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1.18. Quais são as diferenças nas características de controle dos GTOs e dos tiristores?
Todos os tiristores só se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente de
manutenção, o que exige circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO
permite o desligamento pelo gate, por pulso negativo de alta corrente, e daí vem o nome
Gate Turn Off, desligamento pelo gate.
1.19. Quais são as diferenças nas características de controle dos transistores e dos
tiristores?
Os transistores apresentam desempenho superior no chaveamento em termos de maior
rapidez e perdas menores por comutação. Um tiristor é ligado pelo aumento da corrente
de anodo.
O transistor tem apenas três camadas de semicondutor, enquanto o tiristor tem quatro
camadas deles. O tiristor é considerado um par de transistores fortemente acoplado em
análise.
No transistor, a corrente do coletor para o emissor é controlada pela corrente de emissor.
Em aplicações de comutação, as três camadas de semicondutores atuam como um
condutor quando a corrente de base é fornecida.
Em operação, o tiristor age conduzindo quando um pulso é fornecido ao gate. Tem três
modos de operação, e uma vez que o gate é acionado com o pulso, o tiristor vai para o
modo de condução direta, e continua conduzindo até que a corrente direta se torne menor
do que o limite de corrente de retenção.
1.20. Quais são as diferenças nas características de controle dos BJTs e dos MOSFETS?
A diferença fundamental é que o TBJ é controlado por corrente, enquanto o MOSFET é
controlado por tensão.
Os MOSFETS possuem alta velocidade de comutação, e é menos sensível à temperatura.
Tem baixa transcondutância; impedância de entrada capacitiva e exige corrente DC.
Os TBJs possuem baixa velocidade de comutação, são sensíveis à temperatura, exigem
corrente DC.