Revista Científica Periódica - Telecomunicações
'LPHQVLRQDPHQWRH$YDOLDomRGH(VWiJLRVGH3RWrQFLDGH
$PSOLILFDGRUHVGHÈXGLR&ODVVHV$%$%*H+
$VVLVWLGRSRU$QiOLVH&RPSXWDFLRQDO
Rosalfonso Bortoni1,2, Sidnei Noceti Filho1 e Rui Seara1
1 – LINSE: Circuitos e Processamento de Sinais
Universidade Federal de Santa Catarina
www.linse.ufsc.br
2 – INATEL, Instituto Nacional de Telecomunicações de Santa Rita do Sapucaí
www.inatel.br
5HVXPR(VWH DUWLJR DSUHVHQWD XP SURFHGLPHQWR
GH DQiOLVH GLPHQVLRQDPHQWR H DYDOLDomR GH
HVWiJLRV GH SRWrQFLD GH DPSOLILFDGRUHV GH iXGLR
RSHUDQGRQDV&ODVVHV$%$%*H+FRPFDUJDV
UHDWLYDV (VVH HVWXGR FRQVLGHUD XP VLQDO GH
H[FLWDomR VHQRLGDO H WHFQRORJLDV %-7 ,*%7 H
026)(7 6mR XWLOL]DGRV PRGHORV HOHWURPHFDQR
DF~VWLFRV GH DOWRIDODQWHV H FDL[DV DF~VWLFDV FXMRV
SDUkPHWURV VmR REWLGRV SHOR PRGHOR 7KLHOH6PDOO
>@ H XP PRGHOR HOHWURWpUPLFR HTXLYDOHQWH GR
VLVWHPD WUDQVLVWRUGLVVLSDGRUDPELHQWH DVVRFLDGR
jVSRWrQFLDVPpGLDHLQVWDQWkQHDGLVVLSDGDV
,,1752'8d­2
Com o surgimento da válvula triodo (1906), a
música pôde ser transmitida pela primeira vez via
rádio freqüência (1907). A partir de 1915 começaram
a surgir os primeiros sistemas de amplificação de voz
e, posteriormente, música para grandes públicos [1].
Surgiu, então, o amplificador de áudio.
Desde então, a necessidade de potentes sistemas de
reproduções de voz e de música tem levado ao estudo
de novas técnicas de sonorização e de concepção de
novas estruturas de amplificadores de áudio. Devido à
grande quantidade de caixas acústicas [2], de sua
baixa eficiência [3], e da grande quantidade de
potência elétrica requerida, tem sido procurado obter,
cada vez mais, para os amplificadores de potência,
maior rendimento, dentre outras melhorias. Desde
então, têm surgido diversas classes de operações.
As classes de operações são caracterizadas pelo
ponto de operação e/ou modo de operação do estágio
de saída do circuito amplificador de potência. Neste
trabalho serão abordadas as Classes A, B, AB, G e H.
Na literatura encontram-se outras classes de
operações, como as Classes C, D, E, F, I e S [4,6,7,8].
As classes A, B, AB, G e H serão analisadas e
tratadas sob as mesmas considerações de operação,
utilizando-se cargas resistivas e reativas (esta última,
representando as estruturas de alto-falantes e caixas
acústicas usualmente empregadas); nesse caso são
utilizados os modelos eletro-mecano-acústicos
apresentados em [3].
Telecomunicações - Volume 04 - Número 01 - Maio de 2001
ISSN 1516-2338
O objetivo deste trabalho é fornecer os parâmetros
de análise do funcionamento do estágio de saída, no
que se refere às correntes envolvidas, às tensões do
estágio, às potências e ao desempenho térmico da
etapa sob diversas situações e condições de operação.
Todos esses parâmetros são obtidos, considerando-se
um sinal de excitação senoidal, de forma genérica,
independentemente da tecnologia do transistor
empregada (BJT, IGBT ou MOSFET).
Até então, a quase totalidade de estudos realizados
são dedicados a classes de operações distintas, sob
condições bastante específicas. Para se ter uma visão
mais abrangente do estado-da-arte de amplificadores
de áudio vamos, agora, fazer uma breve revisão
bibliográfica destas estruturas amplificadoras.
Os amplificadores Classe A são os de menor
rendimento, porém são os que apresentam menor
distorção; no entanto, são discutidos apenas para fins
de comparação [1,5,6,7,8].
De um modo geral, a maioria das análises são
desenvolvidas para cargas resistivas [5,6,7,8,9,11,12,
13,14,15], e quando cargas reativas são consideradas a
classe de operação utilizada fica, quase sempre,
restrita à Classe B (ou Classe AB, considerando-se
pequena corrente de polarização) [16,17,18,19]. Isto
se deve por este tipo de classe apresentar um
equacionamento mais simples (neste caso é utilizado
cargas com o módulo da impedância constante,
variando-se apenas a fase). Em alguns casos são
também considerados modelos comerciais de caixas
acústicas [20,21,22].
As Classes G e H operam com diferentes tensões
de alimentações no estágio de potência. Elas foram
equacionadas e comumente descritas e analisadas
apenas para dois estágios [9,11,12,13,23,24]; não foi
encontrado na literatura expressões para as Classes G
e H com mais de dois estágios; algumas citações são
mencionadas para três e quatro estágios [1,9,10].
Além disso, todas as análises são feitas para
tecnologias de transistores distintas (BJT ou
MOSFET) e o dimensionamento nessas etapas é
superficialmente abordado [10].
Em face à pouca ou insuficiente quantidade de
informações e/ou falta de generalização dos
61
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tratamentos matemáticos encontrados na literatura, então,

relativos aos estágios de potência, propõe-se neste  , / max 
trabalho:
3 6 = 2 ⋅ (9/ max + 9&(VDW ) ⋅  2 + , PDQ  . (2)
 
Œ uma análise unificada das Classes A, B, AB, G e
H, tanto para cargas resistivas quanto para cargas
reativas;
Œ uma expressão genérica para as Classes G e H de
múltiplos estágios;
Œ uma generalização da expressão do rendimento
para as Classes A, B, AB, G e H;
Πum equacionamento para as diferentes classes
levando em conta as tecnologias BJT, IGBT e
MOSFET;
Πuma metodologia para o dimensionamento da
etapa de potência a partir das potências média e
instantânea dissipadas, e do modelo eletro-térmico )LJ±&RUUHQWHVQRVFROHWRUHVGRVWUDQVLVWRUHV 41 H
do sistema transistor-dissipador-ambiente, 42 HQDFDUJD
considerando-se carga reativa.

