(E-Book IFMG) Eletronica Introducao Inversores Tensao

Eletrônica
Introdução aos Inversores de Tensão
Lucas Frederico Jardim Meloni
Formação Inicial e
Continuada
+
IFMG
Lucas Frederico Jardim Meloni
Eletrônica: Introdução aos Inversores de Tensão

1ª Edição
Belo Horizonte
Instituto Federal de Minas Gerais
2021
© 2021 by Instituto Federal de Minas Gerais
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reproduzida ou transmitida de qualquer modo ou por qualquer outro meio, eletrônico
ou mecânico. Incluindo fotocópia, gravação ou qualquer outro tipo de sistema de
armazenamento e transmissão de informação, sem prévia autorização por escrito do
Instituto Federal de Minas Gerais.
Pró-reitor de Extensão Carlos Bernardes Rosa Júnior

Diretor de Programas de Extensão Niltom Vieira Junior
Coordenação do curso Lucas Frederico Jardim Meloni
Arte gráfica Ângela Bacon
Diagramação Eduardo dos Santos Oliveira
FICHA CATALOGRÁFICA
Dados Internacionais de Catalogação na Publicação (CIP)
M528e Meloni, Lucas Frederico Jardim.

Eletrônica: Introdução aos inversores de tensão / Lucas
Frederico Jardim Meloni. – Belo Horizonte : Instituto Federal de
Minas Gerais, 2021.
108 p.: il.color.
E-book, no formato PDF.

Material didático para Formação Inicial e Continuada.
ISBN 978-65-5876-116-7
1. Inversores de Tensão. 2. Conversores CC-CA. 3.

Eletrônica de Potência. I. Título.
621.382
Catalogação: Simoni Júlia da Silveira - CRB-6/2396
Índice para catálogo sistemático:

1. Sistema Eletrônico 621.382
2021
Direitos exclusivos cedidos ao
Instituto Federal de Minas Gerais
Avenida Mário Werneck, 2590,
CEP: 30575-180, Buritis, Belo Horizonte – MG,
Telefone: (31) 2513-5157
Sobre o material
Este curso é autoexplicativo e não possui tutoria. O material didático,

incluindo suas videoaulas, foi projetado para que você consiga evoluir de forma
autônoma e suficiente.
Caso opte por imprimir este e-book, você não perderá a possiblidade de
acessar os materiais multimídia e complementares. Os links podem ser
acessados usando o seu celular, por meio do glossário de Códigos QR
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Palavra do autor
Caro aluno seja bem-vindo ao curso de Formação Continuada “Eletrônica: Introdução

ao Inversores de Tensão”.
Os inversores de tensão são circuitos eletrônicos conversores de energia,
encontrados em uma ampla variedade de dispositivos industriais e residenciais. São
utilizados, por exemplo, em acionamentos de motores elétricos de corrente alternada,
sistemas renováveis para geração de energia e em sistemas de aquecimento e fontes de
alimentação.
Dividido em duas semanas e nove módulos, este curso irá abordar inicialmente os
componentes semicondutores mais utilizados em inversores de tensão, seguido da
explicação da operação básica das principais topologias monofásicas: meia-ponte e ponte
completa. Também será visto o básico sobre inversores multiníveis NPC. Em seguida, será
analisada a operação de inversores trifásicos e o acionamento através de modulação por
largura de pulso (PWM). Posteriormente, serão descritas as arquiteturas básicas de malhas
de controle de inversores monofásicos, onde será mostrado como é possível sintetizar
tensões e correntes senoidais, com amplitude e frequência desejadas. Por fim, será discutido
o funcionamento dos inversores de frequência, dispositivos dedicados ao acionamento de
motores de indução trifásicos.
Este curso foi feito com o intuito de fornecer base teórica para compreender a
operação básica de inversores de tensão. Dessa forma é importante que o aluno não
somente leia a apostila, mas também assista a todos os vídeos disponibilizados e também
tente realizar a simulação dos circuitos demonstrados. A sugestão de estudos indicada é de
duas semanas, considerando que para cada etapa necessita de um prazo para absorver o
conteúdo dos vídeos e da apostila fornecida.
Bons estudos!
O autor.
Apresentação do curso
Este curso está dividido em duas semanas, cujos objetivos de cada uma são apresentados,
sucintamente, a seguir.
Nesta semana você verá os principais componentes semicondutores

SEMANA 1 utilizados em inversores de tensão, além das principais topologias
monofásicas, incluindo uma introdução aos inversores multinível.
Nesta semana você estudará o inversor trifásico e o acionamento de

inversores através de modulação por largura de pulso (PWM).
Também será visto como são estruturadas as malhas de controle de
SEMANA 2 tensão e corrente de saída de inversores. Por fim, será feita uma
introdução na operação de inversores de frequência dedicados ao
acionamento de motores de indução.
Carga horária: 20 horas.

Estudo proposto: 2h por dia em cinco dias por semana (10 horas semanais).
Apresentação dos Ícones
Os ícones são elementos gráficos para facilitar os estudos, fique atento quando eles
aparecem no texto. Veja aqui o seu significado:
Atenção: indica pontos de maior importância no texto.
Dica do professor: novas informações ou curiosidades

relacionadas ao tema em estudo.
Atividade: sugestão de tarefas e atividades para o

desenvolvimento da aprendizagem.
Mídia digital: sugestão de recursos audiovisuais para

enriquecer a aprendizagem.
Sumário
Semana 1 – Dispositivos semicondutores e topologias monofásicas ................................... 2

1.1 Módulo 1 – Introdução ................................................................................................ 2
1.2 Módulo 2 - Dispositivos Semicondutores de Potência ................................................ 4
1.2.1 Diodos de potência ............................................................................................... 4
1.2.3 Transistores Bipolares de Junção ........................................................................ 6
1.2.3 Transistores de efeito de campo de Enriquecimento Metal-Óxido Semicondutor 8
1.2.4 Transistores bipolares de porta isolada ...............................................................11
1.2.5 Circuitos para comando de MOSFETs e IGBTs ..................................................12
1.3 Módulo 3 – Inversores de tensão monofásicos Meia-Ponte.......................................16
1.3.1 Inversor meia-ponte com carga resistiva. ............................................................18
1.3.2 Inversor meia-ponte com carga resistiva e indutiva (RL). ....................................23
1.4 - Módulo 4 – Inversores de tensão monofásicos em ponte completa ........................25
1.4.1 Inversor ponte completa com acionamento bipolar e carga resistiva ..................26
1.4.2 Inversor ponte completa com acionamento bipolar e carga RL ...........................29
1.4.3 Inversor ponte completa com acionamento unipolar e carga resistiva ................31
1.4.4 Inversor ponte completa com acionamento unipolar e carga RL .........................34
1.5 - Módulo 5 – Inversores de tensão monofásicos multiníveis e o inversor NPC ..........37
1.5.1 - Ferramentas matemáticas para análise de desempenho de inversores de tensão
.....................................................................................................................................37
1.5.2 - Inversores multinível .........................................................................................41
1.5.3 - Inversor monofásico de ponto neutro grampeado em Meia-Ponte ....................42
1.5.4 - Inversor monofásico de ponto neutro grampeado em ponte completa ..............44
Semana 2 – Inversor trifásico, PWM e produção de tensão ................................................46
2.1 - Módulo 6 – Inversores de tensão trifásico ...............................................................46
2.1.1 - Operação com carga resistiva conectada em Y ................................................52
2.1.2 - Operação com carga resistiva conectada em ∆ ................................................55
2.1.3 - Operação com carga RL conectada em Y .........................................................57
2.1.4 - Operação com carga RL conectada em ∆ .........................................................57
2.2 - Módulo 7 – Modulação por largura de pulso (PWM) ................................................60
2.2.1 - Modulação SPWM bipolar para inversores monofásicos em ponte completa ...65
2.2.2 - Modulação SPWM unipolar para inversores monofásicos em ponte completa .68
2.2.3 - Modulação SPWM unipolar para inversores trifásicos ......................................70
2.3 - Módulo 8 – Estruturas de controle de tensão e corrente de saída em inversores
monofásicos .....................................................................................................................73
2.4 - Módulo 9 – Inversores de frequência .......................................................................79
2.4.1 - Distorção harmônica na corrente de entrada ....................................................80
2.4.2 - Frenagem dinâmica e reostática .......................................................................81
2.4.2 - Controle de velocidade V/f ................................................................................81
2.4.3 - Controle de velocidade vetorial .........................................................................83
Referências .........................................................................................................................87
Glossário de códigos QR (Quick Response)....................................................................91
Semana 1 – Dispositivos semicondutores e topologias monofásicas
Objetivos
Nesta semana você verá os principais componentes
semicondutores utilizados em inversores de tensão, além das
principais topologias monofásicas, incluindo uma introdução
aos inversores multinível.
Mídia digital: Antes de iniciar os estudos, vá até a sala

virtual e assista ao vídeo “Módulo 1 – Introdução”.
1.1 Módulo 1 – Introdução
Conversores C.C.- C.A são circuitos capazes de sintetizar tensões e correntes alternadas à
partir de fontes de alimentação contínuas (HART, 2012). A Figura 1 mostra a representação
em diagrama de blocos de circuitos inversores fonte de tensão e corrente. Como mostrado
na Figura 1(a), um inversor fonte de tensão, ou inversor de tensão, utiliza uma fonte de
tensão contínua (VCC) para produzir saídas de corrente (io(t)) e tensão (vo(t)) alternadas. Já
o inversor fonte de corrente, representado na Figura 1 (b) utiliza uma fonte de corrente
contínua (ICC) para produzir suas saídas alternadas de corrente e tensão.
Figura 1 – Circuitos inversores monofásicos: (a) Inversor fonte de tensão monofásico; (b) Inversor fonte de
corrente monofásico.
Fonte: Imagem produzida pelo autor.
Também é possível encontrar inversores de tensão ou corrente trifásicos. Estes

conversores utilizam uma única fonte contínua, para produzir saídas alternadas trifásicas de
corrente (ia(t), ib(t) e ic(t)) e tensão (va(t), vb(t) e vc(t)), como mostrado na Figura 2. Os
inversores de tensão trifásicos e monofásicos são mais utilizados que os inversores de
corrente (RASHID, 2014). Portanto, este curso abordará a operação de inversores de tensão
monofásicos e trifásicos.
2
Figura 2– Circuitos inversores trifásicos: (a) Inversor fonte de tensão trifásico; (b) Inversor fonte de corrente
trifásico.
De forma resumida, os inversores utilizam dispositivos semicondutores que operam

como interruptores controlados, com alta velocidade de operação. O estado de condução
destas chaves é alterado através de um sinal de controle, que permite conectar as fontes
contínuas às saídas do circuito de diferentes formas. Assim é possível obter tensões
alternadas e também controlar tensões e correntes através do circuito. Portanto, um mesmo
arranjo de dispositivos pode ser utilizado em diferentes aplicações, bastando modificar a
estrutura de controle do inversor.
Os inversores de tensão estão presentes em várias aplicações industriais e
residenciais. Por exemplo, é possível utilizá-los para o acionamento de motores trifásicos de
indução (WEG, 2020a) ou para a geração de energia elétrica através de painéis fotovoltaicos
(WEG, 2020b).
Inicialmente veremos os principais dispositivos semicondutores utilizados em
inversores de tensão. Em seguida veremos topologias básicas monofásicas e trifásicas. Por
fim, veremos como sintetizar tensões e correntes senoidais com o auxílio de acionamento
através de modulação por largura de pulso (PWM).
3
1.2 Módulo 2 - Dispositivos Semicondutores de Potência
Mídia digital: Antes de iniciar este tópico, vá até a

sala virtual e assista ao vídeo “Módulo 2 –
Semicondutores de Potência”
A Eletrônica de Potência é uma área de estudos da Eletrônica que emprega materiais

semicondutores, para construir dispositivos de circuitos que serão utilizados em conversões
de energia (RASHID, 2014). Os materiais semicondutores, como o silício (Si) ou o germânio
(Ge), possuem uma condutividade elétrica intermediária, não tão baixa como os materiais
isolantes, nem tão alta como os materiais condutores (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013a).
Entretanto, através de um processo industrial denominado dopagem é possível modificar a
condutividades e outras propriedades elétricas, permitindo construir dispositivos diferentes.
Segundo (RASHID, 2014) também é possível encontrar dispositivos feitos com carbeto de
silício (SiC), cujas propriedades permitem suportar temperaturas de operação maiores e
tensões elétricas mais elevadas.
Através dos materiais semicondutores dopados é possível obter componentes
eletrônicos que funcionarão como “chaves” controladas capazes de interromper ou permitir
a passagem de corrente elétrica, através da aplicação de um sinal de comando. Com isso é
possível controlar correntes e tensões em um circuito, o que possibilita dosar a energia
elétrica transferida de uma fonte de alimentação para uma carga, ou de uma fonte de
alimentação para outra.
Neste módulo, iremos conhecer alguns dos dispositivos semicondutores mais
utilizados em inversores de tensão. Além da operação básica destes componentes, veremos
também alguns exemplos de circuitos de acionamento capazes de operar estes dispositivos
como chaves controláveis.
1.2.1 Diodos de potência
Os diodos de potência são os dispositivos semicondutores mais simples utilizados em

inversores de tensão. Sua funcionalidade básica é conduzir corrente elétrica em um único
sentido, bloqueando a condução em sentidos contrários. Este possui dois terminais
denominados anodo (A) e catodo (K) e é representado pelo símbolo elétrico de uma seta,
como ilustrado na Figura 3(a). O sentido de condução de corrente de anodo (iA(t)) é dado
do anodo para o catodo e segue o símbolo da seta deste dispositivo.
4
Figura 3 - Diodo de junção. (a) Simbologia de circuito elétrico para o diodo de junção de potência. (b) Curva
de operação.
A operação do diodo pode ser explicada através do gráfico da Figura 1 (b), cujo eixo
vertical mostra a corrente de anodo iA(t), e o eixo horizontal mostra a tensão anodo-catodo
vAK(t). Se o potencial elétrico do anodo for maior que o potencial do catodo, vAK(t) será
positiva e o diodo está preparado para conduzir. Se o valor de tensão de polarização direta
Vf não for atingido, o diodo não conduzirá, mesmo que polarizado diretamente. Quando
vAK(t) estiver próximo de Vf, a corrente iA(t) crescerá exponencialmente, sendo limitada pelo
circuito externo. Nesta condição, o diodo estará no estado ligado ou em condução.
Quando a tensão vAK(t) é negativa, o diodo está polarizado reversamente e não
conduzirá valores significantes iA(t). Assim, o mesmo encontra-se no estado bloqueado e
irá comportar-se como um resistor com alta resistência elétrica. Entretanto, se a magnitude
da tensão vAK(t) negativa atingir um valor, denominado tensão de polarização reversa (Vbr)
o diodo entrará em uma região de operação denominada ruptura reversa e conduzirá
correntes significativas no sentido reverso. A menos que o diodo seja projetado para operar
nessa região, como o diodo especial denominado diodo Zener, esta condição deve ser
evitada.
Para o estudo de inversores de tensão ou demais conversores chaveados, pode-se
utilizar o modelo ideal para o diodo, descrito na curva da Figura 4. Neste modelo, para uma
tensão vAK(t) maior do que zero, o diodo inicia sua condução, sendo que a corrente iA(t) será
diferente de zero. Nesta região, o diodo comporta-se idealmente como uma chave fechada.
Na outra região, quando a tensão vAK(t) for negativa, o diodo é polarizado reversamente e
não conduzirá corrente, independente da amplitude da tensão vAK(t). Nesta região, o diodo
comporta-se como uma chave fechada.
5
Figura 4 - Modelo ideal para o diodo.
Assim, concluímos que o diodo não é um dispositivo controlável, uma vez que a sua
condução depende exclusivamente de sua tensão vAK(t) de polarização. Entretanto, o diodo
possui um papel importante na operação dos inversores de tensão. Exemplos de diodos de
potência são mostrados na Figura 5.
Figura 5 - Exemplos de diodos de potência.

