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DIMENSIONAMENTO E AVALIAO DE ESTGIOS DE POTNCIA DE

AMPLIFICADORES DE UDIO CLASSES A, B, AB, G E H,
ASSISTIDO POR ANLISE COMPUTACIONAL
Rosalfonso Bortoni
1,2
, Sidnei Noceti Filho
1
e Rui Seara
1
1 LINSE: Circuitos e Processamento de Sinais
Universidade Federal de Santa Catarina
www.linse.ufsc.br
2 STUDIO R Eletrnica Ltda.
www.studior.com.br
Sumrio - Este artigo apresenta um procedimento de
anlise, dimensionamento e avaliao de estgios de
potncia de amplificadores de udio operando nas
Classes A, B, AB, G e H com cargas reativas. Esse
estudo considera um sinal de excitao senoidal e
tecnologias BJT, IGBT e MOSFET. So utilizados
modelos eletro-mecano-acsticos de alto-falantes e
caixas acsticas cujos parmetros so obtidos pelo
modelo Thiele-Small [3], e um modelo eletro-trmico
equivalente do sistema transistor-dissipador-
ambiente associado s potncias mdia e instantnea
dissipadas.
1. INTRODUO
Com o surgimento da vlvula triodo (1906), a
msica pde ser transmitida pela primeira vez via
rdio freqncia (1907). A partir de 1915 comearam
a surgir os primeiros sistemas de amplificao de voz
e, posteriormente, msica para grandes pblicos [1].
Surgiu, ento, o amplificador de udio.
Desde ento, a necessidade de potentes sistemas de
reprodues de voz e de msica tem levado ao estudo
de novas tcnicas de sonorizao e de concepo de
novas estruturas de amplificadores de udio. Devido
grande quantidade de caixas acsticas [2], de sua
baixa eficincia [3], e da grande quantidade de
potncia eltrica requerida, tem sido procurado obter,
cada vez mais, para os amplificadores de potncia,
maior rendimento, dentre outras melhorias. Desde
ento, tm surgido diversas classes de operaes.
As classes de operaes so caracterizadas pelo
ponto de operao e/ou modo de operao do estgio
de sada do circuito amplificador de potncia. Neste
trabalho sero abordadas as Classes A, B, AB, G e H.
Na literatura encontram-se outras classes de
operaes, como as Classes C, D, E, F, I e S [4,6,7,8].
As classes A, B, AB, G e H sero analisadas e
tratadas sob as mesmas consideraes de operao,
utilizando-se cargas resistivas e reativas (esta ltima,
representando as estruturas de alto-falantes e caixas
acsticas usualmente empregadas); nesse caso so
utilizados os modelos eletro-mecano-acsticos
apresentados em [3].
O objetivo deste trabalho fornecer os parmetros
de anlise do funcionamento do estgio de sada, no
que se refere s correntes envolvidas, s tenses do
estgio, s potncias e ao desempenho trmico da
etapa sob diversas situaes e condies de operao.
Todos esses parmetros so obtidos, considerando-se
um sinal de excitao senoidal, de forma genrica,
independentemente da tecnologia do transistor
empregada (BJT, IGBT ou MOSFET).
At ento, a quase totalidade de estudos realizados
so dedicados a classes de operaes distintas, sob
condies bastante especficas. Para se ter uma viso
mais abrangente do estado-da-arte de amplificadores
de udio vamos, agora, fazer uma breve reviso
bibliogrfica destas estruturas amplificadoras.
Os amplificadores Classe A so os de menor
rendimento, porm so os que apresentam menor
distoro; no entanto, so discutidos apenas para fins
de comparao [1,5,6,7,8].
De um modo geral, a maioria das anlises so
desenvolvidas para cargas resistivas [5,6,7,8,9,11,12,
13,14,15], e quando cargas reativas so consideradas a
classe de operao utilizada fica, quase sempre,
restrita Classe B (ou Classe AB, considerando-se
pequena corrente de polarizao) [16,17,18,19]. Isto
se deve por este tipo de classe apresentar um
equacionamento mais simples (neste caso utilizado
cargas com o mdulo da impedncia constante,
variando-se apenas a fase). Em alguns casos so
tambm considerados modelos comerciais de caixas
acsticas [20,21,22].
As Classes G e H operam com diferentes tenses de
alimentaes no estgio de potncia. Elas foram
equacionadas e comumente descritas e analisadas
apenas para dois estgios [9,11,12,13,23,24]; no foi
encontrado na literatura expresses para as Classes G
e H com mais de dois estgios; algumas citaes so
mencionadas para trs e quatro estgios [1,9,10]. Alm
disso, todas as anlises so feitas para tecnologias de
transistores distintas (BJT ou MOSFET) e o
dimensionamento nessas etapas superficialmente
abordado [10].
Em face pouca ou insuficiente quantidade de
informaes e/ou falta de generalizao dos
tratamentos matemticos encontrados na literatura,
relativos aos estgios de potncia, prope-se neste
trabalho:
! uma anlise unificada das Classes A, B, AB, G
e H, tanto para cargas resistivas quanto para cargas
reativas;
! uma expresso genrica para as Classes G e H
III AES Brasil Julho de 1999
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
2
de mltiplos estgios;
! uma generalizao da expresso do rendimento
para as Classes A, B, AB, G e H;
! um equacionamento para as diferentes classes
levando em conta as tecnologias BJT, IGBT e
MOSFET;
! uma metodologia para o dimensionamento da
etapa de potncia a partir das potncias mdia e
instantnea dissipadas, e do modelo eletro-trmico do
sistema transistor-dissipador-ambiente, considerando-
se carga reativa.
2. CARGA RESISTIVA
2.1 Classes A, B e AB.
A Fig. 1 mostra o diagrama de uma etapa de sada
(estgio complementar), a qual constitui a clula
bsica de amplificadores Classes A, B e AB.
Fig. 1 Etapa de sada de amplificadores
Classes A, B e AB.
Para essas classes, a potncia mdia total fornecida
pelas duas fontes (
1 CC
V e
2 CC
V ) de alimentao
C CC S S S
I V P P P +
+
2 , uma vez que as potncias
mdias fornecidas por cada uma das fontes de
alimentao
+ S
P e
S
P so iguais. Para a Classe A,
C
I a corrente quiescente
Q
I no transistor
1
Q . Para a
Classe B,
C
I a corrente mdia,
S
I , em
1
Q , que
conduz apenas um semi-ciclo por perodo, e, para a
Classe AB,
C
I a corrente mdia ) (
Q S
I , funo da
corrente de polarizao,
Q
I , e da corrente fornecida
carga,
L
i (ver Fig. 3). Nas trs classes, tem-se que
CEsat L CC
V V V +
max
.
A Fig. 2 mostra as correntes de coletor e a corrente
na carga de um estgio de sada Classe A. Nesta
figura,
man
I , definida como corrente de manuteno,
a corrente necessria para garantir que o transistor
opere na regio ativa direta para as condies
extremas de excurso do sinal. Nesse caso tem-se que
,
2
max
man
L
Q
I
I
I + (1)
ento,
( ) .
2
2
max
max