,,&$5*$5(6,67,9$ A potência média na carga, 3/ , é dada por

3/ = 9/2 / (2 ⋅ 5/ ) , sendo 9/ a tensão de pico na carga.
,,&/$66(6$%($%
Definindo-se o fator γ como γ = , PDQ / , / max e
A Fig. 1 mostra o diagrama de uma etapa de saída considerando que , / max = 9/ max / 5/ , pode-se obter o
(estágio complementar), a qual constitui a célula rendimento η = 3/ / 36 , por:
básica de amplificadores Classes A, B e AB.
2
1  9/  1 1
η= ⋅  ⋅ ⋅ . (3)
2  9/ max  1 + (9
 &(VDW / 9/ max ) 1 + 2γ
A equação (3) nos mostra que o rendimento
teórico máximo para operação em Classe A é 50%,
isto considerando 9&(VDW = 0 , , PDQ = 0 e 9/ = 9/ max .
Esta equação é válida também para dispositivos IGBT.
Pode ser mostrado que no caso de dispositivos
MOSFET, a razão 9&(VDW 9 / max em (3) é agora dada
)LJ±(WDSDGHVDtGDGHDPSOLILFDGRUHV&ODVVHV$% por 5'6RQ / 5/ , onde 5 '6RQ é a resistência de
H$% condução entre dreno e a fonte do MOSFET [15].
Assim,
Para essas classes, a potência média total fornecida
2
pelas duas fontes ( 9&&1 e 9&& 2 ) de alimentação é 1  9/  1 1
η= ⋅  ⋅ ⋅ . (4)
36 = 36 + + 36 − = 2 ⋅ 9 && ⋅ , & , uma vez que as potências 2  9/ max  1 + (5
 '6RQ /
/ 5 ) 1 + 2γ
médias fornecidas por cada uma das fontes de
No caso de Classe B, deve-se considerar 9 %,$6 = 0 .
alimentação 36 + e 36 − são iguais. Para a Classe A,
Como , 6 = , / / π e , / = 9/ / 5/ , pode-se mostrar que:
, & é a corrente quiescente , 4 no transistor 41 . Para a

Classe B, , & é a corrente média, , 6 , em 41 , que  9&(VDW  , /

3 6 = 2 ⋅ 9/ max ⋅ 1 + 9 ⋅ . (5)
conduz apenas um semi-ciclo por período, e, para a  / max  π
Classe AB, , & é a corrente média , 6 (θ4 ) , função da
Sabendo-se que η = 3/ / 36 , obtém-se:
corrente de polarização, , 4 , e da corrente fornecida à
π 9/ 1
carga, L / (ver Fig. 3). Nas três classes, tem-se que η= ⋅ ⋅ . (6)
4 9/ max 1 + (9&(VDW / 9/ max )
9&& = 9/ max + 9&(VDW .
A Fig. 2 mostra as correntes de coletor e a corrente A equação (6) nos mostra que o rendimento
na carga de um estágio de saída Classe A. Nesta teórico máximo para operação em Classe B é 78,5%,
figura, , PDQ , definida como corrente de manutenção, é isto considerando 9&(VDW = 0 e 9/ = 9/PD[ . De forma
a corrente necessária para garantir que o transistor análoga ao que foi obtido para os amplificadores
opere na região ativa direta para as condições Classe A, para dispositivos MOSFET, obtém-se:
extremas de excursão do sinal. Nesse caso tem-se que π 9/ 1
η= ⋅ ⋅ . (7)
, / max 4 9/ max 1 + ( 5'6RQ / 5/ )
,4 = + , PDQ , (1)
2

62

Telecomunicações - Volume 04 - Número 01 - Maio de 2001

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No caso de Classe AB, deve-se considerar 9 %,$6 9/

π 9/ 1 9/ max
maior do que zero, porém menor do que a necessária η= ⋅ ⋅ ⋅ .
4 9/ max 1 + 5'6RQ θ ⋅ sen θ + 9/ ⋅ cos θ4
(12)
tensão para operação em Classe A (Fig. 1). Na Fig. 3, 4 45/ 9/ max
estão representadas as correntes de polarização, , 4 , e
a fornecida à carga, L/ , e as correntes nos coletores, A Fig. 4 mostra, para 9&(VDW = 0 , o rendimento em
L&1 e L& 2 , função do ângulo θ . Baseando-se nesta função da potência de saída, parametrizada pelo o
figura, pode-se mostrar que a corrente média , 6 (θ4 ) é fator λ , dado por λ = 2 ⋅ ,4 / , / max . Com isso, obtém-se
dada por: a transição entre a Classe B ( ,4 = 0 ) e a Classe A
2 ,/ ( ,4 = , / max / 2 ), para , PDQ = 0 .
, 6 ( θ4 ) = , 4 ⋅ θ4 ⋅ + ⋅ cos θ4 , (8)
π π
100

90 λ=
(&ODVVH%)
80

70
λ=



60 λ=
R
W
Q

λ=
H
50
P
L
G
Q40
H
5

30 λ=
20
(&ODVVH$)