Fonte: Imagem retirada de Semikron (2020a).
1.2.3 Transistores Bipolares de Junção
Os transistores bipolares de junção (TBJs) são dispositivos de três terminais,

denominados base (B), coletor (C) e emissor (E) como mostrado na Figura 6. Aplicando
uma corrente no terminal de base (ib) é possível controlar a corrente de coletor (ic). A soma
entre as correntes ib e ic resultará na corrente de emissor (ie) (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013a). Existem duas configurações para os transistores bipolares: a NPN e a PNP.
6
Figura 6 - Transistores Bipolares de Junção.
Segundo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013a) a operação destes dispositivos é

semelhante, diferindo-se apenas pela polaridade das tensões. Assim, podemos
compreender a operação do TBJ NPN, utilizando as curvas da Figura 7.
Figura 7 - Curvas características do transistor bipolar NPN: (a) relação entre corrente de base e tensão base-
emissor; (b) relação entre corrente de coletor e tensão coletor-emissor.
A curva da Figura 7 (a) mostra a relação entre a corrente ib e a tensão base-emissor

(vBE), para duas tensões coletor-emissor (vCE) diferentes. Esta curva é semelhante a curva
de operação de um diodo polarizado diretamente, sendo necessário garantir uma tensão vBE
com valor mínimo para que o TBJ entre em operação. Garantida a polarização entre base e
emissor, deve-se também manter a corrente ib constante. O valor constante de ib fará com
que o transistor mude entre regiões diferentes de operação, como mostrado na Figura 7(b),
para valores IB1 a IB7.
7
Na região de saturação o transistor NPN tem seus terminais base-emissor e base-
coletor polarizados diretamente. Como mostra Figura 7 (b), a tensão vCE é baixa nesta região
e a corrente de coletor ic é elevada, dando ao transistor uma característica de chave fechada.
Na região ativa o transistor possui os terminais base-emissor polarizados diretamente e os
terminais base-coletor polarizados reversamente. Nesta região o transistor opera como um
amplificador linear, com correntes iB e mantidas em valores constantes. Assim, pequenas
variações na corrente iB produzirão variações na corrente iC, ocasionando variações na
tensão vCE. A relação entre as correntes iB e iC é dada nesta região pelo ganho de corrente,
mostrado na expressão (1).
iC = βiB (1)
Ainda através da expressão (1), se o valor da corrente iB for gradativamente

aumentado, o transistor poderá sair da região ativa e entrar na região de saturação. Portanto,
para que o TBJ opere como uma chave fechada, deve-se aplicar um valor de corrente de
base suficiente para que o mesmo entre na região de saturação.
Por fim, na região de corte a tensão vBE ou a corrente iB possuem valor baixo ou
nulo, o que fará com que a corrente iC seja também próxima de zero. Nessa região o
transistor opera como uma chave aberta.
Em inversores de tensão, desejamos operar o TBJ nas regiões de corte e saturação,
removendo ou aplicando correntes em seu terminal base. Estes transistores operam bem
como chaves abertas e fechadas. Entretanto, os TBJs de potência apresentam um ganho
de corrente muito baixo, o que exigiria circuitos de acionamento capazes de fornecer valores
relativamente elevados para iB. Assim, os TBJs de potência vem sendo cada vez menos
utilizados em aplicações de Eletrônica de Potência (HART, 2012).
1.2.3 Transistores de efeito de campo de Enriquecimento Metal-Óxido Semicondutor
O transistor de efeito de campo Metal-Óxido Semicondutor (Metal Oxide Field Effect

Transistor - MOSFET) é outro tipo de transistor utilizado em inversores de tensão. Existem
dois tipos de MOSFETs: depleção e enriquecimento, sendo o segundo mais utilizado em
inversores de tensão (HART, 2012). Os MOSFETs de enriquecimento também são
separados em dois tipos: canal n e canal p. A Figura 8 ilustra a simbologia e as polaridades
destes transistores. Seus terminais são nomeados como porta (G), fonte (S) e dreno (D).
8
Figura 8 - Transistores de efeito de campo de enriquecimento Metal-Óxido Semicondutor.
Os MOSFETs são dispositivos controlados por tensão, onde um sinal de tensão

aplicado entre dois terminais controlará a corrente no terceiro terminal (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013a). No caso do MOSFET de canal N, mostrado na Figura 6, para que
circule uma corrente de dreno (ID) é necessário aplicar uma tensão porta-fonte (vDS) positiva.
Um exemplo de curvas de operação do MOSFET de canal n do tipo enriquecimento
são mostradas na Figura 9. Este diagrama relaciona a corrente de dreno iD e a tensão dreno-
fonte vDS, para diferentes valores de tensões porta-fonte vGS. Quando vGS é igual a zero, o
transistor opera na região de corte, funcionando como uma chave aberta. Nesta região, sua
tensão vDS é determinada pelos circuitos externos e a corrente iD é nula. A outra região de
operação é denominada região linear ou triodo, na qual valores constantes para vGS
determinam a corrente iD que circulará pelo transistor, como ilustrado para os valores VGS1
a VGS3. Nesta região há uma relação praticamente linear entre vGS e iD, onde o MOSFET
opera com uma resistência controlada por tensão. Portanto, para um valor suficientemente
elevado de vGS é possível fazer o MOSFET operar como uma chave fechada.
A região na qual vGS é estabelecida em um valor constante e iD também permanece
constante é denominada região de saturação (SEDRA; SMITH, 2000). Nesta região o
MOSFET pode operar como um amplificador de sinais. Por exemplo, se vGS = VGS2,
pequenas variações ao redor deste valor acarretarão pequenas variações em vDS e iDS
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013a).
9
Figura 9- Curva de operação de um MOSFET de enriquecimento de canal n.
O MOSFET quando utilizado em inversores de tensão operará nas regiões linear e

de corte. Na região de corte, o comportamento do transistor é muito próximo de uma chave
aberta ideal, com alta resistência entre dreno e fonte. Porém, na região linear o
comportamento é análogo ao de uma resistência dreno-fonte pequena. Em aplicações que
envolvem valores elevados de iD, haverá grande dissipação de potência no transistor. Isso
limita sua aplicação em sistemas de grandes potências (HART, 2012). A Figura 10 mostra
exemplos de módulos MOSFET de média potência. Alguns já vem com configurações
prontas para serem utilizados em inversores.
10
Figura 10 – Exemplos de módulos de potência MOSFET.
Fonte: Imagem retirada de Semikron (2020b).
1.2.4 Transistores bipolares de porta isolada
O transistor bipolar de porta isolada (Insulated Gate Bipolar Transistor - IGBT) é um

dispositivo que apresenta as características de condução de um TBJ, com o formato de
acionamento de um MOSFET (RASHID, 2014). O símbolo de um IGBT é mostrado na Figura
11, com seus três terminais denominados coletor (C), porta (G) e fonte (S), além dos
sentidos de polarização das tensões e correntes.
Figura 11 – Transistor bipolar de porta isolada (IGBT): (a) Simbologia de circuito; (b) circuito equivalente.
11
Para fazer com que o IGBT entre em condução é necessário aplicar uma tensão vGE
positiva, conforme mostrado na Figura 11 (b). Dessa forma, o MOSFET do circuito
equivalente conduzirá e drenará corrente de base do transistor NPN, fazendo-o também
conduzir. Segundo (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001) os IGBTs possuem um efeito
denominado tiristor parasita, devido seu aspecto construtivo, que aciona a condução do
dispositivo indevidamente. Entretanto, os mesmos mencionam que os dispositivos modernos
não sofrem mais com esse efeito.
Os circuitos necessários para acionamento do IGBT são semelhantes aos circuitos
dos MOSFETS. Atualmente os IGBTs são os dispositivos mais comumente empregados em
inversores de tensão (RASHID, 2014). A Figura 12 mostra exemplos de módulos IGBTs com
circuitos prontos para serem utilizados em inversores de tensão monofásicos em trifásicos.
Figura 12 – Módulos IGBT para aplicação em inversores de tensão trifásicos e monofásicos.

Fonte: Imagem retirada de Semikron (2020b).
1.2.5 Circuitos para comando de MOSFETs e IGBTs
Como os MOSFETs e IGBTs são os dispositivos mais utilizados atualmente em

inversores de tensão, estudaremos nessa sessão exemplos de circuitos de acionamento
para esses dispositivos.
Para garantir que os MOSFETS ou IGBTs operem como chaves abertas ou fechadas,
devem ser produzidos circuitos de acionamento denominados gate drivers cuja função é
aplicar sinais corretos entre porta e fonte (para o MOSFET) ou porta-emissor (para o IGBT).
12
Um exemplo simples de circuito é a configuração drive totem pole mostrada na Figura 13.
Neste circuito, o sinal de comando vin é aplicado na entrada do comparador de tensão,
representado pelo triângulo. Se for aplicado um sinal para que o transistor M1 entre em
condução, o comparador de tensão fará com que o transistor NPN entre em condução, ao
mesmo tempo que o transistor PNP entrará em corte. Isso fará com que uma tensão positiva
(+VCC) seja aplicada na porta de M1, garantindo uma tensão vGS positiva. Por outro lado, se
o sinal de comando for aplicado para que M1 opere como chave aberta, a saída de tensão
do circuito comparador fará com que o transistor PNP sature, ao mesmo tempo que o
transistor NPN entrará em corte. Isso fará com que a tensão vGS em M1 seja igual a zero,
fazendo-o bloquear.
O circuito totem pole é muito útil e permite o controle total da abertura ou fechamento
de MOSFETs ou IGBTs. Também é possível modificar esse circuito para aplicar tensões vGS
negativas, fazendo com que o transistor desligue de forma mais rápida. Para cada transistor
a ser comandado, deve-se utilizar um circuito completo da Figura 13. Também é necessário
utilizar fontes CC de alimentação isoladas para cada transistor, o que encarecerá o circuito
final.
Figura 13– Circuito driver toten pole para acionamento de MOSFETs.

Fonte: Imagem retirada de Rashid (2014).
Topologias totem pole também pode ser encontradas em circuitos integrados (CIs)
acopladores ópticos (optoacopladores), como o mostrado na Figura 14. Além do
acionamento dos transistores, estes circuitos proporcionam um isolamento entre os sinais
de comando e potência. Também é necessário utilizar um acoplador óptico para cada
transistor.
13
Figura 14– Circuito integrado acoplador óptico para acionamento de MOSFETs ou IGBTs.
Fonte: Imagem retirada de Avago (2020).
Uma outra forma mais econômica para acionamento de transistores é através de

circuitos integrados bootstrap, como o ilustrado na Figura 15. Para este circuito operar é
necessário utilizar dois MOSFETs ligados em configuração meia ponte. Os transistores
superior e inferior são denominados top e bottom, respectivamente. Para acionar o
transistor top é necessário inicialmente acionar bottom. Isso irá carregar o capacitor ligado
entre os terminais VB e VS do Circuito integrado. Em seguida, deve-se desligar o transistor
bottom e aplicar o comando para acionar top. Isso fará com que o capacitor carregado
anteriormente seja diretamente conectado entre os terminais porta e fonte, aplicando uma
tensão porta-fonte positiva.
Figura 15– Circuito integrado bootstrap para acionamento de MOSFETs ou IGBTs.

Fonte: Imagem retirada de Infineon (2020).
Em aplicações industriais também é possível encontrar placas de circuito impresso

prontas para o acionamento de módulos IGBT e MOSFET, como mostrado na Figura 16.
Estas placas integram, além dos circuitos totem pole, funções auxiliares de proteção contra
14
curto-circuito, tempo morto e intertravamento (SUPPLIER, 2020). Outro exemplo de placa é
mostrado na Figura 17.
Figura 16 – Placa driver comercial para acionamento de MOSFETs ou IGBTs.

Fonte: Imagem retirada de Supplier (2020).
Figura 17– Módulo driver comercial para acionamento de MOSFETs ou IGBTs.

Fonte: Imagem retirada de Semikron (2020c).
15
1.3 Módulo 3 – Inversores de tensão monofásicos Meia-Ponte

sala virtual e assista aos vídeos “Módulo 3 –
Inversores Monofásicos Meia Ponte – Parte 1” e
“Módulo 3 – Inversores Monofásicos Meia Ponte –
Parte 2”.
Nesta sessão analisaremos a operação básica do inversor monofásico em

configuração Meia-Ponte, cujo circuito é representado na Figura 16. Denomina-se
barramento CC o local onde é conectada a fonte de alimentação contínua vCC(t). O potencial
de referência GND foi definido no centro do barramento CC, sendo necessário realizar um
divisor de tensão neste, como mostrado pelos capacitores CCC1 e CCC2. Também é possível
utlizar uma fonte de tensão simétrica ao invés desse divisor capacitivo.
São usados dois transistores de potência, neste caso representados pelos IGBTs
QA1 e QA2, e dois diodos DA1 e DA2. O local onde serão conectadas as cargas é a saída CA,
tomada entre GND e o terminal VA comum entre o emissor de QA1 e o coletor de QA2. Em
algumas ocasiões especiais os diodos DA1 e DA2 conduzirão, promovendo um caminho
alternativo para condução de corrente. Com isso é possível obter um fluxo bidirecional de
potência¸ sendo possível transferir energia do barramento CC para a saída CA, ou da saída
CA para o barramento CC (RASHID, 2014).
Para acionar os transistores é necessário aplicar os sinais de comando sgA1 e sgA2.
Estes sinais são digitais e caracterizados através de níveis lógicos altos e baixos. Por
exemplo, se a uma lógica de acionamento for TTL positiva, para acionar o transistor QA1 é
necessário aplicar uma tensão de 5 V em sgA1 e o desligamento é feito aplicando-se 0V,
como mostrado na forma de onda da Figura 19.
16
Figura 18– Circuito inversor de tensão monofásico em Meia-Ponte.
Os sinais de comando da Figura 19 serão aplicados aos circuitos gate driver

denominados GDA1 e GDA2, os quais acionarão os transistores. A lógica de comando
também pode ser negativa, aplicando-se 0V para acionamento o transistor e 5V para
desligamento.
Figura 19– Exemplo de sinais de acionamento sgA1 e sgA2 no padrão TTL.

