Projeto 2

GRUPO 8
Etapa Acompanhamento

​ ​Especificações: Amplificados diferencial PMOS, Termistor GL103J5J,

Vdd=2,5V, Vss=-2,5V
​ ​Simulações Realizadas em Windows 10 – 64 bits
1. Introdução
O Projeto 2 apresenta como proposta o estudo dos amplificadores multi estágio, tendo como
principal desafio a construção, a nível de simulação, de uma versão simplificada de um amplificador
operacional utilizando transistores MOS. Assim como no primeiro projeto, este amplificador tem como
função o tratamento de um sinal proveniente de um sensor de temperatura cujo modelo foi
especificado pelo professor. Este texto apresenta o progresso do grupo na etapa de acompanhamento e
serve de base para o relatório final, que apresentará o processo de finalização do projeto.
2. O Projeto
Na etapa de acompanhamento, preocupa-se apenas com o primeiro estágio do amplificador, que
corresponde a um amplificador diferencial com carga ativa, o que permite que dois sinais possam ser
captados pelas entradas inversora e não inversora e a saída possa ser então transmitidas aos estágios
subsequentes. Para este estágio, as simulações foram realizadas com dois fatores tidos como
prioridade: a obtenção do maior ganho diferencial possível e maior rejeição de modo comum (CMRR)
possível. Como no Projeto 1 a polaridade dos transistores do amplificador era PMOS, os transistores
que compõem o amplificador no estágio diferencial também são PMOS, como definido pelo professor.
A polaridade dos outros transistores do circuito também fica bem definida, como mostra a Figura 1,
que consiste no diagrama do circuito a ser analisado na etapa de acompanhamento

Figura 1: Circuito do amplificador diferencial

O estudo contido nesta etapa consiste na variação dos parâmetros do circuito mostrado na Figura 1
de forma a obter o maior ganho diferencial possível e o menor ganho de modo comum possível,
levando a uma razão de rejeição de modo comum (CMRR) elevada. A CMRR é, por definição, a razão
entre o ganho diferencial e o ganho de modo comum. Como é difícil, em um mesmo circuito, avaliar
ambos os ganhos separadamente, foram usados duas configurações para, em cada uma delas, obter os
parâmetros ideais para otimizar os ganhos diferencial e de modo comum. As Figuras 2 e 3,
respectivamente, mostram os diagramas usados para analisar o ganho diferencial e o ganho de modo
comum.

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 Figura 2: Montagem simplificada para o circuito Figura 3:Montagem simplificada para o circuito de
diferencial modo comum
Os parâmetros de interesse são os seguintes:
● Valor da resistência Rref, que tem influência direta no valor da corrente de polarização.
● Valor da tensão contínua (​offset​) aplicada às duas entradas do amplificador diferencial.
● Dimensões W e L dos transistores.
Também há interesse em analisar a faixa de tensão diferencial na entrada que garante amplificação
linear, definindo a excursão máxima do sinal de entrada diferencial. Apesar da expectativa de que a
finalidade do circuito seja de operar em baixas frequências, a resposta em freqûencia do amplificador é
interessante para fins de análise. Assim, são avaliadas as variações dos ganhos diferencial e de modo
comum com a freqûencia e, então, analisa-se a variação do CMRR. Dessa forma, espera-se que, ao
final da etapa de acompanhamento, todos os parâmetros do primeiro estágio do amplificador
operacional estejam definidos de forma a garantir sua operação com maior CMRR possível, abrindo
caminho para a análise dos próximos estágios e finalização do projeto.
3. Resultados e Discussões
3.1-Dimensionamento e definição de parâmetros

Primeiramente, é importante ressaltar que o circuito mostrado na figura 1 foi dimensionado a fim de
se obter o maior CMRR possível. Para isso, na simulação realizada no LTSpice, o norte do grupo foi
verificar os parâmetros que poderiam ser variados a fim de que o maior ganho diferencial fosse obtido,
tendo em vista que o CMRR, por definição, é a razão entre o ganho diferencial e o ganho de modo
comum.
Utilizando a ligação mostrada na figura 2, simulou-se o circuito, utilizando os parâmetros do
Projeto 1. Esses parâmetros foram usados no momento inicial como uma referência, tendo em vista
que não foram realizados cálculos por fora da simulação. Sendo assim, baseado na nomenclatura
circuito da figura 1, iniciou-se a simulação com os seguintes parâmetros:
W e1 = W e2 = W 1 = W 2 = W 3 = W 4 = 20µm , le1 = le2 = l1 = l2 = l3 = l4 = 0, 6µm , Rref = 8kΩ .
Outros parâmetros, como já mencionado no item 2, foram pré-definidos, como V dd =− V ss = 2, 5V e
V dc(of f set) = 0V .
Tomando esses parâmetros como base, iniciou-se o processo para a obtenção do maior CMRR.Vale
a pena ressaltar que todos os gráficos apresentados a seguir, terão no seu eixo y, o ganho diferencial e
no eixo x o parâmetro a ser analisado.Além disso, o método utilizado para a obtenção do maior CMRR
se deu da seguinte forma:

Escolhe-se um parâmetro a ser variado por meio do comando​ .step.

Logo em seguida, encontra-se o valor do parâmetro que fornece o maior ganho diferencial.
Altera-se o valor desse parâmetro na simulação e observa-se o efeito da mudança

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 Repete o processo para outros parâmetros
Primeiramente, variou-se a largura dos transistores 3 e 4, como mostrado na figura 4.

Figura 4: Comportamento do Ganho pela variação da largura dos transistores 3 e 4.

Como pode-se ver pelo cursor, o maior ganho diferencial ocorre quando W 3 = W 4 = 1, 6µm. Logo
em seguida, realizou-se o ​.step​ de Rref, como mostrado na figura 5.

Figura 5: Comportamento do Ganho pela variação do resistor de referência

​Como pode-se observar pela figura acima, optou-se pela escolha do resistor Rref= 50kΩ . O resistor
de referência foi dimensionado, parcialmente, com base na corrente. Como quería-se uma corrente de
polarização próxima de 500µA ( pois foi utilizada no Projeto 1) optou-se por balancear ganho
diferencial e corrente de polarização. Sendo assim, para esse valor escolhido tem-se um alto ganho e
uma alta corrente, como foi desejado. O próximo parâmetro a ser analisado foi a largura dos
transistores do espelho de corrente, como exibido na figura 6.

Figura 6: Comportamento do Ganho pela variação da largura dos transistores do espelho (Me1 e Me2)
O valor encontrado foi W e1 = W e2 = 2µm tendo em vista que é o pico de maior ganho. Por último,
plotou a resposta do ​.step ​do comprimento de canal dos transistores 3 e 4. Assim, como apresentado na
figura 7, l3 = l4 = 1, 6µm .

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 Figura 7: Comportamento do Ganho pela variação do comprimento dos transistores 3 e 4
Embora o ganho fosse maior quanto maior fossem l3 e l4 , A relação de área por comprimento deve
ser de no minimo 1. Como W 3 = W 4 = 1, 6µm, logo 1, 6µm também é o máximo valor pro tamanho do
comprimento do canal. Vale ressaltar que também alterou-se o comprimento do canal do espelho,
porém como as variações foram mínimas, os resultados não serão apresentados. É importante também
ressaltar que os parâmetros dos amplificadores (MOSFETs 1 e 2) não foram alterados tendo em vista
que se objetiva a maior proximidade possível com o Projeto 1.
Sendo assim, tem-se finalmente todo o circuito dimensionado. Em resumo,
W e1 = W e2 = 2µm, W 1 = W 2 = 20µm, W 3 = W 4 = 1, 6µm , le1 = le2 = l1 = l2 = 0, 6µm,
l3 = l4 = 1, 6µm e Rref= 50kΩ.
3.2-Análises em CC e transiente
3.2.1- Diferencial
​Com o circuito dimensionado por completo, pode-se simular o seu ponto de operação. Sendo assim,
como se pode observar na simulação “Diferencial.circ” obtêm-se os seguintes resultados mais
significativos, baseado no circuito da figura 2:

Ganho = Id(M_1) = Id(M_2) = Id(M_1e) = Id(M_2e) =

53,723 V/V -9,39 µ A -9,39 µ A 19,37 µ A -18,78 µ A

Como será mostrado mais detalhadamente nas seções seguintes, é interessante observar que as
correntes do amplificador são iguais. Em um caso ideal em que M1 e M2 sejam idênticos a corrente
que vem do espelho deve-se dividir igualmente para ambos, o que está ocorrendo. Outro ponto
interessante de se observar é que não se conseguiu um espelho de corrente perfeito, embora ele
também não seja totalmente desbalanceado pois existe apenas uma diferença de 1,4 µ A entre as
correntes. Sobre o ganho, 53,723 V/V foi o maior ganho diferencial obtido ao se considerar ​offset de
0V. Contudo, para fins didáticos decidiu-se verificar em qual ponto de polarização teria-se o maior
ganho diferencial, tendo em vista que pode ser útil para próxima etapa de projeto. O ​.step na figura 8
abaixo permite com que tenhamos esse valor.