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
3 /3 /PD[

)LJ±5HQGLPHQWRVGRVDPSOLILFDGRUHV&ODVVH$%

,,&/$66(6*(+'(0Ò/7,3/26(67È*,26
)LJ±&RUUHQWHVQRVFROHWRUHVGRVWUDQVLVWRUHVHQD
FDUJD As definições para as Classes G e H adotadas neste
trabalho estão de acordo com as encontradas nas
onde ,4 < , / max 2
e θ4 é o ângulo de transição entre a referências [1,10,13,23,24].
operação em Classe A e Classe AB. Esse ângulo pode Na Fig. 5, são mostradas as estruturas básicas dos
ser expresso em função dos parâmetros de projeto estágios de saída dos amplificadores de potência
como é mostrado a seguir. Com base na Fig. 3, Classe G (Fig. 5a) [13,23] e Classe H (Fig. 5b,c)
pode-se obter , 4 = ( , / max / 2) ⋅ sen θ4 ou, [1,10,24] de múltiplos estágios. Nessas estruturas, as
etapas de saída podem ser polarizadas em Classe A, B
alternativamente, θ4 = sen −1 (2 , 4 / , / max ) , e, através de
ou AB. Neste trabalho, considera-se, inicialmente,
(8), determinar uma expressão para , 6 (θ4 ) em função polarização Classe B; posteriormente, faz-se as
apenas de θ4 e , / . Assim, considerações para as polarizações Classes A e AB.
Analisando o circuito da Fig. 5a, pode-se escrever
= / max ⋅ θ4 ⋅ sen θ4 + / ⋅ cos θ4 . (desconsiderando as perdas nos diodos):
, ,
, 6 (θ 4 ) (9)
π π

Para θ4 = 0 , , 6 (θ4 ) = , / π , opera-se em Classe B. 36 = 2 ⋅ 9&&1 ⋅ , 61 + 2 ⋅ 9&& 2 ⋅ , 6 2 + ... + 2 ⋅ 9&&1 ⋅ , 61 (13)

Para θ4 = π 2 , , 6 (θ4 ) = , / max 2 , opera-se em Classe A

(com , PDQ = 0 ). Caso 0 < θ4 < π / 2 , tem-se a onde , 6L ( L = 1,..., 1 ) são as correntes médias fornecidas
polarização Classe AB [5]. Assim, pode-se mostrar pelas fontes 9&&L . Na Fig. 6, θ7L ( L = 1,..., 1 ) é o ângulo
que: de transição correspondente à entrada em operação do
L-ésimo estágio e
29  9
36 = / max
π5/
⋅ 1 + &(VDW

(
 ⋅ 9/ max θ4 sen θ4 + 9/ cos θ4 ,
 ) (10) 9&&L = α L ⋅ 9/ max + L ⋅ 9&(VDW , L = 1,..., 1 . (14)
 9/ max 
Substituindo (14) em (13), obtém-se:
e o rendimento ( η = 3/ / 36 ): 1
3 6 = 2 ⋅ ∑ [(α L ⋅ 9/ max + L ⋅ 9&(VDW ) ⋅ , 6L ] . (15)
L =1
9/
π 9/ 1 9/ max Isolando αL em (14) e considerando que α1 =1 ,
η= ⋅ ⋅ ⋅ .
4 9/ max 1 + 9&(VDW θ ⋅ sen θ + 9/ ⋅ cos θ4
(11) obtém-se:
4 4
9/ max 9/ max
9&&L − L ⋅ 9&(VDW
αL = . (16)
9&&1 − 1 ⋅ 9&(VDW
Para dispositivos MOSFET, obtém-se:
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 9/
α L −1 ≤ 9 < αL
 / max
9 
θ7 (L −1) = sen −1  / max ⋅ α L −1  , α  = 0
 9/
 α = 1 (17)
 1
L = 1, 21
π
θ7 0 = 0 e θ71 =
2

A corrente , 6L é dada por:

θ7 ( L )
,/
, 6L = ⋅ ∫ sen θ ⋅ Gθ , L = 11 . (18)
π θ
7 ( L −1)

D Resolvendo (18) e substituindo em (15), resulta

em:
2 9 1
36 = ⋅ / ⋅ ∑ $L , (19)
π 5/ L =1

onde $L = (α L − α L −1 + 9/ max 9&(VDW ) ⋅ cos θ7 (L −1) .

Substituindo (19) em η = 3/ / 36 , obtém-se o
rendimento do amplificador Classe G com 1 estágios:
π 9/ 1
η= ⋅ ⋅
4 9 / max 1 (20)
∑ %L
L =1

onde %L = (αL − αL −1 + 9/ max 9&(VDW ) ⋅ cos θ7 (L −1) .

Para dispositivos MOSFET, é possível mostrar que
E o rendimento é dado por:
π 9/ 1
η= ⋅ ⋅
4 9/ max 1 (21)
∑ &L
L =1

onde &L = (αL − αL −1 + 5'6RQ 5/ ) ⋅ cos θ7 (L −1) .

Analisando os circuitos da Fig. 5b,c, pode-se
escrever (desconsiderando as perdas nos diodos e nas
chaves 6:):
36 = 2 ⋅ 9&&1 ⋅ , 61 + 2 ⋅ 9&& 2 ⋅ , 6 2 + ... + 2 ⋅ 9&&1 ⋅ , 61 (22)
e
9&&L = αL ⋅ 9/ max + 9&(VDW .
(23)
Substituindo (23) em (22), obtém-se:
1
F
3 6 = 2 ⋅ ∑ [(αL ⋅ 9/ max + 9&(VDW ) ⋅ , 6L ] . (24)
L =1
)LJ  ± (VWiJLR GH VDtGD GH DPSOLILFDGRUHV GH Comparando as equações (24) e (15), nota-se que a
P~OWLSORVHVWiJLRVD&ODVVH*HEF&ODVVH+
diferença entre elas é o fator L que multiplica 9&(VDW .
Esse fator não aparece em (24) porque os transistores
estão associados em uma configuração diferente.
Considerando-se os mesmos parâmetros de projeto
do item anterior, pode-se escrever as seguintes
expressões para o rendimento da etapa empregando
dispositivos BJT (ou IGBT):
π 9/ 1
η= ⋅ ⋅
4 9/ max 9&(VDW 1 (25)
+ ∑ 'L
9/ max L =1
)LJ±ÆQJXORVGHWUDQVLomR onde 'L = (αL − αL −1) ⋅ cos θ7 (L −1) e, para dispositivos
MOSFET:
Com base na Fig. 6, pode-se escrever:
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comparação, foram adotados os seguintes valores dos

