CURSO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA II 1

Prof. Avanir Lessa

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

PROFESSOR: AVANIR CARLOS LESSA

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Capítulo 7 Outro Tipos de Tiristores

7.1 Introdução

Até o presente momento foi apresentado o tiristor padrão, que é o SCR (Retificador Controlado de
Silício). Entretanto, existem outros dispositivos importantes da família dos tiristores que podem ser
classificados de acordo com o tempo de disparo e da construção física, que são:

 A chave controlada de silício;

 Tiristor de chaveamento rápido;
 Tiristor por desligamento por gatilho;
 Triac;
 Diac.

7.2 Chave Controlada de Silício

A chave controlada de silício (SCS) é um dispositivo da família dos tiristores, com quatro camadas
PNPN, conforme apresentada na figura abaixo na sua estrutura e o seu símbolo.

Este dispositivo tem duas portas: o anodo (AG) e o catodo (KG). Como pode ser observado, tem-se
acesso às duas bases do transistor que servem para aplicação de pulsos no gate (porta). Como em um SCR,
o SCS pode passar do estado ligado com a aplicação de um pulso positivo no gate catodo ou com um pulso
negativo no gate anodo.

Se o SCR estiver ligado, passará para desligado com um pulso positivo no gate do anodo ou um pulso
negativo no gate catodo. A corrente de gate anodo, para passagem ao estado ligado costuma ser maior em
amplitude do que a corrente de porta necessária ao catodo.
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A figura abaixo mostra o circuito equivalente do SCS.

Este tiristor (SCR) é mais adequado para aplicações de comutação em baixa frequência. A queda de
tensão em condução varia de 1,15 V para dispositivos de 600 V a 2,5 V para os tiristores de 4000 V. As taxas
de variação de tensão e corrente típicas dos tiristores são de 1000 V / microssegundos e 500 A /
microssegundos respectivamente.

7.3 Tiristor de Chaveamento Rápido

Esses tiristores são utilizados em aplicações onde as comutações ocorrem em frequências mais
rápidas que a comutação natural. Normalmente são empregados em choppers (conversores CC-CC). Estes
tiristores são bloqueados por meio de circuitos auxiliares de comutação forçada.

O tempo de desligamento destes tiristores é de 5 a 50 microssegundos, dependendo da faixa de tensão.

A queda de tensão direta varia inversamente ao tempo de desligamento, sendo, portanto, a consequência pelo
aumento da velocidade de bloqueio.

7.4 Tiristor de Desligamento pelo Gatilho

O tiristor de desligamento pelo gatilho é uma chave semicondutora de potência que passa para o
estado ligado como um SCR normal, isto é, com um sinal positivo no gate. Além disso, pode passar para o
estado desligado por meio de uma corrente de gate negativa.

Tanto as operações em estado ligado como as em estado desligado são, portanto, controladas pela
corrente de gate. Uma segunda característica destes dispositivos e muito importante são as qualidades de
chaveamento. O tempo de ligação é similar ao do SCR, mas o de desligamento é muito menor. Isto permite
o uso desses dispositivos em aplicações de alta velocidade. Entretanto, os seus valores nominais de tensão e
corrente são mais baixos do que os SCRs.
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Estes dispositivos são utilizados em acionadores de motores, fontes de alimentação de funcionamento
contínuo (UPS – Uninterruptible Power Supplies), Compensadores Reativos, Choppers e Inversores de Alta
Potência.

Existem dois tipos destes dispositivos o GTO (Gate Turn-Off) e o IGCT (Integrated Gate Controlled
Thyristor) que pertencem a mesma família de tiristores.

7.4.1 GTO – Gate Turn-Off

Todos os tiristores só se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente de manutenção, o que
exige os circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO permite o desligamento pelo gate, por
pulso de alta corrente, daí o nome (Gate Turn-Off, desligamento pelo gate).

Estruturalmente, é similar ao SCR, mas a dopagem e a geometria da camada do gate, permite

minimizar o sobreaquecimento durante o desligamento, o que destruiria o SCR. O desligamento é feito em
geral através de descarga de um capacitor.

O GTO, embora tenha sido criado no início da década de 60, foi pouco utilizado no início por
problemas de faço desempenho. Com o avanço da tecnologia de construção de dispositivos condutores, novas
soluções foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de
aplicação, especialmente naquelas de elevada potência, uma vez que estão disponíveis para 5000 V, 4000 A.

Abaixo uma figura que mostra um GTO.

As principais vantagens em relação ao SCR são:

 A eliminação de componentes de comutação forçada, para aplicações onde a comutação

natural não pode ser efetuada, resultando em redução dos custos, do peso e do volume do
circuito;

 Desligamento mais rápido, permitindo operação do circuito em frequências mais elevadas.

