IGBT

O nome IGBT, é uma sigla de origem na

Língua Inglesa e significa insulated-gate
bipolar transistor ou, em Português
transistor bipolar de porta isolada. O
IGBT é um semicondutor de potência
que alia as características de
chaveamento dos transistores bipolares
com a alta impedância dos MOSFETs
apresentando baixa tensão de saturação
e alta capacidade de corrente. O IGBT
destaca-se por possuir alta eficiência e
rápido chaveamento. Atualmente é muito
utilizado em equipamentos modernos
como carros elétricos ou híbridos, trens,
aparelhos de ar condicionado e fontes
chaveadas de alta potência. Devido a seu
projeto que permite rápido chaveamento
(liga/desliga), encontra aplicação
também em amplificadores e geradores
que necessitam sintetizar formas de
onda complexa através de PWM e filtros
passa-baixa.
Simbologia do IGBT

Seção vertical de uma célula IGBT

Circuito equivalente

Curva característica de um IGBT

O IGBT é uma invenção recente. A
primeira geração de dispositivos desse
tipo na década de 1980 e início dos anos
90 possuíam chaveamento relativamente
lento e seu desligamento (corte na
condução) não ocorria enquanto
existisse corrente fluindo (característica
conhecida na língua inglesa como
latchup). A segunda geração de IGBT
apresentava melhoria e atualmente, os
dispositivos de terceira geração são
muito melhores com velocidade de
chaveamento equiparada à dos
MOSFETs além de excelente tolerância à
sobrecarga e durabilidade.[1]
Basicamente, o IGBT pode ser analisado
também como um mosfet acionando um
transistor bipolar. Este arranjo apresenta
um tiristor parasita, que normalmente é
ignorado devido ao avanço tecnológico
realizado na construção do componente,
que não apresenta mais este
inconveniente.

Comparação entre IGBT e

MOSFET de potência
Um característica do IGBT é uma
significativa baixa queda de tensão,
comparada ao MOSFET convencional em
dispositivos com taxa de bloqueio
elevada. Como a taxa de tensão de
bloqueio tanto do MOSFET quanto do
IGBT crescem, a profundidade da região
de condução tipo n deve aumentar e a
dopagem deve diminuir, resultando em
uma relação quadrática bruta
decrescente na região de condução vs a
capacidade de tensão de bloqueio do
dispositivo. Pela injeção de cargas
minoritárias ( lacunas ) da região do
coletor p+ na região de condução n-,o
IGBT não pode conduzir na direção
inversa.

No circuito em ponte, onde o fluxo da

corrente inversa é necessário, um Diodo
é colocado em paralelo com o IGBT para
conduzir a corrente no sentido contrário.
O custo não muito alto devido a alta
tensão, onde o uso do IGBT domina,
pequenos Diodos são mais eficientes
que o corpo de Diodo do MOSFET.

Ver também
Tiristor
IGCT
MCT

Referências
 1. A.Nakagawa et al., "Safe operating
area for 1200-V non-latch-up bipolar-
mode MOSFETs", IEEE Trans. on
Electron Devices, ED-34, pp.351-
355(1987)

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