π 9/ 1
η= ⋅ ⋅ parâmetros: 9&(VDW / 9/ max = 0,03 (para todas as classes),
4 9/ max 5'6RQ 1 (26)
+ ∑(
5/ L =1 L γ = 0,10 (Classes A), λ = 0,02 (Classe AB), α = 0,55
(Classes G e H de 2 estágios, polarização Classe B). O
onde (L = (αL − αL −1) ⋅ cos θ7 (L −1) . menor rendimento foi obtido para a configuração
Para 9&(VDW = 0 , as equações (25) e (26) tornam-se Classe A, com um rendimento máximo de 40,6%. O
maior foi para a configuração Classe H cujo valor
idênticas às (20) e (21), respectivamente.
máximo foi de 82,2%. Os rendimentos máximos
A Fig. 7 apresenta os rendimentos das Classes G e
obtidos para as configurações Classes B e AB são
H para diferentes valores de 1, considerando
aproximadamente 76,2% e 76,1%, respectivamente. A
polarização Classe B.
pequena diferença observada entre as curvas é
100
atribuída à pequena corrente de polarização do estágio
90 1 
1  Classe AB. Como esperado, os rendimentos das
80 1 
70
Classes G e H são idênticos até o ponto de transição.


 60

1  1 
A partir desse ponto, ocorre uma diferença causada
R
W
Q
H 50
P
pelas topologias particulares. O rendimento máximo
L
G
Q 40
H
para a configuração Classe G foi de 80,1%.
5
30

20 100

10 90
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 80 +
3 /3/PD[
70 *


)LJ ± &ODVVHV * H + SDUD P~OWLSORV HVWiJLRV FRP


 60
$%


%
R
W
Q

9&(VDW = 0 HSRODUL]DomR&ODVVH%
H
50
P
L
G
Q
H 40
5

Consideremos, agora, um caso prático em que 30

$
9&(VDW ≠ 0 . As Figs. 8a,b apresentam, respectivamente,
20

10
os rendimentos das Classes G e H para 0

9&(VDW / 9/ max = 0,025 e 1=4; 9&(VDW / 9/ max = 0,015 e 1=6.

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
3/3 /PD[

100
)LJ±&RPSDUDomRHQWUHRUHQGLPHQWRVGDV&ODVVHV
90 + ηPD[  $%$%*H+
80

70 * ηPD[ 



R
W

 60 ,,6Ë17(6(
Q
H50
P
L 9&(VDW 9/PD[ 
G
Q40
H
5
1  Uma expressão unificada para os rendimentos das
α 
30

α 
Classes A, B, AB, G e H pode ser obtida comparando-
20
α  se as equações (3), (6), (11), (20) e (25). Assim, pode-
10

0
se escrever:
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
3 /3 /PD[
π 9/
D η= ⋅ ⋅ ; (θ4 ) ⋅ < ( 1 ) ⋅ = ( γ ) (27)
4 9/ max
100

90 + ηPD[  onde,

80
* ηPD[  9/
9/ max
70


; (θ4 ) = ,
9/ ⋅ cos θ (28)
 60
 9&(VDW 9/PD[ 
R

θ4 ⋅ sen θ4 +
W

4
Q

9/ max
H50 1 
P

α
L
G 
Q40

α
H
5 
30
α 
1
20 α  < (1 ) = (29)
1 
(1 − N ) ⋅ 9&(VDW + ∑  αL − α L −1 + N ⋅ 9&(VDW  ⋅ cos θ7 (L −1) 
α   
10

0
9/ max L =1 9/ max  
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
3 /3 /PD[ e
E 1
= (γ) = . (30)
1 + 2γ
)LJ±([HPSORVGHUHQGLPHQWRVGDV&ODVVHV*H+
D1 HE1  O termo ; (θ4 ) determina a classe de operação em
função da polarização: Classes A, B e AB; o termo
< ( 1 ) determina a classe de operação em função do
,,&203$5$d­2(175(265(1',0(1726
modo de operação: Classes G ( N = 1 ) e H ( N = 0 ); o
A Fig. 9 mostra uma comparação entre os termo = (γ ) é função de γ para a polarização Classe A
rendimentos das diversas classes estudadas. Para essa e igual a 1 para as demais classes.

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Através de (27) obtém-se diretamente as Classes G

e H com polarização Classe A ( θ4 = π 2 e γ ≥ 0 ) ou AB
( 0 < θ4 < π 2 ).
As equações (27), (28) e (30) são válidas para
dispositivos BJT, IGBT e MOSFET sendo que a
equação (29) é válida somente para dispositivos BJT e
IGBT; substituindo o termo 9&(VDW 9/ max por
5'6RQ 5/ , tem-se a equação (29) válida também para
dispositivos MOSFET.

,,,&$5*$5($7,9$

,,,327Ç1&,$0e',$1$&$5*$ )LJ±3RWrQFLDQDFDUJDUHDWLYD)LJ

Na prática, de maneira diferente de como é ,,,5(1',0(172

considerado na maioria dos estudos, os amplificadores
de áudio-freqüência são carregados com alto-falantes
ou caixas acústicas de uma (alto-falante + gabinete
acústico) ou mais vias (alto-falantes + gabinete
acústico + divisor passivo de freqüências). Alto-
falantes e caixas acústicas têm uma impedância
complexa [3] e, portanto, dependem da freqüência.
Assim, a potência na carga é da forma:
Refazendo as análises descritas na Seção 2, agora
considerando as Eqs. (31), (32) e (33), obtém-se a
expressão do rendimento η(ω) (considerando cargas
reativas), para as Classes A, B, AB, G e H, usando
dispositivos BJT e IGBT. Para MOSFET, basta
substituir a razão 9&(VDW 9/ max por 5'6RQ = / (ω) min .

9/2 π 9/
3/ (ω) = ⋅ cos ϕ(ω) (31) η(ω) = ⋅ ⋅ ; (θ4 ) ⋅ < ( 1 ) ⋅ = ( γ ) ⋅ 5 (ω) ⋅ cos ϕ(ω) (34)
2 ⋅ = / (ω) 4 9/ max

onde,
onde = / (ω) e ϕ(ω) são, respectivamente, a magnitude
e a fase da impedância de carga. (Veja exemplo na = / (ω) min
5(ω) = (35)
Fig. 10 e Apêndice B). = / (ω)

O termo 5(ω) é função de = / (ω) para a

polarização Classe A e igual a 1 para as demais
classes; os demais termos são definidos no item 2.4.

