
IF
VAK
IF
bloqueio
vGK = VGKT > 0, iG = iGT > 0

durante um intervalo de tempo
mnimo
Transio ON-OFF
VAK
VDRM
V
DRM
inverso de tenso
IAK < IH (corrente de manuteno)
Limites de
operao:
VRRM -
tenso inversa mxima de pico repetitivo
VDRM -
tenso directa mxima de pico repetitivo com o tiristor no corte
ITRMS -
mximo valor eficaz da corrente directa
ITAV
mximo valor mdio da corrente directa
ITRM
mximo valor de pico rep. da corrente directa
ITSM
mximo valor de pico no rep. da corrente directa
I2t
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
caracterstica de choque trmico
(di/dt)max -
mxima taxa de crescimento da corrente directa
(dvAK/dt)max -
mxima taxa de crescimento da tenso nodo ctodo
IH -
corrente de manuteno (holding current) (1% ITAV)
IL -
corrente de lanamento (latching current) (> IH)
td -
tempo de passagem conduo 0,1s - 10s
tq -
tempo de passagem ao corte 1s - 110s

DISPOSITIVOS
Caractersticasde
deGATE
GATE
Caractersticas
IG
------ mximo
mximovalor
valorda
datenso
tensogategate-ctodo
ctodo
GM-----VVGM
------ mximo
mximovalor
valorda
dapotncia
potnciana
nagate
gate
GM-----PPGM
----- mximo
mximovalor
valorda
dapotncia
potnciamdia
mdiana
nagate
gate
PPGav-----
IGM
PGM=vGKIGK
Gav
------- mximo
mximovalor
valorda
dacorrente
correntede
degate
gate
IGM------IGM
vGM
vGK(MIN)
vGK
td - tempo de disparo (diminui com o aumento de energia fornecida gate)

o impulso de gate
Correntes de fuga:
I Tav
If 4
10
Reqoff
VRRM
If
Correntes de lanamento e manuteno:

IL
2%ITav
IH
VAK
IST-DEEC
2003
No disparo IT>IL
Na conduo IT>IH
DISPOSITIVOS
Caracterstica dinmica
+ VAK -
A
IAK
iA
G
iG
tqt tempo
de recuperao ou
q tempo de recuperao ou
tempo
tempode
depassagem
passagemao
aocorte
corte
trr
t
vAK
tq
Outras limitaes
dos tiristores
IST-DEEC
2003
necessrio assegurar uma tenso

negativa durante um tempo superior a tq
para que o tiristor corte; caso contrrio
conduz logo que polarizado directamente,
mesmo sem impulso de gate.
Taxa mxima de variao da corrente diA / dt
Taxa mxima de variao da tenso dvAK / dt
DISPOSITIVOS
entrada em conduo
td + tr tempo de passagem conduo

ATENO a:
Potncia dissipada
di/dt mximo
tr (depende do circuito
exterior)
iT
td
vAK
passagem ao corte
tr
tqtempo de passagem ao corte

iT
(depende da temperatura)
ATENO a:
Potncia dissipada
dvAK/dt mximo
1s<tq<110s
proteces
tq
t
RC snuber"
vAK
t
no deve ser aplicada tenso directa ao tiristor enquanto no decorrer tq,

caso contrrio o tiristor retoma a conduo.
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Proteces contra di/dt e dvAK/dt excessivos
Para proteger o
tiristor contra di/dt
utiliza-se uma bobine
em srie
di/dt
concentrao de corrente numa

rea muito pequena
dissipao de potncia elevada
que pode levar destruio do tiristor
(di/dt)mx - 200A/s
(di/dt)mx -2000A/s rpidos
lentos
L
v
v
iT
2
R
di
=
dt
iT
circuito de rectificao
sem
proteco contra di/dt
iT
R
iT
iG
IST-DEEC
2003
iG
circuito de rectificao
com
proteco contra di/dt
DISPOSITIVOS
Dimensionamento da bobine de proteco:
v = Ri + L
v=L
di
dt
di
dt
i (t = 0) = 0
em t = 0
v
L>
di

dt max
di v di
= <
dt L dt max
Exemplo:
2220
L>
= 156
. H
200
di
= 200 A / s

dt max
v(max) --- = 90
(existncia da bobine)
v = 2220
L=2H
(no afecta as caractersticas do

circuito)
(L=.6m para f=50Hz e R=10)
R=10
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
as cargas elctricas armazenadas
dvAK/dt
/dt
dv
AK
surgequando
quandose
seestabelece
estabelece
surge
circuito
oocircuito
nacomutao
comutaode
decargas
cargasindutivas
indutivas
na
napassagem
passagemao
aocorte
corteou
ou
na
conduode
deoutro
outrotiristor
tiristor
conduo
na regio espacial de um tiristor bloqueado

equivalem a uma capacidade C
se dvAK/dt excessivo a corrente i = CdvAK/dt
pode ser suficiente para lanar o dispositivo
na conduo, intempestivamente
Para proteger o tiristor contra dvAK/dt utiliza-se uma malha capacitiva