17
Ainda na Figura 19 é importante destacar duas características que devem ser
garantidas pelos circuitos gate driver ou pelos circuitos produtores de sgA1 e sgA2: o
intertravamento e o tempo morto (TDT). O intertravamento significa garantir que ao tempo
em que se aplica o sinal comando para que um transistor conduza, o outro transistor deverá
estar bloqueado. Assim, os sinais sgA1 e sgA2 devem ser complementares, evitando que
ocorra a condução simultânea dos transistores, o que ocasionará um curto-circuito no
barramento CC. O tempo TDT é um pequeno atraso entre a troca de níveis lógicos dos sinais
de comando. Este tempo é necessário para garantir que os dois transistores não conduzam
simultaneamente durante a comutação entre os estados de condução e bloqueio, o que
evitará seu sobreaquecimento ou curto-circuito (SUPPLIER, 2020).
1.3.1 Inversor meia-ponte com carga resistiva.
Em uma carga puramente resistiva de resistência elétrica R constante, como

mostrado na Figura 20, a relação entre a tensão vo(t) e a corrente io(t) é dada pela primeira
lei de Ohm, mostrada na equação (2). Assim, ambas terão o mesmo formato e sempre
estarão em fase.
vo (t)
io (t) = (2)
R
Figura 20 – Características de uma carga resistiva: (a) representação em simbologia de circuito; (b) formas de
onda de corrente e tensão.
18
Em uma resistência, a potência instantânea p(t) é dada pelo produto entre tensão
vo(t) e a corrente io(t), conforme mostrado na equação (3). A potência média é dada pelo
valor médio da potência instantânea, como mostrado na equação (4) (HART, 2012).
v2o (t)
p(t) = vo (t)io (t) = Ri2o (t) = (3)
R
1 𝑇 1 𝑇 1 1 𝑇
∫0 𝑝(𝑡)𝑑𝑡 = R (𝑇 ∫0 i2o (t)𝑑𝑡) = ( ∫ 𝑆 vo2 (t)𝑑𝑡)
𝑆 𝑆
P𝑚é𝑑𝑖𝑎 = (4)
𝑇𝑠 𝑠 R 𝑇 0𝑠
Segundo (HART, 2012), define-se valores eficazes, ou RMS, de corrente (IoRMS) e

tensão (VoRMS) através dados pelas expressões (5) e (6). Os valores eficaszes (RMS) de
tensões alternadas são equivalentes a fontes CC, de mesma magnitude que se produziriam
a mesma potência dissipada em uma resistência elétrica. Por exemplo, uma tensão
alternada com valor eficaz de 127 VRMS produziria a mesma potência dissipada em um
resistor de 1 Ω, do que uma tensão contínua de 127 V. Os valores RMS podem ser
determinados com auxílio de instrumentos de medição como multímetros e amperímetros
True RMS.
1 𝑇
V𝑜𝑅𝑀𝑆 = √ ∫0 𝑆 vo2 (t)𝑑𝑡 (5)
𝑇 𝑠
1 𝑇
I𝑜𝑅𝑀𝑆 = √ ∫0 𝑆 i2o (t)𝑑𝑡 (6)
𝑇 𝑠
Ao comparar as expressões (4), (5) e (6), verifica-se que a potência média em uma
carga resistiva pode ser determinada pela sua resistência R e pelos valores eficazes de
tensão e corrente, como mostrado na expressão (7).
(𝑉𝑜𝑅𝑀𝑆 )2
P𝑚é𝑑𝑖𝑎 = R(𝐼𝑜𝑅𝑀𝑆 )2 = (7)
R
As etapas de operação do inversor meia ponte com resistiva estão mostradas na

Figura 21, enquanto que as formas de onda de saída vo(t) e io(t) mostradas na Figura 22.
Durante a ETAPA 1, no período TQA1 da Figura 22, um nível lógico alto é aplicado em sgA1,
o que fará o circuito GDA1 acionar o transistor QA1, como mostrado na Figura 21 (a). Ao
mesmo tempo, um nível lógico baixo é aplicado em sgA2, o que fará GDA2 bloquear QA2.
Dessa forma, o capacitor CCC1 seja conectado em paralelo ao resistor, fazendo com que a
tensão de saída seja vAB(t) = vo(t) = (½)vCC(t). Durante TQA1 os voltímetros 1 e 2 indicarão
uma tensão positiva. A corrente io(t) poderá ser determinada através da equação (2),
dividindo-se a tensão vo(t) pela resistência R.
19
Uma desvantagem da topologia meia-ponte está na amplitude da tensão de saída, a
qual é metade da tensão do barramento cc. Além disso, enquanto o transistor QA2 estiver
bloqueado, este deverá suportar uma tensão reversa igual a vCC(t), o que demonstra que
são necessários dispositivos que suportem uma amplitude de tensão maior que a produzida
na saída vAB(t).
Durante a ETAPA 2, no período TQA2 Figura 22, os níveis lógicos de sgA1 e sgA2 são
invertidos, fazendo com que o transistor QA2 conduza enquanto QA1 será bloqueado, como
mostrado na Figura 21(b). Isso ligará o capacitor CCC2 ao resistor de carga, tornando a tensão
vo(t) = -(1/2)vCC(t). Assim, durante TQA2 o voltímetro 1 indicará um valor positivo de tensão,
enquanto o voltímetro 2 indicará um valor negativo.
As formas de onda de vo(t) e io(t) serão quadradas e com período total (T1) igual a
soma entre os períodos de condução TQA1 e TQA2, como mostrado pela expressão (8).
T1 = T𝑄𝐴1 + T𝑄𝐴2 (8)
Através dos períodos de acionamento é possível determinar a frequência da tensão

de saída. Se os tempos TQA1 e TQA2 forem iguais, a forma de onda de vo(t) será simétrica.
Caso contrário, vo(t) terá um formato retangular, com larguras diferentes. Estas larguras
podem ser definidas através da razão cíclica (D) obtida pela expressão (9).
T𝑄𝐴1 T𝑄𝐴2
𝐷 = = 1− (9)
T1 T1
Mudando-se a razão cíclica é possível também modificar o valor médio de vo(t),

definido pela média das áreas sob a curva de vo(t). Matematicamente o valor médio de vo(t)
é definido pela expressão (10).
1 TS
Voméd = ∫0 vo (t)dt = (2D-1) (10)
Ts
20
Figura 21 – Operação do inversor meia-ponte com carga resistiva.
21
Figura 22 – Formas de onda da tensão vo(t) e corrente io(t) de saída do inversor monofásico meia ponte.
É importante garantir que a tensão de saída de um inversor apresente um valor médio

igual a zero. Entretanto, em algumas circunstâncias é interessante produzir tensões com
valores médios diferentes de zero como, por exemplo, utilizando-se a modulação por largura
de pulso (PWM). Por fim, o valor eficaz da tensão vo(t) é determinado como mostrado pela
expressão (11). Nota-se que a tensão eficaz da saída é igual a metade da tensão total do
barramento CC. Tal característica limita o uso do conversor meia-ponte em potências e
tensões mais elevadas (HART, 2012).
1 T VCC
VoRMS = √ ∫0 S v2o (t)dt = (10)
T s 2
22
1.3.2 Inversor meia-ponte com carga resistiva e indutiva (RL).
A Figura 23(a) mostra as características de uma cara RL, constituída por uma
associação série entre um indutor e um resistor. Neste tipo de carga, a relação entre a
corrente io(t) e a tensão vo(t) é dada pela equação (12), onde La é o valor da indutância e R
o valor da resistência da carga.
dio (t)
vo (t) = vLa (t) + vR (t) = La + Rio (t) (12)
dt
Figura 23- Características de uma carga RL: (a) circuito elétrico equivalente; (b) formas de onda de corrente
e tensão.
Como mostrado na expressão (11), a relação entre vo(t) e io(t) não é linear, o que
indica que seus formatos serão diferentes. Além disso, o formato de io(t) dependerá da
relação entre R e La e será mais próximo do senoidal, devido as propriedades de filtragem
da indutância (HART, 2012). A indutância é um elemento que armazena energia na forma
de campo magnético. Através da expressão (11), é possível ver que a tensão induzida vLA(t)
é igual ao produto da indutância La e a derivada de io(t). Isso mostra que a tensão induzida
é proporcional a variações na corrente da carga.
As etapas de operação do inversor meia-ponte com carga RL é ilustrada são
ilustradas na Figura 24. Devido a introdução da indutância, surgirão outras duas etapas de
operação, nas quais os diodos DA1 e DA2 entrarão em condução. As formas de onda de
tensão e corrente de saída são mostradas na Figura 25.
Na ETAPA 1, durante o período t1 da Figura25, um nível lógico alto é aplicado em
sgA1 e um nível lógico baixo em sgA2. O transistor QA1 conduzirá e conectará o capacitor
23
CCC1 à carga. Durante esta etapa a corrente da carga crescerá até atingir o valor máximo
Imáx., com o formato determinado através da solução da expressão (11).
Em seguida, na ETAPA 2 que ocorrerá a inversão dos níveis lógicos dos sinais de
comando sgA1 e sgA2. Apesar de sgA2 estar com nível lógico alto e o circuito GDA2 estar
aplicando uma tensão porta-emissor positiva, o transistor QA2 não entra em condução e
conectará o capacitor CCC2 à carga. Ao invés disso, o diodo DA2 entrará em condução,
fazendo com que a corrente io(t) permaneça com o mesmo sentido, até que a energia
armazenada na indutância seja descarregada. Durante esta etapa, o sentido de vo(t) e io(t)
são opostos, o que indica que a energia da indutância está voltando para a fonte de
alimentação. Neste caso, o amperímetro exibiria um valor positivo e o voltímetro um valor
negativo.
Na ETAPA 3, durante o período t3 mostrado na Figura 25, o nível lógico alto ainda
aplicado em sgA2 fará com que QA2 agora conduza, invertendo o sentido da corrente io(t).
Por fim, durante o período t4 na ETAPA 4, o diodo DA1 entrará em condução até a energia
armazenada na indutância descarregar.
Figura 24- Etapas de operação do conversor meia-ponte com carga RL.

24
Figura 25 – Formas de onda de tensão e corrente de saída do inversor monofásico meia-ponte com carga RL.
1.4 - Módulo 4 – Inversores de tensão monofásicos em ponte completa

sala virtual e assista ao vídeo “Módulo 4 – Inversores
monofásicos Ponte completa – Parte 1” e “Módulo 4 –
Inversores monofásicos Ponte completa – Parte 2”.
O inversor ponte-completa é a configuração monofásica mais utilizada e estudada.

Seu circuito é representado na Figura 26. É composto por quatro transistores com diodos
conectados em antiparalelo. Seu barramento CC não necessita de divisor de tensão, mas o
mesmo foi incluso para facilitar a compreensão do funcionamento do inversor.
É possível acionar o inversor monofásico da Figura 26 de dois modos diferentes, que
possibilita a produção de dois formatos distintos para a tensão de saída vAB(t). O primeiro
modo é o acionamento bipolar, a forma de onda de vAB(t) terá dois níveis de tensão. O
segundo modo é o acionamento unipolar, no qual vAB(t) terá três níveis de tensão.
25
Figura 26 – Inversor de tensão monofásico em ponte completa.
1.4.1 Inversor ponte completa com acionamento bipolar e carga resistiva
O acionamento bipolar produzirá formas de onda de tensão semelhantes as

produzidas pelo inversor meia-ponte, excetuando-se pela amplitude de tensão que será
maior. A Tabela 1 descreve todas as possibilidades de produção da tensão de saída vAB(t)
para o acionamento bipolar, enquanto a Figura 27 ilustra um circuito eletrônico analógico
bipolar. Este circuito também pode ser usado para acionar o inversor meia-ponte. É utilizado
um comparador de tensão, que produzirá uma saída um nível lógico alto se a tensão de
entrada vref(t) for maior do que zero e um nível lógico baixo se vref(t) for menor do que zero.
A saída do comparador fornecerá os sinais sgA1 e sgA4. Invertendo-se o nível lógico da
tensão de saída, através de uma porta lógica inversora, consegue-se os sinais de comando
para sgA2 e sgA3.
SINAIS DE COMANDO SINAIS DE COMANDO DISPOSITIVOS QUE TENSÃ

PERÍODO DE
EM NÍVEL LÓGICO EM NÍVEL LÓGICO PODERÃO ESTAR EM O
ACIONAMENTO
ALTO BAIXO CONDUÇÃO vAB(t)
t1 sgA1, sgA4 sgA2, sgA3 QA1; QA4 vcc(t)

t2 sgA2, sgA3 sgA1, sgA4 QA2; QA3 -vcc(t)
Tabela 1– Sequência de acionamento bipolar para o inversor de tensão monofásico ponte-completa e carga
resistiva.
Fonte: produzida pelo autor.
26
Figura 27– Circuito analógico para acionamento bipolar para o inversor de tensão monofásico.
As etapas de operação para carga resistiva são mostradas na Figura 28. As formas
de onda da tensão vo(t) e corrente io(t) na carga são mostradas na Figura 29. Na ETAPA1,
durante o período TQA1 mostrado na Figura 29, níveis lógicos altos são aplicados em sgA1 e
sgA4 e níveis lógicos baixos em sgA2 e sgA3, conforme indicado na Tabela 1, fazendo com
que os transistores QA1 e QA4 conduzam, enquanto QA2 e QA3 permanecem bloqueados. A
tensão na carga será vo(t) = vcc(t) e a corrente io(t) pode ser determinada através da
expressão (2).
Na ETAPA 2, durante o período TQA2 ilustrado na Figura 29, os níveis lógicos de sgA2
e sgA3 serão altos e os de sgA1 e sgA4 serão baixos. Com isso, os transistores QA2 e QA3
entrarão em condução, fazendo com que a tensão na carga se torne vo(t) = -vcc(t).
Novamente, a corrente io(t) assumirá o mesmo formato, com sua amplitude determinada
através da expressão (2).
As formas de onda das figuras 22 e 29 são semelhantes, exceto pela amplitude.
Assim, as definições de razão cíclica e período mostradas para a Figura 22 também podem
ser migradas para a Figura 29. O valor eficaz da tensão na carga é determinado através da
equação (13), que também demonstra que o valor eficaz da tensão de saída é igual a tensão
do barramento CC.
1 T 1 2π
VoRMS = √ ∫0 S v2o (t)dt = √ ∫0 v2o (θ)dθ = VCC (13)
T s 2π
27
Figura 28 – Etapas de operação do conversor monofásico ponte completa com carga resistiva.
28
Figura 29 – Formas de onda para a tensão e corrente na carga resistiva, para acionamento bipolar do inversor
monofásico em ponte completa.
1.4.2 Inversor ponte completa com acionamento bipolar e carga RL
A inclusão da indutância na carga fará com que os diodos DA1 a DA4 possam entrar
em condução. Todas as etapas de operação são mostradas na Figura 30 e descritas na
Tabela 2. As formas de onda da tensão e corrente na carga são mostradas na Figura 31. As
etapas 1 e 3, que ocorrem durante os períodos t1 e t3, mostrados na Figura 31, e são
idênticas as etapas mostradas na Figura 28. Durante estas etapas a corrente io(t) crescerá
até atingir uma amplitude máxima de módulo Imax.
Na ETAPA 2, durante o período t2 da Figura 31, apesar dos sinais sgA2 e sgA3 estarem
com nível lógico alto, os transistores QA2 e QA3 não entrarão em condução, devido a tensão
induzida pela bobina. Esta condução ocorrerá até que io(t) torne-se zero, para poder inverter
seu sentido de condução. Nesta etapa os sentidos de vo(t) e io(t) são opostos, o que mostra
mais uma vez que a energia armazenada na indutância retornará para a o barramento CC.
A ETAPA 4 funcionará de forma análoga, sendo agora os diodos DA1 e DA4 que entrarão em
condução.
29
SINAIS DE SINAIS DE
DISPOSITIVOS QUE
PERÍODO DE COMANDO EM COMANDO EM TENSÃO
PODERÃO ENTAR
ACIONAMENTO NÍVEL LÓGICO NÍVEL LÓGICO vAB(t)
EM CONDUÇÃO
ALTO BAIXO
t1 sgA1, sgA4 sgA2, sgA3 QA1 ; QA4 vcc(t)
t2 sgA2, sgA3 sgA1, sgA4 DA2 ; DA3 -vcc(t)
t3 sgA2, sgA3 sgA1, sgA4 QA2 ; QA3 -vcc(t)
t4 sgA1, sgA4 sgA2, sgA3 DA1 ; DA4 vcc(t)

Tabela 2– Sequência de acionamento bipolar para o inversor de tensão monofásico ponte-completa e carga
RL.
Figura 30 – Etapas de operação do inversor monofásico ponte completa com acionamento bipolar e carga RL.
30
Figura 31– Formas de onda de tensão vo(t) e corrente io(t) na carga RL acionada por um inversor ponte
completa monofásico.
1.4.3 Inversor ponte completa com acionamento unipolar e carga resistiva
O acionamento unipolar permite produzir tensões de saída vAB(t) com três níveis:
vcc(t), -vcc(t) e zero. Uma sequência de acionamento unipolar é mostrada na Tabela 3. Para
produzir uma tensão nula na saída, como mostrado nas etapas 2 e 4, deve-se acionar os
transistores superiores QA1 e QA3 ou inferiores QA2 e QA4 simultaneamente.
SINAIS DE SINAIS DE
COMANDO COMANDO DISPOSITIV
PERÍODO DE TENSÃO
ETAPA COM NÍVEL COM NÍVEL OS
ACIONAMENTO vAB(t)
LÓGICO LÓGICO ACIONADOS
ALTO BAIXO
t1 1 sgA1 ; sgA4 sgA2 ; sgA3 QA1 ; QA4 vcc(t)
t2 2 sgA1; sgA3 sgA2; sgA4 QA1 ; QA3 0
t3 3 sgA2; sgA3 sgA1; sgA4 QA2 ; QA3 -vcc(t)
t5 1 sgA1 ; sgA4 sgA2 ; sgA3 QA1 ; QA4 vcc(t)
t7 3 sgA2; sgA3 sgA1; sgA4 QA2 ; QA3 -vcc(t)

Tabela 3 – Sequência de acionamento unipolar para o inversor monofásico ponte completa e carga RL.
31
O circuito analógico da Figura 32 poderá ser usado para realizar o acionamento
unipolar do inversor monofásico em ponte completa. São necessários dois comparadores e
de tensão e dois blocos inversores lógicos. Cada comparador acionará um braço do
conversor de forma complementar. Também são necessários dois sinais de referência vref1(t)
e vref2(t) defasados de modo a produzir a sequência e níveis lógicos proposta na Tabela 3.
Figura 32 – Circuito analógico para acionamento unipolar do inversor monofásico ponte-completa.