Figura 8: Comportamento do Ganho pela variação da tensão de ​offse​t

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 ​Sendo assim, percebe-se que para 1,58V tem-se o maior ganho diferencial. Além disso, é de extrema
importância verificar que só existe ganho diferencial significativo para a faixa de -2 a +2V de ​offset​.
3.2.2- Modo comum
​Utilizando os mesmos parâmetros definidos na seção 3.1, realizou-se uma outra montagem do
circuito para que fosse possível analisar e avaliar a tensão e o ganho de modo comum. O circuito
esquemático da figura 3 mostra como foi realizada essa montagem. O primeiro teste realizado, foi
verificar qual seria o ganho de modo comum para o caso sem ​offset​, valendo ressaltar que se utilizou
uma frequência de 10kHz e uma amplitude de 10mV para a fonte de sinal senoidal. Sendo assim, como
pode ser observado na simulação “​Modo comum.circ” ​, para esse ponto de polarização o ganho de
modo comum é de 0,036V/V.
Assim como feito para a montagem diferencial, decidiu-se avaliar como seria o comportamento do
ganho de modo comum com a variação do ​offset​, tendo em vista que essa análise nos vai ser útil para
quando a temperatura começar a variar. A figura 9 abaixo mostra o .step realizado.

Figura 9: Comportamento do Ganho de modo comum variação da tensão de ​offset

Como pode-se observar, o ganho de modo comum é pequeno para tensões negativas, e
extremamente elevado para tensões positivas. Além disso, ao comparar com a figura 8 é evidente que
nos pontos onde o ganho de diferencial é maior, o comum também é maior.

3.3- Análises da faixa de operação e flutuação

​Sabendo que a região de saturação é a que desejamos para esse projeto, por ter um comportamento
previsível e mais linear é importante que a faixa onde o amplificador se encontra em saturação é de
suma importância. Sendo assim , nesta seção serão avaliadas, sem nos preocuparmos diretamente com
o ganho e com o CMRR ,as faixas em que o amplificador apresenta um comportamento aceitável.Vale
a pena ressaltar que todos os dados e figuras que serão apresentados nesta seção foram obtidos na
simulação “​Diferencial.circ”. ​Primeiramente, avaliou-se o comportamento da tensão de saída pela
tensão de ​offset​. A figura 10 abaixo mostra os limites bem evidentes da tensão de ​offset​. Como é
notório, a região de saturação se encontra bem definida entre -2V< ​Offse​t < 2 V, sendo a região de
maior ganho de 0V a 2V.

Figura 10: Comportamento da Tensão de saída com a variação da tensão de ​offset

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 ​ utra situação simulada foi para verificar o limite da região de saturação em relação a tensão
O
diferencial( (V+) - (V-)), lembrando novamente, para um ​offset nulo. A figura 11 mostra o
comportamento do amplificador.

Figura 11: Comportamento da Tensão de saída com a variação da tensão diferencial

Pela figura acima fica evidente que a tensão diferencial possui uma faixa extremamente pequena
para que o amplificador se encontre em saturação. Tal faixa é de aproximadamente -20mV a +65mV.
Nesse limite, percebe-se que os limites das tensões de saída que permitem o comportamento de
amplificador são -2,5V e +2,5 V. Caso o circuito esteja operando com uma elevada tensão diferencial,
em módulo, muitos problemas podem ocorrer, como o desbalanceamento das correntes dos Mosfets da
amplificação 1 e 2. A figura 12 permite observar que apenas para o caso em que não se exista tensão
diferencial as correntes nos ramos dos amplificadores são iguais.