RC em paralelo com o tiristor
RS
Rectificador com proteces

contra dvAK/dt e di/dt
v
IST-DEEC
2003
CS
iT
DISPOSITIVOS
Esquema equivalente com o tiristor no corte sem proteco contra dvAK/dt.

RAK
v
di
v = R AK i + L
dt
vAK
RAK>>>R
R=10
di v
=
dt L
VAK = RAKi
dv AK
di
= R AK
dt
dt
RAK=50K
dv AK
Vmax
= R AK
dt
L
Se dvAK/dt = 300V/s
e di/dt = 200A/s
IST-DEEC
2003
L=
50 x 220 x 2
x10 3 = 52mH
300
valor muito elevado

L=16 f=50Hz R=10
DISPOSITIVOS
Dimensionamento da malha capacitiva:

Esquema equivalente com o tiristor no corte com proteco contra dvAK/dt.
L
RS
CS
RAK
vAK
R=10
dv AK
V
= R AK max
L
dt
L=
A resistncia total medida aos terminais do tiristor

fica diminuida quando se pe, em paralelo, a
resistncia Rs. Assim para RS<<<RAK tem-se:
dv AK
V
= RS max
L
dt
50 x 220 x 2
x106 = 52 H
300
RS vmax
L>
dv AK
dt max
valor aceitvel
podebaixar
baixarmas
masficar
ficarlimitado
limitadopelo
pelovalor
valorda
dacorrente
correnteque
quepercorre
percorreoocircuito
circuitocom
comootransistor
transistor
RRSSpode
=0,1Fvalor
valortpico
tpicoCCS>>>
>>>Coff=1nF
Coff=1nF
bloqueado.CCS=0,1F
bloqueado.
S
S
=32K f=50Hz
f=50Hz
correnteque
queprecorre
precorreootiristor
tiristorno
nocorte
corteaproximadamente
aproximadamente10mA
10mA
AAcorrente
ZZCC=32K
=1/C
ZZC=1/C
C
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Supresso de transitrios
curva
curva
caracterstica
caracterstica
deum
umvaristor
varistor
de
I
1KA
-VS
VS
VDRM
Proteco contra sobre-intensidades

FUS
Fusveis rpidos ou ultra rpidos

i) Vmax FUS > Vmax
ii) I2t FUS > I2t tiristor
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Circuitos de disparo de tiristores drives
1 - Isolamento galvnico com transformador de impulso:

1:1
VCC
RC
Sinal de disparo
1nF
BUFFER
RB
Oscilador autnomo
Inibio
2 - Isolamento galvnico com ligao ptica:

Alimentao
e Lgica
Foto tiristores
Foto acopulador
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Classificao de Tiristores
Tiristores Lentos
(Controlo de fase)
Tiristores rpidos
(Inversores)
Foto-Tiristores
(HVDC)
Imx: 4 kA
Vmx: 5-7 kV
Von: 1,5V (@1kV); 3V (@5-7kV)
tq baixos, 1-100 s Freqs: 1 -2 kHz

Vmx: 2,5 kV, Imx: 1,5 kA
Von mais baixos
disparados
por impulso
luminoso
(fibra ptica)
LTT Ligth triggered T

LASCR Ligth Activated T
IST-DEEC
2003
potncia no disparo: mW
Vmx: 8 kV, Imx: 3,5 kA
Von: 2-3 V @3,5 kA
Aplicaes
Aplicaes rede
rede
1,
1, 3,
3, 50-60
50-60 Hz
Hz
Inversorescom
Inversorescom
circuitos
circuitos de
de
comutao
comutao forada
forada
HVDC
HVDC
DISPOSITIVOS
Outros Tiristores
(Electrnica Geral)
TRIAC,
TRIAC, DIAC,
DIAC, QUADRAC
QUADRAC
GATT
GATT
Gate-assisted turn-off Tiristor
(1200V, 300A)
(T de corte assistido pela gate)
carga
4,7k
230V
50Hz
470k
47
68n
10
GTO
GTO
Gate-turn-off Tiristor
IST-DEEC
2003
QUADRAC
GTO
DISPOSITIVOS
IA
Gate-Turn-Off Tiristor
G
+
VGC
VRWM
VAK
Principais campos de aplicao:

aplicao
comboios
de alta velocidade
transporte HVDC*
Von
Vmx
Imx
2-3 V
9 kV
3 kA
tq
10-25 s < 10 kHz
* transporte de energia elctrica em cc a muito alta tenso