Em aplicações de baixas potência, os GTOs tem como principais vantagens quando comparado ao
transistores bipolares:
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1. Capacidade de bloqueio e tensões mais elevadas;

2. Alto ganho em estado de condução;

Um GTO tem baixo ganho durante o seu bloqueio, e requer um pulso de corrente negativo
relativamente alto para desligá-lo. Ele possui quedas de tensão em condução mais altas do que os SCRs. O
GTO é um tiristor de desligamento pelo gate, que pode ser disparado pela aplicação de um sinal positivo no
gate.

Entretanto ele pode ser desligado por um sinal negativo no gate. Um GTO é um dispositivo de
retenção e pode ser construído para faixa de tensão e correntes bem próximas do SCR.

7.4.2 IGCT – Integrated Gate Controlled Thyristor

O IGCT é um dispositivo surgido no final da década de 90, capaz de comutação comandada para ligar
e desligar, com aplicações em média e alta potência. O IGCT concorre com o IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor), principalmente em aplicações de média potência.

Em termos de aplicações é um dispositivo que pode substituir os GTOs. Um IGCT é um tipo especial
de tiristor semelhante a um GTO. Eles podem ser ligado e desligado por um sinal na porta, têm baixas perdas
de condução comparado aos GTOs, e toleram grandes valores de operação para o parâmetro (dv/dt), de modo
que circuitos do tipo snubber não são necessários para a maioria das aplicações.

A estrutura de um IGCT é muito semelhante a um tiristor GTO. Em um IGCT, a corrente de

comutação forçada na porta é maior do que a corrente de ânodo. Isso resulta em uma eliminação completa
dos portadores minoritários injetados na junção PN inferior aumentando os tempos de desligamento.

As principais diferenças são a redução no tamanho da célula com menores valores de indutância no
gate da unidade de circuito e de circuito da unidade de drive. Devido aos altos valores de corrente no gate e
para altos valores de di/dt na subida representa que conexões a fio não podem ser usadas para interligar o
circuito de drive o gate da unidade IGCT. Logo, o circuito de disparo do gate é integrada ao pacote do
dispositivo.

Além de algumas melhorias no projeto do dispositivo, a principal característica do IGCT é a

integração do circuito de comando junto ao dispositivo de potência. Tal implementação permite minimizar
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indutâncias neste circuito, o que resulta na capacidade de desligamento muito rápida, da ordem de 1 𝜇s, e
praticamente elimina os problemas dv/dt típicos do GTOs.

O IGCT opera de forma muito mais rápida que o GTO permitindo que o mesmo opere em frequências
mais altas, acima de kHz para períodos de tempo muito curtos. No entanto, devido a elevadas perdas de
comutação, tipicamente os componentes são limitados a operar em 500 Hz.

A unidade de comando do IGCT necessita apenas da informação lógica para o liga e desliga,
normalmente fornecido por meio de fibra ótica e de uma fonte de alimentação para o circuito. O consumo do
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circuito de comando é entre 10 e 100 W. No desligamento, a corrente é comutada rapidamente do catodo
para o gate antes que ocorra qualquer mudança na distribuição de carga entre o gate e o anodo.

O IGCT é desligado como um transistor p-n-p mudando diretamente do modo de operação de

condução para bloqueio, de forma rápida.

7.5 Triacs

O TRIAC é um DIAC com um terminal de gate adicionado para controlar a passagem ao estado
ligado. Ele é capaz de conduzir corrente em ambas as direções, direta e inversa e, pode ser controlado por
um sinal no gate, positivo ou negativo. Isso o torna útil para controle de potência CA.

Um TRIAC é denominado SCR bidirecional, uma vez que pode ser considerado uma integração de
dois SCRs em paralelo. Portanto, para evitar a necessidade de utilizar dois SCRs em antiparalelo, foi
desenvolvido o TRIAC. O nome TRIAC significa a junção das palavras TRI (triodo ou dispositivo de três
terminais) e AC (corrente alternada) formam o nome do dispositivo, cuja principal característica é permitir
o controle de passagem de corrente alternada.

O seu símbolo e a sua curva característica são apresentados na figura

Pela curva característica, pode-se observar que o TRIAC pode conduzir nos dois sentidos de
polarização. As condições de disparo são parecidas ao SCR. O TRIAC pode ser disparado com corrente de
gatilho positiva ou negativa. Em condução, apresenta-se quase como um curto-circuito com queda e tensão
entre 1 e 2 V.

Os terminais do TRIAC são chamados de anodo 1 (A1 ou MT1), anodo 2 (A2 ou MT2) e gate (G).
O TRIAC pode ser disparado em qualquer polaridade de tensão e sentido de correntes. Assim, ele opera nos
quatro quadrantes, tornando-se o terminal A1 como referência.
A figura abaixo apresenta esta condição:
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A sensibilidade ao disparo varia conforme o quadrante, em função das diferenças nos ganhos de
amplificação, em cada caso. Normalmente, o primeiro quadrante é o maior de sensibilidade ao disparo e o
quarto, o de menor.