,,,327Ç1&,$0e',$',66,3$'$

A potência média dissipada, 3' (ω) , pode ser

determinada a parir da potência média na carga
( 3/ (ω) ) e do rendimento ( η(ω) ), através da seguinte
expressão:
 1 
3' (ω) = 3/ (ω) ⋅  − 1
)LJ  ± 0DJQLWXGH H IDVH GD LPSHGkQFLD GH FDUJD η(ω) 
 
(39)
FDL[DEDQGSDVVGHDRUGHP
Substituindo as expressões dos rendimentos em
Na análise que segue, é estudado o efeito de = / (ω) (39), juntamente com (31), calcula-se as potências
no comportamento das classes em questão. Assim, médias dissipadas para cada uma das classes em
questão.
9/
,/ = (32)
= / (ω) ,,,327Ç1&,$,167$17Æ1($',66,3$'$
e
9/ max
, / max = (33) A potência instantânea dissipada em um dos
= / (ω)
min braços da etapa SXVKSXOO, 3G (W ) , pode ser determinada
onde é a corrente de pico na carga, e 9/ max e
,/ através do produto da corrente instantânea, L(W ) , pela
, / max são os máximos valores de 9/ e , / , tensão instantânea, Y (W ) (ambas no mesmo braço).
respectivamente. A Fig. 11 mostra a potência na carga Assim,
reativa, cuja impedância é mostrada na Fig. 10,
considerando um amplificador que é capaz de fornecer 3G (W ) = L(W ) ⋅ Y(W ) (40)
100 watts em uma carga de 8Ω.
66

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onde
 9
L′(W ) = / max ⋅ ) , L′(W ) ≥ 0
L(W ) =  = / (ω)
0 , L′(W ) < 0

para operação nas Classes A, B, AB, G e H, sendo
θ
) = 4 ⋅ sen θ4 ⋅ (1 + D ⋅ 2γ ⋅ sen(ωW ) ) + sen(ωW ) ⋅ cos θ4 , D =1
π
quando polarizado em Classe A e D = 0 quando
polarizado em Classe B ou AB, e
 9
Y(W ) = 9/ max ⋅ αL + E ⋅ &(VDW − sen(ωW + ϕ(ω) )
 9/ max
sendo E = 1 e αL = 1 , para Classes A, B e AB; E = 1 e
αL = α1 para sen(ωW + ϕ(ω) ) ≤ 0 e E=L para
αL −1 < sen(ωW + ϕ(ω) ) ≤ αL , para Classe G; E = 1 para
α −1 < sen(ωW + ϕ(ω) ) ≤ α , para Classe H (Fig. 5b); E = 1 e
L L
αL = α1 para sen(ωW + ϕ(ω) ) ≤ 0 e E =1
αL −1 < sen(ωW + ϕ(ω) ) ≤ αL , para Classe H (Fig. 5c);
L = 1,2,..., 1 .
,9',0(16,21$0(172
Os transistores devem operar dentro de limitações
impostas pelo fabricante (dados de manuais) para que
se obtenha um correto funcionamento. Em [25], [26] e
[27], um método para dimensionamento via análise do
comportamento térmico da junção do transistor,
assumindo que a forma de onda do sinal da potência
dissipada é um trem de pulsos, simulando a operação
em regime de "comutação" (chaveando), é
apresentado e discutido. Contudo, o esforço da etapa
de saída é função da classe de operação (que, aqui,
não opera em regime de comutação), da polarização,
das perdas e da carga (função da freqüência); de forma
que o dimensionamento baseado em um trem de
pulsos, não corresponde à complexidade dos esforços
envolvidos.
Assim, da mesma forma que em [10], usou-se
modelar o efeito térmico desejado pela filtragem do
sinal de potência instantânea dissipada ( 3G (W ) ) através
de um sistema linear invariante (equivalente térmico)
representando o sistema transistor-dissipador-
ambiente. Dessa forma, pode-se obter as temperaturas
média e instantânea de junção ( 7- e 7- (W ) ) do(s)
transistor(es) envolvido(s) no processo.
,9/,0,7$d®(6'2675$16,6725(6
As limitações dos transistores são dadas através da
"Área de Operação Segura" (62$ ± 6DIH 2SHUDWLQJ
$UHD) fornecida pelo fabricante, onde são dadas as
limitações de corrente ( ,&0$; ou , '0$; ), de tensão
( 9&(0$; ou 9'60$; ) e de potência ( 3'0$; ), para uma
determinada temperatura ambiente ( 7$ ) ou de FDVH
(invólucro, 7& ) [28,29].
Desta forma, deve-se ter que,
< , &0$; ou , '0$;
L (W ) max
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Y(W ) max < 9&(0$; ou 9'60$; (44)
3' max < 3'0$; (45)
(41)
7- max < 7-0$; (46)
7- (W ) max < 7-SN (47)
onde 7- max e 7- (W ) max são as temperaturas média e
instantânea máximas de junção e 7-0$; e 7-SN são as
 temperaturas média e de pico máximas permitidas na
(42) junção (dados fornecidos pelo fabricante).

,9&,5&8,72(48,9$/(17((/(7527e50,&2
O circuito elétrico equivalente térmico,
simplificado, de um sistema transistor-dissipador-
ambiente é apresenta na Fig. 12 [30]. Essa
para configuração foi escolhida por possibilitar a obtenção
das temperaturas de interesse para este trabalho:
temperaturas média ( 7- ) e instantânea ( 7- (W ) ) de
junção, a temperatura no FDVH ( 7& ) e a temperatura
ambiente ( 7$ ); sendo a primeira a única que não é
medida diretamente.
)LJ±&LUFXLWRHOpWULFRHTXLYDOHQWHWpUPLFR
O circuito eletro-térmico da Fig. 12 é comum aos
dispositivos BJT, IGBT e MOSFET.
Para análise do valor médio da temperatura, as
capacitâncias térmicas passam a apresentar uma
reatância infinita, considerando-se apenas as
resistência térmicas. Assim,
7- = 3' ⋅ (5-& + 5&' + 5'$ ) + 7$ (48)
ou ainda
7- = 3' ⋅ 5-& + 7& (49)
Que são as expressões para o cálculo de 7- em
regime permanente de operação, a partir dos dados de
projeto ( 3' , 5-& , 5&' , 5'$ , 7& e 7$ , onde 5-& , 5&' e
5'$ são as resistências térmicas entre junção e FDVH,
FDVH e dissipador, dissipador e ambiente,
respectivamente).
,9$662&,$d­2'(75$16,6725(6
A Fig. 13 mostra o circuito da Fig. 12 adaptado
para 17 transistores, para a qual pode-se escrever:
3G′ (W ) = 2 ⋅ 3G (W ) (50)
17
(43)
67
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5'$
′ = 5'$ ⋅ 17 (51)
1
e 7- 0 (W ) = ⋅ ∫ 7- 0 (W ) ⋅ GW , 7 = G (W )
SHUtRGRGH3 (55)
7