Fonte: imagem produzida pelo autor.
A Figura 33 ilustra as etapas de operação do inversor ponte completa com

acionamento unipolar e carga resistiva. As formas de onda de corrente e tensão são
mostradas na Figura 30, onde nos períodos t1 a t8 o inversor receberá os pulsos de comando
descritos na Tabela 3.
Nas etapas 2, 4, 6 e 5, descritas na Tabela 3, um par de transistores recebe o sinal
de acionamento produzido pelo nível lógico alto na entrada de seus circuitos driver, enquanto
que outro par recebe sinais de bloqueio devido ao nível lógico baixo. Os transistores
bloqueados não permitirão a circulação de corrente do barramento CC para a carga resistiva.
Portanto a tensão e corrente serão nulas.
O valor eficaz da tensão vo(t) também é ajustável e depende da duração dos períodos
t2, t4, t6 e t8, nos quais a mesma é nula. Segundo (HART, 2012), denominando os tempos t2
= t4 = t6 = t8 = 2𝜶, o valor eficaz da tensão de saída poderá ser determinado por (14).
1 T 1 2π 2α
VoRMS = √ ∫0 S v2o (t)dt = √ ∫0 v2o (θ)dθ = VCC √1- (14)
T s 2π π
32
Através da expressão (14) é possível observar que a tensão eficaz de saída com o
acionamento unipolar é menor que a tensão produzida pelo acionamento bipolar. Entretanto,
é possível obter valores diferentes, modificando o período α.
33
Figura 33 – Etapas de operação do inversor monofásico ponte completa com acionamento unipolar e carga
resistiva.
Figura 34 – Formas de onda para a tensão vo(t) e corrente io(t) de saída do inversor monofásico em ponte
completa com acionamento unipolar e carga resistiva.
1.4.4 Inversor ponte completa com acionamento unipolar e carga RL
Com a carga RL, os diodos em antiparalelo entrarão em condução toda vez que
houver a troca dos sinais de comando. A corrente da carga permanecerá circulando no
mesmo sentido até chegar ao valor zero, quando a indutância descarregar sua energia
armazenada. Uma sequência de operação é mostrada na Tabela 4, com os períodos de
acionamento são mostrados na Figura 35 e as etapas de circuito são mostradas na Figura
36.
Comparando-se as formas de onda da Figura 35, quando vo(t) for igual a zero, io(t)
diminuirá de magnitude, mas não circulará para o barramento CC. Os períodos t2, t4, t6 e t8
podem ser ajustados, dependendo das características da carga, para que não ocorra
circulação de corrente da carga para o barramento CC. Caso contrário, além das etapas de
condução da Figura 36, também surgirão as etapas 2 e 4 mostradas na Figura 30.
O aspecto da corrente io(t) mostrado na Figura 35 é muito mais próximo de uma forma
de onda senoidal, quando comparado com os formatos das Figuras 25 e 31. O motivo é a
introdução do terceiro nível de tensão, produzido quando vo(t) é nulo. Portanto, o
acionamento unipolar permite tanto a alteração do valor eficaz da tensão, quanto a melhora
no aspecto da corrente.
34
SINAIS DE SINAIS DE
PERÍODO DE COMANDO COMANDO DISPOSITIVOS TENSÃO
ETAPA
ACIONAMENTO COM NÍVEL COM NÍVEL CONDUZINDO vAB(t)
LÓGICO ALTO LÓGICO
BAIXO
t1 1 sgA1; sgA4 sgA2; sgA3 QA1; QA4 vcc(t)
t2 2 sgA1; sgA3 sgA2; sgA4 QA1; DA3 0
t3 3 sgA2; sgA3 sgA1; sgA4 QA2; QA3 -vcc(t)
t4 4 sgA2; sgA4 sgA1; sgA3 QA2; DA4 0
t5 1 sgA1; sgA4 sgA2; sgA3 QA1; QA4 vcc(t)
t6 6 sgA2; sgA4 sgA1; sgA3 DA2; QA4 0
t7 2 sgA2; sgA3 sgA1; sgA4 QA2; QA3 -vcc(t)
t8 5 sgA1; sgA3 sgA2; sgA4 DA1; QA3 0
Tabela 4 – Sequência de acionamento unipolar para o inversor monofásico ponte completa e carga RL.
Figura 35 - Formas de onda para a tensão vo(t) e corrente io(t) de saída do inversor monofásico em ponte
completa com acionamento unipolar e carga RL.
35
Figura 36– Etapas de operação do inversor monofásico ponte completa com acionamento unipolar e carga
RL.
36
1.5 - Módulo 5 – Inversores de tensão monofásicos multiníveis e o inversor
NPC

sala virtual e assista ao vídeo “Módulo 5 – Inversor
NPC”
Nesta sessão veremos algumas ferramentas matemáticas que nos permitirão analisar
o desempenho de inversores de tensão. Também veremos o que são os inversores
multiníveis e quais são suas características. Por fim, será apresentado o inversor multinível
NPC, capaz de produzir tensões de saída com formato próximo do senoidal e baixo conteúdo
harmônico.
1.5.1 - Ferramentas matemáticas para análise de desempenho de

inversores de tensão
Como visto no final da sessão anterior, o acréscimo de um nível na forma de onda da

tensão de saída fez o aspecto da corrente na carga RL tornar-se mais próximo do senoidal.
Através da ferramenta matemática denominada Análise por séries de Fourier é possível
decompor um determinado sinal f(t) em uma somatória de termos senoidais e cossenoides.
A análise consiste em utilizar as expressões (15) a (18) para expressar f(t) no formato de
um somatório, onde T é o período do sinal, cuja frequência é dada por f1 = 1/T. Também é
possível converter (15) nos formatos polares exibidos em (19) a (23), onde haverá apenas
termos cossenoides ou senoidais (HART, 2012).
f(t)= a0 + ∑∞
n=1[an cos(nω1 t) + bn sen(nω1 t)] (15)
1 T/2
a0 = ∫ f(t)dt (16)
T -T/2
2 T/2
an = T ∫-T/2 f(t)cos(nω1 t)dt (17)
2 T/2
bn = ∫ f(t)sen(nω1 t)dt (18)
T -T/2
f(t) = a0 + ∑∞
n=1 Cn cos(nω1 t + θn ) (19)
Cn = √a2n + bn2 (20)

-b
θn = tg -1 ( a n) (21)
n
f(t) = a0 + ∑∞
n=1 Cn sen(nω1 t + Φn ) (22)
37
a
Φn = tg -1 ( n ) (23)
bn
Não é necessário dominar disciplinas avançadas, como o cálculo diferencial e

integral para compreender o conteúdo apresentado nesta sessão. Existem softwares ou
instrumentos capazes de executar os cálculos das expressões (15) a (23). O que nos
interessa neste momento é compreender como extrair informações importantes dos
resultados apresentados, para avaliarmos o desempenho de um inversor de tensão.
O termo a0 nas expressões (15) e (16) é o valor médio ou o termo CC da análise
(HART, 2012). É preferível que os inversores de tensão produzam saídas vo(t) com valores
médios nulos, exceto em ocasiões especiais como, por exemplo, o uso de técnicas de
modulação por largura de pulso.
O termo cosseno ou seno das expressões (15), (19) e (22) que possui uma
frequência angular ω1 = 2πf1 , onde f1 é a frequência do sinal f(t) é chamado de componente
fundamental. Os demais termos que possuem frequência angular múltipla inteira de ω1 são
denominadas componentes harmônicas. Quanto maior o número de componentes
harmônicas, mais distante um sinal estará do formato senoidal puro (ANEEL, 2020). Essa
diferença também pode ser quantificada através da Distorção Harmônica Total (DHT ou
TDH), calculada através da expressão (24) a (27).
∑n≠1(FnRMS )2 (FRMS )2 -(F1RMS )2

THD = √ (F1RMS )2
=√ (F1RMS )2
(24)
1 T
FRMS = √ ∫0 f2 (t)dt (25)
T
c1
F1RMS = (26)
√2
cn
FnRMS = (27)
√2
Quanto maior a THD de um sinal, mais distante é o formato do mesmo de um

formato senoidal. A THD também pode ser tomada em porcentagem, bastando multiplicar o
resultado obtido em (24) por 100. Também é possível analisar o quanto as componentes
harmônicas são responsáveis por distorcer o sinal f(t), utilizando-se o fator de distorção
definido em (28).
1 F1RMS
FD = √ ( )2 = (28)
1+ THD FRMS
38
Ao utilizarmos um instrumento de medição ou softwares, podemos elaborar um
diagrama que representará o espectro de frequências do sinal analisado. Por exemplo, os
sinais da Figura 37 ilustra as formas de onda e o espectro de frequências de dois sinais de
tensão de saída de um inversor monofásico ponte-completa com acionamentos bipolar, na
Figura 37(a) e unipolar na Figura 37(b). Neste diagrama, o eixo horizontal representa as
frequências fundamental e harmônica, enquanto que o eixo vertical representa a amplitude
destas componentes. Observa-se que o espectro da Figura 37(b) possui componentes
harmônicas com amplitudes menores. Portanto o mesmo possui um conteúdo harmônico
menor e é mais próximo do aspecto senoidal puro.
Figura 37 – Análise por séries de Fourier de tensões de saída de inversores monofásicos ponte completa: (a)
inversor com acionamento bipolar; (b) inversor com acionamento unipolar.
Com auxílio da transformada de Fourier também é possível determinar a potência
ativa e a potência aparente (HART, 2012). Inicialmente é necessário analisar as correntes e
tensões e expressá-las nos formatos (29) e (30).
39
v(t) = V0 + ∑∞
n=1 Vn cos(nω1 t + θn ) (29)
i(t) = I0 + ∑∞
n=1 In cos(nω1 t + φn ) (30)
A potência ativa (Pativa) é definida como o valor médio da potência instantânea,

que é definida pelo produto instantâneo entre v(t) e i(t) e representa o trabalho real que está
sendo executado como, por exemplo, a potência dissipada em um resistor. Através das
expressões (29) e (30) é possível determinar a potência ativa, como mostrado em (31). A
potência aparente (S) é definida através do produto entre os valores eficazes de tensão e
corrente, como mostrado em (32). Esta definição representa uma potência que
aparentemente estaria sendo consumida por uma carga resistiva, vista apenas através da
medição de valores eficazes de tensão e corrente.
1 T Vn In
Pativa = ∫ v(t)i(t)dt = V0 I0 + ∑∞
T 0 n=1 ( 2
) cos(θn - φn ) (31)
S = VRMS IRMS (32)
Para inversores trifásicos, a potência ativa é definida através das tensões e

corrente de fase, como mostrado em (33). Já a potência aparente é definida através do
produto dos valores eficazes das tensões fase-fase e das correntes de linha, como mostrado
em (34).
1 T
Pativa = ∫ (va (t)ia (t) + vb (t)ib (t) + vc (t)ic (t))dt (33)
T 0
S = √3Vfase-fase RMS IRMS (34)
Por fim, um último parâmetro importante e frequentemente utilizado é o fator de

potência total (F.P.), definido como em (35), como a razão entre a potência ativa e a
potência aparente.
Pativa
F.P. = (35)
S
40
1.5.2 - Inversores multinível
Os inversores monofásicos meia-ponte e ponte completa com acionamento bipolar

são capazes de produzir tensões de saída com até dois níveis. Com acionamento unipolar,
o inversor monofásico ponte completa é capaz de produzir uma tensão com três níveis e
conteúdo harmônico menor. Aumentando a quantidade de níveis possibilita reduzir o seu
conteúdo harmônico e alcançar um formato mais próximo do senoidal.
Um inversor de tensão multinível utiliza um arranjo de dispositivos semicondutores
que é capaz de produzir tensões quase senoidais, sem a necessidade de filtros passivos
conectados em sua saída (RASHID, 2014). O barramento CC destes inversores também é
dividido em vários níveis, alcançado por fontes independentes associadas em série ou com
divisores de tensão capacitivos.
A Figura 38 mostra um exemplo de inversor multinível formado pela associação em
cascata de inversores ponte-completa. Através da combinação das tensões v1(t) e v2(t), com
até três níveis cada, formará a tensão vo(t) possível produzir uma tensão total com cinco
níveis: -VCC, (1/2)VCC, 0, (1/2)VCC e VCC .
Figura 38 – Inversor multinível com conversores ponte completa em cascata: (a) circuito elétrônico; (b) formas
de onda de tensão.
Fonte: retirado e modificado de (HART, 2012).
41
1.5.3 - Inversor monofásico de ponto neutro grampeado em Meia-Ponte
O inversor de Ponto Neutro Grampeado (Neutral Point Clamped – NPC) em

configuração meia-ponte é mostrado na Figura 39. O mesmo utiliza quatro transistores de
potência QA1 a QA4, com seus respectivos diodos DA1 a DA4 conectados em Antiparalelo,
além de dois diodos de grampeamento DGA1 e DGA2. Com a topologia meia-ponte é possível
produzir até três níveis para a tensão de saída vAB(t). Seu barramento CC possui um divisor
de tensão realizado pelos capacitores CCC1 e CCC2, também conectados ao ponto de
referência GND. A ordem dos sinais aplicados e as tensões produzidas são mostradas na
Tabela 5. As etapas de operação são ilustradas na Figura 40 e a forma de onda da tensão
de saída vo(t) é mostrada na Figura 41.
Figura 39 - Inversor multinível NPC meia ponte.

