CENTRO FEDERAL DE EDUCAÇÃO TECNOLÓGICA CELSO

SUCKOW DA FONSECA - CAMPUS NOVA FRIBURGO

Disciplina: Eletrônica I (GEEE6502NF)

Período: 2021.2

Lista 03 – Transistores Bipolares de Junção (TBJ)

1) Para o circuito da Figura 1:

a) Deduza o valor da corrente 𝐼𝐵 e a tensão 𝑉𝐶 em função
dos parâmetros do circuito: 𝑉𝐶𝐶 , 𝑅1 , 𝑅2 , 𝑅𝐸 , 𝑅𝐶 e 𝛽
(sem usar os valores numéricos).
b) Quando 𝛽 é muito grande (assuma 𝛽 indo para
infinito), qual é o limite da tensão 𝑉𝐶 calculada na parte
a)?
c) Calcule os valores numéricos da tensão 𝑉𝐶 para os
casos que 𝛽 = 200 e
𝛽 = 400. O resultado obtido se relaciona com a parte
b)?
OBS: Pode-se assumir que 𝑉𝐵𝐸 vale 0.7 V na região ativa.
Figura 1 - Circuito para o problema 1.

2) Dado o circuito da Figura 2,

a) Calcule a corrente na base do transistor (𝐼𝐵 ).
b) Projete o resistor 𝑅𝐶 para que a tensão 𝑉𝐶 seja 8 V.
c) Usando o valor do resistor projetado na parte b),
calcule 𝑉𝐶𝐸 e verifique que o transistor está fora da
região de saturação.
OBS: Na região ativa, pode ser assumido 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉. Também pode
ser aproximado o valor de 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ≃ 0.2 V.

Figura 2 - Circuito para o problema 2.

3) Para o circuito da Figura 3,

a) Determine o valor CC das correntes 𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 e 𝐼𝐶 .
b) Desenhe o equivalente CA do circuito completo,
usando um dos modelos π ou T para o transistor
TBJ, e indicando os valores de 𝑔𝑚 , 𝑟𝜋 (ou 𝑟𝑒 ) e 𝑟𝑜 .
OBS: Na região ativa, pode ser assumido 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉. A tensão
de Early 𝑉𝐴 = 200 𝑉.

Figura 3 - Circuito para o problema 3.

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4) Para o circuito amplificador da Figura 4:

a) Analise o circuito em CC para determinar os valores do modelo π do NPN: 𝑔𝑚 ,
𝑟𝜋 e 𝑟𝑜 (Assumir tensão de Early 𝑉𝐴 = 200 𝑉 e em região ativa 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉).
b) Analise o circuito em CA, usando os valores calculados na parte a), e determine
o ganho de tensão 𝐴𝑉 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠 .

Figura 4 - Circuito para o problema 4.