,
_

+ +
man
L
CEsat L S
I
I
V V P (2)
Fig. 2 - Correntes nos coletores dos transistores
1
Q e
2
Q e na carga.
A potncia mdia na carga,
L
P , dada por
( )
L L L
R V P 2 /
2
, sendo
L
V a tenso de pico na carga.
Definindo-se o fator como
max
/
L man
I I e
considerando que
L L L
R V I /
max max
, pode-se obter o
rendimento
S L
P P / , por:
.
2 1
1
) / ( 1
1
2
1
max
2
max
+

,
_

L CEsat L
L
V V V
V
(3)
A equao (3) nos mostra que o rendimento terico
mximo para operao em Classe A 50%, isto
considerando 0
CEsat
V , 0
man
I e
max L L
V V . Esta
equao vlida tambm para dispositivos IGBT.
Pode ser mostrado que no caso de dispositivos
MOSFET, a razo
max L CEsat
V V em (3) agora dada
por
L DSon
R R / , onde
DSon
R a resistncia de conduo
entre dreno e a fonte do MOSFET [15]. Assim,
.
2 1
1
) / ( 1
1
2
1
2
max
+

,
_

L DSon L
L
R R V
V
(4)
No caso de Classe B, deve-se considerar 0
BIAS
V .
Como /
L S
I I e
L L L
R / V I , pode-se mostrar que:
. 1 2
max
max

,
_

+
L
L
CEsat
L S
I
V
V
V P
(5)
Sabendo-se que
S L
P / P , obtm-se:
.
) / ( 1
1
4
max max L CEsat L
L
V V V
V
+

(6)
A equao (6) nos mostra que o rendimento terico
mximo para operao em Classe B 78,5%, isto
considerando 0
CEsat
V e
max L L
V V . De forma anloga
ao que foi obtido para os amplificadores Classe A,
para dispositivos MOSFET, obtm-se:
.
) / ( 1
1
4
max L DSon L
L
R R V
V
+

(7)
No caso de Classe AB, deve-se considerar
BIAS
V
maior do que zero, porm menor do que a necessria
tenso para operao em Classe A (Fig. 1). Na Fig. 3,
esto representadas as correntes de polarizao,
Q
I , e
a fornecida carga,
L
i , e as correntes nos coletores,
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Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
3
1 C
i e
2 C
i , funo do ngulo . Baseando-se nesta
figura, pode-se mostrar que a corrente mdia ) (
Q S
I
dada por:
, cos
2
) (
Q
L
Q Q Q S
I
I I

(8)
Fig. 3 - Correntes nos coletores dos transistores
e na carga.
onde 2
max L Q
I I < e
Q
o ngulo de transio entre
a operao em Classe A e Classe AB. Esse ngulo
pode ser expresso em funo dos parmetros de
projeto como mostrado a seguir. Com base na Fig.
3, pode-se obter
Q L Q
I I sen ) 2 / (
max
ou,
alternativamente, ) / 2 ( sen
max
1
L Q Q
I I

, e, atravs de
(8), determinar uma expresso para ) (
Q S
I em funo
apenas de
Q
e
L
I . Assim,
. cos sen ) (
max
Q
L
Q Q
L
Q S
I I
I

(9)
Para 0
Q
,
L Q S
I I ) ( , opera-se em Classe B.
Para 2
Q
, 2 ) (
max L Q S
I I , opera-se em Classe
A (com 0
man
I ). Caso 2 / 0 < <
Q
, tem-se a
polarizao Classe AB [5]. Assim, pode-se mostrar
que:
( ), cos sen 1
2
max
max
max
Q L Q Q L
L
CEsat
L
L
S
V V
V
V
R
V
P +

,
_

(10)
e o rendimento (
S L
P / P ):
.
cos sen 1
1
4
max
max
max
max
Q
L
L
Q Q
L
L
L
CEsat
L
L
V
V
V
V
V
V
V
V
+

(11)
Para dispositivos MOSFET, obtm-se:
.
cos sen 1
1
4
max
max
max
Q
L
L
Q Q
L
L
L
DSon
L
L
V
V
V
V
R
R
V
V
+

(12)
A Fig. 4 mostra, para 0
CEsat
V , o rendimento em
funo da potncia de sada, parametrizada pelo o
fator , dado por
max
/ 2
L Q
I I . Com isso, obtm-se
a transio entre a Classe B ( 0
Q
I ) e a Classe A
( 2 /
max L Q
I I ), para 0
man
I .
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
PL/PLmax
R
e
n
d
i
m
e
n
t
o