& '′ = & '

7

17 (52)
onde 7- (W ) W →∞ é a temperatura instantânea de junção
Onde 3G′ (W ) é a potência instantânea dissipada em
para W → ∞ ; 7- 0 (W ) é a temperatura instantânea de
cada transistor, 5'$ ′ e &'$
′ são, respectivamente, a
junção para o primeiro ciclo de 3G′ (W ) e 7$ = 0 o C ; e
resistência térmica e a capacitância térmica do
dissipador "vistas" por cada transistor, e 17 é o 7- 0 (W ) é o valor médio de 7- 0 (W ) .
número de transistores associados.

)LJ ± &LUFXLWR HOpWURWpUPLFR SDUD XP WUDQVLVWRU

HPDVVRFLDomRFRP 17 WUDQVLVWRUHV

Aqui, foram considerados transistores casados e a )LJ  ± ÒOWLPR FLFOR GH 7- (W )  SDUD  V GH
associação feita de modo a permitir uma distribuição VLPXODomR
uniforme da potência. Na prática, dois procedimentos
são usados para promover o casamento entre os
transistores. O primeiro é a seleção prévia dos
transistores (parâmetros semelhantes) e o segundo é a
introdução de uma pequena realimentação negativa no
circuito (resistores de emissor/fonte).

,9&È/&8/2'$7(03(5$785$,167$17Æ1($
'(-81d­2

A temperatura instantânea de junção, 7- (W ) , é

calculada através do produto convolução entre a
potência instantânea dissipada, 3G′ (W ) , e a resposta ao
impulso do sistema, =7 (W ) . Desta forma:
)LJ  ± 'HPRQVWUDomR GH 7- (W )  FDOFXODGD D SDUWLU
7- (W ) = 3G′ (W ) * =7 (W )
onde =7 (W ) é a resposta ao impulso do sistema
=7 ( V) (Fig. 12 e Apêndice A), obtida pela
transformada inversa de Laplace [31].
Atribuindo valores aos componentes do circuito da
Fig. 12 ( 5-& = 5&' = 5'$ = 1 R& : , & - = 0,01 - R& ,
&& = 1 - R& , &' = 100 - R& , 7$ = 2 R& e 7-0$; = 3 R& ),
constatou-se que 7- (W ) ≅ 3' ⋅ (5-& + 5&' + 5'$ ) + 7$ = 7-
(Fig. 14), e que 7- (W ) só será igual à 7- em W → ∞ ,
onde 7- (W ) é o valor médio de 7- (W ) [32].
Portanto, calculando-se 7- 0 (W ) ( 7- (W ) para
7$ = 0 o C ) para o primeiro período de 3G′ (W ) e
sobrepondo 7- 0 (W ) à 7- , obtida a partir de (48),
determina-se o valor de 7- (W ) para W → ∞ (Fig. 15),
pois na prática & - << && << &' . Assim,
7- (W ) W →∞ = 7- 0 (W ) − 7- 0 (W ) + 7-
e
68
Telecomunicações - Volume 04 - Número 01 - Maio de 2001
(53) GH
9$9$/,$d­2
O objetivo desta Seção é fazer uma comparação
entre os esforços de uma etapa de saída quando esta é
projetada considerando-se carga resistiva (método
convencional) e carga reativa (proposta deste
trabalho).
Dimensionou-se uma etapa de saída, operando em
Classe B, de modo a se obter 100 watts em uma carga
resistiva de valor igual a 8Ω; em seguida, foram
calculadas as potências, o rendimento, as tensões, as
correntes e as temperaturas envolvidas, considerando-
se a carga reativa da Fig. 10 e Apêndice B) (o que,
teoricamente, deveria ter em uma impedância nominal
de 8Ω). Para efeito de comparação, fez-se o mesmo
(carga reativa) para uma etapa de saída operando em
Classe H (Fig. 5c) com 4 estágios e α’s iguais aos da
(54) Fig. 8a.
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Os dados de projeto são: 3/ = 100 W , 5/ = 8 Ω , Um outro ponto importante a se comentar são os