Durante a ETAPA 1, os transistores QA1 e QA2 são acionados e conduzem,

conectando o capacitor CCC1 ao resistor da carga, o que produzirá uma tensão vo(t) =
(1/2)vcc(t), como mostrado durante t1 na Figura 41. Na ETAPA2, os transistores QA2 e QA3
estão sendo comandados e ao entrarem em condução, irão conectar os dois terminais do
resistor ao GND. Portanto, a tensão de saída será vo(t) = 0 V. Por fim, na ETAPA3, os
transistores QA3 e QA4 entrarão em condução e conectarão o capacitor CCC2 ao resistor,
fazendo vo(t) = -(1/2)vcc(t). Assim, o formato final de vo(t) é retangular, com três níveis.
42
SINAIS DE SINAIS DE
PERÍODO DE COMANDO EM COMANDO EM TENSÃO
ACIONAMENTO NÍVEL LÓGICO NÍVEL LÓGICO vAB(t)
ALTO BAIXO
t1 sgA1 ; sgA3 sgA2 ; sgA4 vcc(t)

t2 sgA2; sgA3 sgA1; sgA4 0
t3 sgA3; sgA4 sgA1; sgA2 -vcc(t)
Tabela 5 - Sequência de acionamento do inversor monofásico NPC meia-ponte.
Figura 40- Etapas de operação do Inversor multinível NPC meia ponte com carga resistiva.
43
Figura 41 – Forma de onda da tensão na carga resistiva, para o inversor meia ponte mostrado na Figura 40.
1.5.4 - Inversor monofásico de ponto neutro grampeado em ponte

completa
Também é possível obter um conversor NPC em ponte completa, como o proposto

em (ASSIS; MELONI; SANTOS, 2020) e mostrado na Figura 41. Esta topologia permite obter
até cinco níveis para a tensão de saída: vcc(t), (1/2)vcc(t), 0, -(1/2)vcc(t) e -vcc(t). Quanto maior
for a divisão da tensão no barramento CC, maio a quantidade de níveis que poderá ser
produzida na saída.
Figura 42 – Inversor NPC monofásico em ponte completa.

Fonte: imagem retirada e modificada de (ASSIS; MELONI; SANTOS, 2020).
44
Atividade: Para concluir a primeira semana de estudos,
vá até a sala virtual e responda ao questionário da
primeira semana. Aproveite e deixe uma mensagem no
“Fórum” sobre o que você entendeu do conteúdo da
primeira Semana. Se possível, simule os circuitos
estudados em algum software gratuito.
Esta primeira semana foi muito intensa!!! Agora é hora de uma pequena pausa, para
que você absorva os conteúdos apresentados. Utilize os textos e vídeos fornecidos, além
das leituras complementares. Reflita sobre as novas concepções que este módulo lhe
proporcionou e se possível utilize algum software gratuito como o PSim Demo para simular
os circuitos apresentados. Pense quais problemas você poderia resolver utilizando circuitos
inversores de tensão!
Nos encontramos na próxima semana.

Bons estudos!
45
Semana 2 – Inversor trifásico, PWM e produção de tensão
Objetivos:
Nesta semana você estudará o inversor trifásico e o
acionamento de inversores através de modulação por largura
de pulso (PWM). Também será visto como são estruturadas
as malhas de controle de tensão e corrente de saída de
inversores. Por fim, será feita uma introdução na operação de
inversores de frequência dedicados ao acionamento de
motores de indução.
2.1 - Módulo 6 – Inversores de tensão trifásico

Trifásicos – Parte 1”, “Módulo 6 – Inversores Trifásicos
– Parte 2” e “Módulo 6 – Inversores Trifásicos – Parte
3”.
Inversores de tensão trifásicos utilizam uma fonte de tensão para produzir tensões
trifásicas em sua saída, como ilustrado na Figura 2 (a). A configuração mais comum para o
inversor trifásico utiliza três braços meia-ponte, como mostrado na Figura 43. A carga
trifásica poderá ser conectada em estrela (Y) ou Delta (∆).
As tensões de fase vA(t), vB(t) e vC(t) são tomadas entre os braços e o ponto GND,
definido através dos capacitores CCC1 e CCC2 do barramento CC. As tensões de linha são
definidas vAB(t), vBC(t) e vCA(t), através das expressões (36) a (38).
vAB (t) = vA (t) - vB (t) (36)

vBC (t) = vB (t) - vC (t) (37)
vCA (t) = vC (t) - vA (t) (38)
46
Figura 43– Inversor de tensão trifásico.
Estudaremos um acionamento simples para o inversor da Figura 43, denominado

acionamento 180º. Neste acionamento, cada transistor conduzirá por metade do período
total (T1) das formas de onda de tensão trifásicas. A Figura 44(a) representa as sequências
de sinais de comando que deverão receber nível lógico alto durante T1. As tensões de fase
vA(t), vB(t) e vC(t) serão quadradas e com amplitude igual a metade de vcc(t). As tensões
resultantes de fase-fase vAB(t), vBC(t) e vCA(t), também chamadas tensões de linha, possuem
três níveis de tensão e são mostradas na Figura 44(c), com três níveis. Independente da
carga trifásica, as tensões de linha e fase terão o mesmo aspecto.
47
Figura 44 – Acionamento 180º para o inversor de tensão trifásico: (a) Sequencia de sinais em nível lógico alto
durante um período T1;(b) Tensões de fase vA(t), vB(t) e vC(t); (c) Tensões de linha vAB(t), vBC(t) e vCA(t).
Fonte: imagem modificada de (MARTINS; BARBI, 2008).
A Figura 45 apresenta um circuito de acionamento que realiza a sequência mostrada

no diagrama da Figura 44(a). São necessários três comparadores de tensão, um para cada
48
braço. Em suas entradas não inversoras são conectados os sinais de referência vrefA(t),
vrefB(t) e vrefC(t), defasados entre si de (1/3)T1, ou que equivale a 120º. Existem oito
possibilidades de combinar os sinais de comando sgA1 a sgA6, e produzir tensões de linha,
na saída do inversor. Para cada possibilidade pode ser definido como um vetor base de
tensão, com as denominações v0 a v7 listadas na Tabela 6, bem como a sequência de
períodos de acionamento mostrada na Figura 44. As etapas de operação de cada vetor são
mostradas nas Figuras 46 e 47.
Figura 45 – Circuito de acionamento180º para o inversor trifásico da Figura 43.

ACIONAMENTO SINAIS DE COMANDO EM SINAIS DE COMANDO EM TENSÃO TENSÃO TENSÃO

180°
VETOR NÍVEL LÓGICO ALTO NÍVEL LÓGICO BAIXO vAB(t) vBC(t) vCA(t)
- v7 sgA1 ; sgA3; sgA5 sgA2 ; sgA4; sgA6 0 0 0
t1 v5 sgA1 ; sgA4; sgA5 sgA2 ; sgA3; sgA6 VCC - VCC 0
t2 v4 sgA1 ; sgA4; sgA6 sgA2 ; sgA3; sgA5 VCC 0 - VCC
t3 v6 sgA1 ; sgA3; sgA6 sgA2 ; sgA4; sgA5 0 VCC - VCC
t4 v2 sgA2 ; sgA3; sgA6 sgA1 ; sgA4; sgA5 - VCC VCC 0
t5 v3 sgA2 ; sgA3; sgA5 sgA1 ; sgA4; sgA6 - VCC 0 VCC
t6 v1 sgA2 ; sgA4; sgA5 sgA1 ; sgA3; sgA6 0 - VCC VCC
- v0 sgA2 ; sgA4; sgA6 sgA1 ; sgA3; sgA5 0 0 0

Tabela 6 – Acionamento para produção das tensões de linha no inversor trifásico.
Fonte: produzido pelo autor.
49
Figura 46 – Etapas de operação v0 a v3 para o inversor de tensão trifásico.
Para produzir as tensões de fase e de linha mostradas na Figura 44, são

sequenciados apenas os vetores v2 a v6 serão utilizados durante as etapas t1 a t6. No
acionamento 180º sempre conduzirão dois dispositivos (diodo ou transistor) na parte
superior, enquanto um dispositivo da parte inferior entrará em condução. Também é possível
dois dispositivos na parte inferior conduzirem, enquanto um dispositivo na parte superior
conduz. Entretanto, não é possível três dispositivos na parte superior ou inferior conduzirem
ao mesmo tempo, como mostrado nas ETAPAS v0 e v7 da Figura 46. Porém, estas duas
etapas podem ser utilizadas em acionamentos com modulação PWM, como a modulação
Space Vector Pulse Width Modulation.
50
Figura 47 – Etapas de operação v4 a v7 para o inversor de tensão trifásico.
A análise de cada etapa das Figuras 46 e 47 são semelhantes. Deve-se sempre

considerar que os semicondutores destacados poderão estar em condução. Dessa forma,
as tensões de fase poderão assumir valores positivos ou negativos iguais com amplitude
igual a metade da tensão do barramento CC. Por exemplo, na ETAPA v4 da Figura 47, o
nível lógico alto é aplicado aos sinais sgA1, sgA4 e sgA6 que farão os transistores QA1, QA4 e
QA6 entrar em condução. Assim, a tensão vA(t) = (1/2)vcc(t), a tensão vb(t) = -(1/2)vcc(t) e vc(t)
= -(1/2)vcc(t), o que resultará nas tensões de linha mostradas na Tabela 6. Caso a carga seja
indutiva, apesar dos sinais estarem aplicados aos transistores, entrarão em condução os
diodos em antiparalelo.
51
2.1.1 - Operação com carga resistiva conectada em Y
Antes de analisarmos a operação do inversor trifásico com cargas resistiva e RL,

precisamos conhecer o comportamento destas cargas quando ligadas em estrela (Y) ou em
Delta (∆). A Figura 48 mostra as formas de conexão destas cargas.
Figura 48 – Formas de conexão de cargas trifásicas resistivas: (a) conexão em estrela (Y); (b) conexão em
Delta (∆).
Na Figura 48(a) mostra a conexão Y para a carga resistiva. A principal característica

dessa carga é o ponto de conexão comum a todas as cargas, também denominado neutro.
Em nossos estudos, este ponto não estará ligado ao ponto GND do barramento CC do
inversor. Portanto, surgirá um potencial denominado potencial neutro da carga vn(t) e terá
valores diferentes de zero. Os terminais de fase serão conectados aos braços do inversor e
receberão as tensões va(t), vb(t) e vc(t). As tensões de linha serão determinadas através das
expressões (36) a (38), resultando em vab(t), vbc(t) e vca(t). As tensões fase-neutro nas
cargas serão van(t), vbn(t) e vcn(t) e serão relacionadas com as tensões de linha através das
expressões (39) a (41).
vab (t) = van (t) - vbn (t) (39)

vbc (t) = vbn (t) - vcn (t) (40)
vca (t) = vcn (t) - van (t) (41)
52
A relação entre as tensões va(t), vb(t) e vc(t) se relacionam com as tensões van(t),
vbn(t) e vcn(t) através das expressões (42) a (44), sendo necessário também determinar vn(t).
va (t) = van (t) + vn (t) (42)

vb (t) = vbn (t) + vn (t) (43)
vc (t) = vcn (t) + vn (t) (44)
A relação entre a amplitude dos fasores eficazes das tensões de linha e de fase-
neutro na carga resistiva da Figura 48(a) é dada por (45).
|VabRMS | = |VbcRMS | = |VcaRMS | = √3|VanRMS | = √3|VbnRMS | = √3|VcnRMS | (45)

Outra característica importante da conexão em Y é a corrente de linha ser igual a
corrente das cargas. No caso da Figura 48(a) as correntes de saída, ia(t), ib(t) e ic(t) poderão
ser determinadas através da primeira lei de Ohm, através das equações (46) a (48).
van (t)
ia (t) = (46)
R
vbn (t)
ib (t) = (47)
R
vcn (t)
ic (t) = (48)
R
Na Figura 44(c) é possível observar que a somatória das tensões de linha é igual a
zero, durante cada um dos períodos t1 a t6. Como feito em (MARTINS; BARBI, 2008), com
essa informação e com auxílio das expressões (39) a (44) é possível determinar a amplitude
da tensão de neutro vn(t), dada por (49).
vCC (t)
vn (t) = ± (49)
6
A Figura 49(a) ilustra o esquema elétrico do inversor trifásico com uma carga resistiva
ligada em Y. As formas de onda para a tensão vab(t), van(t), vn(t) e ia(t) são mostradas na
Figura 49(b), assumindo que a tensão no barramento CC é constante e dada por vcc(t) =
Vcc. A tensão vn(t) terá um aspecto de forma de onda quadrada, com frequência seis vezes
maior que as tensões de linha. A amplitude máxima das tensões fase-neutro nas cargas será
dois terços de VCC.
53
Figura 49 – Inversor trifásico com acionamento 180º e carga Y resistiva: (a) diagrama elétrico; (b) formas de
onda de vab(t), van(t), vn(t) e ia(t).
54
2.1.2 - Operação com carga resistiva conectada em ∆
Uma carga resistiva conectada em ∆ é mostrada na Figura 48(b). Um resistor é ligado

a outro através de um único terminal. Os três terminais va(t), vb(t) e vc(t) são conectados
aos braços do inversor trifásico. As tensões nos resistores serão iguais às tensões de linha
vab(t), vbv(t) e vca(t). Outra característica desta conexão é a existência de três nós. Utilizando
a lei de Kirchoff das correntes, pode-se relacionar as correntes nas resistências iab(t), ibc(t)
e ica(t) com as correntes de linha ia(t), ib(t) e ic(t) em cada nó como mostrado nas equações
(50) a (52).
ia (t) + ica (t) - iab (t) = 0 (50)

ib (t) + iab (t) - ibc (t) = 0 (51)
ic (t) + ibc (t) - ica (t) = 0 (52)
A relação entre os valores eficazes das correntes nas cargas iab(t), ibc(t) e ica(t) e as
correntes de linha ia(t), ib(t) e ic(t) é dada por (53).
|IaRMS | = |IbRMS | = |IcRMS | = √3|IaBRMS | = √3|IbcRMS | = √3|IcaRMS | (53)
As correntes nas cargas podem ser determinadas através das expressões (54) a (56),
utilizando a primeira Lei de Ohm.
vab (t)
iab (t) = (54)
R
vbc (t)
ibc (t) = (55)
R
vca (t)
ica (t) = (56)
R
A Figura 50 mostra o diagrama do inversor trifásico com uma carga resistiva em ∆,

além das formas de onda da tensão de linha vAB(t), da corrente de linha ia(t) e as correntes
iab(t) e ica(t) das cargas.
55
Figura 50 - Inversor trifásico com acionamento 180º e carga ∆ resistiva: (a) diagrama elétrico; (b) formas de
onda de vab(t), ia (t), iab(t) e ica(t).
56
2.1.3 - Operação com carga RL conectada em Y
Para cargas RL conectadas em Y, como mostrado na Figura 51(a), também são
válidas as relações entre tensões mostradas pelas equações (39) a (44), bem como a
relação entre os valores eficazes de tensão mostrada em (45). A determinação das correntes
de linha ib(t), ib(t) e ic(t) será dada pelas expressões (57) a (59).
𝑑𝑖𝑎 (𝑡)
𝑣𝑎𝑛 (𝑡) = 𝑣𝐿1 (𝑡) + 𝑣𝑅1 (𝑡) = 𝐿 + 𝑅𝑖𝑎 (𝑡) (57)
𝑑𝑡
𝑑𝑖𝑏 (𝑡)
𝑣𝑏𝑛 (𝑡) = 𝑣𝐿2 (𝑡) + 𝑣𝑅2 (𝑡) = 𝐿 + 𝑅𝑖𝑏 (𝑡) (58)
𝑑𝑡
𝑑𝑖𝑐 (𝑡)
𝑣𝑐𝑛 (𝑡) = 𝑣𝐿3 (𝑡) + 𝑣𝑅3 (𝑡) = 𝐿 + 𝑅𝑖𝑐 (𝑡) (59)
𝑑𝑡
Os formatos das tensões são os mesmos da carga resistiva. Já o aspecto da corrente

de linha é mais próximo do senoidal, se comparado com as tensões fase-neutro ou de linha,
em decorrência da ação de filtragem de corrente promovida pela indutância da carga. Esse
formato também é influenciado pela relação entre as indutâncias e resistências. Na operação
com carga RL também existirá momentos em que os diodos DA1 a DA6 entram em condução,
devido a tensão induzida da indutância.
2.1.4 - Operação com carga RL conectada em ∆