-

%
=0,00
(Classe B)
=0,10
=0,30
=0,50
=1,00
(Classe A)
Fig. 4 - Rendimentos dos amplificadores Classe AB.
2.2 Classes G e H de mltiplos estgios
As definies para as Classes G e H adotadas neste
trabalho esto de acordo com as encontradas nas
referncias [1,10,13,23,24].
Na Fig. 5, so mostradas as estruturas bsicas dos
estgios de sada dos amplificadores de potncia
Classe G (Fig. 5a) [13,23] e Classe H (Fig. 5b,c)
[1,10,24] de mltiplos estgios. Nessas estruturas, as
etapas de sada podem ser polarizadas em Classe A, B
ou AB. Neste trabalho, considera-se, inicialmente,
polarizao Classe B; posteriormente, faz-se as
consideraes para as polarizaes Classes A e AB.
Analisando o circuito da Fig. 5a, pode-se escrever
(desconsiderando as perdas nos diodos):
SN CCN S CC S CC S
I V I V I V P + + + 2 ... 2 2
2 2 1 1
(13)
onde
Si
I ( N i ,..., 1 ) so as correntes mdias
fornecidas pelas fontes
CCi
V . Na Fig. 6,
Ti

( N i ,..., 1 ) o ngulo de transio correspondente

entrada em operao do i-simo estgio e
. ,..., 1 ,
max
N i V i V V
CEsat L i CCi
+ (14)
Substituindo (14) em (13), obtm-se:
[ ] . ) ( 2
1
max

+
N
i
Si CEsat L i S
I V i V P (15)
Isolando
i
em (14) e considerando que 1
N
,
obtm-se:
.
CEsat CCN
CEsat CCi
i
V N V
V i V


(16)
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Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
4
(a)
(b)
(c)
Fig. 5 - Estgio de sada de amplificadores de
mltiplos estgios: (a) Classe G e (b,c) Classe H.
Fig. 6 ngulos de transio.
Com base na Fig. 6, pode-se escrever:
2
e 0
2 1,
1
0 , sen
0
max
1
1
max 1
) 1 (

'

<

,
_

TN T
N
0
i
L
L
i
i
L
L
i T
N , ... , i
V
V
V
V
(17)
A corrente
Si
I dada por:
. 1 , sen
) (
) 1 (
,...N i d
I
I
i T
i T
L
Si

(18)
Resolvendo (18) e substituindo em (15), resulta em:
,
2
1

N
i
i
L
L
S
A
R
V
P (19)
onde
) 1 ( max 1
cos ) (

+
i T CEsat L i i i
V V A .
Substituindo (19) em
S L
P / P , obtm-se o
rendimento do amplificador Classe G com N estgios:

N
i
i
L
L
B
V
V
1
max
1
4 (20)
onde
) 1 ( max 1
cos ) (

+
i T CEsat L i i i
V V B .
Para dispositivos MOSFET, possvel mostrar que
o rendimento dado por:

N
i
i
L
L
C
V
V
1
max
1
4 (21)
onde
) 1 ( 1
cos ) (

+
i T L DSon i i i
R R C .
Analisando os circuitos da Fig. 5b,c, pode-se
escrever (desconsiderando as perdas nos diodos e nas
chaves SW):
SN CCN S CC S CC S
I V I V I V P + + + 2 ... 2 2
2 2 1 1
(22)
e
.
max CEsat L i CCi
V V V +
(23)
Substituindo (23) em (22), obtm-se:
[ ] . ) ( 2
1
max

+
N
i
Si CEsat L i S
I V V P (24)
Comparando as equaes (24) e (15), nota-se que a
diferena entre elas o fator i

que multiplica
CEsat
V .
Esse fator no aparece em (24) porque os transistores
esto associados em uma configurao diferente.
Considerando-se os mesmos parmetros de projeto
do item anterior, pode-se escrever as seguintes
expresses para o rendimento da etapa empregando
dispositivos BJT (ou IGBT):

N
i
i
L
CEsat L
L
D
V
V V
V
1 max
max
1
4
(25)
III AES Brasil Julho de 1999
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
5
onde
) 1 ( 1
cos ) (


i T i i i
D e, para dispositivos
MOSFET:

N
i
i
L
DSon L
L
E
R
R V
V
1
max
1
4 (26)
onde
) 1 ( 1
cos ) (


i T i i i
E .
Para 0
CEsat
V , as equaes (25) e (26) tornam-se
idnticas s (20) e (21), respectivamente.
A Fig. 7 apresenta os rendimentos das Classes G e
H para diferentes valores de N, considerando
polarizao Classe B.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
P
L
/P
L
max
R
e
n
d
i
m
e
n
t
o

-

%
N=100
N=10
N=4
N=2
N=1
Fig. 7 - Classes G e H para mltiplos estgios,
com 0
CEsat
V e polarizao Classe B.
Consideremos, agora, um caso prtico em que
0
CEsat
V . As Figs. 8a,b apresentam, respectivamente,
os rendimentos das Classes G e H para
025 , 0 /
max

L CEsat
V V e N=4; 015 , 0 /
max

L CEsat
V V e N=6.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
PL/PLmax
R
e
n
d
i
m
e
n
t
o

-

%
H - max = 88.87%
G - max = 84%
VCEsat/VLmax=0,025
N=4
1=0,5
2=0,707
3=0,866
(a)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
PL/PLmax
R
e
n
d
i
m
e
n
t
o