mínimos existentes na magnitude da impedância da
9&(VDW = 3 V , , &0$; = 10 A , 9&(0$; = 140 V , 3'0$; = 125 W ,
carga reativa, que atingem valores menores que a
5 -& = 1 . 0 o C W , 5&' = 0.7 o C W , 5'$ = 0.2 o C W , impedância nominal do alto-falante (8Ω). Através de
análises gráficas esses mínimos são prontamente
&- = 0.01 J o C , && = 1 J o
C, &' = 100 J o
C, detectados. Além disso, as próprias cargas (alto-
7-0$; = 7-SN = 150 o C e 7$ = 40 o C . falantes/divisores passivos/caixas acústicas) podem
ser testadas (por simulação) antes mesmo de serem
Com esses dados, para respeitar todos os critérios efetivamente utilizadas, principalmente, no caso de se
estabelecidos na Seção 4, foi necessário 1 par de ter divisores passivos, pois estes, associados com os
transistores (configuração SXVKSXOO), resultando num alto-falantes, podem resultar em sistemas de 16a
total de 2 transistores ( 17 = 2 ). Na Tabela 1 estão ordem ou maior.
Pode-se concluir que um correto dimensionamento
apresentados os resultados dos esforços das etapas de
é obtido quando este é feito considerando-se cargas
saída Classes B e H, para cargas resistiva e reativa.
reativas, e quanto mais dedicado for o projeto (cargas
específicas) melhor será o desempenho da etapa de
Classe B Classe B Classe H potência.
Resistiva Reativa Reativa Em casos genéricos (amplificadores para fins
17 2 2 2 gerais) deve-se testar o maior número possível de
3' (ω) max 46,8 W 56,1 W 39,5 W configurações de cargas para se chegar a um resultado
3/ (ω) max 100 W 108 W 108 W adequado.
η% (ω) max 73,06 % 73,06 % 84,11 %
& (W ) max
L 5,0 A 5,4 A 5,4 A 9,&21&/86®(6(',6&866®(6
Y&( (W ) max 83,0 V 83,0 V 63,0 V
Amplificadores de áudio são dispositivos
3G′ (W )max 57,8 W 126,6 W 70,2 W utilizados nos mais diferentes e diversos tipos de
7- max 84,5 oC 93,3 oC 77,5 oC aplicações. Dimensioná-los é uma tarefa árdua devido
7- 0 (W ) max 31,9 oC 66,4 oC 35,9 oC às diversas variáveis envolvidas no projeto: condições
7- (W ) max 104,3 oC 142,2 oC 104,4 oC climáticas (umidade, temperatura, etc.), tipos de
7& max 61,1 oC 65,2 oC 57,8 oC aplicações (instalações fixas, móveis, etc.), tipos
9&&1 - - 23,0 V transistores (diferentes propriedades, tolerância nas
características elétricas, etc.) e, principalmente, as
9&& 2 - - 31,3 V
estruturas de caixas acústicas utilizadas.
9&& 3 - - 37,6 V Foi proposto neste trabalho um procedimento para
9&& 4 43,0 V 43,0 V 43,0 V o dimensionamento de etapas de potência de
Tabela 1 – Resumo comparativo dos esforços para amplificadores Classes A, B, AB, G e H, considerando
cargas resistiva e reativa. carga reativa, qualquer tipo de polarização, modo de
operação e o tipo de dispositivo utilizado (BJT, IGBT
Na prática, o dimensionamento de uma etapa de e MOSFET). Também foram desenvolvidas
potência é comumente realizado considerando-se expressões para a determinação de rendimentos para
apenas carga resistiva; é atribuída uma margem de as Classes G e H para um número arbitrário de
segurança e testa-se o circuito. Desta forma, não há estágios.
qualquer garantia de que a etapa de potência seja bem Foi demonstrada a importância de se considerar
dimensionada, podendo tornar o projeto tecnicamente cargas reativas, e não apenas cargas resistivas, pelo
ou comercialmente inviável. fato de as potências dissipadas para cargas reativas
As Figs 16 a 22 (a,b,c), resumem o que foi (caso real) poderem atingir valores bem maiores do
apresentado e discutido nesse trabalho: as figuras com que as potências dissipadas para cargas resistivas. Se
índice "a" ilustram o caso Classe B com carga menores potências são consideradas no projeto, a
resistiva e as figuras com índice "b" e "c" ilustram os etapa de saída fica subdimensionada, fazendo com que
casos Classes B e H com carga reativa, a temperatura de junção ultrapasse o valor máximo
respectivamente. permitido. Até então, o procedimento usual tem sido
Nota-se que, mesmo para valores "médios" (carga considerar cargas resistivas atribuindo-se uma margem
resistiva), o esforço da etapa de potência é bastante de segurança, mas que não garante o bom
significativo (predominante) para freqüências abaixo dimensionamento da etapa de saída, porque pode
de 20 Hz; para valores "instantâneos" (cargas tornar o projeto tecnicamente ou comercialmente
resistivas e reativas), esse esforço é ainda mais inviável. Os resultados obtidos permitem um
acentuado. Garantindo-se que não haverá sinal com criterioso dimensionamento do projeto de etapas de
freqüências abaixo de 20 Hz (que teoricamente não potência, tanto sob o ponto de vista técnico quanto
são audíveis) consegue-se uma otimização no econômico.
dimensionamento, sem com isso prejudicar a
qualidade dos resultados.

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D E

E F
)LJ  ± 5HQGLPHQWR D &ODVVH % FDUJD UHVLVWLYD
E &ODVVH % FDUJD UHDWLYD F &ODVVH + FDUJD
UHDWLYD

)LJ  ± 3RWrQFLD PpGLD GLVVLSDGD D &ODVVH %

FDUJDUHVLVWLYDE&ODVVH%FDUJDUHDWLYDF D

E
D

70

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F D
)LJ  ± /LQKDV GH FDUJD D &ODVVH % FDUJD
UHVLVWLYD E &ODVVH % FDUJD UHDWLYD F &ODVVH +
FDUJDUHDWLYD

F
)LJ  ± 7HPSHUDWXUD LQVWDQWkQHD GH MXQomR D
&ODVVH%FDUJDUHVLVWLYDE&ODVVH%FDUJDUHDWLYD
E F&ODVVH+FDUJDUHDWLYD&ODVVH+FDUJDUHDWLYD

F D
)LJ  ± 3RWrQFLD LQVWDQWkQHD GLVVLSDGD D &ODVVH
% FDUJD UHVLVWLYD E &ODVVH % FDUJD UHDWLYD F
&ODVVH+FDUJDUHDWLYD
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E F
)LJ  ± 7HPSHUDWXUD Pi[LPD GH MXQomR D &ODVVH %
FDUJD UHVLVWLYD E &ODVVH % FDUJD UHDWLYD F &ODVVH +
FDUJDUHDWLYD

5()(5Ç1&,$6

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72

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'HYLFH'DWD, DL135/D, Ver. 6, 1996; )LJ % ± &LUFXLWR HOpWULFR HTXLYDOHQWH GR VLVWHPD
%DQGSDVVGHDRUGHP
73

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1 = HT ( V ) 1999 iniciou seu Doutorado, também na UFSC, com o