Para cargas RL conectadas em ∆, como mostrado na Figura 52(a), também são
válidas as relações entre tensões mostradas pelas equações (39) a (44), bem como a
relação entre os valores eficazes de tensão mostrada em (45). A determinação das correntes
nas cargas iab(t), ibc(t) e ica(t) será dada pelas expressões (60) a (62).
𝑑𝑖𝑎𝑏 (𝑡)
𝑣𝑎𝑏 (𝑡) = 𝑣𝐿1 (𝑡) + 𝑣𝑅1 (𝑡) = 𝐿 + 𝑅𝑖𝑎𝑏 (𝑡) (60)
𝑑𝑡
𝑑𝑖𝑏𝑐 (𝑡)
𝑣𝑏𝑐 (𝑡) = 𝑣𝐿2 (𝑡) + 𝑣𝑅2 (𝑡) = 𝐿 + 𝑅𝑖𝑏𝑐 (𝑡) (61)
𝑑𝑡
𝑑𝑖𝑐𝑎 (𝑡)
𝑣𝑐𝑎 (𝑡) = 𝑣𝐿3 (𝑡) + 𝑣𝑅3 (𝑡) = 𝐿 + 𝑅𝑖𝑐𝑎 (𝑡) (62)
𝑑𝑡
Os formatos das tensões são os mesmos da carga resistiva. As correntes de linha

possuem uma amplitude maior que as correntes de carga e também um aspecto mais
próximo do senoidal.
57
Figura 51 -– Inversor trifásico com acionamento 180º e carga Y RL: (a) diagrama elétrico; (b) formas de onda
de vab(t), van(t), vn(t) e ia(t).
58
Figura 52 - Inversor trifásico com acionamento 180º e carga ∆ RL: (a) diagrama elétrico; (b) formas de onda
de vab(t), ia (t), iab(t) e ica(t).
59
2.2 - Módulo 7 – Modulação por largura de pulso (PWM)

sala virtual e assista aos vídeos “Módulo 7 –
Modulação PWM – Parte 1”, “Módulo 7 – Modulação
PWM – Parte 2”, “Módulo 7 – Modulação PWM – Parte
3” e “Módulo 7 – Modulação PWM – Parte 4”.
Até o momento foram analisadas as operações de conversores que produziam

tensões de saída monofásicas e trifásicas com aspecto retangular ou quadrada. Ao acionar
cargas RL, a corrente nas mesmas possui um aspecto mais próximo do senoidal, se
comparado com a tensão aplicada pelos inversores. Indutores e capacitores podem ser
combinados para formar filtros passivos.
Filtros são circuitos que permitem ou não que sinais de determinada frequência
sejam reproduzidos em sua saída. Em outras palavras, se um sinal f(t) for analisado através
de Séries de Fourier através das expressões (15) a (23), poderá ser representado como a
soma entre um valor médio, uma componente fundamental e um somatório infinito de
componentes harmônicas. Se este sinal percorrer um filtro, o mesmo é capaz de reduzir ou
anular a amplitude de uma ou mais componentes deste sinal, possibilitando que o restante
das componentes surja em sua saída.
A propriedade de filtragem de indutores e capacitores é explicada através de seus
modelos físicos, mostrados pelas expressões (63) a (65) e dos conceitos de resposta em
frequência e impedância.
Figura 53 – Definições de tensões e correntes em elementos passivos de circuitos: (a) resistor; (b) indutor; (c)
capacitor.
vR (t) = R iR (t) (63)

diLa (t)
vLa (t) = La (64)
dt
dvCa (t)
iCa (t) = Ca (65)
dt
60
Impedância pode ser definida como uma propriedade de um elemento de circuito, que
representa a oposição deste à passagem de corrente elétrica (NILSSON; RIEDEL, 2009).
As impedâncias podem ser classificadas em resistiva (ZRa), indutiva (ZLa) ou capacitiva (ZCa).
As equações (66) a (68) mostram as definições de impedâncias, onde os termos XRa, XLa e
XCa são as reatâncias resistiva, indutiva e capacitiva, respectivamente. O termo f representa
a frequência das correntes e tensões nestes elementos.
ZR = R = XRA (66)
ZLa = (2πfLa )j = XLa j (67)

1 1
ZCa = - ( ) j = - (X ) j (68)
2πfCa Ca
A impedância é um número complexo que possui módulo e ângulo. Se extraídos os

módulos das expressões (66) a (68), obtém-se as reatâncias, que por sua vez são medidas
em Ohms. Um resistor apresenta uma impedância somente com parte real, sendo sua
reatância igual a resistência elétrica do mesmo.
A reatância indutiva é diretamente proporcional a frequência. Isso mostra que em
frequência nula, ou seja, em corrente contínua, o indutor comporta-se como um curto-
circuito. Com o aumento da frequência sua reatância aumentará, até aproximar-se das
características de um circuito aberto. O capacitor tem um comportamento dual ao indutor.
Em corrente contínua sua impedância é elevada, tendo o mesmo um comportamento
próximo de um circuito aberto. Ao aumentar a frequência, sua reatância diminuirá, até
assumir o comportamento de um curto-circuito. Ao combinar impedâncias de indutores e
capacitores é possível formar filtros com características passa-baixas, passa-altas, passa-
faixa e rejeita-faixa.
Os filtros passa-baixa reduzem a amplitude de componentes harmônicas de tensão
ou corrente que possuem altas frequências. Tensões e correntes que possuam frequências
dentro da banda passante, ilustrada na curva da Figura 54, serão reproduzidas na saída do
filtro com amplitude (magnitude) pouco alterada. Caso a frequência esteja dentro da banda
de atenuação, a magnitude será consideravelmente reduzida, podendo até ser praticamente
anulada. A banda de passagem do filtro é delimitada pela frequência de corte (fc),
frequência na qual a magnitude é reduzida pela primeira vez pelo fator 0,707 (queda de -3
decibéis (dB)).
61
Figura 54– Curva de magnitude em função da frequência para um filtro passa-baixas.
Fonte: retirado e modificado de Boylestad e Nashelsky (2013b).
Os filtros passam-altas são os duais dos filtros passa-baixas. Sua curva de

magnitude em função da frequência é mostrada na Figura 55. São filtros que reduzem as
amplitudes de componentes harmônicas de baixas frequências, permitindo em sua saída
apenas componentes com altas frequências. A sua banda de passagem inicia em
frequências acima da frequência de corte.
Figura 55– Curva de magnitude em função da frequência para um filtro passa-altas.

62
Também são encontrados filtros que permitem a passagem apenas de tensões ou
correntes com frequência localizada dentro de uma faixa. Estes filtros são denominados
passa-faixa e possuem uma banda de passagem limitada por uma frequência de corte
inferior (f1) e por uma frequência de corte superior (f2). Esta banda também está
centralizada ao redor da frequência central (f0)¸como mostrado na Figura 56.
Figura 56 – Curva de magnitude em função da frequência para um filtro passa-faixa.

Por fim, os filtros rejeita-faixa, duais dos filtros passa-faixa, possuem uma banda de
atenuação limitada por frequências de corte inferior (f 1) e superior (f2). Sinais fora da banda
de atenuação terão sua magnitude pouco alterada. A curva de magnitude em função da
frequência para um filtro rejeita-faixa é mostrada na Figura 57.
Figura 57– Curva de magnitude em função da frequência para um filtro rejeita-faixa.

63
Um exemplo de filtro passa-baixas é mostrado na Figura 58(a). A resposta em
frequência deste filtro é mostrada ao lado, nas curvas da Figura 58(b) conhecidas como
curvas de Bode. A curva superior mostra a magnitude do ganho em decibéis ao longo da
frequência, enquanto a outra relaciona a fase entre os sinais. O ganho é determinado através
do módulo da resposta em frequência, obtida através das expressões (69) e (70). Para
converter o ganho em Decibéis é usada a expressão (72). A fase é determinada através da
expressão (71).
vo (jω)
= G(jω) = Re +Im j (69)
vs (jω)
|G(jω)| = |G(jω)| =√(R e )2 +(Im )2 (70)

I
∠G(jω) = tg -1 (Rm ) (71)
e
v (jω)
|G(jω)|dB = 20log|G(jω)| = 20log | o | (72)
v (jω)
s
Na Figura 58(b) é possível compreender melhor a frequência de corte fc. Trata-se da

frequência na qual o ganho sofre uma atenuação de -3 dB pela primeira vez. Também é
possível notar a frequência de ressonância fn, onde a fase do sinal de saída ficará atrasada
em 180º do sinal de entrada. Nesta frequência também há um aumento brusco no Ganho.
Após a frequência de corte, a curva de ganho decrescerá com uma inclinação de -40 dB por
década, mostrando que o aumento da frequência elevará também a atenuação.
Figura 58 – Exemplo de filtro passa-baixas e sua resposta em frequência: (a) circuito elétrico; (b) curvas de
Bode
Filtros passivos projetados para filtrar sinais em baixas frequências serão construídos
com indutores e capacitores com valores elevados. Quanto maior o valor de indutância,
maior a quantidade de cobre necessária para construir o indutor. Portanto o volume e peso
64
do indutor serão maiores, bem como as perdas envolvidas. Portanto, não é conveniente
produzir formas de onda senoidais, de tensão ou corrente, através de inversores de tensão
com saídas quadrada ou retangular.
A modulação PWM (Pulse Width Modulation) é uma técnica de acionamento capaz
de produzir tensões ou correntes de saída com baixa distorção harmônica total (HART,
2012). Com o acionamento por PWM, são necessários filtros passivos menores, para
produzir tensões ou correntes de saída senoidias. Existem técnicas digitais e analógicas
para implementar a PWM em inversores monofásicos e trifásicos.
A modulação por largura de pulso (Pulse Width Modulation - PWM) é uma técnica que
utiliza uma forma de onda portadora de alta frequência para transportar a informação de um
sinal de referência através de pulsos de alta frequência, com razão cíclica (D), ou largura,
variável (ASHFAQ, 2008). A largura de pulso pode ser definida como a razão entre o
período total T1 e o período de acionamento do conversor, no qual a tensão de saída
permanece em um valor positivo (TQA1), como mostrado pelas expressões (8) e (9), para o
inversor monofásico meia-ponte.
2.2.1 - Modulação SPWM bipolar para inversores monofásicos em ponte

completa
Pra realizar modulação por largura de pulso senoidal (SPWM), um sinal de referência
vref(t) será usado para produzir os sinais de comando sgA1 a sgA4. A Figura 59 mostra um
conversor monofásico que acionará uma carga RL com a modulação PWM bipolar. Assume-
se que a carga se comporte como um filtro passa-baixas de corrente, permitindo apenas a
passagem de componentes com frequência menores ou iguais a vref(t). Um circuito analógico
que implementará a modulação SPWM bipolar é mostrado na Figura 60.
Figura 59– Conversor ponte-completa monofásico com modulação PWM bipolar.

65
O circuito da Figura 60 é simples e necessita apenas de um comparador de tensão.
A entrada inversora (+) do comparador receberá um sinal triangular vtri(t) o qual será a forma
de onda portadora. A entrada inversora (-) receberá o sinal de referência senoidal vref(t).
Quando a tensão do sinal vref(t) for maior que a tensão do sinal vtri(t), será produzida uma
tensão positiva na saída do comparador, produzindo um nível lógico alto para sgA1 e sgA4 e
baixo em sgA2 e sgA3. Isso fará com que a tensão vAB(t) seja positiva. Se a tensão do sinal
vtri(t) for maior que a tensão vref(t), será produzido um nível lógico baixo em sgA1 e sgA4 e
algo em sgA2 e sgA3, fazendo com que a tensão vAB(t) torne-se negativa. A Figura 61 ilustra
as formas de onda para vref(t), vtri(t) e vAB(t).
Figura 60 – Circuito analógico para modulação SPWM bipolar.

Figura 61 – Formas de onda portadora vtri(t), de referência vref(t) e de saída vAB(t) para o inversor monofásico
ponte completa com modulação SPWM bipolar.
Fonte: Imagem retirada e modificada de Hart (2012).
66
Para o acionamento SPWM pode-se definir o índice de modulação de amplitude
(ma) e o índice de modulação em frequência (mf) através das expressões (73) e (74),
respectivamente. O termo ma definirá a amplitude da tensão na carga vo(t), enquanto que o
termo mf determinará a localização das frequências das componentes harmônicas (HART,
2012).
Amplitude da referência
ma = (73)
Amplitude da portadora
frequência da portadora
mf = (74)
frequência do sinal de referência
Se realizada a análise por Séries de Fourier no conjunto de todos os pulsos de vAB(t),

coletados durante um período T1 da componente fundamental, o espectro de frequências
será semelhante ao mostrado na Figura 62. As componentes harmônicas serão distribuídas
ao redor de frequências múltiplas do índice de frequência mf. Assim, com um filtro passivo
pequeno será possível recuperar o formato senoidal da corrente io(t). Com a modulação
PWM é possível produzir uma corrente senoidal na carga RL, mesmo se a tensão vAB(t) for
aplicada no formato de pulsos de alta frequência, com largura variável.
Figura 62 – Exemplo de formas de onda da tensão de saída vAB(t) e corrente io(t) na carga, para um inversor
monofásico em ponte completa com modulação SPWM bipolar, acionando uma carga RL.
Fonte: imagem retirada e modificada de Pomilio (2014).
67
2.2.2 - Modulação SPWM unipolar para inversores monofásicos em ponte
completa
A modulação SPWM unipolar permite obter três níveis para a tensão vAB(t) na saída
do inversor. Os pulsos produzidos também terão o dobro da frequência da portadora
triangular. O circuito analógico da Figura 63 poderá ser utilizado para realizar esta
modulação. São necessários dois comparadores de tensão, cada um acionará um braço do
inversor ponte completa. A entrada não inversora dos comparadores receberá a portadora
vtri(t). Um dos comparadores receberá em sua entrada inversora o sinal vref(t), enquanto o
outro receberá o sinal de referência invertido.
Figura 63 – Circuito analógico para modulação SPWM unipolar para um conversor monofásico em ponte
completa.
68
A Figura 64 mostra a forma de onda da tensão vAB(t) e da corrente io(t) para um
conversor como o da Figura 59 operando com modulação SPWM unipolar. Na figura 59
também é mostrado o espectro de frequência do conjunto de pulsos de vAB(t) coletados
durante um período T1. Com a modulação unipolar é possível produzir correntes em uma
carga RL com conteúdo harmônico menor, já que a frequência dos pulsos produzidos é o
dobro da frequência da forma de onda portadora.
Figura 64– Exemplo de formas de onda da tensão de saída vAB(t) e corrente io(t) na carga, para um inversor
monofásico em ponte completa com modulação SPWM, acionando uma carga RL.
Fonte: retirado e modificado de Pomilio (2014).
Para produzir tensões senoidais na saída dos inversores de tensão é necessário

utilizar um filtro passa-baixas, como o mostrado na Figura 65. O filtro deverá ser projetado
para reduzir a amplitude das componentes harmônicas localizadas em múltiplos do índice
mf. Um exemplo de projeto para filtros passivos para um conversor com modulação SPWM
bipolar pode ser encontrado em (RIBEIRO; BARBI, 2006) e (MELONI et al., 2019). Com
auxílio das expressões mostradas em (75) e (76) é possível escolher valores para indutância
LA e capacitância CA, onde fs é a frequência da portadora triangular, Io_max é a corrente de
pico na indutância do filtro e ∆Io_max a máxima ondulação de corrente esperada no filtro e fc
a frequência de corte.
VCC
LA = (75)
2fs Io_max ∆Io_max
69
103/20 + 1
CA = 2 (76)
LA (2πfc )
Figura 65 – Conversor ponte-completa monofásico com modulação SPWM para produção de tensões
senoidals.
2.2.3 - Modulação SPWM unipolar para inversores trifásicos
A modulação SPWM também pode ser aplicada em inversores trifásicos. Para isso é
necessário utilizar três sinais de referência vrefa(t), vrefb(t) e vrefc(t), como mostrado na Figura
66, ambos com defasagem de 120º um do outro. Um exemplo de circuito analógico é
mostrado na Figura 67, onde são necessários três comparadores de tensão que
compartilhem a mesma forma de onda portadora vtri(t).
70
Figura 66 – Representação para circuito inversor de tensão trifásico com acionamento SPWM.
Figura 67 – Circuito analógico para modulação SPWM em inversores trifásicos.