-

%
H - max = 92.17%
G - max = 86.9%
VCEsat/VLmax=0,015
N=6
1=0,408
2=0,577
3=0,707
4=0,817
5=0,913
(b)
Fig. 8 - Exemplos de rendimentos das Classes G e H:
(a) N=4 e (b) N=6.
2.3 Comparao entre os rendimentos
A Fig. 9 mostra uma comparao entre os
rendimentos das diversas classes estudadas. Para essa
comparao, foram adotados os seguintes valores dos
parmetros: 03 , 0 /
max

L CEsat
V V (para todas as
classes), 10 , 0 (Classes A), 02 , 0 (Classe AB),
55 , 0 (Classes G e H de 2 estgios, polarizao
Classe B). O menor rendimento foi obtido para a
configurao Classe A, com um rendimento mximo
de 40,6%. O maior foi para a configurao Classe H
cujo valor mximo foi de 82,2%. Os rendimentos
mximos obtidos para as configuraes Classes B e
AB so aproximadamente 76,2% e 76,1%,
respectivamente. A pequena diferena observada entre
as curvas atribuda pequena corrente de
polarizao do estgio Classe AB. Como esperado, os
rendimentos das Classes G e H so idnticos at o
ponto de transio. A partir desse ponto, ocorre uma
diferena causada pelas topologias particulares. O
rendimento mximo para a configurao Classe G foi
de 80,1%.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
PL/PLmax
R
e
n
d
i
m
e
n
t
o

-

%
H
G
B
AB
A
Fig. 9 - Comparao entre o rendimentos das
Classes A, B, AB, G e H.
2.4 Sntese
Uma expresso unificada para os rendimentos das
Classes A, B, AB, G e H pode ser obtida comparando-
se as equaes (3), (6), (11), (20) e (25). Assim, pode-
se escrever:
) ( ) ( ) (
4
max

Z N Y X
V
V
Q
L
L
(27)
onde,
,
cos sen
) (
max
max
Q
L
L
Q Q
L
L
Q
V
V
V
V
X
+

(28)
( )

1
1
]
1

,
_

+ +

N
i
i T
L
CEsat
i i
L
CEsat
V
V
k
V
V
k
N Y
1
) 1 (
max
1
max
cos 1
1
) (
(29)
e
.
2 1
1
) (
+
Z
(30)
O termo ) (
Q
X determina a classe de operao em
III AES Brasil Julho de 1999
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
6
funo da polarizao: Classes A, B e AB; o termo
) (N Y determina a classe de operao em funo do
modo de operao: Classes G ( 1 k ) e H ( 0 k ); o
termo ) ( Z funo de para a polarizao Classe A
e igual a 1 para as demais classes.
Atravs de (27) obtm-se diretamente as Classes G
e H com polarizao Classe A ( 2
Q
e 0 ) ou
AB ( 2 0 < <
Q
).
As equaes (27), (28) e (30) so vlidas para
dispositivos BJT, IGBT e MOSFET sendo que a
equao (29) vlida somente para dispositivos BJT e
IGBT; substituindo o termo
max L CEsat
V V por
L DSon
R R , tem-se a equao (29) vlida tambm para
dispositivos MOSFET.
3. CARGA REATIVA
3.1 Potncia mdia na carga
Na prtica, de maneira diferente de como
considerado na maioria dos estudos, os amplificadores
de udio-freqncia so carregados com alto-falantes
ou caixas acsticas de uma (alto-falante + gabinete
acstico) ou mais vias (alto-falantes + gabinete
acstico + divisor passivo de freqncias). Alto-
falantes e caixas acsticas tm uma impedncia
complexa [3] e, portanto, dependem da freqncia.
Assim, a potncia na carga da forma:
) ( cos
) ( 2
) (
2



L
L
L
Z
V
P (31)
onde ) (
L
Z e ) ( so, respectivamente, a magnitude
e a fase da impedncia de carga. Veja exemplo na Fig.
10 (Apndice B).
Magnitude
o
h
m
s
g
r
a
u
s
Fase
Freqncia - Hz
Fig. 10 Magnitude e fase da impedncia de carga
(caixa band-pass de 6
a
ordem).
Na anlise que segue, estudado o efeito de ) (
L
Z
no comportamento das classes em questo. Assim,
) (

L
L
L
Z
V
I (32)
e
min
max
max
) (

L
L
L
Z
V
I
(33)
onde
L
I a corrente de pico na carga, e
max L
V e
max L
I
so os mximos valores de
L
V e
L
I , respectivamente.
A Fig. 11 mostra a potncia na carga reativa, cuja
impedncia mostrada na Fig. 10, considerando um
amplificador que capaz de fornecer 100 watts em
uma carga de 8.
P
L
(

)
Hz P
L
Fig. 11 Potncia na carga reativa (Fig. 10).
3.2 Rendimento
Refazendo as anlises descritas na Seo 2, agora
considerando as Eqs. (31), (32) e (33), obtm-se a
expresso do rendimento ) ( (considerando cargas
reativas), para as Classes A, B, AB, G e H, usando
dispositivos BJT e IGBT. Para MOSFET, basta
substituir a razo
max L CEsat
V V por
min
) (
L DSon
Z R .
) ( cos ) ( ) ( ) ( ) (
4
) (
max

R Z N Y X
V
V
Q
L
L
(34)
onde,
) (
) (
) (
min

L
L
Z
Z
R
(35)
O termo ) ( R funo de ) (
L
Z para a
polarizao Classe A e igual a 1 para as demais
classes; os demais termos so definidos no item 2.4.
3.3 Potncia mdia dissipada
A potncia mdia dissipada, ) (
D
P , pode ser
determinada a parir da potncia mdia na carga
( ) (
L
P ) e do rendimento ( ) ( ), atravs da seguinte
expresso:

,
_

1
) (
1
) ( ) (
L D
P P
(39)
Substituindo as expresses dos rendimentos em
(39), juntamente com (31), calcula-se as potncias
mdias dissipadas para cada uma das classes em
questo.
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Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
7
3.4 Potncia instantnea dissipada
A potncia instantnea dissipada em um dos braos
da etapa push-pull, ) (t P
d
, pode ser determinada
atravs do produto da corrente instantnea, ) (t i , pela
tenso instantnea, ) (t v (ambas no mesmo brao).
Assim,
) ( ) ( ) ( t v t i t P
d
(40)
onde

'

<

0 ) ( , 0
0 ) ( ,
) (
) (
) (
max
t i
t i F
Z
V
t i
t i
L
L
(41)
para operao nas Classes A, B, AB, G e H, sendo
( )
Q Q
Q
t t a F + +

cos ) sen( ) sen( 2 1 sen ,

1 a quando polarizado em Classe A e 0 a quando
polarizado em Classe B ou AB, e
( )
1
]
1

+ + ) ( sen ) (
max
max
t
V
V
b V t v
L
CEsat
i L (42)
sendo 1 b e 1
i
, para Classes A, B e AB; 1 b e
1

i
para ( ) 0 ) ( sen + t e i b para
( )
i i
t + <

) ( sen
1
, para Classe G; 1 b para
( )
i i
t + <

) ( sen
1
, para Classe H (Fig. 5b);
1 b e
1

i
para ( ) 0 ) ( sen + t e 1 b para
( )
i i
t + <

) ( sen
1
, para Classe H (Fig. 5c);
N i ,..., 2 , 1 .
4. DIMENSIONAMENTO
Os transistores devem operar dentro de limitaes
impostas pelo fabricante (dados de manuais) para que
se obtenha um correto funcionamento. Em [25], [26] e
[27], um mtodo para dimensionamento via anlise do
comportamento trmico da juno do transistor,
assumindo que a forma de onda do sinal da potncia
dissipada um trem de pulsos, simulando a operao
em regime de "comutao" (chaveando), apresentado
e discutido. Contudo, o esforo da etapa de sada
funo da classe de operao (que, aqui, no opera em
regime de comutao), da polarizao, das perdas e da
carga (funo da freqncia); de forma que o
dimensionamento baseado em um trem de pulsos, no
corresponde complexidade dos esforos envolvidos.
Assim, da mesma forma que em [10], usou-se
modelar o efeito trmico desejado pela filtragem do
sinal de potncia instantnea dissipada ( ) (t P
d
) atravs
de um sistema linear invariante (equivalente trmico)
representando o sistema transistor-dissipador-
ambiente. Dessa forma, pode-se obter as temperaturas
mdia e instantnea de juno (
J
T e ) (t T
J
) do(s)
transistor(es) envolvido(s) no processo.
4.1 Limitaes dos transistores
As limitaes dos transistores so dadas atravs da
"rea de Operao Segura" (SOA Safe Operating
Area) fornecida pelo fabricante, onde so dadas as
limitaes de corrente (
MAX C
I ou
MAX D
I ), de tenso
(
MAX CE
V ou
MAX DS
V ) e de potncia (
MAX D
P ), para uma
determinada temperatura ambiente (
A
T ) ou de case
(invlucro,
C
T ) [28,29].
Desta forma, deve-se ter que,
MAX MAX D C
I I t i ou ) (
max
< (43)
MAX MAX DS CE
V V t v ou ) (
max
< (44)
MAX D D
P P <
max
(45)
MAX J J
T T <
max
(46)
Jpk J
T t T <
max
) ( (47)
onde
max J
T e
max
) (t T
J
so as temperaturas mdia e
instantnea mximas de juno e
MAX J
T e
Jpk
T so as
temperaturas mdia e de pico mximas permitidas na
juno (dados fornecidos pelo fabricante).
4.2 Circuito equivalente eletro-trmico
O circuito eltrico equivalente trmico,
simplificado, de um sistema transistor-dissipador-
ambiente apresenta na Fig. 12 [30]. Essa
configurao foi escolhida por possibilitar a obteno
das temperaturas de interesse para este trabalho:
temperaturas mdia (
J
T ) e instantnea ( ) (t T
J
) de
juno, a temperatura no case (
C
T ) e a temperatura
ambiente (
A
T ); sendo a primeira a nica que no
medida diretamente.
Fig. 12 Circuito eltrico equivalente trmico.
O circuito eletro-trmico da Fig. 12 comum aos
dispositivos BJT, IGBT e MOSFET.
Para anlise do valor mdio da temperatura, as
capacitncias trmicas passam a apresentar uma
reatncia infinita, considerando-se apenas as
resistncia trmicas. Assim,
( )
A DA CD JC D J
T R R R P T + + + (48)
ou ainda
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Assistido por Anlise Computacional.
8
C JC D J
T R P T + (49)
Que so as expresses para o clculo de
J
T em
regime permanente de operao, a partir dos dados de
projeto (
D
P ,
JC
R ,
CD
R ,
DA
R ,
C
T e
A
T , onde
JC
R ,
CD
R e
DA
R so as resistncias trmicas entre juno e case,
case e dissipador, dissipador e ambiente,
respectivamente).
4.3 Associao de transistores
A Fig. 13 mostra o circuito da Fig. 12 adaptado para
T
N transistores, para a qual pode-se escrever:
T
d
d
N
t P
t P
) (
2 ) ( (50)
T DA DA
N R R (51)
e
T
D
D
N
C
C
(52)
Onde ) (t P
d
a potncia instantnea dissipada em
cada transistor,
DA
R e
DA
C so, respectivamente, a
resistncia trmica e a capacitncia trmica do
dissipador "vistas" por cada transistor, e
T
N o
nmero de transistores associados.
Fig. 13 Circuito eltro-trmico para um transistor,
em associao com
T
N transistores.
Aqui, foram considerados transistores casados e a
associao feita de modo a permitir uma distribuio
uniforme da potncia. Na prtica, dois procedimentos
so usados para promover o casamento entre os
transistores. O primeiro a seleo prvia dos
transistores (parmetros semelhantes) e o segundo a
introduo de uma pequena realimentao negativa no
circuito (resistores de emissor/fonte).
4.4 Clculo da temperatura instantnea de juno
A temperatura instantnea de juno, ) (t T
J
,
calculada atravs do produto convoluo entre a
potncia instantnea dissipada, ) (t P
d
, e a resposta ao
impulso do sistema, ) (t Z
T
. Desta forma:
) ( * ) ( ) ( t Z t P t T
T d J
(53)
onde ) (t Z
T
a resposta ao impulso do sistema ) (s Z
T
(Fig. 12 e Apndice A), obtida pela transformada
inversa de Laplace [31].
Atribuindo valores aos componentes do circuito da
Fig. 12 ( W C R R R
o
DA CD JC
1 , C J C
o
J
01 , 0 ,
C J C
o
C
1 , C J C
o
D
100 , C T
o
A
2 e C T
o
JMAX
3 ),
constatou-se que ( )
J A DA CD JC D J
T T R R R P t T + + + ) (
(Fig. 14), e que ) (t T
J
s ser igual
J
T em t ,
onde ) (t T
J
o valor mdio de ) (t T
J
[32].
Fig. 14 ltimo ciclo de ) (t T
J
para 1200 s de
simulao.
Fig. 15 Demonstrao de ) (t T
J
calculada a partir
de (54).
Portanto, calculando-se ) (
0
t T
J
( ) (t T
J
para
C 0 T
o
A
) para o primeiro perodo de ) (t P
d
e
sobrepondo ) (
0
t T
J

