Licenciado para - Marcos fernandes - 60044594968 - Protegido por Eduzz.

com

1. O que é um IGBT?

IGBT é o acrônimo para isolar-gate Bipolar Transistor, um semicondutor de potência que combina a comutação
de alta velocidade MOSFET, características de acionamento de tensão e as características de baixa resistência ON
(tensão de baixa saturação) de um transistor bipolar. Como a Figura 1 mostra o circuito equivalente IGBT, um transistor
bipolar usa uma estrutura de porta MOS, enquanto o circuito IGBT equivalente é uma combinação de um transistor
MOS e um transistor bipolar.

Figura 1. Circuito Equivalente IGBT

Os IGBTs, com características de alta velocidade e baixa tensão de saturação, são usados em uma ampla gama
de campos, desde aplicações industriais, como unidades de condicionamento de energia solar e fonte de alimentação
ininterrupta (UPS), até aplicações de consumo, como controle de calor para cooktops IH, ar condicionador PFC,
inversores e controladores de estroboscópio de câmera.

A Figura 2 mostra uma comparação das estruturas e recursos do IGBT, transistor bipolar e MOSFET. A estrutura básica
do IGBT é a de um MOSFET com uma camada p+ adicionada ao lado do dreno (coletor), bem como uma junção pn
adicionada. Portanto, quando portadores minoritários (buracos) são injetados da camada p+ para a camada n com
modulação de condutividade, a resistência da camada n diminui drasticamente. Como resultado, o IGBT tem uma
tensão de saturação mais baixa (menor resistência ON) do que um MOSFET ao lidar com uma grande corrente,
ajudando a reduzir a perda de condução.

No entanto, como o caminho de saída dos furos, os portadores minoritários acumulados no desligamento, é desligado
devido à estrutura do IGBT, é gerado um fenômeno denominado corrente de cauda, no qual o desligamento é
atrasado. Quando isso é gerado, o tempo de comutação se torna maior que o do MOSFET e a perda de tempo de
comutação no desligamento aumenta.

Figura 2. Comparação da estrutura básica do transistor

Licenciado para - Marcos fernandes - 60044594968 - Protegido por Eduzz.com

2. Símbolo e termos

2.1. Classificações máximas absolutas

As classificações máximas absolutas são valores nominais definidos para garantir o uso seguro do IGBT. Exceder as
classificações máximas absolutas, mesmo que instantaneamente, pode levar à deterioração ou destruição do
circuito, portanto, certifique-se de usar IGBTs dentro das classificações máximas indicadas aqui.

Parâmetro Símbolo Definição

Tensão do coletor para Tensão máxima que pode ser aplicada entre coletor e emissor ao curto-
VCES
o emissor circuitar a Gate-emissor.
Tensão do Gate para o Tensão máxima que pode ser aplicada entre o gate e o emissor ao curto-
VGES
emissor circuitar o coletor-emissor.
IC Corrente máxima permitida para o terminal do coleto
Corrente do coletor Corrente máxima permitida para o terminal do coletor durante a operação
IC(peak)
de pulso.
IF Corrente máxima permitida para o diodo integrado
Corrente direta do
Corrente máxima permitida para o diodo integrado durante a operação de
diodo IF(peak)
pulso.
Dissipação de potência Máxima dissipação de potência permitida (perda) ocorrendo no coletor-
PC
do coletor emissor.
Resistência térmica de
Rth(jc) Resistência térmica da junção do elemento à case.
junção para case
Temperatura de Faixa de temperatura máxima permitida na junção do elemento para
Tj
junção operações normais
Temperatura de
Tstg Faixa de temperatura para armazenamento sem energia aplicada
armazenamento

2.2. Características elétricas

Parâmetro Símbolo Definição

Corrente de fuga do Corrente do coletor quando o gate-emissor está em curto e uma tensão
ICES
coletor para o emissor especificada é aplicada entre o coletor e o emissor.
Corrente de fuga do Corrente de Gate quando o coletor-emissor está em curto e uma tensão
IGES
gate para o emissor especificada é aplicada entre o gate e o emissor.
Tensão limite do gate Tensão gate-emissor em uma corrente de coletor especificada quando uma
VGE(th)
para o emissor tensão de coletor-emissor especificada é aplicacada
Tensão de saturação
Tensão gate-emissor em uma corrente de coletor especificada quando uma
do coletor para o VCE(sat)
tensão gate-emissor especificada é aplicada
emissor
Capacitância de Capacitância gate-emissor em uma tensão porta-emissor especificada,
Cies
entrada voltagem coletor emissor especificada e frequência especificada.
Capacitância coletor-emissor em uma tensão gate-emissor especificada,
Capacitância de saída Coes
tensão coletor emissor especificada e frequência especificada
Capacitância de Capacitância gate-coletor em uma tensão gate-emissor especificada,
Cres
transferência reversa tensão coletor-emissor especificada e frequência especificada
Carga total do gate Qg Carga necessária para atingir a tensão de emissor-gate especificada.
Carga do gate para o
Qge Carga necessária para que a tensão do emissor-gate atinja a tensão limite.
emissor
Carga do gate para o
Qgc Carga adicional devido ao efeito de espelho do coletor e gate
Coletor
Tempo de atraso de Tempo necessário para que a corrente do coletor suba para 10% após a
td(on)
ativação tensão do emissor-gate atingir 10% de sua tensão de polarização direta.
Tempo de subida tr Tempo para a corrente do coletor subir de 10% para 90%
Tempo de atraso de Tempo necessário para que a corrente do coletor caia para 90% após a
td(off)
desligamento tensão do emissor-gate atingir 90% de sua tensão de polarização direta.
Tempo de descida tf Tempo para a corrente do coletor cair de 90% para 10%.
Perda de energia ao Valor integral da perda de energia do coletor desde o início da ativação até
Eon
ligar que a tensão coletor-emissor especificada seja atingida.
Perda de energia ao Valor integral da perda de energia do coletor desde o início do
Eoff
desligar desligamento até que a tensão coletor-emissor especificada seja atingida.
Licenciado para - Marcos fernandes - 60044594968 - Protegido por Eduzz.com

Perda total de energia

Etotal Total de Eon e Eoff.
de comutação
Tempo de resistência O IGBT de tempo pode suportar curtos-circuitos sob condições
tsc
de curto-circuito especificadas.
Tensão direta do diodo VF Tensão emissor-coletor na corrente de diodo especificada.
Quando a corrente do diodo muda da direção direta para a direção
Tempo de recuperação reversa, o período de quando a corrente de recuperação reversa começa a
trr
reversa do diodo fluir e o ponto onde a linha reta conectando 90% e 50% do valor de pico da
corrente de recuperação reversa cruza o eixo do tempo.
Corrente de
Corrente fluindo na direção reversa transitoriamente ao mudar do estado
recuperação reversa Irr
quando a corrente do diodo está fluindo para o estado desligado.
do diodo
Carga de recuperação
Qrr Carga total que desaparece durante a operação de recuperação reversa.
reversa de diodo