Insulated Gate Bipolar

Transistor (IGBT)
Disciplina: Eletrônica de Potência
Professor: Celton Ribeiro Barbosa

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 Introdução
• O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), é um
dispositivo de comutação de potência que combina as
vantagens do BJT e do MOSFET;
• O BJT possui um baixo nível de perdas em condução,
além de ser utilizado para bloquear altas tensões;
• Por outro lado, o BJT tem um tempo de comutação alto,
principalmente em “turn-off”;
• Em contrapartida, o MOSFET possui tempos de
comutação muito curtos, mas quando utilizado para
bloquear altas tensões possui perdas em condução
muito elevadas;

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Professor Celton Ribeiro
 Introdução
 O IGBT surge com a possibilidade de conjurar as
características de ambos os dispositivos (MOSFET
e BJT), de tal forma que se obtém um componente
adequado para se trabalhar em altas tensões,
com tempos mais curtos;
 Além disso, possui perdas em condução menores;
 Os tempos de comutação do IGBT são na ordem
de 100 𝜇𝑠;
 Isso permite que o IGBT substitua o MOSFET em
muitas aplicações em alta frequência

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 Introdução
• Suporta tensões de até 6,5 kV e correntes de
2,4 kA;
• Frequências acima de 20 kHz

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 Exemplos de transistores de
potência

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Estrutura básica

Figura 1. Estrutura básica do IGBT

Figura 2. Símbolo do IGBT canal N

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 Modelo equivalente do IGBT

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Características Estáticas

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Características de chaveamento

• O comportamento do
IGBT é similar ao do
MOSFET quando ele é
ligado;

Figura 4. Comportamento do IGBT

quando ele é ligado

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Características de chaveamento

Figura 5. Comportamento do IGBT

quando ele é desligado

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Aplicações
• Uma das aplicações
mais relevantes são
os inversores;

Figura 6. Inversor monofásico com

filtro LC

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Figura 7. Filtro Ativo

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Obrigado pela atenção