J
T , obtida a partir de (48),
determina-se o valor de ) (t T
J
para t (Fig. 15),
pois na prtica
D C J
C C C << << . Assim,
J J J
t
J
T t T t T t T +

) ( ) ( ) (
0 0
(54)
e
) ( , ) (
1
) (
0 0
t P perodo de T dt t T
T
t T
d
T
J J


(55)
onde
t
J
t T ) ( a temperatura instantnea de juno
para t ; ) (
0
t T
J
a temperatura instantnea de
juno para o primeiro ciclo de ) (t P
d
e C 0 T
o
A
; e
) (
0
t T
J
o valor mdio de ) (
0
t T
J
.
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9
5. AVALIAO
O objetivo desta Seo fazer uma comparao
entre os esforos de uma etapa de sada quando esta
projetada considerando-se carga resistiva (mtodo
convencional) e carga reativa (proposta deste
trabalho).
Dimensionou-se uma etapa de sada, operando em
Classe B, de modo a se obter 100 watts em uma carga
resistiva de valor igual a 8; em seguida, foram
calculadas as potncias, o rendimento, as tenses, as
correntes e as temperaturas envolvidas, considerando-
se a carga reativa da Fig. 10 (Apndice B) (o que,
teoricamente, deveria ter em uma impedncia nominal
de 8). Para efeito de comparao, fez-se o mesmo
(carga reativa) para uma etapa de sada operando em
Classe H (Fig. 5c) com 4 estgios e s iguais aos da
Fig. 8a.
Os dados de projeto so: W 100
L
P , 8
L
R ,
V 3
CEsat
V , A 10
MAX C
I , V 140
MAX CE
V ,
W 125
MAX D
P , W C 0 . 1
o