7.6 Triacs Operando em Corrente Alternada

A tensão de disparo no TRIAC pode também ser controlada pela aplicação de um sinal positivo ou
negativo no gate. Uma vez que ele esteja ligado, o sinal pode ser removido e, exatamente como acontece
com o SCR, o TRIAC permanece assim, até que a corrente principal chegue abaixo do valor da corrente de
sustentação.

Os quatro modos operacionais de passagem para o estado ligado são apresentados na Tabela abaixo:
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Os circuitos a seguir mostram, como exemplo, aplicações simples do TRIAC em corrente alternada:

a) Controle de onda completa com TRIAC

b) Controle de potência em uma carga

7.7 DIAC

O DIAC (Diode Alternative Current) é uma chave semicondutora de três camadas e dois terminais.
Ela é bidirecional disparada por tensão e opera como dois diodos ligados em contraposição em série. A única
maneira de o dispositivo passar para o estado ligado é excedendo a tensão de disparo.

Ele pode ser chaveado de desligado para ligado para qualquer das polaridades de tensão, o que o torna
útil em aplicações com corrente alternada. Normalmente, a tensão de disparo dos DIACs ocorre entre 20 e
40 V.
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A figura abaixo mostra a estrutura e o símbolo do dispositivo. Seus terminais são denominados anodo
1 e anodo 2.

A figura abaixo mostra a curva característica V – I do DIAC.

Quando o anodo 1 estiver em um potencial mais alto do que o anodo 2, uma pequena corrente de fuga
fluirá até a tensão de disparo 𝑉 , além da qual o DIAC conduz. A tensão vai a um valor mais baixo e fica
relativamente constante.

Entretanto, a corrente pode passar rapidamente para um valor alto, limitada somente pelo circuito
externo. Um comportamento similar ocorre quando o anodo 2 estiver em um potencial mais alto do que o
anodo 1. As tensões de disparo são muito próximas, em amplitude, em ambas as direções. A variação é de
cerca de 10%.

Os DIACS são muito utilizados para acionamento de disparo maiores, como SCRs e TRIACS.
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Quando o TRIAC é utilizado como dispositivo de corrente, é frequentemente usado um DIAC como
dispositivo de disparo, conforme pode ser visto na figura abaixo:

No circuito acima, a tensão da rede elétrica sobre 𝑅 , 𝑅 e 𝐶 é defasada sobre o capacitor 𝐶 . Co

capacitor se descarrega até atingir a tensão 𝑉 de disparo do DIAC. Quando isso acontece, o DIAC entra em
condução e cria um caminho de baixa impedância para o capacitor 𝐶 descarregar-se sobre o gatilho do
TRIAC.

A corrente de descarga do capacitor é suficientemente elevada para conseguir disparar o TRIAC de

baixa potência, mesmo com valores relativamente baixos de capacitância.

7.8 Exercícios de Fixação Resolvidos e Propostos

7.8.1) Com relação ao DIAC, assinale a alternativa correta

a) o DIAC é um dispositivo bidirecional que possui dois “gates” internos para assegurar sua polarização e
disparo.
b) o DIAC é um dispositivo que conduz apenas o semiciclo positivo de uma tensão AC.
c) o DIAC é um dispositivo que retifica os semiciclos positivos e negativos de uma tensão alternada.
d) o DIAC é um dispositivo semelhante ao TRIAC, porém sem o terminal de gate e é disparado a partir de
uma tensão denominada VBO (break-over).
e) Todas as afirmativas estão erradas.

Resp.: d.

Justifique a sua resposta.

7.8.2) Sabe-se que em um DIAC os parâmetros IH e VH representam corrente e tensão de manutenção

respectivamente. Pode-se então afirmar que o DIAC após o disparo, continuará conduzindo apenas se, pelo
menos um desses parâmetros for igual a zero.
( ) Certo ( ) Errado
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Resp.: Errado.

Justifique a sua resposta.

7.8.3) Pode-se afirmar que um TRIAC pode ser disparado tanto com corrente contínua (DC) como com
corrente alternada (AC)

( ) Certo ( ) Errado

Resp.: Certo.

Justifique a sua resposta.

7.8.4) Considerando-se os vários tipos de TIRISTORES existentes, associe corretamente os tipos listados
abaixo a suas respectivas características.

(1) DIAC, (2) GTO, (3) IGCT, (4) SCR, (5) TRIAC.

Características

( ) Condução em um único sentido; elevada capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas; controle
de disparo pelo Gate;

( ) Condução de corrente nos dois sentidos; elevada capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas;
controle de disparo pelo Gate;

( ) Condução em um único sentido; elevada capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas; controle
de disparo e bloqueio pelo Gate;

( ) Condução de corrente nos dois sentidos; baixa capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas;
controle de disparo por tensão direta e reversa.

A sequência correta dessa associação é

Alternativas
a) (4); (5); (3); (2).
b) (2); (1); (3); (5).
c) (3); (1); (2); (5).
d) (5); (3); (4); (2).
e) (4); (5); (2); (1).