IST-DEEC
2003
fc
DISPOSITIVOS
OFF- ON semelhante ao tiristor convencional (1<VGT<2 V; IGT) mas a corrente de gate

tem que se manter durante toda a conduo
ON-OFF
iG < 0A
Aplicao de uma tenso negativa VGC
diG/dt ~ 30-100 A/s

cerca de 30% de IA
-20V < VGC < -7V
A
I
G
+
VGC
IST-DEEC
2003
exemplo
Durao de alguns s superiores a tq

iG = 200A
@ 1000 A,
10 s
Potncia de
Controlo !!!
Circuitos de drive
Complexos e caros!!!
K
DISPOSITIVOS
mximo de 1-2 kV/s
Outro
Outro problema
problema
dos
dos GTOs
GTOs
Muito sensvel a dvAK/dt elevados

especialmente de OFF-ON
Circuitos
de proteco
Problemtico para
circuitos indutivos
A
I
soluo
soluo
IST-DEEC
2003
G
+
VGC
DISPOSITIVOS
Transistor
de juno
bipolar
IC
IB3
IB2
TJB
IB1
VCEsat
baixos hFE 5 < hFE < 10

considervel tempo de atraso na passagem ao corte
dcimas s < tempos de comutao < alguns s
1400 V, centenas de A
coeficiente negativo de T (embalamento trmico)
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Solues para hFE maior

monolithic
Darlington
Darlington
triplo
E
E
desvantagens
IST-DEEC
2003
maior VCEsat
menos rpidos a comutar
Transistor de
efeito de campo de
potncia
DISPOSITIVOS
ID
VGS3
VGS2
MOSFET
VGS1
VDS
dissipaona
naconduo
conduodependente
dependentede
deRRON
dissipao
ON
competitivoscom
comTJB
TJBpara
para<<300/400V
300/400Vee>100kHz
>100kHz
competitivos
dezenasns
ns<<tempos
temposde
decomutao
comutao<<dcimas
dcimass
s
dezenas
1000V,
V,<<100
100AA
1000
controlomenos
menoscomplexo
complexo
controlo
coeficientepositivo
positivode
deTT(auto
(autoproteco)
proteco)
coeficiente
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
limites de operao:
VDS VDG ID VGS PD -
Mxima tenso Dreno Fonte

Mxima tenso Dreno Gate
Mxima corrente de Dreno
Mxima tenso gateFonte
Potncia Mxima dissipada
Pcond=rDS(on)IDef2
rDS(on) - Resistncia em conduo (limita a escolha do FET)
Tempos de conduo da ordem dos 50 a 300ns

Circuitos de proteco:
Sendo os tempos de comutao muito baixos h necessidade de proteger o MOSFET contra
sobretenses na comutao. Durante a comutao o dispositivo requer correntes elevadas na gate
(carga descarga de capacidade)
VDS
sem proteco
ID
t
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
proteco com snubber
proteco com zenner
VDS
VDS
ID
ID
t
diodo de substracto (diodo parasita) pode ser utilizado como diodo de roda livre (diodo lento)
circuitos de disparo:
Acopulador ptico
Alimentao
e Lgica
Transfomador de impulsos
G
G
S
V
V
Foto acopulador
IST-DEEC
2003
Transistor de
gate isolada
IGBT
DISPOSITIVOS
IC
G
VGS2
VGS1
E
VCE
Insulated Gate Bipolar Transistor
gateisolada
isoladacomo
comono
noMOSFET
MOSFET
gate
baixosmesmo
mesmoem
emdispositivos
dispositivosde
deHV
HV(2-3V
(2-3VIGBT
IGBTde
de1000V)
1000V)
VVononbaixos
temposde
decomutao
comutao>>s
s
tempos
kV,1200
1200AA
33kV,
IST-DEEC
2003
Comparao dos
Dispositivos
semicondutores
DISPOSITIVOS
(Mitsubishi)
semicondutor
TBJ / MD
MOSFET
GTO
IGBT
Tiristor
IST-DEEC
2003
Capacidade em
potncia
mdia
baixa
alta
mdia
alta
Velocidade
comutao
mdia
alta
baixa
mdia
baixa
DISPOSITIVOS
Critrios de escolha de semicondutores de potncia