JC
R , W C 7 . 0
o

CD
R ,
W C 2 . 0
o

DA
R , C J 01 . 0
o

J
C , C J 1
o

C
C ,
C J 100
o

D
C , C 150
o

Jpk J
T T
MAX
e C 40
o

A
T .
Com esses dados, para respeitar todos os critrios
estabelecidos na Seo 4, foi necessrio 1 par de
transistores (configurao push-pull), resultando num
total de 2 transistores ( 2
T
N ). Na Tabela 1 esto
apresentados os resultados dos esforos das etapas de
sada Classes B e H, para cargas resistiva e reativa.
Classe B
Resistiva
Classe B
Reativa
Classe H
Reativa
T
N 2 2 2
max
) (
D
P 46,8 W 56,1 W 39,5 W
max
) (
L
P 100 W 108 W 108 W
max %
) ( 73,06 % 73,06 % 84,11 %
max
) (t i
C
5,0 A 5,4 A 5,4 A
max
) (t v
CE
83,0 V 83,0 V 63,0 V
max
) (t P
d
57,8 W 126,6 W 70,2 W
max J
T 84,5
o
C 93,3
o
C 77,5
o
C
max 0
) (t T
J
31,9
o
C 66,4
o
C 35,9
o
C
max
) (t T
J
104,3
o
C 142,2
o
C 104,4
o
C
max C
T 61,1
o
C 65,2
o
C 57,8
o
C
1 CC
V - - 23,0 V
2 CC
V - - 31,3 V
3 CC
V - - 37,6 V
4 CC
V 43,0 V 43,0 V 43,0 V
Tabela 1 Resumo comparativo dos esforos para
cargas resistiva e reativa.
Na prtica, o dimensionamento de uma etapa de
potncia comumente realizado considerando-se
apenas carga resistiva; atribuda uma margem de
segurana e testa-se o circuito. Desta forma, no h
qualquer garantia de que a etapa de potncia seja bem
dimensionada, podendo tornar o projeto tecnicamente
ou comercialmente invivel.
As Figs 16 a 22 (a,b,c), resumem o que foi
apresentado e discutido nesse trabalho: as figuras com
ndice "a" ilustram o caso Classe B com carga resistiva
e as figuras com ndice "b" e "c" ilustram os casos
Classes B e H com carga reativa, respectivamente.
Nota-se que, mesmo para valores "mdios" (carga
resistiva), o esforo da etapa de potncia bastante
significativo (predominante) para freqncias abaixo
de 20 Hz; para valores "instantneos" (cargas
resistivas e reativas), esse esforo ainda mais
acentuado. Garantindo-se que no haver sinal com
freqncias abaixo de 20 Hz (que teoricamente no
so audveis) consegue-se uma otimizao no
dimensionamento, sem com isso prejudicar a
qualidade dos resultados.
Um outro ponto importante a se comentar so os
mnimos existentes na magnitude da impedncia da
carga reativa, que atingem valores menores que a
impedncia nominal do alto-falante (8). Atravs de
anlises grficas esses mnimos so prontamente
detectados. Alm disso, as prprias cargas (alto-
falantes/divisores passivos/caixas acsticas) podem ser
testadas (por simulao) antes mesmo de serem
efetivamente utilizadas, principalmente, no caso de se
ter divisores passivos, pois estes, associados com os
alto-falantes, podem resultar em sistemas de 16
a
ordem
ou maior.
Pode-se concluir que um correto dimensionamento
obtido quando este feito considerando-se cargas
reativas, e quanto mais dedicado for o projeto (cargas
especficas) melhor ser o desempenho da etapa de
potncia.
Em casos genricos (amplificadores para fins
gerais) deve-se testar o maior nmero possvel de
configuraes de cargas para se chegar a um resultado
adequado.
6. CONCLUSES E DISCUSSES
Amplificadores de udio so dispositivos utilizados
nos mais diferentes e diversos tipos de aplicaes.
Dimension-los uma tarefa rdua devido s diversas
variveis envolvidas no projeto: condies climticas
(umidade, temperatura, etc.), tipos de aplicaes
(instalaes fixas, mveis, etc.), tipos transistores
(diferentes propriedades, tolerncia nas caractersticas
eltricas, etc.) e, principalmente, as estruturas de
caixas acsticas utilizadas.
Foi proposto neste trabalho um procedimento para o
dimensionamento de etapas de potncia de
amplificadores Classes A, B, AB, G e H, considerando
carga reativa, qualquer tipo de polarizao, modo de
operao e o tipo de dispositivo utilizado (BJT, IGBT
e MOSFET). Tambm foram desenvolvidas
expresses para a determinao de rendimentos para
as Classes G e H para um nmero arbitrrio de
estgios.
Foi demonstrada a importncia de se considerar
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Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
10
cargas reativas, e no apenas cargas resistivas, pelo
fato de as potncias dissipadas para cargas reativas
(caso real) poderem atingir valores bem maiores do
que as potncias dissipadas para cargas resistivas. Se
menores potncias so consideradas no projeto, a
etapa de sada fica subdimensionada, fazendo com que
a temperatura de juno ultrapasse o valor mximo
permitido. At ento, o procedimento usual tem sido
considerar cargas resistivas atribuindo-se uma margem
de segurana, mas que no garante o bom
dimensionamento da etapa de sada, porque pode
tornar o projeto tecnicamente ou comercialmente
invivel. Os resultados obtidos permitem um criterioso
dimensionamento do projeto de etapas de potncia,
tanto sob o ponto de vista tcnico quanto econmico.
REFERNCIAS
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Engenharia Eltrica, abril de 1999.
APNDICE A
A impedncia ) (s Z
T
vista por ) (t P
d
dada por (Fig.
12):
F s E s D s
C s B s A
s Z
T
+ + +
+ +

2 3
2
) (
onde
J
C
A
1

JC C J CD C J DA CD D J
DA CD
R C C R C C R R C C
R R
B

+

+

+

1 1
DA CD JC D C J
DA CD JC
R R R C C C
R R R
C

+ +

JC J JC C CD C DA CD D
DA CD
R C R C R C R R C
R R
D

+

+

1 1 1
CD JC C J DA CD JC D J
DA CD
DA CD JC D C
DA CD JC
R R C C R R R C C
R R
R R R C C
R R R
E

+

+
+

+ +

1
DA CD JC D C J
R R R C C C
F

1
APNDICE B
Para a composio da carga complexa, considerou-
se um sistema band-pass de 6
a
ordem (caixa acstica +
alto-falante) [3], cujo circuito equivalente eltrico
apresentado na Fig. B1.
Os dados do sistema so: Hz 40
s
F , 4 , 0
ts
Q ,
42 , 0
es
Q
,
l V
as
120 , 4 , 6
E
R
,

10 20
7 , 0 3
f R
ed
,
H 10 10
3 , 0 3
f L
e
,
l V
b
120
1
,
Hz 40
1

b
F
,
l V
b
45
2
,
Hz 82
2

b
F
e 7
L
Q [3].
Fig. B1 Circuito eltrico equivalente do sistema
Band-pass de 6
a
ordem.
) (
) (
) (
s Z
s Z
e ed E vc
eq
eq
D
N
L s R R s Z + + +
Onde:
( ) s D s C s B s A s
Q
R N
ms
s
es s Z
eq
+ + + +