= YF ( V) = 5( + 5HG + V ⋅ /H + tema em Sistemas de Áudio. Desde 1990 vem atuando
'= HT ( V )
profissionalmente como consultor e projetista de
Onde: equipamentos de áudio e é autor de vários artigos

( )
ωV
publicados em revistas técnicas. Atualmente integra o
1 = HT ( V ) = 5HV ⋅ ⋅ V 4 + $ ⋅ V3 + % ⋅ V 2 + & ⋅ V + ' ⋅ V Departamento de Projetos e Consultoria (PRODEP)
4PV
do INATEL e é membro da Audio Engineering
ω ω Society (AES).
$ = E1 + E 2 E-mail: rosalfonso@inatel.br
4/1 4/2
ωE1 ⋅ ωE2 6LGQHL1RFHWL)LOKR atualmente é Professor Titular do
% = ωE21 + + ωE22 Departamento de Engenharia Elétrica da Universidade
4/1 ⋅ 4/ 2
Federal de Santa Catarina (UFSC). Concluiu seu curso
ω ω de graduação em Engenharia Elétrica na UFSC em
& = ωE21 ⋅ E2 + ωE22 ⋅ E1 1975 e ingressou na carreira acadêmica em 1976.
4/ 2 4/1
Obteve o título de Mestre em Ciências em Engenharia
Elétrica pela UFSC em 1980 e obteve o título de
' = ωE21 ⋅ ωE22 Doutor em Engenharia Elétrica - Área de Eletrônica
na COPPE/Universidade Federal do Rio de Janeiro,
'= HT (V) = V 6 + ( ⋅ V5 + ) ⋅ V 4 + * ⋅ V 3 + + ⋅ V 2 + , ⋅ V + - RJ em 1985. É pesquisador do CNPq e desenvolve
seus trabalhos de pesquisa no Laboratório de
ω ω ω
( = E1 + E2 + V Instrumentação Eletrônica: Circuitos e Processamento
4/1 4/ 2 4PV de Sinais (LINSE), nas áreas de filtros analógicos
contínuos e amostrados, instrumentação eletrônica,
ωE1 ⋅ ωE2 ωV  ωE1 ωE 2  processamento de sinais e projeto de circuitos
) = ωE1 +
2
+ω +2
⋅ +  + ω ⋅ (1 + α
2
4/1 ⋅ 4/ 2 E2 4PV  4/1 4/ 2  V integrados. Suas publicações incluem 1 livro
intitulado “Filtros Seletores de Sinais”, 1 Dissertação
de Mestrado, 1 Tese de Doutorado, 55 trabalhos em
ω ω ω  ω ⋅ω  congressos nacionais e internacionais e 8 trabalhos em
* = ωE21 ⋅ E2 + ωE22 ⋅ E1 + V ⋅  ωE21 + E1 E2 + ωE22  revistas internacionais.
4/ 2 4/1 4PV  4/1 ⋅ 4/2 
E-mail: sidnei@linse.ufsc.br
ω ω 
+ ω2V ⋅  E1 ⋅ (1 + α2 ) + E2 ⋅ (1 + α1)
 4/1 4/2  5XL 6HDUD nasceu em Florianópolis, SC, em 1951.
Graduou-se em Engenharia Elétrica pela Universidade
ω  ω ω  Federal de Santa Catarina (UFSC), Florianópolis, SC,
+ = ωE21 ⋅ ωE22 + V ⋅  ωE21 ⋅ E2 + ωE22 ⋅ E1 
4PV  4/2 4/1  em 1975. Obteve o título de Mestre em Ciências de
Engenharia Elétrica pela UFSC, em 1980.
 ω ⋅ω 
+ ω2V ⋅ ωE21 ⋅ (1 + α2 ) + ωE22 ⋅ (1 + α1) + E1 E2  Especializou-se em Instrumentação-Metrologia pela
 4/1 ⋅ 4/2  Ecole Supérieure d'Electricité de Paris, França, em
1982. Obteve o título de Doutor em Engenharia
ωV  ω ω 
, = ⋅ ωE21 ⋅ ωE22 + ω2V ⋅  ωE21 ⋅ E 2 + ωE22 ⋅ E1  Elétrica pela Université Paris Sud de Paris, França, em
4PV  4/ 2 4/1  1984. Foi Chefe do Laboratório de Eletrônica do
Departamento de Engenharia Elétrica da UFSC de
- = ω 2V ⋅ ωE21 ⋅ ωE22 1978 a 1981. Foi Subchefe do Departamento de
Engenharia Elétrica da UFSC de 1992 a 1993. Foi
9 9 Coordenador de Pesquisa do Departamento de
α1 = DV , α 2 = DV Engenharia Elétrica da UFSC de 1992 a 1997.
9E1 9E 2
Atualmente é Supervisor do Laboratório de
Instrumentação Eletrônica: Circuitos e Processamento
%,2*5$),$6
de Sinais (LINSE) da UFSC, cargo que ocupa desde
1985. É Professor Titular do Departamento de
5RVDOIRQVR %RUWRQL nasceu em São Lourenço, MG,
Engenharia Elétrica da UFSC, onde leciona
em 1965. Obteve o título de Engenheiro Eletricista
disciplinas de graduação e pós-graduação bem como
(ênfase em Eletrônica e Telecomunicações) pelo
orienta alunos em dissertações de mestrado e teses de
INATEL – Instituto Nacional de Telecomunicações de
doutorado. Possui vários artigos publicados em
Santa Rita do Sapucaí, MG, em 1993. Foi professor da
periódicos nacionais e internacionais bem como
Escola Técnica de Eletrônica Francisco Moreira da
participação em diversos congressos nacionais e
Costa no período de 1990 a 1995. Em 1996 iniciou
internacionais. Efetua pesquisas nas áreas de:
seus estudos em pós-graduação na Universidade
Processamento de Voz e Imagem, Filtros Digitais,
Estadual de Londrina (UEL), onde obteve o título de
Filtros Adaptativos, Filtragem Analógica e
Engenheiro de Segurança. Posteriormente obteve o
Instrumentação Eletrônica.
título de Mestre em Engenharia Elétrica pela
E-mail: seara@linse.ufsc.br
Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC). Em
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Telecomunicações - Volume 04 - Número 01 - Maio de 2001