potnciado
dodispositivo
dispositivo(correntes
(correnteseetenses
tensesmximas
mximasno
nocircuito)
circuito)
potncia
frequnciade
decomutao
comutao(tempos
(temposde
decomutao)
comutao)
frequncia
perdasde
deconduo
conduo(tenses
(tensesde
deconduo
conduoou
ouresistncia
resistnciade
de
perdas
conduo)
conduo)
complexidadeeepotncia
potnciados
doscircuitos
circuitosde
dedrive
drive
complexidade
custodo
dosemicondutor
semicondutor
custo
IST-DEEC
2003
DISPOSITIVOS
Semicondutores em comutao
IDEAL
Perdas nulas na conduo (v=0 quando fechado)
corrente nula ao corte (i=0 quando aberto)
tempos de comutao nulos (abertura e corte instantneos)
potncia de controlo nula
I0
+ vT ideal
iT
Vd
IST-DEEC
2003
REAL
tc(on) = tri + tfv
Perdas na conduo
PPonon == V
Vonon II00 ttonon // TTCC
DISPOSITIVOS
tc(off) = trv + tfi
Perdas na comutao
PPcc ==
+ t c(off)))
V
Vdd II00 ffcc (t(tc(on)
c(on) + tc(off)
Perdas totais
PT = Pon + Pc
IST-DEEC
2003

Dispositivos Eletrônicos de Potência

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DISPOSITIVOS

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA:

2. tiristor - (SCR) silicon controlled rectifier.

4. transistor bipolar - (TJB).

3. tiristor de corte comandado (GTO) - gate turn off thyristor.

5. transistor de efeito de campo de potncia (MOSFET).

6. IGBT - insulated gate bipolar transistor.

7. MCT - MOS controlled thyristor.

Prof Beatriz Vieira Borges

lentos: 5000V, 5000A, tq=100s

Conduz se a tenso vAK se tornar positiva.

Bloqueia se a corrente IF se tornar negativa

Prof Beatriz Vieira Borges

Tjmax - Ta = Rth j-a PF

tenso inversa mxima de pico repetitivo

valor mdio da corrente directa

Prof Beatriz Vieira Borges

intervalo de tempo entre a inverso da

Qrr carga de recuperao inversa (C);

Carga elctrica removida da juno

Intervalo desde que se inverte at

Prof Beatriz Vieira Borges

Prof Beatriz Vieira Borges

trr baixo (<s)

Mx. tenso de bloqueio

Mx. Corrente directa

Prof Beatriz Vieira Borges

Prof Beatriz Vieira Borges

Prof Beatriz Vieira Borges

Prof Beatriz Vieira Borges

Controlo apenas na passagem a ON

Conduz se vAK for positivo e se existir um

ii G1>i >>iiG2 > iG3

vGK = VGKT > 0, iG = iGT > 0

Prof Beatriz Vieira Borges

tenso inversa mxima de pico repetitivo

tenso directa mxima de pico repetitivo com o tiristor no corte

mximo valor eficaz da corrente directa

mximo valor mdio da corrente directa

mximo valor de pico rep. da corrente directa

mximo valor de pico no rep. da corrente directa

caracterstica de choque trmico

mxima taxa de crescimento da corrente directa

mxima taxa de crescimento da tenso nodo ctodo

corrente de manuteno (holding current) (1% ITAV)

corrente de lanamento (latching current) (> IH)

tempo de passagem conduo 0,1s - 10s

tempo de passagem ao corte 1s - 110s

td - tempo de disparo (diminui com o aumento de energia fornecida gate)

Correntes de lanamento e manuteno:

Prof Beatriz Vieira Borges

necessrio assegurar uma tenso

Prof Beatriz Vieira Borges

td + tr tempo de passagem conduo

tqtempo de passagem ao corte

no deve ser aplicada tenso directa ao tiristor enquanto no decorrer tq,

Prof Beatriz Vieira Borges

Proteces contra di/dt e dvAK/dt excessivos

concentrao de corrente numa

(di/dt)mx -2000A/s rpidos

Prof Beatriz Vieira Borges

(no afecta as caractersticas do

Prof Beatriz Vieira Borges