​Figura 12: Efeito da excursão da tensão diferencial nas correntes dos amplificadores

Sendo assim fica evidente que quanto maior for a tensão diferencial, maior será o desbalanceamento
das correntes e consequentemente mais imprevisível ficará o amplificador. Vale ressaltar que a região
linear das correntes corresponde a excursão da tensão de entrada permitida no amplificador diferencial.
Ou seja, ao estar fora da faixa de excursão delimitada, o amplificador não apresentará o
comportamento desejado. Além disso, um fenômeno interessante de se observar é para o caso em que
se utiliza o ponto de polarização que apresentou o maior ganho diferencial, ou seja, 1,58 V de ​offset​.
Como já mostrado, para esse ponto, embora se tenha um alto ganho diferencial, também se tem um
alto ganho de modo comum. Esse elevado ganho de modo comum faz com que a inclinação das curvas
aumente, como mostrado na figura 13.

Figura 13: Efeito da excursão da tensão diferencial nas correntes dos amplificadores

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3.4- Análises em frequência
Com os circuitos para avaliar o ganho diferencial e o ganho de modo comum prontos , pode-se analisar
seus comportamentos na frequência, sendo os resultados parecidos com o esperado. Primeiramente,
temos o comportamento do ganho diferencial na frequência, como mostrado na figura 14.

Figura 14: Ganho diferencial na frequência

Ao analisar-se o comportamento do ganho diferencial na frequência, fica evidente que ele se
comporta como um passa-baixas. Isso quer dizer que ele permanece constante em aproximadamente 54
V/V até a sua frequência de corte de 79,35 MHz, onde sofre um queda brusca. Em altas frequências
devido ao efeito das capacitâncias intrínsecas o ganho é totalmente atenuado e tende a 0 V/V, ou seja,
ocorre a perda do comportamento amplificador.
Já para o circuito no qual analisou-se o modo comum, percebe-se que seu comportamento foi similar
a de um passa altas, como mostrado na figura 15 abaixo.

Figura 15: Ganho de modo comum na frequência

Como também era de se esperar, o ganho de modo comum é muito pequeno, cerca de 36mV/V em
baixas frequências. Já em altas frequências , após sua frequência de corte de 19,32MHz ele se torna
muito significativo e faz com que seja perdido o comportamento de amplificador do circuito
diferencial.
3.5- Resultados finais e análise do CMRR
​Após a realização de todas as simulações e a obtenção dos ganhos diferenciais e de modo comum
para diferentes situações , escolheu-se duas para realizar a análise do CMRR, que é a taxa de rejeição
ao modo comum. Vale a pena ressaltar que nesta seção , embora os dados tenham sido colhidos no
LTSpice, as figuras foram plotadas no MATLAB, como mostram as rotinas em anexo. Primeiramente,
avaliou-se o comportamento do CMRR devido à mudança da polarização, no caso, a tensão de ​offset​,
como pode ser visto na figura 16(a). Como mostrado na seção 3.1, o circuito diferencial se encontra na
saturação entre -2V e + 2V, o que também é evidente na análise do CMRR, já que, entre esses valores
o CMRR é extremamente elevado. Isso ocorre, pois, para grandes ​offset​, embora o ganho diferencial
tenda a aumentar, o ganho de modo comum aumenta proporcionalmente mais, fazendo com que o
CMRR diminua, até se aproximar de 0, o que seria o pior caso. Sendo assim, novamente, é de extrema
importância trabalhar com o amplificador diferencial em sua faixa adequada.

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 Outra análise realizada foi como o CMRR se comporta na frequência, como pode-se observar na
figura 16(b). Pela seção 3.4 este comportamento era previsível pois o ganho diferencial é alto em
baixas frequência ao passo que o ganho de modo comum é elevado em altas frequências. Sendo assim,
como o CMRR é dado por Adif/Acom, logo, ele é elevado nas baixas frequências, próximo a 65dB, e
extremamente baixo em altas frequências. Conclui-se então que para o amplificador funcionar como o
desejado deve-se trabalhar justamente nas baixas frequências, a fim de evitar o efeito das capacitâncias
intrínsecas presentes no circuito.

Figura 16: Comportamento do CMRR

(a) Variação do CMRR com a polarização ( tensão de ​offset​) (b) Variação do CMRR com a frequência

4. Anexos

[A] ​MindMup

[B] ​Simulações Spice - “Diferencial.circ” e “Modo comum.circ”

[C]​ Rotinas Matlab

5. Referências Bibliográficas

[1] SEDRA, S.; SMITH, K.. Microeletrônica. 5ª. Edição, Pearson Makron Books, São Paulo,
Brasil, 2005

[2] ​Notas de aula do Professor Patrick Mendes

[3]​ Guia Spice: “SPICE ‘Quick’ Reference Sheet”

[4] ​Data sheet – Tecnologia C5N