A Figura 68 mostra um exemplo de conversor trifásico acionado com modulação

SPWM e as formas de tensão e corrente em uma carga Y. São exibidas as formas de onda
da tensão de linha vab(t), a tensão fase-neutro na carga van(t), a tensão no neutro da carga
vn(t) e a corrente de linha ia(t). Foi considerada uma tensão no barramento CC vcc(t) =
244,44 V, frequência fundamental dos sinais de referência f1 = 60 Hz, frequência da
portadora triangular ftri = 3600Hz e carga R = 50 Ω e L = 40 mH. Observa-se que a tensão
vn(t) assume valores iguais a 0,5vcc(t) em algumas ocasiões. Isso ocorre quando todas as
tensões de linha são iguais a zero, o que indica que haverá momentos em que o conversor
assumirá as etapas de condução v0 e v7 mostradas nas Figuras 46 e 47.
71
Figura 68 – Resultados de simulação para inversor trifásico com acionamento SPWM com carga RL ligada
em Y.
72
Para cagas ∆ a operação é semelhante, uma vez que são mantidos os formatos das
tensões de linha vab(t), vbc(t) e vca(t), bem como as tensões va(t), vb(t) e vc(t). As correntes
ia(t), ib(t), ic(t) e as correntes nas cargas RL em ∆ serão também senoidais, mas com a
diferença de amplitude dada por √3.
A modulação SPWM é simples de ser implementada, mas traz algumas
desvantagens, como maior conteúdo harmônico para as tensões e correntes de saída,
menor amplitude para a componente fundamental e maiores perdas nos transistores
(PAREKH, 2005). A modulação mais empregada em aplicações modernas com inversores
trifásicos é a modulação PWM por espaços vetoriais (Space Vector Pulse Width Modulation
– SVPWM). Trata-se de uma modulação digital, implementada através de
microcontroladores ou processadores digitais de sinais (DSPs) e que trata o inversor trifásico
como uma única entidade, não como três inversores meia-ponte operando de forma conjunta
(PINHEIRO et al., 2005). Esta técnica exige alta capacidade de processamento e realização
de vários cálculos vetoriais. Para conhecer melhor a modulação Space Vector acesse à
videoaula “Módulo 7 – Modulação PWM – Parte 2” e veja o artigo sobre modulação SVPWM
disponibilizado no Glossário de Códigos QR.
Dica do Professor: artigo sobre modulação SVPWM

em inversores de tensão monofásicos e trifásicos.
2.3 - Módulo 8 – Estruturas de controle de tensão e corrente de saída em

inversores monofásicos

sala virtual e assista aos vídeos “Módulo 8 – Controle
Tensão – Parte 1”, “Módulo 8 – Controle Tensão –
Parte 2”, “Módulo 8 – Controle Tensão – Parte 3” e
“Módulo 8 – Controle Tensão – Parte 4”.
É possível produzir saídas de tensão e corrente com formatos variados, utilizando-se

somente a modulação PWM e filtros passivos. Entretanto, estas grandezas podem ser
afetadas por perturbações externas como variações na carga, modificações dos parâmetros
do inversor, alterações nos sinais de referência e etc. Para garantir que os sinais de tensão
e corrente possuam amplitude, frequência e formato desejados, é necessário utilizar malhas
de controle em laço fechado.
A Figura 69 ilustra o esquema elétrico e o resultado de simulação de um inversor
ponte completa monofásico, com acionamento PWM bipolar e ligado a uma carga RL. Foi
utilizada uma tensão vcc(t) = 200 V, a frequência f1 = 60 Hz para vref(t) e uma frequência fs
73
= 4200 Hz para a portadora vtri(t). A carga é formada por uma resistência R = 35 Ω e
indutância L = 30 mH. Observa-se que o sinal de referência vref(t) e o sinal obtido no
transdutor de corrente vtransdut(t) não possuem a mesma fase e amplitude.
Quando alterados os parâmetros para a carga, tornando R = 35 Ω e L = 60 mH, obtém-
se o resultado mostrado na Figura 70. Nota-se que os sinais vtransdut(t) e vref(t) não estão em
fase e com amplitude iguais. Também é notável a diferença em relação a situação anterior,
mostrada na Figura 69.
Figura 69 – Esquema elétrico e simulação de um inversor de tensão monofásico com acionamento SPWM
bipolar e carga R = 35 Ω e L= 30 mH operando em malha aberta.
Figura 70 - Esquema elétrico e simulação de um inversor de tensão monofásico com acionamento SPWM
bipolar e carga R = 35 Ω e L= 60 mH operando em malha aberta.
As Figuras 71 e 72 ilustram o mesmo conversor das Figuras 69 e 70, porém operando

agora em laço fechado. Neste caso, o sinal do transdutor de corrente vtransdut(t) é comparado
74
com o sinal de referência vref(t) e produz-se o sinal de erro verr(t). Este sinal é utilizado por
um controlador de corrente, que produzirá o sinal vcont(t) para o circuito PWM. Dessa forma,
pequenas perturbações na corrente io(t) serão detectadas pelo transdutor de corrente e
compensadas pelo controlador. Com isso é possível garantir que os sinais v transdut(t) e vref(t)
estarão em fase e com a mesma amplitude.
Figura 71– Esquema elétrico e simulação de um inversor de tensão monofásico com acionamento SPWM
bipolar e carga R = 35 Ω e L= 30 mH operando em malha fechada, com um controlador de corrente.
Figura 72– Esquema elétrico e simulação de um inversor de tensão monofásico com acionamento SPWM
bipolar e carga R = 35 Ω e L= 60 mH operando em malha fechada, com um controlador de corrente.
Ao utilizar uma malha de controle é possível rejeitar distúrbios externos, minimizar

erros entre o sinal de referência e o sinal lido pelos transdutores, garantir que as
características desejadas sejam atingidas e melhorar o tempo de resposta do sistema todo
(PHILLIPS; HARBOR, 1997). Para realizar o projeto do controlador é necessário conhecer
o modelo matemático daquilo o que se deseja controlar, denominado planta, bem como do
dispositivo utilizado para controlar a planta, denominado atuador, além dos transdutores
utilizados para adquirir informações.
75
Neste curso não entraremos em detalhes sobre estes modelos matemáticos ou o
projeto de controladores. Apenas apresentaremos as estruturas básicas para malhas
fechadas de controle de tensão e corrente de saída em conversores monofásicos. Também
é possível utilizar estas topologias em sistemas trifásicos, mas abordaremos apenas
sistemas monofásicos neste curso.
Transdutores são dispositivos conversores de energia, que correlacionam variações
entre duas ou mais grandezas. Transdutores de tensão produzem sinais de saída
correlacionados com variações de tensão em suas entradas. Como exemplo podemos citar
transformadores de potencial, sensores de efeito Hall e divisores resistivos. Os
Transdutores de corrente são dispositivos que produzem sinais de saída correlacionados
com variações de corrente em suas entradas. Exemplos de transdutores de corrente são
transformadores de corrente, sensores de corrente de efeito Hall, circuitos com acopladores
ópticos e também resistores shunt de precisão. As Figuras 73 e 74 ilustram exemplos de
tensão e corrente, respectivamente. Ambos são transdutores lineares de efeito Hall.
Figura 73 – Exemplo de transdutor de tensão de efeito Hall.

Fonte: imagem retirada de (LEM, 2020a).
Figura 74 Exemplo de transdutor de corrente de efeito Hall.
76
Fonte: imagem retirada de Lem (2020b).
A Figura 75 mostra uma estrutura de malha de controle de corrente. A planta é

formada pela carga RL, cujo modelo matemático deve ser obtido expressando-se a relação
entre a corrente de saída io(t) e a tensão produzida pelo inversor vab(t). O atuador é formado
pelo inversor de tensão e o circuito PWM. O modelo matemático deste atuador deverá conter
uma relação entre a tensão de saída vab(t) e a tensão de controle vcont(t). O controlador é
um circuito a ser projetado que produzirá o sinal vcont(t) de modo que o sinal de erro verr(t)
seja minimizado. O comparador é o circuito que receberá o sinal de referência vref(t) e o sinal
do transdutor de corrente vtransdut(t) e realizará a subtração produzindo o sinal verr(t). O sinal
vref(t) representa a forma de onda de corrente desejada na saída. Geralmente o circuito
comparador é integrado ao circuito controlador.
Figura 75 - Exemplo de estrutura de conversor em malha fechada para controle da corrente de saída io(t).
A Figura 76 mostra uma estrutura para uma malha de controle de tensão. É formada
pelo filtro LC, cuja tensão de saída vo(t) deverá ser controlada. O modelo matemático da
planta deve conter uma relação entre a tensão de saída vo(t) e a tensão de saída do inversor
vAB(t). É formado pelo inversor de tensão e pelo circuito modulador PWM. O modelo
matemático do atuador deve conter uma relação entre a tensão produzida vAB(t) e a tensão
de controle vcont(t). O controlador é um circuito que deve ser projetado para modificar o sinal
vcont(t) de modo que o sinal de erro verr(t) seja minimizado. O circuito escolhido deve ter um
modelo matemático que relacione a tensão de saída vcont(t) e o sinal de erro verr(t).
77
Figura 76 - Exemplo de estrutura de conversor em malha fechada para controle da tensão de saída v o(t).
Também é possível utilizar controladores de tensão e corrente em cascata. Neste

caso, um controlador (interno) é responsável pela corrente de entrada do filtro passa-baixas,
enquanto o outro (externo) é responsável pelo controle da tensão de saída. A saída de um
controlador servirá como sinal de referência para outro controlador.
Figura 77- Exemplo de estrutura de conversor com malhas de controle em cascata.

78
2.4 - Módulo 9 – Inversores de frequência

de Frequência”.
Os inversores de frequência são equipamentos capazes de executar o acionamento

completo de motores de indução, além de exercer proteções e recursos especiais. Possuem
internamente inversores de tensão trifásicos, com acionamento PWM. Através dos
inversores é possível variar a frequência das correntes aplicadas ao motor, de modo que a
velocidade do mesmo possa também ser variada. Os inversores de frequência também são
capazes de controlar a velocidade do motor, fazendo com que o mesmo seja capaz de
desempenhar torque em baixa rotação. A Figura 78 ilustra exemplos de inversores de
frequência para acionamento de motores trifásicos.
Figura 78 - Exemplos de inversores de frequência comerciais.

Fonte: retirado de Weg (2020c).
A estrutura básica de um inversor de frequência é mostrada na Figura 79. Este

equiamento é composto por um inversor de tensão trifásico e demais componentes:
– RETIFICADORES: são circuitos responsáveis por converter as tensões CA de
entrada (trifásicas ou monofásicas) em uma tensão CC em suas saídas.
Também são usados filtros LC passa-baixas para eliminar as componentes
harmônicas de tensão e permitir apenas a passagem da componente contínua,
para alimentar o inversor de tensão trifásico;
– READORES DE LINHA: são utilizados na entrada do inversor para estabilizar
a forma de onda de corrente no lado de entrada, reduzindo sua distorção
harmônica total. Também evitam problemas ocasionados por sobretensão
(YASKAWA, 2010);
– REATORES DE CARGA: absorvem picos de sobretensão e reduzem o
aquecimento do motor e o ruído audível.
79
– MÓDULO DE FRENAGEM: é um módulo usado durante as operações de
frenagem dinâmica do motor, para evitar que a tensão do barramento CC
aumente;
– INVERSOR DE TENSÃO TRIFÁSICO: É o dispositivo controlado que
produzirá as correntes trifásicas para acionar o motor (MIT).
Figura 79 – Estrutura básica de um inversor de frequência.

Fonte: retirado e modificado de Petruzella (2013).
2.4.1 - Distorção harmônica na corrente de entrada
Os circuitos retificadores mais comuns são os trifásicos com diodos, como mostrado
na Figura 80. Estes circuitos possuem em sua saída CC um banco capacitivo que visa
melhorar a qualidade da tensão. Também pode ser incluído um indutor CC (DC choke)
responsável por melhorar a qualidade da corrente de entrada e reduzir um pouco seu
conteúdo harmônico total.
Figura 80 - Estrutura básica de um circuito retificador trifásico com filtro CC.

Fonte: retirado e modificado de WIKIPEDIA (2020).
A corrente de entrada nos retificadores é muito distorcida. Quanto maior a

capacitância do banco capacitivo, maior a distorção harmônica total das correntes de
entrada. Correntes distorcidas percorrem transformadores e produzem quedas de tensão
não senoidais ao percorrerem suas impedâncias internas. Isso contribui para a distorção da
tensão nos terminais de conexão das cargas, também chamado de Ponto de Conexão
80
Comum (YASKAWA, 2010). Tanto correntes quanto tensões distorcidas podem fazer com
que equipamentos industriais operem de forma inadequada, causar o sobreaquecimento em
máquinas elétricas, além de reduzir o fator de potência total. Há também a possibilidade de
ocorrer problemas de ressonância, que podem piorar ainda mais a circulação de correntes
e tensões distorcidas (YASKAWA, 2010).
O IEEE Standard 519-2014 é um documento que trada de recomendações propostas
pelo Instituto de Engenheiros Eletricistas e Eletrônicos (IEEE) para reduzir ou evitar a
degradação na qualidade de energia elétrica (IEEE, 2014). Segundo essa recomendação os
consumidores devem limitar a distorção na corrente drenada por suas cargas. Os
fornecedores de energia devem assegurar que a alimentação de tensão seja senoidal, com
um limite máximo de distorção especificado.
2.4.2 - Frenagem dinâmica e reostática
O inversor de frequência também é capaz de realizar a frenagem do motor,

conseguindo desacelerar seu rotor em um curto período de tempo. Durante a desaceleração
do motor é possível fazer com que o mesmo opere como um gerador e forneça energia do
sentido de seu rotor (com a carga conectada) para o seu estator. Esse procedimento é
denominado frenagem dinâmica e permite alcançar tempos de desaceleração inferiores aos
obtidos pela desaceleração natural. Neste processo a energia armazenada pela inércia da
carga é transferida para o estator do motor e consequentemente para o barramento CC do
inversor. Como a entrada do inversor possui um retificador, não é possível transferir essa
energia de volta para a rede elétrica. Isso eleva a tensão do barramento CC do inversor,
podendo gerar falhas de sobretensão.
A frenagem reostática é feita utilizando-se um transistor de potência e um banco de

resistores de potência (ALLEN-BRADLEY, 2017). Quando uma sobretensão é detectada no
barramento CC, o transistor de frenagem conecta o resistor em paralelo ao barramento.
Dessa forma é possível absorver o excesso de energia durante a frenagem e estabilizar a
tensão.
2.4.2 - Controle de velocidade V/f
É uma forma simples de se controlar o motor trifásico, baseada em produzir uma

razão constante entre amplitude de tensão (V) e frequência de saída (f). Segundo (WEG,
2020a) a vantagem deste método de controle é a sua simplicidade, necessitando de poucos
ajustes para colocar o motor em funcionamento. É uma ação de controle em malha aberta e
não utiliza realimentação de corrente, tensão ou velocidade do motor. A Figura 81 mostra
um exemplo de como manter a relação V/f utilizando os dados de placa de um motor.
81
Figura 81 – Relação V/f para controle de motores.
Segundo (RASHID, 2014) o motor de indução operando sob regime senoidal e