2 3 4
) (
2
2
1
1
L
b
L
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III AES Brasil Julho de 1999
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
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BIOGRAFIAS
ROSALFONSO BORTONI, nasceu em So
Loureno, MG, em 1965. Iniciou seu trabalho no
udio aos treze anos de idade, animando festas dos
colegas de escola com Som e Luz. Aos dezesseis
entrou na Escola Tcnica de Eletrnica F.M.C., em
Santa Rita do Sapuca, MG, onde comeou sua
pesquisa em circuitos de udio; nesse perodo tambm
estudou violo clssico (1982 1985). Freqentou a
escola de msica CLAM Centro Livre de
Aprendizagem Musical, em So Paulo, SP, onde
estudou Harmonia e Improvisao e teve grande
influncia do Jazz (1986 1988); atuou como tcnico
de som e guitarrista profissional no perodo de 1987 a
1989. Entrou para o curso de Engenharia Eltrica
(nfase em Eletrnica e Telecomunicaes) do
INATEL Instituto Nacional de Telecomunicaes de
Santa Rita do Sapuca, MG, onde desenvolveu e
apresentou vrios projetos de udio (1988 1993).
Foi professor da Escola Tcnica de Eletrnica
F.M.C. no perodo de 1990 a 1995, onde tambm
fabricou caixas acsticas, amplificadores de potncia e
o TS-1 - Analisador de Parmetros Thiele-Small,
quando da implantao da Incubadora de Empresas.
Em 1996 iniciou seus estudos em ps-graduao na
UEL Universidade Estadual de Londrina, PR, onde
obteve o ttulo de Engenheiro de Segurana (1996) e,
posteriormente, fez Mestrado em Engenharia Eltrica
na UFSC Universidade Federal de Santa Catarina,
Florianpolis, SC, onde obteve o ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica com a Dissertao intitulada
Anlise, Dimensionamento e Avaliao de Estgios
de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B,
AB, G e H (1997 1999). Em 1999 iniciou seu
Doutorado, tambm na UFSC, com o tema em
Sistemas de udio. Desde 1990 vem atuando
profissionalmente como consultor e projetista de
equipamentos de udio e autor de vrios artigos
publicados em revistas tcnicas. Atualmente
consultor da STUDIO R, colaborador do Instituto de
udio e Vdeo (IAV) e membro da Audio Engineering
Society (AES).
E-mail: rosalfonso@hotmail.com
SIDNEI NOCETI FILHO, atualmente Professor
Titular do Departamento de Engenharia Eltrica da
Universidade Federal de Santa Catarina, UFSC.
Concluiu seu curso de graduao em Engenharia
Eltrica na UFSC em 1975 e ingressou na carreira
acadmica em 1976. Obteve o ttulo de Mestre em
Cincias em Engenharia Eltrica pela UFSC em 1980
e obteve o ttulo de Doutor em Engenharia Eltrica -
rea de Eletrnica na COPPE/Universidade Federal
do Rio de Janeiro, RJ em 1985. pesquisador do
CNPq e desenvolve seus trabalhos de pesquisa no
Laboratrio de Instrumentao Eletrnica: Circuitos e
Processamento de Sinais (LINSE), nas reas de: filtros
analgicos contnuos e amostrados, instrumentao
eletrnica, processamento de sinais e projeto de
circuitos integrados. Suas publicaes incluem 1 livro
intitulado Filtros Seletores de Sinais, 1 Dissertao
de Mestrado, 1 Tese de Doutorado, 55 trabalhos em
congressos nacionais e internacionais e 8 trabalhos em
revistas internacionais.
E-mail: sidnei@linse.ufsc.br
RUI SEARA, nasceu em Florianpolis, SC, em
1951. Graduou-se em Engenharia Eltrica pela
Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC),
Florianpolis, SC, em 1975. Obteve o ttulo de Mestre
em Cincias de Engenharia Eltrica pela UFSC, em
1980. Especializou-se em Instrumentao-Metrologia
pela Ecole Suprieure d'Electricit de Paris, Frana,
em 1982. Obteve o ttulo de Doutor em Engenharia
Eltrica pela Universit Paris Sud de Paris, Frana, em
1984. Foi Chefe do Laboratrio de Eletrnica do
Departamento de Engenharia Eltrica da UFSC de
1978 a 1981. Foi Subchefe do Departamento de
Engenharia Eltrica da UFSC de 1992 a 1993. Foi
Coordenador de Pesquisa do Departamento de
Engenharia Eltrica da UFSC de 1992 a 1997.
Atualmente Supervisor do Laboratrio de
Instrumentao Eletrnica: Circuitos e Processamento
de Sinais (LINSE) da UFSC, cargo que ocupa desde
1985. Professor Titular do Departamento de
Engenharia Eltrica da UFSC, onde leciona disciplinas
de graduao e ps-graduao bem como orienta
alunos em dissertaes de mestrado e teses de
doutorado. Possui vrios artigos publicados em
peridicos nacionais e internacionais bem como
participao em diversos congressos nacionais e
internacionais. Efetua pesquisas nas reas de:
Processamento de Voz e Imagem, Filtros Digitais,
Filtros Adaptativos, Filtragem Analgica e
Instrumentao Eletrnica.
E-mail: seara@linse.ufsc.br
III AES Brasil Julho de 1999
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
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(a)
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Fig. 16 Potncia mdia dissipada: (a) Classe B, carga
resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga
reativa.
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(a)
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Fig. 21 Temperatura mdia de juno: (a) Classe B,
carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.

%
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Hz P
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(a)

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Hz P
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(b)
III AES Brasil Julho de 1999
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
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%
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)
Hz P
L
(c)
Fig. 17 Rendimento: (a) Classe B, carga resistiva; (b)
Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga reativa.
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(c)
Fig. 18 Linhas de carga: (a) Classe B, carga resistiva; (b)
Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga reativa.
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Fig. 19 Potncia instantnea dissipada: (a) Classe B,
carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.
T
J
0
(
t
)
Hz
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(a)
III AES Brasil Julho de 1999
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.
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T
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0
(
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Hz
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(b)
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(c)
Fig. 20 Temperatura instantnea de juno: (a) Classe B,
carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.
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m
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(c)
Fig. 22 Temperatura mxima de juno: (a) Classe B,
carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.