estacionário pode ser representado como um transformador trifásico equilibrado, cujo
circuito equivalente por fase é mostrado abaixo na Figura 82. A modelagem em regime
senoidal e equilibrado permite obter uma expressão para o torque do motor na qual o mesmo
é proporcional ao quadrado da tensão de alimentação do estator (RASHID, 2014). O fluxo
do entreferro é também uma função da frequência de alimentação. Mantendo-se a relação
𝑉𝑠∕𝜔 constante, garante-se que o fluxo será também constante e torna-se possível manter o
torque constante e variar a velocidade do motor. A variação da frequência ω, mantendo a
razão V/f constante altera a curva de torque do motor como mostrado na Figura 83.
Figura 82 – Circuito equivalente para uma das fases de um motor de indução trifásico.
Fonte: retirado e modificado de Rashid (2014).
82
Figura 83 – Efeito da variação da frequência ω no motor, mantendo a razão V/f constante.
2.4.3 - Controle de velocidade vetorial
O controle V/f apresenta bom desempenho em regime transitório, mas possui

algumas desvantagens como baixo torque em baixas rotações, resposta dinâmica lenta
(WEG, 2020a). O controle vetorial ou Controle por orientação de campo é uma técnica
avançada e eficiente, permitindo que o motor de indução comporte-se e tenha um
desempenho semelhante ao de um motor de corrente contínua com excitação independente
(RASHID, 2014). Pode-se ou não utilizar um sensor de posição do eixo, denominado
encoder que é um dispositivo que consegue informar a posição do rotor do motor. Se não
utilizar o encoder, o mesmo é denominado Vetorial Sensorless.
Segundo (RASHID, 2014) Esta técnica de controle é baseada em uma modelagem
matemática avançada, feita no domínio do tempo, que possibilita desacoplar a corrente do
ESTATOR em duas componentes:
 Componente de eixo direto: componente responsável pela produção do campo
magnético do motor;
 Componente de quadratura: componente responsável pela produção de torque.
A modelagem do motor pode ser realizada através de um sistema de referência de

rotação síncrona fictício, alinhado com o vetor de fluxo do entreferro (RASHID, 2014).
Portanto pode-se processar todas as correntes, tensões, cálculos de torque e correntes
através desse sistema e em seguida realizar a transformação inversa para acionar o motor
através do inversor PWM. As transformações básicas são mostradas nas expressões (77) e
(78). A relação entre os quadros de referência síncrono e estacionário são mostradas na
Figura 84.
83
1 1
1 − −
𝑓𝛼𝑠 2 2 𝑓𝑎𝑠
√3 √3
[𝑓𝛽𝑠 ] = 0 [𝑓𝑏𝑠 ] (77)
2 2
𝑓0 1 1 1 𝑓𝑐𝑠
[2 2 2 ]
2𝜋 4𝜋
𝑐𝑜𝑠((𝜔 − 𝜔𝑟 )𝑡) 𝑐𝑜𝑠 ((𝜔 − 𝜔𝑟 )𝑡 − 3 ) 𝑐𝑜𝑠 (𝑐𝑜𝑠((𝜔 − 𝜔𝑟 )𝑡) − 3 )
𝑓𝑑𝑠 𝑓𝑎𝑠
𝑓 2
[ 𝑞𝑠 ] = ( ⁄3) 𝑠𝑒𝑛((𝜔 − 𝜔𝑟 )𝑡) 𝑠𝑒𝑛 ((𝜔 − 𝜔𝑟 )𝑡 − )2𝜋 4𝜋 [𝑓𝑏𝑠 ] (78)
𝑠𝑒𝑛 ((𝜔 − 𝜔𝑟 )𝑡 − )
3 3
𝑓0 𝑓𝑐𝑠
1⁄ 1⁄ 1⁄
[ 2 2 2 ]
Figura 84 – Quadros de referência síncrono e estacionário.

Quando o encoder é usado, pode-se obter a informação para o fluxo do entreferro de

forma indireta, através da estimação do escorregamento e das demais modelagens do
motor. A Figura 85 mostra o diagrama de blocos de um controle vetorial em malha fechada
por orientação indireta de fluxo. Se o encoder não for incluso, utiliza-se um modelo
matemático preditivo, com que determina o escorregamento e o fluxo do motor por cálculos.
84
Figura 85 – Controle vetorial por orientação indireta de fluxo.
Atividade: Para concluir a segunda semana de estudos,

vá até a sala virtual e responda ao questionário da
semana 2. Aproveite e deixe uma mensagem no “Fórum”
sobre o que você entendeu do conteúdo desta segunda
semana. Se possível, simule os circuitos estudados em
algum software gratuito.
Este material é introdutório e intencionado a apresentar os fundamentos básicos

sobre inversores de tensão. Esperamos que este curso contribua com a sua formação
pessoal e profissional. Além disso, desejamos que estes conhecimentos lhe motivem a se
capacitar ainda mais!!!
Foi um prazer tê-lo conosco!

Conheça também os outros cursos da Plataforma +IFMG.
85
86
Referências
ALLEN-BRADLEY. PowerFlex Dynamic Braking Resistor Calculator. [s.l.] Rockwell

Automation Publication, 2017.
ANEEL. Procedimentos de Distribuição de Energia Elétrica no Sistema Elétrico
Nacional - PRODIST - Módulo 8 - Qualidade da Energia Elétrica. [s.l: s.n.].
ASHFAQ, A. Eletrônica de Potência. 1. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008.
ASSIS, J. E. F.; MELONI, L. F. J.; SANTOS, C. R. B. DOS. Modelagem de pequenos sinais
para um inversor de tensão monofásico NPC em ponte completa. XVIII Conferência de
Estudos em Engenharia Elétrica. Anais...2020
AVAGO. HCPL-3120/J312, HCNW3120 2.5 Amp Output Current IGBT Gate Drive
Optocoupler. Disponível em: <https://docs.broadcom.com/doc/AV02-0161EN>. Acesso em:
13 out. 2020.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e teoria de circuitos. 13.
ed. São Paulo: Pearson, 2013a.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e teoria de circuitos. São
Paulo: Pearson, 2013b.
ERICKSON, R. W.; MAKSIMOVIC, D. Fundamentals of power electronics. 2. ed. New
York: [s.n.].
HART, D. W. Eletrônica de potência: análise e projetos de circuitos. 1. ed. São Paulo:
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WEG. INVERSOR CFW700A06P0B2DB20Y1. Disponível em:
<https://www.weg.net/catalog/weg/BR/pt/Automação-e-Controle-
Industrial/Drives/Inversores-de-Frequência/Drives-para-OEMs-e-Uso-Geral/Inversor-de-
Frequência-CFW700/INVERSOR-CFW700A06P0B2DB20Y1/p/12104581>. Acesso em: 7
out. 2020c.
WIKIPEDIA. Retificador. Disponível em: <https://pt.wikipedia.org/wiki/Retificador>. Acesso
em: 15 nov. 2020.
YASKAWA. Understanding Input Harmonics and Techniques to Mitigate Them.
Disponível em: <https://www.yaskawa.com/downloads/search-
index/details?showType=details&docnum=PP.HarmonicMitigation.01%0A>. Acesso em: 14
nov. 2020.
88
Currículo do autor
Lucas Frederico Jardim Meloni: Graduou-se em Engenharia de Controle e

Automação pela Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI) em 2012. Possui
mestrado em Ciências em Engenharia Elétrica pela Universidade Federal de
Itajubá (UNIFEI) em 2015. Obteve o título de doutor em Ciências em
Engenharia Elétrica também pela Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI) em
2020. Professor do Ensino Básico, Técnico e Tecnológico do Instituto Federal
de Minas Gerais (IFMG) Campus Formiga desde 2019. Atua em pesquisas e
ensino nas áreas de Eletrônica de Potência, sistemas embarcados, automação
e Eletrônica.
Currículo Lattes: http://lattes.cnpq.br/1325678802116071
Feito por (professor-autor) Data Revisão de layout Data Versão
Luiz Augusto Ferreira de

Lucas Frederico Jardim Meloni 23/12/2021 05/02/2020 1.0
Campos Viana
89
90
Glossário de códigos QR (Quick Response)
Mídia Digital
Módulo 2 -
Mídia Digital Semicondutores de
Módulo 1 - Introdução Potência
Mídia Digital Mídia Digital

Módulo 3 - Inversores Módulo 3 - Inversores
monofásicos Meia monofásicos Meia
Ponte – Parte 1 Ponte – Parte 2

monofásicos Ponte monofásicos Ponte
completa – Parte 1 completa – Parte 2

Módulo 5 - Inversor Módulo 6 - Inversores
NPC Trifásicos – Parte 1

Trifásicos – Parte 2 Trifásicos – Parte 3

Módulo 7 - Modulação Módulo 7 - Modulação
PWM – Parte 1 PWM – Parte 2

Módulo 7 - Modulação Módulo 7 - Modulação
PWM – Parte 3 PWM – Parte 4
91
Módulo 8 - Controle Módulo 8 - Controle
Tensão – Parte 1 Tensão – Parte 2

Módulo 8 - Controle Módulo 8 - Controle
Tensão – Parte 3 Tensão – Parte 4
Mídia Digital Dica do Professor

Módulo 9 – Inversores Dissertação sobre
de Frequência painéis fotovoltaicos
Dica do Professor Dica do Professor

Dissertação sobre
Apostila de indutores e
controle vetorial de
transformadores de
motores de indução
ferrite.
trifásicos
Dica do Professor Dica do Professor

Apostila da UFSC
Tese sobre o
sobre metodologia de
desenvolvimento de
projeto de inversores
um inversor solar.
de tensão.
Dica do Professor
Artigo complementar
sobre modulação
Space Vector.
92
Plataforma +IFMG
Formação Inicial e Continuada EaD
A Pró-Reitoria de Extensão (Proex), neste ano de

2020 concentrou seus esforços na criação do Programa
+IFMG. Esta iniciativa consiste em uma plataforma de cursos
online, cujo objetivo, além de multiplicar o conhecimento
institucional em Educação à Distância (EaD), é aumentar a
abrangência social do IFMG, incentivando a qualificação
profissional. Assim, o programa contribui para o IFMG cumprir
seu papel na oferta de uma educação pública, de qualidade e
cada vez mais acessível.
Para essa realização, a Proex constituiu uma equipe
multidisciplinar, contando com especialistas em educação,
web design, design instrucional, programação, revisão de
texto, locução, produção e edição de vídeos e muito mais.
Além disso, contamos com o apoio sinérgico de diversos
setores institucionais e também com a imprescindível
contribuição de muitos servidores (professores e técnico-
administrativos) que trabalharam como autores dos materiais
didáticos, compartilhando conhecimento em suas áreas de
atuação.
A fim de assegurar a mais alta qualidade na produção destes cursos, a Proex adquiriu
estúdios de EaD, equipados com câmeras de vídeo, microfones, sistemas de iluminação e
isolação acústica, para todos os 18 campi do IFMG.
Somando à nossa plataforma de cursos online, o Programa +IFMG disponibilizará
também, para toda a comunidade, uma Rádio Web Educativa, um aplicativo móvel para
Android e IOS, um canal no Youtube com a finalidade de promover a divulgação cultural e
científica e cursos preparatórios para nosso processo seletivo, bem como para o Enem,
considerando os saberes contemplados por todos os nossos cursos.
Parafraseando Freire, acreditamos que a educação muda as pessoas e estas, por
sua vez, transformam o mundo. Foi assim que o +IFMG foi criado.
O +IFMG significa um IFMG cada vez mais perto de você!
Professor Carlos Bernardes Rosa Jr.

Pró-Reitor de Extensão do IFMG
Características deste livro:
Formato: A4
Tipologia: Arial e Capriola.
E-book:
1ª. Edição
Formato digital

(E-Book IFMG) Eletronica Introducao Inversores Tensao

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Eletrônica

Introdução aos Inversores de Tensão

Lucas Frederico Jardim Meloni

Eletrônica: Introdução aos Inversores de Tensão

Pró-reitor de Extensão Carlos Bernardes Rosa Júnior

M528e Meloni, Lucas Frederico Jardim.

E-book, no formato PDF.

1. Inversores de Tensão. 2. Conversores CC-CA. 3.

Catalogação: Simoni Júlia da Silveira - CRB-6/2396

Índice para catálogo sistemático:

Este curso é autoexplicativo e não possui tutoria. O material didático,

Para saber mais sobre a Plataforma +IFMG acesse

Caro aluno seja bem-vindo ao curso de Formação Continuada “Eletrônica: Introdução

Nesta semana você verá os principais componentes semicondutores

Nesta semana você estudará o inversor trifásico e o acionamento de

Carga horária: 20 horas.

Atenção: indica pontos de maior importância no texto.

Dica do professor: novas informações ou curiosidades

Atividade: sugestão de tarefas e atividades para o

Mídia digital: sugestão de recursos audiovisuais para

Semana 1 – Dispositivos semicondutores e topologias monofásicas ................................... 2

Mídia digital: Antes de iniciar os estudos, vá até a sala

1.1 Módulo 1 – Introdução

Também é possível encontrar inversores de tensão ou corrente trifásicos. Estes

De forma resumida, os inversores utilizam dispositivos semicondutores que operam

Mídia digital: Antes de iniciar este tópico, vá até a

A Eletrônica de Potência é uma área de estudos da Eletrônica que emprega materiais

1.2.1 Diodos de potência

Os diodos de potência são os dispositivos semicondutores mais simples utilizados em

Figura 5 - Exemplos de diodos de potência.

1.2.3 Transistores Bipolares de Junção

Os transistores bipolares de junção (TBJs) são dispositivos de três terminais,

Segundo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013a) a operação destes dispositivos é

A curva da Figura 7 (a) mostra a relação entre a corrente ib e a tensão base-emissor

Ainda através da expressão (1), se o valor da corrente iB for gradativamente

1.2.3 Transistores de efeito de campo de Enriquecimento Metal-Óxido Semicondutor

O transistor de efeito de campo Metal-Óxido Semicondutor (Metal Oxide Field Effect

Os MOSFETs são dispositivos controlados por tensão, onde um sinal de tensão

O MOSFET quando utilizado em inversores de tensão operará nas regiões linear e

1.2.4 Transistores bipolares de porta isolada

O transistor bipolar de porta isolada (Insulated Gate Bipolar Transistor - IGBT) é um

Figura 12 – Módulos IGBT para aplicação em inversores de tensão trifásicos e monofásicos.

1.2.5 Circuitos para comando de MOSFETs e IGBTs

Como os MOSFETs e IGBTs são os dispositivos mais utilizados atualmente em

Figura 13– Circuito driver toten pole para acionamento de MOSFETs.

Uma outra forma mais econômica para acionamento de transistores é através de

Figura 15– Circuito integrado bootstrap para acionamento de MOSFETs ou IGBTs.

Em aplicações industriais também é possível encontrar placas de circuito impresso

Figura 16 – Placa driver comercial para acionamento de MOSFETs ou IGBTs.

Figura 17– Módulo driver comercial para acionamento de MOSFETs ou IGBTs.

Mídia digital: Antes de iniciar este tópico, vá até a

Nesta sessão analisaremos a operação básica do inversor monofásico em

Os sinais de comando da Figura 19 serão aplicados aos circuitos gate driver

Figura 19– Exemplo de sinais de acionamento sgA1 e sgA2 no padrão TTL.

1.3.1 Inversor meia-ponte com carga resistiva.

Em uma carga puramente resistiva de resistência elétrica R constante, como

Segundo (HART, 2012), define-se valores eficazes, ou RMS, de corrente (IoRMS) e

As etapas de operação do inversor meia ponte com resistiva estão mostradas na

T1 = T𝑄𝐴1 + T𝑄𝐴2 (8)

Através dos períodos de acionamento é possível determinar a frequência da tensão

Mudando-se a razão cíclica é possível também modificar o valor médio de vo(t),

É importante garantir que a tensão de saída de um inversor apresente um valor médio

Figura 24- Etapas de operação do conversor meia-ponte com carga RL.